Критические двухмерный

Интересно отметить, что наблюдаемое максимальное давление двухмерного газа при его конденсации, равное примерно 0,4 дин/см, может показаться весьма малым. Однако это не так. Следует учесть, что молекулы двухмерного газа лежат плашмя и толщина поверхностной пленки составляет всего около 4,5 А. Соответствующий расчет показывает, что поверхностное давление в 0,4 дин/см примерно соответствует 8,7-10 дин/см , или 8,5 атм. Это значение уже довольно близко к критическому давлению для обычных жидкостей. [c.133]

Если рост граней кристалла при электроосаждении происходит за счет образования двухмерных зародышей на металле, ионы которого разряжаются, то необходимо определенное минимальное скоп.я ние частиц на поверхности осаждения. Для описания свойств такой системы вводим понятие о краевом натяжении р, которое является аналогом поверхностной работы. Формула Томпсона, связывающая критический радиус зародыша с величиной пересыщения, в этом случае примет вид [c.239]

Импульсный способ наращивания алмаза [91] был предложен в 1967 г. Он преследовал две цели избавиться от выделения графита и сделать поверхность алмазного кристалла как можно более активной. Первая цель достигается созданием периодического импульсного пересыщения, вторая — повышением температуры поверхности затравки до 2000° К. При создании импульсов пересыщения и пауз между ними образование и рост алмаза и графита будут протекать различно. Во время импульса пересыщения образуются критические зародыши алмаза и графита. Однако при этом зародыши алмаза продолжают уже имеющуюся подложку (автоэпитаксия ) и будут двухмерными. Зародыши графита, выросшие на чужеродной подложке, трехмерны уже в силу необходимости создания новой фазы. Работа образования трехмерных зародышей всегда больше работы образования двухмерных кроме того, надо учесть, что некоторые грани алмаза, например (100), могут расти без образования критического зародыша вообще. Поэтому число критических зародышей алмаза много больше числа критических зародышей графита. [c.103]

Линейное натяжение боковой ступеньки-грани зе в этом случае приблизительно равно произведению удельной межфазной энергии на высоту зародыша (размер молекулы) гс Ьа. Работа образования критического двухмерного зародыша составляет [c.161]

Двухмерный фазовый переход конденсат — пар и зависимость его критической температуры от ассоциации молекул адсорбата [c.243]

Нижний индекс с, 2 означает здесь критические параметры для двухмерного состояния. [c.243]

Вблизи же критической температуры р - -р ", 0a - 0s и теплота двухмерного фазового перехода qs- -0. [c.244]

Появление максимумов на кривых теплоемкости при 0<1 н их смещение с ростом 0 и 7 связано с образованием двухфазной системы в первом адсорбированном слое. Теплоемкость двухфазной системы содержит дополнительный вклад, связанный с поглощением теплоты при переходе адсорбата из двухмерной конденсированной фазы в двухмерный пар. Значения этого вклада увеличиваются вдоль ветвей бинодали с ростом температуры, достигая максимального значения при пересечении бинодали у ее вершины. Дальнейшее повышение температуры приводит к исчезновению одной из фаз (двухмерного конденсата) к снижению теплоемкости до теплоемкости остающейся двухмерной фазы пара. Кривая, проведенная через максимумы, соответствует бинодали, а ее вершина — критической температуре [c.246]

Отношение работ образования критических трехмерного и двухмерного зародышей, как показывает сопоставление выражений (IV. 15) и (IV. 22), определяется безразмерной величиной [c.161]

При большой длине двухмерной системы канал — сопло нижняя граница Р, по-видимому, перемещается дальше в направлении струи с такой же скоростью, с какой верхняя граница N перемещается навстречу струе от критической точки С, соответствующей положению центра зоны рециркуляции (нулевая циркуляция). Для некоторых каналов с осесимметричными струями получены данные, указывающие на существование постоянной нижней границы зоны рециркуляции. Для каналов, длина которых лишь немногим больше длины нормальной зоны рециркуляции, сказывается влияние близости выходного конца канала на размеры зоны рециркуляции она удлиняется до самого выхода канала, так что жидкость может засасываться извне. [c.317]

Примем, что поверхность твердого тела, на котором происходит нуклеация, находится в равновесии с газовой средой. Выделим на поверхности площадь 5 5 = я/- , содержащую адсорбированных частиц в двухмерном газе. Здесь Гс — радиус критического зародыша. Для дискообразного зародыша при конденсации на аналогичную подложку легко показать, что [c.23]

При кристаллизации из газовой фазы рост поверхностей низких индексов контролируется двухмерным зарождением монослоев [5]. Поэтому примем, что самой медленной стадией является образование двухмерных критических зародышей графита. [c.31]

Кинетика гетерогенных химических реакций, протекающих с образованием новой фазы, зависит как от реакционной способности газовых молекул, так и от характера поверхности. Влияние поверхности двоякое. Во-первых, она влияет на кинетику благодаря своим молекулярным и валентным силам. Формально это сводится к изменению работы образования критического зародыша, входящей экспоненциально в константу скорости реакции. Во-вторых, поверхность определяет частоту столкновений в двухмерном адсорбированном слое или частоту столкновений падающих молекул (или атомов) с докритическими зародышами. Опять же формально, это влияние поверхности выражается через адсорбционные характеристики системы поверхность—газ (адсорбент—адсорбат). [c.76]

Чтобы на грани идеального кристалла с параллельными атомными плоскостями мог образоваться новый атомный слой (что равносильно росту кристалла в направлении, перпендикулярном плоскости этой грани), на этой грани сначала должен образоваться стабильный двухмерный зародыш нового слоя в виде группы определенным образом ориентированных атомов, образующих ступеньку (рис. 23). Энергия активации этого процесса чрезвычайно велика, поэтому для образования зародыша нужна очень высокая степень пересыщения раствора или расплава, поскольку ниже определенного критического значения пересыщения ( 25...50%) вероятность его возникновения чрезвычайно мала. После образования зародыша процесс застройки грани идет значительно легче [c.99]

Приблизительные критические значения отношения rJl, обозначающие переход от двухмерной к одномерной модели ТК [c.78]

Расчет рассмотренным методом [И] модельных изотерм адсорбции для величин 2а НТЪ соответствующих температуре ниже критической для двухмерного газа, дает при небольших р модельные изотермы адсорбции со многими небольшими ступенями [70]. В связи с этим поверхность была разбита не на 50, а на 200 различающихся по величинам участков для больших и средних значений р и на 250 таких участков для малых Р, соответствующих более широкому распределению. При этом были получены кривые без ступеней при 2а /ЯТЬ >6,75. Следует, однако, отметить, что сглаживание изотермы связано здесь лишь с практической неразличимостью ступеней при построении кривых. [c.176]

При необходимости учета двух размеров несплошности можно использовать уравнения для двухмерной функции Ра,с(о, с) (более подробно см. [67]). Соответствующее графическое изображение функции Ра,с(о, с) дано на рис. 31. Критические значения несплошностей (а, с)кр и допустимые в эксплуатации значения несплошностей [а, с] находят по уравнениям разд. 1.4, а также описанным в (18, 19, 66, 67]. [c.73]

По-видимому, по этому вопросу имеется мало точных сведений. В частности, не выяснено полностью, следует ли уподобить адсорбированные молекулы двухмерному газу, жидкости или твердому телу каковы степени свободы перемещения вдоль поверхности и вращения, как влияет адсорбционный процесс на критическую температуру и температуру плавления вещества, и мало известно о нарушениях (если таковые имеются), вызываемых поверхностными силами. [c.275]

В случае, когда лимитирующей является кристаллохимическая стадия [уравнение (17)], с повышением температуры уменьшается размер критического двухмерного зародыша [см. уравнение (14)], а следовательно, и работа его образования, что также увеличивает скорость роста кристаллов. Кроме того, определенную роль при этом играет уменьшение гидратации ионов в растворе, резко ускоряющее переход вещества из полуупорядоченного слоя на грани кристалла. Это предположение 100 подтверждается исследованиями [160, 206—208], устанавливаю- [c.100]

По мере повышения концентрации раствора размер мицелл увеличивается, и углеводородные цепи располагаются в них все более параллельно. В результате образуются пластинчатые мицел-ЛН , СостоТщие из двух слоев мыла, обращенных друг к другу углеводородными цепями, а ионогенными группами наружу. Эти мицеллы напоминают по своему строению двухмерный кристалл и могут иметь неограниченно большие размеры в двух направлениях. Вследствие образования пластинчатых мицелл и их характерного распределения в растворе достаточно концентрированные мыла способны переходить в гель ( 161). Заряд пластинчатых мицелл значительно ниже, чем сферических. Для доказательства наличия мгщелл в растворе можно применять метод ультрамикроскопии. Критическая концентрация мицеллообразования в растворах мыл может быть найдена измерением осмотического давле-, ния ц ещё лучше измерением электропроводности. Критическую концентрацию можно определять и по изменению поверхностного натяжения мыльного раствора при увеличении его концентрации. С увеличением концентрации раствора поверхностное натяжение всегда падает, достигая при критической концентрации предельного постоянного значения. [c.353]

На рисунке 3.5.6 представлена картина распределения вектора поврежденности на поверхности образца из стали 16ГС при нагружении до возникновения трещин. В отличие от картины, изображенной на рисунке 3.5.5, значения вектора поврежденности на рисунке 3.5.6 значительно возросли в месте зарожде П1я трещины. Распределение вектора поврежденности на поверхности объекта контроля можно с помощью многоэлементного электромагнитного преобразователя и видеоконтрольного устройства представить в виде многотонового двухмерного или трехмерного изображения и таким образом решить задачу визуализации картионы распределения механических напряжений, выявить участки с повышенными, предельными и критическими значениями механических напряжений. [c.217]

Таким образом, молекулы модификатора в адсорбированном на силохроме монослое остаются ориентированными приблизительно одинаково во всем изученном интервале температур. Ориентация молек(ул модификатора определяется в значительной степени как неспецифическими, так и специфическими межмолекулярнымн взаимодействиями адсорбат—адсорбент и отличается от ориентации в его объемном состоянии. Поэтому фазовые переходы и критические температуры для двухмерного состояния резко отличаются от таковых для объемного состояния, свободного от действия внешнего поля межмолекулярных адсорбционных сил. [c.84]

Модель двухмерного ассоциированного вандерваальсова газа на однородной поверхности. Уравнение состояния и зависимость степени ассоциации от заполнения поверхности и от константы ассоциации. Изотерма и теплота адсорбции двухмерного ассоциированного вандерваальсова газа. Двухмерный фазовый переход конденсат — пар и зависимость его критической температуры от ассоциации адсорбированных молекул. Определение бинодали для двухмерных ассоциированных состояний. [c.233]

ВИЯМ, вызывающим двухмерную конденсацию. На рисунке кривая при / as = 4 проходит вблизи критичбского двухмерного состояния пар — конденсат, соответствующего критической температуре Тс,2-При дальнейшем увеличении / as при той же температуре на изотерме появляется волнообразный участок, соответствующий области двухмерной конденсации. Переход к большим значениям константы ассоциации существенно не изменяет формы кривой зависимости я от 1/0 или от (О, изменяется только положение и глубина ее минимума. [c.240]

Ниже критической температуры двухмерного состояния Гс, 2 адсорбированное вещество распадается на две находящиеся в равновесии двухмерные фазы. Определяя из уравнения состояния ДАВГ (13.35) первую и вторую производную двухмерного давления по температуре и приравнивая их к нулю, получаем следующие выражения для параметров критического состояния ДАВГ (критической площади поверхности, приходящейся на одну молекулу, сос,2, критического заполнения поверхности 0 ,2 и критической температуры Гс,2) [c.243]

Из выражения (13.47) следует, что относительная критическая площадь (u ,ilb, равная обратной величине критической степени заполнения 0 ,2, однозначно связана со значением константы ассоциации ДАВГ при Тс,2. При K as = U отношение Ыс,2/Ь равно трем (0с, 2 = 0,333), т. е. значению, соответствующему обычной модели двухмерного вандерваальсова газа (ДВГ). С ростом /Саз величина u .2/ = 1/0С.2 быстро уменьшается, приближаясь к предельному значению, равному двум (0с,а = 0,5). Из уравнения (13.48) вытекает, что критическая температура Тс,2 с ростом / as ловышается. Уже небольшие значения констант ассоциации существенно изменяют критическую температуру двухмерного газа. [c.243]

Используя численные методы расчета, можно найти для разных Т значения 0s и 0s" (или iOs и Шз") при заданных величинах ajb, Лаз И ij as. Кривая, проведенная через найденные так значения ds и Ds , является бинодалью двухмерного ассоциированного флюида юна отделяет область двухфазной системы от области однофазной системы. Вершина бинодали соответствует критическим параметрам системы. При одинаковых значениях а/й Тс,2 (ДВГ) меньше Тс,2 (ДАВГ). Ассоциация приводит к увеличению плотности двухмерной жидкости и к понижению плотности равновесного с ней двухмерного пара. [c.244]

Рис. 13.8. Положения максимумов теплоемкости этанола и н-гексана, адсорбиронанных на ГТС, для разных степеней заполнения ее поверхности 0 в зависимости от температуры (бинодали для двухмерных состояний). (Для н-гексана масштаб температур вблизи критической температуры двухмерного состояния увеличен)

На рис. 13.8 сопоставлены бинодали для фазовых переходов двухмерных состояний этанола и н-гексана, адсорбированных на ГТС, полученные из рис. 13.7. Как было отмечено, критические температуры трехмерного состояния, Тс.з, для этанола и н-гексана близки. Из рис. 13.8 видно, что критические температуры двухмерного состояния этих веш,еств Тс,2 резко различаются (более, чем на 50°С). Это вызвано тем, что в трехмерном состоянии этанола при высоких Тс,2 водородные связи адсорбат — адсорбат не играют существенной роли в общем межмолекулярном взаимодействии адсорбат — адсорбат. В двухмерном же состоянии на таком неспецифическом адсорбенте, как ГТС, Тс,а намного ниже Тс,з- При столь низких температурах образуются водородные связи между молекулами этанола, это увеличивает К as, Qasi 3 следовательно, и T ,2i[ M. уравнение (13.48)]. [c.247]

Представим себе далее, что мы сжимаем эту пленку посредством подвижного барьера. При этом А уменьшается, а л растет. При достижении некоторого критического значения п начинается переход газообразной пленки в иное состояние прн постоянном давлении (участок Ь). Этот переход совершенно аналогичен трехмерной конденсации насыщенного пара при ро = onst. И здесь поиски общности явлений приводят к представлению о конденсации двухмерного пара в двухмерную жидкость. Это значение я отвечает, таким образом, давлению насыщенного двухмерного пара, а горизонтальный участок Ь — области сосуществования двухмерных пара и жидкости. [c.101]

Рассмотрим кривые сжатия одноосновных предельных жирных кислот при 20 °С (рис. 30). Кривая для идеального газа (яА 400) представлена прерывистой линией, реальные кривые — сплошными. Кривая 1 для лауриновой кислоты проходит близко к идеальной кривой, отступая от нее все сильнее с ростом л и выходит на вертикальную прямую конденсированной пленки без горизонтального участка. Аналогия с трехмерной моделью позволяет трактовать эту пленку как двухмерный газ при температуре выше критической, не переходящий (в отличие от пара) в жидкость, Такие пленки называют газообразнорастянутыми. [c.103]

Приближенная оценка величин кч и кх может быть сделана по величинам <Эа и а. Практически значения кч лежат между 15 (слабая адсорбция) и 0,1 (сильная), значения к1 — между 1 (слабая когезия) и 10 (сильная). Представленные схематически на рис. 61, а изотермы адсорбции, вычисленные для различных значений 1 при к = 5, показывают, что с ростом кх увеличивается 0 и наблюдается переход через критическое состояние. При к 6,7 двухмерный пар конденсируется и появляется вертикальный участок, соответствующий горизонтальному участку на кривой сжатия — увеличению 0 (уменьщению при р = сопз1 = [c.162]

Если плотность разветвления полимера достигает некоторого критического значения, то мсм7т возникнуть так называемые сшитые структуры. Сшитыми, или сетчатыми, называют полимеры, цепи которых соединены между собой химическими связями в единую сетку. В случае сщитых (пространственных) полимеров понятие молекула утрачивает смысл, и тогда рассматривают среднюю молекулярную массу отрезка цепи между химическими связями, соединяющими отдельные макромолекулы. Сетчатые структуры могут быть плоскими или пространственными, причем в сетку соединяются как две, так и несколько макромолекул. Две макромолекулы могут соединяться с образованием лестничных структур со сдвоенной цепью или с регулярной линейной сеткой. Если макромолекулы соединяются между собой химическими связями с образованием двухмерной сетки, то такие полимеры называют плоскими сетчатыми, например, так построен графит. Если макромолекулы соединяются в пространстве в трех направлениях регулярно, то их называют регулярными пространственно-сетчатыми полимерами. Такое строение имеет алмаз. [c.15]

Эта скорость также рассматривается в теории роста кристаллов Фольмера—Каишева—Странского. При этом, несмотря на присутствие уже образовавшегося кристалла (затравки), на определенных стадиях роста граней в начале наращивания нового слоя кирпичной кладки скорость роста может лимитироваться необходимостью затраты работы образования двухмерного (плоского), толщиной в один атом, критического зародыша. При очень малом пересыщении атомами углерода вероятность образования таких зародышей так мала, что рост кристалла идет с запинками , подобно остановкам плохо смазанных поверхностей при скольжении. Однако на определенных участках поверхности кристалла рост может идти непрерывно, без запинок , ввиду того, что либо работа образования зародыша нового слоя кирпичной кладки равна нулю [например, в случае алмаза на гранях с индексами (100)], либо (как в случае винтовой дислокации на поверхности кристалла) никаких двухмер- [c.21]

Двухмерные критические зародыши графита могут образовы- ваться как из двухмерного адсорбированного газа, так и в результате взаимодействия падающих на поверхность молекул с докри-тическим зародышем. В предположении независимости этих двух процессов суммарная скорость нуклеации будет равна [c.31]

Возникает естественно важный вопрос, почему нельзя вести наращивание алмазных порошков столь же высокими линейными скоростями. Одна из важнейших причин этого может быть разъяснена на основе теории роста кристаллов. Для появления каждого нового слоя атомов на грани алмаза большей частью нeoбxoди ra, чтобы сначала образовался двухмерный критический зародыш. Вероятность его образования за единицу времени пропорциональна площади, поэтому средний промежуток времени между образованием двух зародышей обратно пропорционален площади. Если за этот про.межу-ток времени вся грань успеет вымоститься монослоем атомов, то линейная скорость роста окажется равной частному от деления расстояния соседних атомных слоев на интервал времени между образованием двух критических зародышей. Если бы эта закономерность была безгранично применима, то линейная скорость роста, прямо пропорциональная площади граней, была бы пропорциональна квадрату линейных размеров кристалла. Однако этот закон справедлив с оговоркой. [c.98]

Б. Е. Гаммон 1. В своем интересном обзоре д-р Кембел указывает, что существенной особенностью стабилизации пламени встречной струей является наличие критической (застойной) зоны, в которой горючее вещество основного потока затормаживается, нагревается и зажигается. В этом проявляется основное различие между стабилизацией встречной струей и плохообтекаемым стабилизатором. Большое значение застойной зоны горючего вещества основного потока иллюстрируется неопубликованными экспериментами NA A, в которых изучалось действие обтекаемого двухмерного стабилизатора, снабженного отверстиями для струй (см. фиг. I). [c.332]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология