Эвтектический треугольник

Так как на кривых охлаждения длина горизонтальной площадки, соответствующей кристаллизации эвтектики, пропорциональна количеству эвтектики, то это можно использовать для определения концентрации компонентов в эвтектической точке. Для этого строится треугольник Таммана. Длины горизонтальных площадок аб, вг, де, жз и ик (рис. 31, а) откладывают вертикально вниз от изотермы эвтектики в точках, отвечающих составам систем (рис. 31, б), и пересечение линий, проведенных через точки м, б, г, е, э, и, л, к, з, дает состав эвтектики. [c.239]

Эвтектические прямые двойных систем транслируются в область тройного состава в виде линейчатых поверхностей, скользя своими концами по ребрам призмы. Образуемые ими линейчатые поверхности являются плоскостями, совпадающими с гранями призмы и простирающимися до эвтектического треугольника. Эти линейчатые поверхности отвечают концу выделения двух фаз. Они служат, таким образом, солидусом двойных выделений, отделяя область трехфазных равновесий Ж -Ь Т -Ь Та от двухфазной области Тх- - Т2. На диаграммах простого эвтектического типа эта область вырождена в плоскость. [c.305]

Выше ликвидуса располагается однофазная жидкая область тройной системы. Между тремя поверхностями ликвидуса и линейчатыми поверхностями располагаются области двухфазных равновесий ЖН-А, Ж + ВиЖ-ЬС. Объемы между линейчатыми поверхностями и эвтектическим треугольником, проектирующиеся [c.306]

Пограничными кривыми поверхности ликвидуса тройного соединения являются линии двойных эвтектик Е е Е , Е е Е , Е е Е пересекающихся в тройных эвтектических точках Е , Е и Е . Эти точки расположены в плоскостях эвтектических треугольников к к к , гп т т и вторичных тройных систем. Кривые со стрелками, исходящие из тройных эвтектических точек, изображают линии двойных эвтектик, соединяющие тройные эвтектические точки с двойными эвтектическими точками частных двойных систел . В остальном строение физико-химических фигур плавкости вторичных тройных систем аналогично диаграмме [c.343]

При построении зависимости свойств от состава для многофазной системы необходимо учитывать априорную информацию о строении изучаемой системы. Поверхность ликвидуса в системе эвтектического типа представляет собой три пересекающиеся поверхности первичной кристаллизации каждой фазы. Предлагается [38] аналитически описать каждую из этих поверхностей, применяя симплекс-решетчатые планы, затем найти линии их пересечения и точку пересечения этих линий. Поверхности первичной кристаллизации молено выделить при помощи вспомогательного треугольника, вершинами которого служат точки двойных эвтектик двойных диаграмм (рис. 51, в). Образовавшиеся новые треугольники I, П и П1 рассматриваются как исходные. Для рассматриваемой системы РЬ—Сс1—В1 внутри каждого треугольника был реализован неполно кубический симплекс-решетчатый план (табл. 68). [c.268]

Состав а лежит в области кристаллизации анортита и принадлежит фазовому треугольнику анортит — волластонит — ЗЮг. Выделение первичной кристаллической фазы — анортита начинается при 1400° и идет вдоль линии анортит — точка а до пограничной кривой между анортитом и волластонитом. По пограничной кривой путь кристаллизации пойдет вверх к эвтектической точке с температурой плавления 1170° (точка температурного максимума на этой пограничной кривой лежит ниже, в точке пересечения ее с соединительной прямой анортит — волластонит). Кристаллизация расплава а заканчивается в эвтектической точке с выделением анортита, волластонита и тридимита. [c.143]

На листе миллиметровой бумаги построить диаграмму плавкости в координатах температура — состав. Через точки температур конца кристаллизации провести линию солидуса. С помощью треугольника Таммана, построенного под диаграммой плавкости, определить состав эвтектической смеси и перенести его на линию солидуса. Провести через точки температур начала кристаллиза-цпи плавные кривые ликвидуса. Приняв, что изучаемая система идеальная, рассчитать теплоты плавления обоих веществ с помощью уравнения Шредера. [c.244]

Пятый разрез (рис. 76, д) проведен при температуре ниже температуры кристаллизации эвтектики А — В, но выше тройной эвтектической температуры. Этот разрез пересекает пространство вторичного выделения всех трех компонентов (кристаллизации всех трех двойных эвтектик). Поля диаграммы, отвечающие кристаллизации чистых компонентов, значительно сузились, и расширились поля кристаллизации двойных эвтектик. Площадь, отвечающая жидкому состоянию, лежит в середине и имеет вид криволинейного треугольника. [c.209]

Симплекс-решетчатые планы Шеффе наиболее успешно используют для описания закономерностей в однофазных системах, для однофазных участков сложных систем или если изучаемое свойство определяется только одной фазой. Попытки использовать метод симплексных решеток для построения зависимостей свойств от состава целиком во всей многофазной системе часто оказываются неудачными. Точки симплекс-решетчатого плана могут не совпадать с критическими точками диаграммы, и аналитическое описание не улавливает участки скачкообразного изменения свойств. Например, попытки построения зависимости температуры начала кристаллизации целиком для всей системы эвтектического типа РЬ - d - Bi не привели к успеху, хотя были построены полиномы от второй до четвертой степени включительно (рис. 66, а и 6). При построении зависимости свойств от состава для многофазной системы необходимо учитывать априорную информацию о строении изучаемой системы. Поверхность ликвидуса в системе эвтектического типа представляет собой три пересекающиеся поверхности первичной кристаллизации каждой фазы. Предлагается аналитически описать каждую из этих поверхностей, применяя симплекс-решетчатые планы, затем найти линии их пересечения и точку пересечения этих линий. Поверхности первичной кристаллизации можно выделить при помощи вспомогательного треугольника, вершинами которого служат точки двойных эвтектик двойных диаграмм (рис. 66, в). Образовавшиеся новые треугольники I, II и III рассматриваются как исходные. Для рассматриваемой [c.285]

Всле,а,ствие неудобства пользования перспективными изображениями пространственных диаграмм, обычно пользуются проекцией этой диаграммы на плоскость концентрационного треугольника. Так, на рис. 13.12,6 представлена проекция поверхности ликвидуса — эвтектических линий (e E, егЕ, езЕ) и эвтектической точки Е на плоскости концентрационного треугольника. Для более полной характеристики поверхности ликвидуса изотермы, т. е. линии одинаковых температур начала кристаллизации, могут быть спроектированы на концентрационный треугольник. [c.276]

Если фигуративная точка исходного расплава лежит на вертикали, проходящей через кривую вторичной кристаллизации (например, точка О на рис. 1.13,6), то при опускании ее до этой кривой сразу начинается вторичная кристаллизация (в данном случае Л и С), а первичная отсутствует. Если же точка находится на вертикали, проходящей через прямую, соединяющую проекцию точки тройной эвтектики с вершиной треугольника, то после первичной сразу наступает кристаллизация тройной эвтектики, а вторичная отсутствует. Наконец, если фигуративная точка лежит на вертикали, проходящей через тройную эвтектическую точку, то сразу по достижении последней происходит кристаллизация тройной эвтектики. [c.35]

Добавим еще, что линии А Ех В, В Ез С и А Е С, лежащие в гранях треугольной призмы, основанием которой служит треугольник АВС, представляют собой не что иное как диаграммы двойных систем А—В, В—С, А—С, а точки Е/, Ег, Е2 — их эвтектические точки, которые, если их надо отличить от тройной эвтектической точки Е, называют двойными эвтектическими точками. [c.76]

Укажем, прежде всего, на то, что если фигуративная точка нащей системы попадает в треугольник ЗВС (5С —соединительная прямая), то после затвердевания системы она должна представлять собой механическую смесь В, С и 5 . Однако обе нонвариантные точки — Е и Р — находятся в треугольнике Л5С. Соверщенно ясно, что точка Е — эвтектическая, и ей соответствует одновременная кристаллизация А, 8 и С [c.85]

Первый тип этих точек нам известен. Это эвтектические точки. На рис. 48 дано расположение тройной эвтектической точки относительно фигуративных точек твердых фаз , находящейся в треугольнике, верщинами которого являются Vi, V2, Уз- Вид поверхности ликвидус в окрестности тройной эвтектической точки показан на рис. 49 к тройной эвтектической точке спускаются три моновариантные линии, соответствующие равновесию жидкости с двумя фазами, которые могут выделяться из нее при отнятии от системы теплоты. Мы уже знаем, что такой процесс является конгруэнтным. [c.86]

Физико-химическая фигура плавкости тройной системы простого эвтектического типа состоит, таким образом, из следующих элементов (см. рис. 136) поверхностей ликвидуса А е Ее А, В е Ее В и Сотвечающих первичному выделению компонентов А, В и С, эвтектического треугольника а "Ъ "с", отвечающего концу кристаллизации сплавов тройного состава, линейчатых поверхностей а е<, Ее а" Ы а, Ъ е Ее- Ъ"Ь" Ъ и с ву Еез с"с" с, отвечающих концу первичных выделений компонентов А, В и С, линейчатых поверхностей а"с"с" а", с Ь"Ь "с" [c.305]

Кристаллизация сплава состава М, лежащего внутри эвтектического треугольника, вначале протекает по схеме, сходной с двухфазным выделением кристаллов. Однако в этом случае фигуратив- [c.329]

Для эвтектической точки В элементарным фазовым треугольником будет область АтВп—С—В, и составы, попадающие в эту область, должны закончить кристаллизацию в точке Е. [c.79]

Составы, расположенные в поле кристаллизации С вблизи соединительной прямой, но справа от нее, также проходят довольно сложный путь кристаллизации. Например, расплав состава е при кристаллизации выделяет компонент С, затем на пограничной кривой идет одновременная кристаллизация Л и С. В точке О происходит химическая реакция образования АтВп, на которую расходуются кристаллы Л. Путь кристаллизации в точке О не заканчивается (точка принадлежит фазовому треугольнику С—АтВп—В), а продолжается по пограничной кривой СЕ. В эвтектической точке расплав закристаллизуется с выделением С, АтВп и В. [c.81]

Наибольший интерес представляют те составы, которые являются основой промышленных стекол. Эти составы охватывают поля кристаллизации девитрита, волластонита - a0-Si02 и прилегающие к ним области. Они относятся к наиболее легкоплавким в системе. Почти все указанные составы попадают в один и тот же элементарный фазовый треугольник ЫзгО-25102—НагО-ЗСаО-65102— 5Ю2 и заканчивают кристаллизацию в эвтектической точке О (самая низкотемпературная эвтектика в системе — температура плавления 725°, состав в массовых долях 21,3% КагО 5,2% СаО и 73,5% SIO2). [c.124]

Рассмотрим один из сравнительно сложных путей кристаллизации, соответствующий расплаву а, точка состава которого лежит в области кристаллизации лейцита, но относится к фазовому треугольнику SIO2—К2О-АЬОз-6SIO2—КгО-45102- Путь кристаллизации должен закончиться в эвтектической точке с температурой плавления 710°. [c.136]

В поле кордиерита пути кристаллизации идут по прямым, исходящим из точки состава 2 2 5. Заканчивается кристаллизация в эвтектических точках с температурами 1355°, если точка заданного состава лежит в фазовом треугольнике кордиерит — протоэнстатит — тридимит, и 1365° для фазового треугольника кордиерит — протоэнстатит — форстерит. Только незначительная часть составов этой области, принадлежащих фазовому треугольнику кордиерит — форстерит — шпинель, заканчивает кристаллизацию в точке двойного подъема с температурой 1370°. [c.140]

Диаграмма плавкости политерма растворимости) изображается в виде прямой трехгранной призмы, основанием которой служит треугольник состава, а по высоте отложена температура (рис. 124). Точки а, Ь ц с представляют температуры плавления чистых веществ — соответственно А, В и С . На боковых гранях призмы нанесены кривые аЕф, сЕаЬ и сЕ ,а кристаллизации двойных систем. Так как прибавление третьего компонента понижает температуру плавлення смеси двух других, то, например, введение в эвтектическую смесь А + В (точка Е ) вещества С вызовет понижение температуры кристаллизации — получится идущая книзу и внутрь призмы кривая Е Е равновесия тройной раствор — твердые А + В . Аналогично образуются кривые Е2Е и Е Е (их иначе называют пограничными). Все они сходятся в точке Е (тройная эвтектика), в которой раствор насыщен всеми компонентами это — наиболее легкоплавкая смесь. [c.318]

ДЛИНЫ горизонтальных участков на кривых охлаждения. Продолжительность эвтектических остановок пропорциональна весу кристаллизующейся эвтектики. Она равна нулю у чистых компонентов и достигает наибольшего значения у сплава эвтектического состава. Измерив по кривым охлаждения продолжительность эвтектических остановок, откладываем перпендикулярно к оси состава или эвтектической прямой отрезки, длина которых пропорциональна продолжительности кристаллизации эвтектики. Через концы перпендикуляров проводим две прямые aD и bD. Получаем треугольник aDo (треугольник Таммана), высота которого D лежит на ординате эвтектики. Поэтому абсцисса Лд точки С дает искомый состав эвтектики. Простейшие бинарные сплавы указанного типа образуют d — Bi, Sb — Pb, Al — Si, Li l — K l, геленит — анортит (рис. 57), диопсид — форстерит и др. [c.183]

Трехкомпонентные эвтектические системы. При часто встречающейся в практических условиях необходимости выделять оба компонента бинарной смеси в чистом состоянии приходится прибегать к более сложному процессу, названному экстрактивной кристаллизацией . Экстрактивная кристаллизация позволяет выделить из бинарной эвтектической системы оба компонента в виде чистых продуктов в результате изменения фазового состояния твердое — жидкость путем добавки третьего компонента [8, 79 ]. Диаграммы фазового состояния для трехкомпонентных систем удобнее всего изображать в виде равностороннего треугольника, строящегося в условиях постоянного давления. Влияние температуры можно показать введением четвертой координаты, в результате чего плоская диаграмма приобретает форму тетраэдра. Вследствие неудобства объемных диаграмм для практического использования влияние температуры изображают в виде проекции на основание тетраэдра, получая таким образом плоскую диаграмму. На рис. 3 представлена такая диаграмма для системы метаксилол — нараксилол—н-гентан. [c.55]

Границы треугольника изображают фазовое равновесие твердое — жидкость для трех бинарных смесей. Кривые, соединяющие бинарные эвтектические точки с тройной эвтектической точкой EiEi, EiEi, E Et), называют кривыми бинарных эвтектик. Любая точка на одной из бинарных эвтектических кривых соответствует тройному жидкому раствору, находящемуся в равновесии с двумя твердьши и одной паровой фазой. В тройной эвтектической точке существует три твердые фазы, находящиеся в равновесии с жидкой и паровой фазами. [c.55]

Особенность треугольных диаграмм, подобных представленной на рис. 3, та, что все возможные тройные растворы, образующиеся при комнатной температуре в результате добавки н-гептана к ксилолам, состав которых соответствует бинарной эвтектической смеси Ei, лежат на прямой, соединяющей точку El с вершиной треугольника, соответствующей и-гептану. Такая прямая линия, разумеется, изображает смесь ксилолов постоянного состава с переменными количествами н-гентана. Однако при низких температурах на рис. 3 видно, что кривая EiEi для бинарной эвтектической системы лежит ниже упоминавшейся прямой смешения. Другими словами, при добавке м-гентана состав жидкой фазы в эвтектической точке (в пересчете на смесь, не содержащую я-гептана) изменяется в сторону повышения содернмния метаксилола. Такое изменение состава эвтектической смеси ксилолов, вызываемое присутствием третьего компонента, и лежит в основе процесса экстрактивной кристалли- [c.55]

В тройных системах Т. т.- точки нонвариантных четырехфазных равновесий (см. Многокомпонентные системы). В эвтектич. или перитектической Т. т. сходятся три пов-сти первичной кристаллизации разл. фаз и соотв. три линии совместной кристаллизации, отвечающие трехфазным равновесиям. Т. т. указывают состав жидкой фазы, находящейся в равновесии с тремя кристаллич. фазами. Эвтектическая Т. т. расположена внзтри концентрац. треугольника, в вершинах к-рого находятся точки состава соответствующих кристаллич. фаз, перитектическая Т. т.- вне этого треугольника. Перитек-тические Т. т. могут быть двух видов точки двойного подъема, в к-рых одна из трех линий совместной кристаллизации отходит от Т. т., понижаясь, а две другие - повышаясь точки двойного спуска, в к-рых две линии совместной кристаллизации отходят с понижением, а одна - с повьшгением. [c.12]

Следует отметить, что состав эвтектики, неизвестный, естественно, заранее, описанным методом можно определить по величине горизонтальных площадок на кривых охлаждения при эвтектической температуре. Эвтектическому составу 2 на рис. 77) будет соответствовать максимальная по времени остановка температуры, т. е. максимальная длина площадки. Откладывая на диаграмме состояния длины указанных площадок для различных составов в виде перпендикуляров, проведенных к горизонтали эвтектической температуры, можно построить треугольник (сс1е), высота которого (Ее) определит эвтектический состав. [c.283]

Плоскость А "В "С ", параллельная треугольнику состава и лроходящая через тройную эвтектическую точку Е, называется солидусом, или поверхностью солидуса диаграммы, так как ниже ее вся система находится в затвердевшем состоянии. [c.77]

На рис. 41 изображена такая плоская диаграмма состпа. ния, причем все обозначения на этом рисунке соответствуют обозначениям на рис. 40 кроме того, на нем тройная эвтектическая точка соединена прямыми АЕ, ВЕ и СЕ с вершинами-треугольника. [c.78]

Затвердевание расплава I (см. рис. 47) происходит так. Так как точка I лежит в треугольнике Л5С, затвердевщий сплав будет представлять собой механическую смесь веществ Л/ S, С и, следовательно, затвердевание расплава кончится в эвтектической точке Е. При охлаждении жидкого расплава I первым начинает выделяться компонент С, в точке М начинается совместная кристаллизация С и В в точке Р идет пе-рйтектический процесс — растворение В и выделение S и С. А так как в расплаве / был недостаток В, то при перитекти-ческом процессе первой израсходуется фаза В, после чего последует моновариантный процесс выделения фаз 5 и С (погра- [c.93]