Гиббса Кюри

В кристаллах силы взаимного притяжения частиц в различных направлениях неодинаковы. Поэтому и поверхностное натяжение разных граней кристалла моз/сет быть неодинаковым. Вследствие этого наименьшее суммарное значение изобарного потенциала всей поверхности кристалла 2(ст5) достигается при определенном соотношении в размерах его граней (в отличие от жидкостей, где оно достигается при шарообразной форме тела). С этим связано, что кристаллам, в отличие 01 жидкостей, свойственна определенная геометрическая форма. Та форма кристалла, которая отвечает наименьшему значению обладает наибольшей устойчивостью (принцип Гиббса Кюри). [c.358]

Поверхностное натяжение. Принцип Гиббса — Кюри. [c.168]

Наличие свободной поверхностной энергии проявляется во множестве явлений, например в самопроизвольном стремлении капли жидкости, взвешенной в другой несмешивающейся в ней жидкости, принять форму шара, т. е. форму тела в наименьшей поверхностью, при которой величина о5 будет тоже наименьшей. Это отвечает принципу Гиббса — Кюри термодинамически устойчива такая внешняя форма твердого или жидкого тела, при которой его суммарная свободная поверхностная анергия будет наименьшей. [c.169]

Гнббса-Дюгема уравнение 1/1064.127, 1014,1065 3/886 4/366, 373 5/500 Гиббса-Коновалова закон 2/899 Гиббса-Кюри условие 2/318 Гиббса-Кюри-Вульфа принцип. 1/1172, 1173 Гиббса-Плато канал 4/1206, 1207 Гиббса-Розебома треугольник 3/188 ГНббса-Смита условие 4/1206 Гиббса-Томсона эффект 2/319 Гиббса-Фольмера теория 2/317, 318 Гиббсит 1/211, 213 [c.578]

РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, ОСНОВАННАЯ НА ПРИНЦИПЕ ГИББСА — КЮРИ — ВУЛЬФА [c.41]

Возможен еще один, термодинамически обоснованный механизм рекристаллизации в дисперсных системах, основанный на принципе Гиббса — Кюри — Вульфа. [c.41]

Принцип Гиббса— Кюри был дополнен теоремой Вульфа [212], согласно которой минимум поверхностной энергии многогранника (при данном его объеме) достигается при том взаимном расположении его граней, когда они удалены от одной и той же точки (точки Вульфа) на расстояния, пропорциональные их удельным поверхностным энергиям [c.42]

Из принципа Гиббса—Кюри—Вульфа следует, что скорости роста граней пропорциональны поверхностным натяжениям [c.42]

Довольно подробно старение осадков различных солей изучил Кольтгоф [51, 52, 120[. Он считал, что основным процессом при старении является упорядочение кристаллической решетки, имеющей первоначально, при образовании кристалла, множество трещин и внутренних неправильностей, что соответствует механизму перекристаллизации, основанному на эффекте Гиббса — Кюри — Вульфа. Такой же точки зрения о механизме рекристаллизации, как о структурной перекристаллизации, придерживаются и другие исследователи [213, 214]. Иногда под структурной перекристаллизацией понимают переход из аморфного в кристаллическое состояние, а также полиморфные превращения [215—217], но этот вид перекристаллизации в настоящей работе не рассматривается. [c.43]

Механизм рекристаллизации, обусловленный эффектом Гиббса — Кюри — Вульфа, здесь также отпадает, поскольку при кипении наблюдается явное уменьшение количества частиц, что несовместимо с указанным механизмом. [c.65]

Термодинамическая теория Гиббса — Кюри — Вульфа объясняла только равновесную форму кристалла, но не касалась вопроса о кинетике роста и растворения кристаллов. Гиббс высказал положение, что кристалл растет не плавно, а скачкообразно, слой за слоем. Кюри и Вульф указывали, что скорости роста отдельных граней кристаллов, измеренных перпендикулярно к граням, пропорциональны удельным поверхностным энергиям граней. Вульф, так же как и Браве [327], пришел к выводу, что скорости роста различных граней кристалла зависят от количества частиц (узлов плоской решетки), приходящихся на единицу их поверхности. Следовательно, при росте кристалл покрывается медленно растущими гранями, а быстро растущие исчезают. А. В. Шубников 328] показал, что чем ниже пересыщение, тем больше кристалл по форме приближается к шару и тем больше у него граней. [c.86]

При создании молекулярно-кинетической теории роста и растворения кристаллов были использованы термодинамические уравнения Томсона о равновесном давлении пара над кристаллами различных размеров и Гиббса — Кюри — Вульфа о равновесной ( юр-ме кристалла. [c.93]

Процесс переконденсации обычно обосновывается изотермической перегонкой, обусловленной влиянием размера частиц дисперсной фазы на их растворимость (упругость пара), в соответствии с уравнением Кельвина, а также механизмом, обусловленным эффектом Гиббса— Кюри— Вульфа. [c.202]

Форма мицелл. Обобщенный принцип Гиббса — Кюри. Возвратимся к выражению (3) и выделим в статсумме вращательные степени свободы молекулярного агрегата как целого. Можно записать [c.145]

Условие (41) — (42) есть обобщение принципа Гиббса — Кюри на случай малых объектов. Оно применимо не только к мицеллам, но и к малым кристалликам и другим малым объектам, для определения формы которых собственные вращательные движения становятся уже существенными. [c.146]

Даются общие соотношения термодинамики мицеллярных систем и отдельных мицелл. Устанавливается связь между распределением мицелл по размерам, их поверхностным натяжением и критической концентрацией мицеллообразования. Выводится выражение для константы закона действия масс в терминах поверхностного натяжения На основе обобщенного принципа Гиббса—Кюри анализируются полиморфные модификации мицелл и устанавливаются соотношения, определяющие границы существования мицелл различной формы. Выводится распределение стержнеобразных и пластинчатых мицелл по размерам. [c.255]

V — объем кристалла, Т — абсолютная температура. Кристаллическая форма, определяемая принципом Гиббса— Кюри, называется равновесной формой кристалла. [c.361]

Если заданы состав и состояние монокристалла и окружающей его фазы и указан выбор положения разделяющей поверхности, то при неизменной взаимной ориентации граней кристалла в пространстве их поверхностные натяжения вполне определены, и остается лишь выяснить соотношения между площадями граней, определяющие равновесную форму кристалла. Эти соотношения вытекают из принципа равновесия Гиббса, переходящего при выполнении условий термического и химического равновесия многокомпонентной системы и постоянстве объемов сосуществующих фаз в принцип Гиббса — Кюри [c.227]

В настоящем параграфе приведем еще один вариант строгого доказательства теоремы Вульфа, также основанный на выводе и использовании трех дополнительных к принципу Гиббса — Кюри уравнений связи. В дальнейшем рассмотрим вопрос о равновесной форме монокристалла с учетом его реберной энергии. [c.228]

Доказательство теоремы Вульфа. Для доказательства теоремы Вульфа воспользуемся принципом Гиббса — Кюри (XI. 2), записав его при помощи (XI.4) следующим образом [c.229]

С учетом выражения (XI. 1) принцип Гиббса—Кюри принимает следующий вид [c.231]

Принцип Гиббса—Кюри в данном случае имеет форму [c.234]

Вульф [95], развивая принцип Гиббса — Кюри, показал, что удельные поверхностные энергии граней пропорциональны длинам перпендикуляров, опущенных из центра кристалла на грани равновесной формы. Он постулировал также, что грани кристалла растут со скоростями, пропорциональными их свободным энергиям. Следовательно, быстрее всего растут грани, обладающие наибольшей поверхностной энергией. Скорость роста грани кристалла измеряется ее перемещением в направлении своей нормали. А так как длины нормалей, проведенные из центра кристалла к его граням, в общем случае не равны между собой, то, согласно рассматриваемой теории, поверхностные энергии граней и скорость их роста должны быть различными. В результате равновесная форма кристалла будет содержать преимущественно грани с наименьшей поверхностной энергией. [c.62]

Гиббс, Кюри, а впоследствии русский ученый Г. В. Вульф при интерпретации явлений, связанных с ростом кристаллов, исходили из связи между формой кристалла и поверхностной энергией всех, его граней. Согласно диффузиониым теориям процесс образования кристаллической грани протекает с бесконечно большой скоростью и поэтому зависит только от скорости подвода вещества к кристаллу из раствора, т. е. от скорости диффузии. В двадцатых годах нынешнего столетия для объяснения роста кристаллов Фоль-м ер предложил адсорбционную теорию, согласно которой частицы кристаллизующегося вещества при достижении поверхности образуют своеобразный адсорбционный слой — двумерное кристаллическое образование, присоединяющееся затем к грани кристалла. Странский считает вероятным возможность образования на растущем кристалле ионных рядов или слоев, сходных с двумерными кристаллическими образованиями Фольмера. [c.226]

Прн гомог. образовании кристаллнч. зародышей (при затвердевании, кристаллизации из р-ра) их форма определяется условием Гиббса-Кюри минимума поверхностной энергии зародыша где у, и -соотв. уд. свободные поверхностные энергии и площади i-x граней кристалла. Этому условию отвечает соотношение Вульфа У(/А( = onst, где /г -расстояние i-й грани от центра кристалла. Зависимость ДО(Л,) при образовании крнс-таллич. зародышей сходна с выражением (1), но численные коэф. оказываются иными. Часто выражение (1) применяют и при рассмотрении образования кристаллич. зародышей, подразумевая под величиной у нек-рое усредненное (эффективное) зиачеине уд. поверхностной энергии зародыша. Прн гетерог. образовании кристаллич. зародышей важное значение имеет структурное соответствие зародыша и матрицы, на к-рой он образуется. Выделение кристаллич. фазы иа подложке с близкими параметрами их кристаллич. структуры наз. эпитаксиальным ростом. Как особый вид гетерог. 3. и. ф. можно рассматривать возникновение двухмерных зародышей при кристаллизации новых атомарных (молекулярных) плоскостей с высотой а, равной межплоскостному расстоянию. При этом для зародышей квадратной формы с длиной ребра I [c.163]

Самопроизвольные П. я., в к-рых изменяется поверхностное натяжение 1) образование огранки (равновесной формы) кристаллов. Равновесной форме соответствует минимум поверхностной энергии (принцип Гиббса-Кюри-Вуль- [c.590]

Такое невнимание к процессу переконденсации объясняется тем, что, согласно сложившимся представлениям, механизм переконденсации обычно сводится либо к механизму изотермической перегонки (оствальдова созревания), обусловленному влиянием размера частиц на парциальное давление насыщенного пара (растворимость), либо к механизму, обусловленному эффектом Гиббса — Кюри — Вульфа. Однако, как показывают расчет и опыт, механизму изотермической перегонки и оствальдова созревания подвергаются частицы дисперсной фазы размером не более 10 см. Что же касается механизма, обусловленного эффектом Гиббса — [c.3]

При рассмотрении механизма структурной перекрпсталл1гза-ции, обусловленного эффектом Гиббса—Кюри — Вульфа, необходимо указать на границы его применимости. Перекристаллизация по этому механизму происходит только в пределах одного кристалла путем перестройки отдельных граней, зарастания щелей и трещин и т. д. Вполне естественно, что при этом площадь единичного кристалла, а следовательно, и всех частиц дисперсной фазы, несколько уменьшается. Уменьшаются и размеры кристаллов. Однако это уменьшение не идет ни в какое сравнение с падением удельной поверхности дисперсной фазы при рекристаллизации. Принципиально отличает данный механизм от оствальдова созревания то, что при механизме структурной перекристаллизации изменяется количество частиц дисперсной фазы. Таким образом, роль структурной перекристаллизации (в строгом смысле этого слова) в увеличении более крупных частиц дисперсной фазы за счет растворения мелких сводится к нулю. [c.43]

Р. А. Багиров (Азербайджанский филиал БНИИГаз, Баку), Одна из особенностей сорбции в микропорах, не рассмотренная в работе Беринга и Серпинского, состоит в том, что в результате действия капиллярных сил в микропористом адсорбенте возникают большие внутренние напряжения. Например, при контакте микропористых кристаллов с водой, содержащей НзЗ и СОа, в кристалл проникает агрессивная жидкость, влияющая на полиморфные превращения в этом кристалле. В процессе адсорбции НгЗ и СО2 в меж- и интеркристаллическом пространстве образуются зародыши новых кристаллов, па различных гранях которых по-разному адсорбируются эти вещества, В результате, в соответствии с принципом Гиббса — Кюри-Вульфа, в этих условиях будут образовываться различные формы кристаллов (пластинчатые, игольчатые и др.). [c.251]

Термодинамические методы позволяют исследовать такие состояния системы, которые отвечают экстремумам ее свободной энергии. Если, как в теории кристаллов Гиббса—Кюри—Вульфа [4] не учитьюать реберной энергии кристаДло В, то окажется, что все формы огранения кристалла, кроме одной, — идеальной — являются абсолютно неустойчивыми, так ка.к в этом случае минимум Ъ является единственным. [c.110]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология