Бинарные фториды

Превосходной заменой фтористого водорода в лабораторных условиях может служить фторид и бифторид аммония, а также бифторид калия. Так как эти реагенты представляют собой твердые вещества, то они гораздо удобнее в обращении. Единственным ограничением при применении этих веществ является склонность получаемого фторида реагировать с ионом фтора. Эти фторирующие агенты нельзя применять для получения фторидов металлов, которые обладают сильными акцепторными свойствами, так как продукт в этом случае будет представлять собой комплексную соль, а не бинарный фторид, например [c.343]

Таблица 23. Химические сдвиги Р и константы взаимодействия бинарных фторидов

ГЛАВА 7 БИНАРНЫЕ ФТОРИДЫ [c.306]

В последние годы был достигнут значительный прогресс в области синтеза неорганических фторидов. Успешно совершенствовалась также техника обращения с исключительно реакционноспособными фторидами. Цель данного обзора, который не является исчерпывающим,—критическое рассмотрение основных методик синтеза, предложенных для неорганических фторидов. В ряде случаев автор отмечает, какая из лабораторных методик является, по его мнению, наилучшей для синтеза данного бинарного фторида. Однако в такой бурно развивающейся области, как химия фтора, существует реальная опасность, что эти указания могут устареть. Кроме того, на выбор методики может сильно влиять доступность данных реактивов и оборудования, а также масштабы синтеза и требуемая чистота продукта. Поэтому автор попытался перечислить некоторые наилучшие препаративные методики, по крайней мере для наиболее важных бинарных фторидов. [c.306]

Физические свойства наиболее важных бинарных фторидов [c.308]

Многие летучие фториды представляют собой молекулы с акцепторными свойствами. Поэтому использование одновалентных фторидов для синтеза бинарных фторидов ограничено, так как акцепторные фториды образуют устойчивые тройные фториды, особенно с фторидами щелочных металлов, например [c.322]

С последующим пиролизом продукта реакции и образованием бинарного фторида [c.323]

Очевидно, каждый бинарный фторид характеризуется своим потенциалом в реакции окислительного фторирования. Исчерпывающий обзор этого типа методик выходит за рамки данной главы. Основным критерием при отборе материала для обсуждения служили универсальность реакций пли доступность данного фторида. [c.326]

Основным среди окислительных фторирующих агентов является сам фтор. В принципе элементарный фтор можно использовать для получения любого из известных бинарных фторидов. Практически реакцией с элементарным фтором данный бинарный фторид можно получить лишь с низким выходом если требуется получить бинарный фторид в низшем валентном состоянии, то реакцию вообще трудно осуществить. Примером служит синтез SF из фтора и серы [62]. Это соединение можно получить с низким выходом, но только при условии, если сера находится при достаточно низких температурах, а фтор сильно разбавлен. Получение фторидов в низших валентных состояниях реакцией с элементарным фтором существенно затруднено высокой реакционной способностью и окислительными свойствами фтора. Однако есть случаи, когда первичный продукт фторирования при комнатной или близкой к [c.326]

Наиболее важные методы синтеза бинарных фторидов с использованием элементарного фтора перечислены в табл. И. Ряд фторидов получали только реакцией элементарного фтора (или какого-либо источника атомов фтора) и соответствующего элемента. Это обстоятельство отмечено в табл. И. По мнению автора, прямое фторирование элементарных веществ (или галогенидов в низшей валентности) является одним из лучших лабораторных способов синтеза всех фторидов, перечисленных в табл. 11. [c.332]

Вследствие высоких энергий кристаллических решеток фториды щелочных металлов при умеренных температурах с относительным трудом вступают в большинство обменных реакций с участием галогенов. При повышенных температурах они вступают в обменные реакции, но их применение для синтеза бинарных фторидов очень затруднено тем обстоятельством, что фториды щелочных металлов реагируют затем с многими бинарными фторидами с образованием тройных фторидов [215], например [c.347]

В табл. 19 приведены некоторые надежные методики получения бинарных фторидов обменными реакциями с участием фторида цинка. [c.352]

Широкое применение в области синтеза органических фторсодержащих соединений нашел карбонилфторид (т. кип. —83°) [221 ]. Карбонилфторид взаимодействует с неорганическими окислами и сульфидами с образованием бинарных фторидов [c.362]

В табл. 2 приведены известные бинарные фториды платиновых металлов. [c.382]

Бинарные фториды платиновых металлов [c.382]

При получении фторидов платиновых металлов чаще всего применяют газообразный фтор, так как он обычно необходим на некоторых стадиях получения бинарных фторидов и оксифторидов. Высшие фториды получают прямым взаимодействием металла с фтором. Однако низшие фториды (которые обычно нелетучи в условиях фторирования) редко получаются чистыми при использовании этой методики, так как корка нелетучего фторида мешает дальнейшему фторированию металла. Низшие фториды лучше получать восстановлением высших фторидов при помощи фторирующего агента с ограниченной окислительной способностью, например трифторида брома, или обменной реакцией. [c.389]

Некоторые свойства бинарных фторидов платиновых металлов [c.398]

Близость размеров и электроотрицательностей Р и приводит к значительному структурному сходству между бинарными фторидами и оксидами, тогда как структура галогенидов с более тяжелыми галогенами обычно родственны структурам [c.136]

Устойчивость однотипных галогенидов с возрастанием порядкового номера элемента в периоде и элемента-аналога в группе также закономерно изменяется для низшей степени окисления более характерны йодиды, для высшей — фториды. Бинарные фториды TaFs, WFe суш,ествуют, подобные бинарные йодиды неизвестны, они известны для низшей степени окисления (см. ниже). Изменение прочности галогенидов d-элементов в ряду F—С1—Вг—I легко объясняется в рамках концепции эффекта поляризации чем больше радиус атома (иона) электроотрицательного элемента и чем больше эффективный заряд у электроположительного -элемента, тем при прочих равных условиях ниже прочность гало-генида. [c.503]

В книге рассматриваются фосфазеновые соединения, соединения кремния с аютом, ортофосфорные кислоты и ортофосфаты, алкоксиды металлов, бинарные фториды, соединения платиновых металлов с фтором, соединения ксенона и др. [c.4]

Обсуждение структуры и физических свойств бинарных фторидов выходит за рамки данной главы, однако для выбора фторирующего агента при синтезах известных или новых соединений решающее значение имеют определенные физические характеристики. В связи с этим в табл. 1 приведены температуры плавления и кипения и критические давления для некоторых наиболее важных фторидов. При этом следует отметить следующее при рассмотрении сверху вниз элементов любой группы периодической системы летучесть соединений МР уменьшается (часто довольно резко) при переходе от третьего к четвертому ряду. Однако эти резкие изменения не означают перехода от ковалентного к ионному типу связи. Скорее всего большинство из них отражает изменение в координационном числе, т. е. переход от молекулярной решетки к полимерной. Так, 31Р4 и ОеР4 образуют молекулярные решетки и испаряются при низких температурах, в то время как ЗпР4, [c.307]

При замещении кислорода роль фтористого водорода формально такова же, как и при обмене галогенами. На природу получаемого продукта оказывают заметное влияние условия проведения реакции. В качестве продуктов могут образовываться бинарные фториды, оксифториды, фторзамещенные кислоты или фтороокси-кислоты. [c.320]

Для разложения тройных фторидов могут потребоваться температуры значительно выше 500°. Комплексные тройные фториды щелочноземельных металлов не очень устойчивы, и продуктами реакции при повышенных температурах являются бинарные фториды. Из фторидов щелочных металлов фториды натрия и лития, по-видимому, наимзнее склонны к образованию устойчивых тройных фторидов. Так, фторид натрия не образует комплексов при взаимодействии с фторидами несколько пониженной акцепторной активности, в то время как фториды калия, рубидия и цезия образуют комплексы, которые можно выделить. Это было показано для [c.322]

Трифторид хлора (т. кии. 12,8°) реагирует с металлами или Галогенидами металлов путем обмена галогенами, сопровождаемого обычно последующим окислением до высшего валентного состояния. Примером фторирования с использованием С1Гз является получение фторида кобальта(1П) и фторида серебра(П) из хлорида кобальта(П) и хлорида серебра(1) ири 250° [147]. Трифторид хлора значительно менее склонен к образованию комплексов с бинарными фторидами, чем трифторид брома. [c.334]

III) из окиси марганца(П) или МП3О4 при 100° [254]. В результате взаимодействия фтора с двуокисями титана и циркония при 350 и 525° соответственно получают количественный выход фторидов титана(1У) п цирконпя(1У) [117]. Фторирование сульфидов элементарным фтором приводит к образованию бинарных фторидов. Эти реакции требуют более мягких условий, чем фторирование окислов при этом сера выделяется в виде соответствующих фторидов. [c.355]

Трифторид брома (т. кип. 126°) реагирует с большинством окислов с количественным выделением кислорода и с образованием бинарных фторидов высоких или максимальных валентностей. Обычно получаемые бинарные фториды не отличаются чистотой вследствие образования сольватов с трифторидом брома [259]. Имеется несколько исключений, например прямой синтез МпРз из Мп(Юз)2 [143]. [c.357]

Фтористый водород не является общеупотребительным лабораторным реагентом при получении бинарных фторидов п окспфто-ридов из окислов. Это объясняется довольно высокими температурами, необходимыми для проведения многих реакций, и трудностями очистки продуктов от фтористого водорода. Коммерческий тетрафторид урана получают непрерывным способом путем гидрофторирования двуокиси урана в металлических трубках из пнконеля или хастеллоя С, но для осуществления реакции необходима температура 565° [273]. Тетрафторид тория получают подобным же способом при температурах 350—550° [273а ]. [c.360]

Расплавы бифторида аммония реагируют с окислами металлов с образованпем комплексных фторидов аммония и металла, которые претерпевают пиролиз с выделением бинарных фторидов [44]. Так, V2O3 и NH4HF2 при 100—250° превращаются в (МН4)зУРв, которое разлагается с выделением VFa прп 500—600° [43] [c.360]

VIII. Получение бинарных фторидов в водной среде 367 [c.367]

VIII. ПОЛУЧЕНИЕ БИНАРНЫХ ФТОРИДОВ В ВОДНОЙ СРЕДЕ [c.367]

Эти соединения получены при непосредственном взаимодействии простых веществ в различных условиях. Известны бинарные фториды Хер2, Хер4 и ХеРб — бесцветные кристаллические [c.47]

B настоящее время известны для интервала телшератур 300—775, так что принципиально воз.можно получение бинарных фторидов достаточной степени чистоты при правильном выборе условий реакции. Практически, однако, применяют следующие оптимальные гфепаративные методы, позволяющие избегать использования констант равновесия. [c.458]

О первом получении бинарного фторида ксенона Клаассеном, Селигом и Мальмом [1] стало известно вскоре после сообщения Бартлета о взаимодействии между ксеноном и гексафторидом платины 2]. Они идентифицировали полученное соединение как Хер4. Эта работа привела к открытию двух других бинарных фторидов — дифторида (ХеРг) и гексафторида ксенона (ХеРе). В этой статье кратко изложены методы получения трех фторидов, причем основное внимание уделено препаративным методам, использованным в Аргоннской национальной лаборатории. В табл. 1 перечислены методы получения [c.54]

Первые опыты по фторированию ксенона привели к открытию Хер4 [1] и ХеРг [2, 3]. В литературе нет сведений о возможных загрязнениях этих соединений другими бинарными фторидами. Поэтому мы пришли к заключению, что если сушествует ХеРе, то это соединение неустойчивое и для его синтеза необходимо использовать неравновесные условия. В методе, который мы применили для синтеза ХеРе, ксенон и фтор реагировали при высокой температуре, а получаемые продукты быстро охлаждались до низкой температуры. [c.76]

Как указали Заика и Шлихтер [5], плотность р-элек-тронов является главным фактором, определяющим химический сдвиг в бинарных фторидах, и, следовательно, изменение экранирования может быть связано со степенью ковалентности связей и электроотрицательности составляющих систему частей [6]. Карплус и Дас [7] получили соотношение между величиной экранирования и свойствами локализованной связи, включающими гибридизацию, ионный характер и двойной характер связи. [c.337]