Подвижность электронов дырок

Электроны или положительные дырки играют роль проводящей ток системы, и поверхностная проводимость может отличаться от объемной электропроводности вследствие присутствия носителей л-заряда, приводя к электропроводности (I = neu, где v —подвижность электрона, а е —его заряд. [c.54]

В отличие от ионных проводников, для которых, как отмечалось в предыдущем разделе, выбор носителей бывает двояким, для электронных проводников носители принято выбирать вполне однозначно это электроны в зоне проводимости для проводников п-типа и электронные дырки для проводников р-типа. Поэтому для них подвижность всегда относится к указанным частицам. [c.189]

Существует два вида фотоэффекта внутренний и внешний. Первый положен в основу создания вентильных фотоэлементов и фотосопротивлений, второй — вакуумных и газонаполненных фотоэлементов. Внутренний фотоэффект (фотоэффект запирающего слоя) наблюдается при облучении кристалла полупроводника или диэлектрика, что приводит к изменению энергетического состояния электронов кристаллической решетки. Этот процесс сопровождается либо изменением подвижности или концентрации носителей заряда, либо пространственным перераспределением возникших под действием излучения разноименных зарядов ( электрон — дырка ), приводящим к накоплению их у разных электродов. Механизм внутреннего фотоэффекта объясняется зонной теорией (см. стр. 55). [c.175]

Достаточным, но не необходимым критерием электронной электропроводности служит наличие эффекта Хол.ча. Электронная электропроводность может быть чисто электронной, чисто дырочной и смешанной, когда в электропроводность принимают участие как электроны, так и дырки. В свою очередь ионная проводимость может быть катионной, анионной и смешанной. Поскольку подвижность ионов очень мала по сравнению с подвижностью электронов, преобладание электронной составляющей электропроводности над ионной наступает даже тогда, когда число электронов, принимающих участие в электропроводности, еще очень мало по сравнению с числом ионов. Воздействуя на вещество термически, электрическими и магнитными полями, различными излучениями, можно увеличить [c.411]

Ясно, что электроны и дырки,. привлеченные заряженной вакансией, могут ее избежать в том случае, если они подчинены электростатическому полю. Измерения показали, что. подвижность электронов очень невелика — около при температуре жидкого воздуха, проводимости позволяют получить длину. [c.41]

Уровни, показанные на рис. 2 ниже Е с, можно рассматривать как такие, на которые подвижный электрон может падать с уровня Е с и захватываться ими. Образующийся экситон будет иметь свое собственное движение, которое не зависит от поля, так как он электрически нейтрален. Аналогичный процесс захвата можно в такой же степени отнести к дыркам, как и к электронам. Интересно поэтому определить разность между Е с и нижним уровнем экситона Мотта для антрацена. Лайонс [82[ принимал ее равной 1,8 эв, но более поздние вычисления (раздел I, 2) показывают, что это значение может быть ниже почти на 1 эв, если и величина сродства к электрону Аа и величина энергии поляризации кристалла ионной парой больше, чем принималось ранее. [c.666]

Кристаллы изолятора в качестве счетчиков. Принцип действия ионизационной камеры не исчерпывается газонаполненными камерами. Использование для этой цели более плотных ионизируемых сред дает очевидные преимущества не прибегая к неоправданно большим объемам, ионы с большой энергией можно полностью остановить в пределах камеры цри этом получаются вполне регистрируемые импульсы при прохождении отдельных электронов или у-квантов, несмотря на их низкую удельную ионизацию. Были испытаны ионизационные камеры, наполненные жидким аргоном, однако более перспективными инструментами стали так называемые кристаллические счетчики, являющиеся, по существу, ионизационными камерами с твердыми диэлектриками между, плоско-параллель-ными электродами. Ионизирующее излучение перебрасывает электроны в полосу проводимости — процесс, аналогичный ионизации атома или молекулы,— и эти электроны затем движутся с достаточно высокими подвижностями к положительному электроду. Положительные заряды (электронные дырки ) движутся в противоположном направлении, но не за счет движения ионов по объему кристалла, а в результате последовательных обменов электронами между соседними положениями в решетке. Кристаллы алмаза и сульфида кадмия успешно применялись для этих целей при комнатной температуре. Другие кристаллы, такие, как галогепиды серебра и таллия, являющиеся ионными проводниками при комнатной температуре, могут использоваться при низких температурах. Средняя энергия, необходимая для перевода электрона в полосу проводимости, составляет для таких твердых диэлектриков, как правило, около 10 эв, что меньше, чем средняя энергия (—30 эв), расходуемая на образование пары ионов в газе. [c.141]

Если положительные дырки локализованы у катионных единичных вакансий, что вполне вероятно, подвижность катионных и анионных радикалов мала, т. е. затруднен их выход на поверхность. Однако при возбуждении локализованного электрона и положительной дырки может возникнуть связанная легко подвижная электронно-дырочная пара—экситон 121. Если вероятность возбуждения электрона значительно больше вероятности возбуждения положительной дырки, концентрация экситонов должна определяться концентрацией возбужденных положительных дырок [c.60]

Наименьшей проводимостью обладают электронные дырки, а не кислородные вакансии [304]. Было показано, что подвижность кислородных вакансий имеет тем большую энергию активации, чем больше концентрация постороннего катиона. Поэтому можно было ожидать еще больших различии между коэффициентами диффузии, приведенными в этой работе, и коэффициентами для движения кислородных вакансий даже при одинаковом составе. [c.126]

Используя линейный участок зависимости а(х), авторы [39] определили подвижность электронных дырок в области Лг- При 1347 °С подвижность равна 0,4 см в-сек) при понижении температуры она уменьшается экспоненциально с энергией активации Еа = 0,3 эв. При этом ширина зоны проводимости в закиси кобальта очень узка (меньше кТ при 1500 °К [65]), так что дырки локализованы на ионах СоЧ С учетом экспоненциальной зависимости подвижности дырок от температуры для концентраций вакансий получаем [c.81]

Если скорость образования пар электрон — дырка превышает скорость, с которой объемные заряды, возникшие в результате захвата этих пар на поверхностных и внутренних частях центра светочувствительности, нейтрализуются подвижными ионами серебра, то электроны и дырки будут захватываться другими частями поверхности полиэдрической субструктуры, всегда содержащей больше внутренних ловушек, чем поверхностных. Атомы брома должны покидать кристалл в количестве, эквивалентном числу атомов серебра, выделяющемуся на внутренних поверхностях. Поверхность приобретает положительный заряд, равный отрицательному заряду внутри кристалла. Электроны, дырки и ионы серебра перемещаются в создавшемся электрическом поле, часть электронов и дырок рекомбинирует, что уменьшает эффективность образования скрытого изображения. Нейтрализация объемного заряда ионами серебра должна с наибольшей скоростью протекать тогда, когда положительная дырка захватывается на поверхности центра светочувствительности, а электрон захватывается в непосредственной близости внутренним ионом серебра. В этом случае иону серебра нужно переместиться на небольшое расстояние в сильном поле. Отсюда следует, что в определенном интервале освещенностей образуется компактное скрытое изображение, состоящее из частицы серебра и расположенное в центре светочувствительности непосредственно под поверхностью. [c.63]

Одной из первых отраслей промышленности, потребовавшей столь чистых веществ, была промышленность полупроводниковых материалов. Наиболее часто используемые в этой области германий и крем ний в совершенно чистом состоянии, по-видимому, могут быть отнесены к изоляторам — они не проводят тока. Проводимость появляется лишь в присутствии примесей элементов соседних групп периодической таблицы (третьей и пятой) порядка одного атома на миллиард атомов кремния или германия. Пот явление чужих атомов приводите резкому изменению проводимости и многих других свойств. В полупроводнике появляются узлы с избыточным подвижным электроном (—) и узлы с недостающим электроном (+), так называемые дырки. Проводимость реализуется за счет перемещения электронов и дырок при наложении внешнего электрического поля. [c.14]

Полупроводники. При ширине запрещенной зоны ниже 4 эВ кристаллические вещества проявляют полупроводниковые свойства. При поглощении энергии электроны валентной зоны возбуждаются и переходят в зону проводимости (рис. 4.12, а). В результате в зоне проводимости появляются подвижные электроны, а в валентной зоне вакансии или положительно заряженные дырки. Наличие подвижных электронов и дырок обеспечивает собственную проводимость полупроводников. При внешнем электрическом поле появляется движение электронов IB одном, а дырок - в противоположном направлениях. Собственную проводимость имеют, например кремний и германий. [c.108]

При разогревании облученных при температуре жидкого азота углеводородов и ряда полимеров были обнаружены вспышки люминесценции [23] и резкое увеличение электропроводности [24], обусловленные соответственно рекомбинацией электрон—дырка в результате размораживания подвижности частиц. Показано, что радикалы, возникшие при облучении, выступают в роли акцепторов электронов и дырок [25]. При разогреве облученных органических веществ в электрическом поле была обнаружена релаксационная поляризация, интерпретированная как результат активационной миграции протона по молекулярной цепи иона [26]. Оценка концентрации замороженных ионов в предельных углеводородах показала, что она на порядок ниже концентрации замороженных радикалов. Однако нижняя граница выхода ионных пар в твердых парафинах была оценена равной на 100 эв [27]. [c.348]

Подвижные электронные вакансии, достигающие границы раздела, могут заполняться электронами от постороннего восстановителя, что приведет к заряжению полупроводниковой пленки пигмента избыточным отрицательным зарядом. Такой заряженный слой делается способным отдавать электроны на другой границе раздела угольному или металлическому электроду, как был показано в фотогальванических опытах Евстигнеева и Теренина [1]. Из этих опытов и из наших измерений с сухими пленками следует, что контакт пленки хлорофилла с раствором, содержащим окислители, создает на этой границе раздела поверхностные электронные ловушки, способствующие захвату электронов, освобождаемых светом внутри слоя. Образующиеся подвижные положительные дырки, достигая электрода на другой границе раздела слоя, заряжают его положительно. Таким образом, в этой модели действительно осуществляется взаимосвязь пространственно разделенных окислительно-восстановительных реакций через посредство освещаемой пленки пигмента. В какой мере эти процессы имеют место в хлоропластах при фотосинтезе, остается пока еще открытым вопросом. [c.281]

Диаграмма на рис. 3.3 интересна и в том отношении, что свидетельствует об изменении типа проводимости бинарного кристалла в зависимости от его состава (или Рхг ) При низком давлении Рхг (5 > 0) кристалл имеет электронную проводимость, а при высоком />Х2 (5 < 0) — дырочную СП— /7-переходом в точке г или несколько правее ее (с учетом более высокой подвижности электронов по сравнению с дырками). Разумеется, что такой переход в очень чистых кристаллах можно ожидать только в том случае, если их область гомогенности простирается по обе стороны от стехиометрического состава (например, у Т10). У кристаллов, которые термодинамически стабильны только с избытком одного компонента, тип проводимости остается неизменным при любых условиях и не связан с введением новых компонентов. Так, оксид цинка, стабильный только с избытком металла, всегда является проводником и-типа, а монооксиды никеля и железа, стабильные только с избытком кислорода, являются проводниками /7-типа. [c.129]

Электрон проводимости (квазисвободный электрон, подвижный электрон)—частица, образующаяся одновременно с дыркой и движущаяся по кристаллу независимо от движения дырки. В металлах электроны проводимости существуют всегда, в кристаллах других типов — при возбуждении. [c.54]

В полупроводниках с ковалентной химической связью появление электрона в зоне проводимости одновременно создает его вакансию в валентной зоне. Данная вакансия на конкретной молекулярной орбитали может заполняться электронами других занятых близлежащих МО. Такой переход электронов внутри валентной зоны как бы создает движение вакансии с одной МО на другую МО. Такие вакансии называются дырками. Поэтому электрический ток в полупроводнике определяется движением электронов в зоне проводимости и движением электронов в валентной зоне. В первом случае электроны переходят на незанятые МО, во втором — на частично занятые МО. В силу того, что энергии МО в зоне проводимости и валентной зоне отличаются, то и подвижности электронов в этих зонах также отличаются. Движение электронов в валентной зоне часто описывают как движение дырок, но в противоположном направлении. В электрическом поле такие дырки ведут себя как положительные электрические заряды. Проводимость полупроводника определяется как сумма его электронной и. дырочной проводимости. Это значит, что перенос тока в полупроводниках может осуществляться как электронами зоны проводимости (п-проводимость, от латинского negative — отрицательный), так и дырками валентной зоны (р-проводи.мость, от латинского positive — положительный). [c.636]

Некоторые элементарные металлоиды отличаются полупроводниковыми свойствами. Эти свойства обусловлены особым состоянием электронов в кристаллической решетке полупроводников. Каждый атом металлоида в кристалле связан с другими атомами ковалентной связью. В кристаллах полупроводников валентные электроны закреплены в атомах непрочно и под влиянием нагревания или облучения могут, возбуждаясь, отрываться от связываемых ими атомов и свободными уходить в междуузлия решетки. Наличие свободных электронов в кристаллах металлоидов сообщает им некоторую электронную проводимость. При переходе электрона в свободное состояние у данного атома остается свободная орбиталь или так называемая д ы р к а . Эта дырка может заполниться при перескоке валентного электрона соседнего атома, в котором тогда возникает новая дырка. Если при наложении электрического поля свободные электроны будут передвигаться к положительному полюсу, то дырки будут передвигаться к отрицательному полюсу. Это передвижение дырок, равносильное передвижению положительных зарядов, сообщает кристаллам металлоидов еще так называемую дырочную проводимость. В совершенно чистом полупроводнике в каждый данный момент число дырок равно числу свободных электронов. Однако вследствие того, что подвижности электронов и дырок различны, значения электронной (п) и дырочной (р) проводимости в общей электропроводности чистого металлоида (значение которой очень невелико) не равны друг другу. Соотношение между числами свободных электронов и дырок в кристалле металлоида можно изменить, если в металлоид ввести даже очень незначительную примесь другого металлоида или, наоборот, металла. Пол у проводимость отличается от обычной металлической электропроводности не только своей малой величиной. Она увеличивается с повышением температуры и сильно зависит от освещения полупроводника. Наиболее же существенным признаком полупрово-димости является крайняя чувствительность к наличию примесей даже в самых ничтожных количествах. [c.44]

В кристалле германия высокой чистоты каждый атом ковалентно связан с четырьмя другими атомами (ромбическая структура), т. е. в чистом кристаллическом германии свободные электроны отсутствует, поскольку все четыре валентных электрона каждого атома оказываются связанными. Для того чтобы сделать кристалл пригодным для электронных целей, в него вносятся небольшие количества инородных атомов, способных заместить некоторые атомы германия в кристаллической решетке. Если в качестве материала примеси использовать пятивалентный элемент, то каждый из его атомов будет иметь по одному несвязанному электрону, кроме тех, которые участвуют в ковалентных связях. Несвязанные электроны легко покидают свои атомы за счет тепловой энергии и затем свободно блуждают по кристаллической решетке. Атомы примеси превращаются в ионы с единичным положительным зарядом. С другой стороны, если в качестве примеси выбрать трехвалентный галлий, индий или золото, то каждому примесному атому будет недоставать по одному электрону. То место, где электрона не хватает, принято называть дыркой. Некоторые из ковалентно связанных электронов, обладая достаточной тепловой энергией, могут разрывать свои связи и замещать свободные. В результате такого процесса дырки будут блуждать от одного атома к другому внутри кристаллической решетки. То есть дырки 1в германии с трехвалентной примесью ведут себя почти аналогично избыточным электронам в германии с пятивалентной примесью. Однако электроны обычно более подвижны, чем дырки. [c.294]

В чистом окисле электропроводность будет осуществляться в результате процессов (25)—(27) 2р-дырками с высокой подвижностью, З -дырками и Зй-электронами с низкой подвижностью. 45-электроны большого влияния на проводимость окислов не оказывают. Большинство чистых окислов этого типа (см. рис. 3, стр. 14), поэтому являются р-полупроводниками. в №0, содержащей примесь Li , возникают Зй-дырки по уравнению (28). Если же примесь находится в более высоком валентном состоянии, чем основной окисел, возникают Зй-электроны. На рис. 19 приведена схема энергетических уровней NiO с примесью LijO, по MopинJ При низких тем- [c.46]

Полупроводники, в которых подвижны электроны, называют полупроводниками л-типа (от negativ — отрицательно), а те, в которых подвижны положительные дырки, — полупроводниками р-типа (от poii/iu — положительно). [c.18]

Как уже говорилось, одной из двух ионно-молекулярных реакций в газовой фазе является перезарядка. В конденсированной фазе ей соответствует миграция дырки по веществу. Очень интересным в связи с изложенным является вопрос о подвижности дырок в конденсированных веществах, являющихся объектами радиационно-химических исследований. Подвижность электронов в чистых жидких углеводородах составляет 10 см /сек-в, подвижность электронов в монокристаллах, конденсированных ароматических веществ, измеренная Кеплером [42], составляет 1 сл /сек-в. Измерения Франкевича и Яковлева [43], правда, уже несколько более косвенные, показали, что миграция заряда, образованного излучением, по углеводородной цепи имеет эффективную энергию активации 1,5 ккал/молъ, а перескок дырки с молекулы на молекулу активирован в 10 раз сильнее. [c.196]

Фотоэлектромагнитный эффект, называемый иногда фотомагне-тоэлектрическим (ФМЭ) эффектом, возникает в том случае, когда полупроводник, помеш,енный в магнитное поле, как для измерения эффекта Холла, подвергают прямому освещению. Если тве])-дое тело освещается светом с частотой, близкой к его основной границе поглощения, вблизи освещенной поверхности возникают пары электрон — дырка. Если избыточная концентрация носителей достаточно велика, между освещенной и неосвещенной поверхностями устанавливается диффузионный ток. В присутствии магнитного поля, перпендикулярного этому току, возникает напряжение, перпендикулярное обоим полям и известное как ФЭМ-эффект. Величина ФЭМ-тока зависит от интенсивности потока фотонов, магнитной индукции, времени жизни и подвижности электронов и дырок, скорости поверхностной рекомбинации и температуры. [c.312]

В отношении донорных реакций также имеются некоторые наблюдения. Германий, кремний и соединения элементов 111—V групп периодической системы — все способны катализировать гидрогенизацию этилена, но в случае образцов с р-проводимостью скорость реакции заметно выше, а кажущаяся энергия активации ниже, чем в случае образцов с -проводимостью. Аналогично этому Пенцкофер [10] наблюдал, что энергия активации дегидрогенизации муравьиной кислоты в газовой фазе заметно ниже в присутствии р-германия, чем и-германия, при условии, что оба образца имеют свежепротра-вленную поверхность. Во всех этих донорных реакциях подвижные положительные дырки соединяются с электронами молек 1 субстрата, что совершенно аналогично катализу сплавами [4]. [c.271]

Несомненный интерес представляет принципиальная возможность автокаталйтического термического распада твердого тела при образовании значительных концентраций вакансий в объеме кристалла. Известно, что анионная вакансия может захватить и локализовать электрон с образованием Р-центра и положительной дырки в валентной зоне. Захваченный электрон, по-видимому, не висит в вакансии, а локализован на одном из ближайших катионов, образуя катионный радикал, правда, мало подвижный. Положительная дырка является анионным радикалом. При попадании радикалов на поверхность последние могут разлагаться на газообразные продукты, образуя новые вакансии, которые по указанным выше причинам могут переходить в объем кристалла. Очевидно, при таком механизме термический распад должен иметь автокаталитический характер. Анионная вакансия, имея эффективный положительный заряд, представляет собой потенциальную яму для электрона. Катионная вакансия, обладая эффективным отрицательным зарядом, напротив, должна увеличивать энергию электрона. Если в ионном кристалле анион и катион имеют одинаковые валентности, эффективные заряды соответствующих вакансий равны и противоположны. Можно Я [c.58]

Предельное состояние достигается при освещении микрокристаллов высокоинтенсивными вспышками крайне малой длительности, возникающими, например, при разряде конденсатора через искровой промежуток или разрядные трубки, наполненные аргоном или смесью криптона с ксеноном при давлениях, близких или равных атмосферному. При таких условиях освещения все пары электрон — дырка освобождаются в пределах столь коротких промежутков времени, за которые ноны серебра успевают переместиться на ничтожные отрезки. Поэтому значительная доля электронов и дырок будет рекомбинировать. Дырки, оставшиеся свободными, захватываются частицами сенсибилизатора, создавая положительный поверхностный заряд. Часть электронов захватывается ионами, серебра на поверхности центра светочувствительности и в других местах поверхности, а часть — ионами серебра на внутренних поверхностях в непосредственной близости от внешней поверхности. Возникшие в результате этих процессов объемные заряды нейтрализуются подвижными ионами серебра после прекращения освещения. При таких условиях сенсибилизация может лишь незначительно облегчить образование компактного поверхностного скрытого изображения на центре светочув- [c.70]

Таким образом, можно полагать, что при облучении различных кристаллов возникают, вероятно, радикалы типа АВ4 с тридцатью одним электроном. Однако, хотя свойства этих радикалов согласуются с ожидаемыми, идентификация соответствующих радикалов остается до некоторой степени предположительной. То, что такие радикалы, по-видимому, образуются в матрицах-кристаллах, содержащих исходные тридцатидвухэлектронные ионы, представляется на первый взгляд удивительным. Можно было бы ожидать, что вследствие процессов переноса заряда радикалы, о которых идет речь, приобретут мобильность, т. е. что радикалы АВ4 в решетке из ионов АВ окажутся подвижными энергетическими дырками . Причиной появления вполне определенных радикалов может быть самозахват, обусловленный искажением конфигурации. Другой причиной может быть слабое ковалентное взаимодействие с соседним ионом ХО7 такого же типа, как взаимодействие, приводящее к стабилизации атомов галогенов в кристаллах галогенидов щелочных металлов. [c.221]

При наличии примесей число подвижных электронов или число дырок может оказаться чересчур большим и полупро-юдиик превратится в проводник, т. е. потеряет свое самое ценное качество. В присутствии примесей некоторых металлов (меди, никеля) возникает процесс рекомбинации электронов и дырок, в результате которого свободные электроны и дырки, взаимно нейтрализуя друг друга, исчезают. При этом полупроводниковые свойства материала резко снижаются и практически могут исчезнуть совсем. Примеси некоторых металлов ускоряют процесс рекомбинации уже при содержании порядка 10 —10" %, т. е. в диапазоне ультра- и субмикроконцентраций. [c.15]

Полупроводники в качестве ионизационных камер. При использовании кристаллических счетчиков возникают серьезные ограничения, обусловленные тенденцией носителей заряда (электронов и положительных дырок ) захватываться примесями и дефектами кристалла захваченные заряды искажают приложенное поле и ведут к поляризации кристалла и к различным амплитудам импульса от моноэпергетических ионизирующих частиц. Помимо этого, воспроизводимость недостаточно хороша при смене кристаллов. Эти недостатки в значительной мере устранены в недавно разработанных полупроводниковых приборах. Подвижности и времена жизни носителей заряда в полупроводниках гораздо больше, чем в изоляторах, и поэтому захват носителей представляет существенно менее сложную проблему. Кроме того, энергетическая щель между самой верхней заполненной полосой и полосой проводимости составляет в полупроводниках, как правило, всего лишь 1 эв это означает, что необходимая для образования пары электрон — дырка энергия относительно невелика и, следовательно, полупроводниковые детекторы потенциально обладают хорошим энергетическим разрешением. [c.142]

Нам представляются поспешными выводы большинства указанных работ, тем более что, как правило, в этих работах не было настоящего систематического и количественного сопоставления электроироводности с каталитическим действием и сравнивались экспериментальные данные по каталитическим свойствам одних образцов с литературными данными по электропроводности других образцов, снятыми к тому же в совсем иных условиях. Между тем внесение ясности в этот вопрос весьма существенно для дальнейшего развития электронных представлений в катализе. По аналогии с некоторыми физическими явлениями, при которых дырочные и электронные полупроводники являются антиподами, многие авторы постулируют наличие резких различий в действии полупроводников с различным типом электронной проводимости. По мнению этих авторов, для одних химических реакций в качестве катализаторов должны иметь преимущество электронные полупроводники, а для других — дырочные. Это положение отнюдь не очевидной представляет не более чем догадку, основанную на спорных аналогиях. Следует помнить, что по основным электронным свойствам — по величине энергии возбуждения электрона (дырки), по подвижности носителей тока, по числу этих носителей электронные и дырочные полупроводники очень похожи друг на друга, что явилось причиной позднего обнаружения существования двух типов электронной проводимости как у полупроводников, так в особенности у металлов. Различие здесь в основном биографическое и в типе добавок, увеличивающих и уменьшающих (ослабляющих) электропроводность. [c.128]

В изоляторе 02 или 31зН4), отделяющем мембрану от полупроводниковой подложки (обычно это проводник р-типа), возникает электрическое поле, способное увеличивать или уменьшать плотность подвижных носителей заряда (дырок) в поверхностном слое полупроводника. Когда дырки отталкиваются от границы раздела изолятор — полупроводник обратно в полупроводник, в полупроводнике возникает зона поверхностного заряда. Если разность электрических потенциалов внутри и на поверхности полупроводника достаточно велика, то на поверхности образуется избыток подвижных электронов, или, другими словами, проводящий канал п-типа. Этот канал отделен от внутренней области проводника зоной поверхностного заряда. [c.89]

Повышенная электрическая проводимость органических полупроводников объясняется высокой подвижностью я-электро-нов сопряженных двойных связей. Это обусловливает эстафетную электронно-дырочную проводимость при состоянии, когда электроны находятся в них на более высоких энергетических уровнях. В результате взаимодействия с поверхностью, ограничивающей объем, электрон мол<ет оторваться от молекулы л попасть на поверхность. При этом в молекуле возникает вакансия— дырка. Эффективная масса электронов и дырок много меньше массы молекулы, так что у соседней молекулы, которая не успевает заметно сместиться, один из электронов. может перескочить в образовавшуюся дырку. Одновременно мигрируют как положительные, так и отрицательные заряды. Электрическая проводимость по эстафетному механизму возникает за счет электронных донорно-акцеиторных взаимодействий между молекулами и на границе масляной фазы с поверхностью металла. В отличие от ионной или форетической проводимости при эстафетной электрической проводимости не происходит переноса вещества, а значит, последняя не долл<на зависеть от вязкости среды. [c.61]