Плоскость проекций картинная

Если структура кристалла известна, то с помощью рентгенографических данных можно вычислить электронную плотность в любой точке. Построив график распределения электронной плотности, можно получить картину изучаемой структуры. Построение трехмерного распределения электронной плотности в элементарной ячейке представляет собой очень трудоемкую задачу таких работ почти не было до тех пор, пока не появились электронные вычислительные машины. Расчет можно упростить, если свести задачу к двум измерениям и вычислить проекцию электронной плотности элементарной ячейки на плоскость, перпендикулярную ребру ячейки. Такая проекция изображена на рис. 43. Подробности методов определения структуры кристаллов можно найти в посвященных этому вопросу работах [7, 16, 28, 34—36]. [c.80]

Другой метод, применявшийся Перреном, основан на измерении смещений коллоидных частиц, испытывающих броуновское движение. На рис. 6 [2] показана диаграмма движения частиц суспензии каучукового латекса в воде. Точки соответствуют положениям, занимаемым частицами через интервалы в 30 сек. Очевидно, эта схема не описывает полной картины движения частицы, а дает только проекцию трехмерной диаграммы движения на плоскость (плоскость, па которую сфокусирован микроскоп). Однако нас интересуют только средние значения, п это ограничение не является существенным. Если среднее значение квадрата скорости обозначить с , то, разлагая его но осям координат, можно записать = + [c.22]

Проекции этих кривых постоянного состава, как и кривой точек складки и кривых упругости компонентов на плоскость р — (, дают полную картину равновесного существования фаз системы. Сплошные линии отвечают жидким, а пунктирные [c.135]

Прямое изображение кристаллической структуры (фазовый контраст). Лучшие современные электронные микроскопы дают разрешение, достаточное для наблюдения интерференционной картины, непосредственно связанной с кристаллической структурой объектов. В случае металлов с плотной и плотнейшей упаковками атомов обычно получают лишь изображения одного семейства плоскостей интерференции в виде полос, хотя уже были получены изображения проекций структуры фольги золота в ориентации [001], изображения плоско- [c.540]

На первой проекции рис. 51 показано действие оси 4, перпендикулярной плоскости чертежа, на второй — действие плоскости симметрии, совпадающей с плоскостью чертежа. Очевидно, сочетание этих двух преобразований даст картину, показанную на рис. 51 справа, где для каждой грани имеется парная, связанная с ней центром симметрии. В международных символах такое сочетание обозначается 4 т, или в общем случае п т, где п — порядок оси. Черта в символе означает, что плоскость перпендикулярна оси. [c.40]

Трехмерный объект трудно представить указанным выше оптическим способом, однако если ограничиться векторами г , которые лежат в плоскости, перпендикулярной первичному пучку, то можно сделать проекции структуры кристалла в виде масок, получить от них дифракцию и затем сопоставить интенсивности, соответствующие определенным значениям 5 для оптической и рентгеновской дифракционных картин (векторы 5 берутся только в плоскости, перпендикулярной пучку). [c.30]

Таким образом, остаются только две переменные величины, взаимную связь которых можно изобразить на диаграмме в системе двух осей координат. Полученный плоскостной чертеж представляет проекцию пространственной диаграммы на одну из координатных, плоскостей. Если зафиксировать одну из переменных — температуру, то мсжно изобразить составы насыщенных и ненасыщенных растворов тройной системы плоскостной диаграммой — изотермой. Изотерма растворимости двух солей показывает графически изменение концентрации обеих солей при постоянной температуре при помощи изотерм мсжно производить количественные расчеты процессов при постоянной температуре (изотермическая кристаллизация солей). Строй таких изотерм дает картину равновесного состояния системы при различных температурах картина будет тем полнее, чем больше таких изотерм приведено. Диаграмма, характеризующая изменения равновесного состояния системы в за- [c.83]

Кинематическое рассмотрение показывает, что муар представляет собой интерференционную картину. Для простых структур геометрия изображений тесно связана с периодичностью совмещенных решеток, так что картины муара, по крайней мере в первом приближении, могут рассматриваться как увеличенное изображение соответствующих проекций плоскостей кристаллов. [c.380]

Пространственное распределение лучей, дифрагированных образцом с аксиальной текстурой, легко представить с помощью обратной решетки. Если NS — ось текстуры, то нормали к плоскостям (hkl) в пространстве обратной решетки будут расположены вдоль конусов со следующими параметрами вершины всех конусов лежат в начале обратной решетки, конусы коаксиальны относительно оси текстуры, а углы их полурас-твора р равны углам между нормалями к плоскостям (hkl) и осью текстуры. Дифрагированные лучи будут распространяться вдоль направлений из центра сферы отражений С к узлам обратной решетки Р и Q, лежащим на этой сфере. Для случая, приведенного на рис. 83, а, дифрагированные лучи будут распространяться вдоль 0R и на пленке, перпендикулярной направлению распространения первичного луча, дифракционная картина, соответствующая плоскостям hkl), будет состоять из четырех рефлексов, расположенных вдоль интерференционного дебаевского кольца. Положение максимумов можно характеризовать углом б — углом между проекцией оси текстуры на пленку и направлением из центра пленки к максимуму. Если текстура несовершенная и существует разориентировка нормалей к плоскостям hkl) относительно оси, то hkl) — узлы обратной решетки будут лежать па шаровых поясах, а рефлексы на рентгенограммах будут иметь протяженность в азимутальном направлении, определяемую шириной этих поясов (см. с. 181). [c.171]

Формулы структурных амплитуд для проекции исследуемого кристалла могут быть получены как из симметрии проекции, так и из общей ( трехмерной ) формулы соответствующей пространственной группы, если принять один из трех индексов равным нулю. Различия между симметрией проекции и структуры в целом часто оказываются довольно значительными. При проектировании могут возникать, например, центры инверсии, отсутствующие в трехмерной картине. Так, пространственная группа P2 2 2i нецентросимметрична, а все три ее проекции на координатные плоскости обладают центрами инверсии, так как оси второго порядка (как поворотные, так и винтовые) при проектировании вдоль оси превращаются в центры инверсии. Соответственно этому и упрощение формул структурных амплитуд для проекций может состоять не только в исчезновении третьего аргумента, но в более глубоком преобразовании. В рассмотренном примере группы Ima структурная амплитуда трехмерного распределения — комплексная (содержит обе составляющие А и 5), а структурные амплитуды проекции на плоскость XY — вещественные для них 5 = 0. [c.122]

В центросимметричном кристалле каждое семейство плоскостей можно провести двумя способами (см. рис. 79 а и б). Однако в отношении плоскостей (340) и (470) это обстоятельство не имеет существенного значения. Действительно, в одном из двух положений (см. рис. 79 а) плоскость (340) проходит через центр инверсии в точке О, в другом (см. рис. 79 б)—через центр инверсии в точке А на оси X. Достаточно перенести начало координат из точки О в точку А (т. е. в другой центр инверсии), и обе картины станут тождественны. Выбор того или иного центра инверсии в качестве начала координат произволен, поскольку никаких дополнительных требований, связанных с фиксацией на проекции тех или иных деталей структуры, еще не возникло. [c.231]

Х-винная кислота имеет лево-левую конфигурацию, а (+)-/)-вин-ная — право-правую. Иную картину представляет проекция VIL Зеркало, поставленное перпендикулярно к плоскости проекции углеродного скелета, решет ее на взаимные зеркальные изображения. Таким образом, это лево-правая конфигурация. Молекула симметрична (плоскость зеркала и есть плоскость симметрии), и ее зеркальное изображение (проекция VIII) тождественно с предметом. Поэтому мезовинная кислота (VIII) оптически недеятельна. Такие симметричные молекулы, имеющие асимметрические атомы, которые недеятельны благодаря внутренней компенсации , называются по мезовинной кислоте — мезо-формами. Позднее при рассмотрении стереохимии сахаров мы увидим, что эти лезо-формы служат опорными при установлении конфигурации соединений с многими асимметрическими углеродами. [c.390]

Кроме ортогональной, применяется еще иногда перспективная проекция, называемая иначе центральной, конической или, наконец, полярной. Плоское изображение по этому способу получают, проектируя точки при помощи лучей, т. е. прямых, выходящих из одной точки, называемой центром, или полюсом проекций. За такой центр принимают одну из вершин тетраэдра. На рис. ХХГП.7 указаны операции, которые следует выполнять при построении такой проекции, причем за центр проекций принята вершина а проектируется точка Р па грань тетраэдра АВС (плоскость, на которую производится проектирование, называется картинной плоскостью, или плоскостью проекций). Точка Р соединена с вершиной тетраэдра/) прямой — лучом [c.314]

Если нужно изобразить по тому же методу прямую линию (рис. II, а), то проводят через нее две проектирующие плоскости, перпендикулярные плоскости проекции АаЪВ и Аа Ъ В. Пересечение их с плоскостями проекций даст проекции нашей прямой — горизонтальную аЬ и вертикальную а Ь. Затем совершают указанный выше поворот и получают эпюр (рис. II, б). Положение пашей прямой может быть задано двумя лежащими на ней точками А vi В (рис. п. 6, 3), а пололгение проекций этой прямой — проекциями этих точек а, а и , Ъ (см. рис. II, а). Вместо проведения двух проектирующих плоскостей АаЪВ и Аа Ъ В мы могли бы для получения проекций прямой из каждой ее точки опустить по два перпендикуляра на плоскости проекций — осповапия этих перпендикуляров и дали бы проекции нашей прямой. Аналогичным образом можно получить проекции кривой линии (рис. Ill, а — пространственная картина и рис. III, Ъ — соответствующий эпюр). [c.486]

Вернемся еще раз к кинематической картине деформации сдвига (рис. 1.6). Если проекция элементарной призмы на плоскость рисунка до деформации представляет собой квадрат АВСО, то после деформации на величину у он превращается в ромб Л В СБ. Можно представить простой сдвиг как суперпозицию двух последовательных актов растяжение элементарной призмы вдоль одной из диагоналей, сопровождающееся сжатием ее вдоль другой диагонали, и последующий поворот образовавшегося ромба АВСО на угол у/2. Такая кинематическая картина простого сдвига, развитая в работах Рейнера Бики и др., позволяет, как это будет показано в дальнейшем, при-18 [c.18]

От геометрической поверхности переходят к истинной или адсорбционной поверхности, умножая ее на фактор шероховатости , величину которого принимают равной единице для поверхности жидкости и близкой к единице для непористых порошков [401 (см. подраздел В данного раздела — определение пористости). Однако неясно, какой величиной этого множителя нужно пользоваться для массивных металлов. Часто пользовались дробными множителями между 1 и 2, однако Ридил, Боуден и их сотрудники [41] показали, что для протянутых или подвергавшихся электрополировке металлов этот множитель равен 3 или большей величине, которая может достигать 13 для свежеотполированного никеля. В принципе подробные сведения о шероховатости поверхности можно получить при помощи многолучевой интерферометрии [42] или электронномикроскопического изучения методом оттенения. В ин-терферометрическом методе поверхность помещают вблизи оптически гладкой поверхности кварца таким образом, чтобы образовался тонкий клин, который дает интерференционные полосы (получаемые при отражении или пропускании), смещаемые неправильностями поверхности. Если исследуемая поверхность и плоскость покрыты тонким однородным слоем серебра, нанесенным на них испарением, то картина интерференционных полос, образуемых многократным отражением, становится более ясной. Топография поверхности может быть получена контурнрованием через интервалы по 30. В методе оттенения проекции выступов или впадин проявляются после того, как их склоны или ступени покроют атомами золота из молекулярного пучка, направленного под косым углом к поверхности. Подобного рода исследования проводились для того, чтобы детально проследить изменения, происходящие при росте кристаллов и образовании пленок металлов, а определение таким способом фактора шероховатости едва ли целесообразно. С другой стороны, подробные сведения о топографии поверхности монокристаллов, вероятно, важны для отнесения активности их граней за счет поверхностных дислокаций, выступов, изломов и т. п. [c.168]

Если слои панциря краба нарушены образованием бугорка (рис. 22), то сечение 5, перпендикулярное оси бугорка, дает картину спиральной структуры, которую мы видели на рис. 13. Чтобы представить в этом случае винтовую структуру, рассмотрим серию поверхностей в виде куполов, врашаюшпхся вокруг вертикальной оси. В микротомальном срезе 5 толщиной е наши поверхности образуют концентрические наклонные пояса (рис. 23). Центральная поверхность оказывается касательной к верхней плоскости сечения и вместо пояса имеет форму опрокинутой чаши. Проведем теперь на этих поясах эквидистантные линии (рис. 23), показывающие направление фибрилл в каждом поясе. Направление нормальных проекций фибрилл на горизонтальную плоскость оказывается постоянным для каждого пояса. При переходе от каждого пояса к соседнему направление фибрилл поворачивается на один и тот же угол. Если посмотреть сверху, то проекции фибрилл дают картину, представленную на рис. 24. (Число концентрических поясов здесь нарисовано больше, чем на рис. 23, чтобы иметь более наглядную картину всей структуры.) На рис. 25 проведены жирные сплошные линии, направление которых в каждом поясе совпадает с направлением фибрилл, и мы видим, что получилась двойная спираль. Такая же двойная спираль получается в действительности и в сечении бугорка панциря краба (рис. 13). Здесь, однако, двойная спираль маскируется единичной спиралью, искусственно получающейся вследствие трудности приготовления срезов. [c.297]

При нанесении кипящего раствора полиэтилена на подложку, нагретую до 90°, возникают различные вторич гые структуры полиэтилена (рис. 1, г). В центре снихлгка г расположе1[ы простейшие стуктурные элементы — пачки цепей, еще не собранные в складчатые структуры. Затем видны зародыши складчатых структур — полосы. Эти полосы являются проекциями плоскостей, растущих перпендикулярно к поверхности нод. гожки. Если плоскости не развиваются, то возникают ленточные структуры. Одновременно на снимке г можно рассмотреть как зародыши сферолитов, так и единичные кристаллы (края снимка). Начиная со 100° и выше полиэтилен дает картину хаотично расположенных. лент, состоящих из пачек (рис. 1, д). [c.144]

Изображение получается следующим образом. Тонкий кристалл играет роль двумерной решетки и при прохождении пучка дает дифракционную картину. В результате действия апертурной диафрагмы объективной линзы, что было доказано экспериментально, срезаются отражения от всех плоскостей, расстояние между которыми меньше 4,2 А. Поэтому в образовании изображения будут участвовать только отражения от нлоско-стел (201) и (201), для которых межплоскостное расстояние = 11,94 А, и отражения от плоскостей (402) и (402), для которых й = 5,97 А. Эти отражения и пучок нулевог9 порядка взаимодействуют в плоскости изображения, и в результате их интерференции получается система линий, наблюдаемая на микрофотографии. Расстояния между линиями соответствуют расстояниям между плоскостями, вызывающими их появление, так что эти линии можно рассматривать как проекции молекулярных плоскостей. Все это имеет место только в том случае, когда кристалл ориентирован благоприятно для отражения, т. е. плоскости (201) почти перпендикулярны подложке. [c.190]

Ментер отмечает далее, что если бы можно было сохранить все отражения, то удалось бы в принципе получить точную одномерную проекцию плоскостей (201). Но так как используется лишь часть отражений, а линзы обладают сферической аберрацией, что приводит к затуманиванию картины, то на снимках наблюдается простая система параллельных линий, по которой можно судить лишь о периодичности в кристалле. [c.191]

Можно себе представить, что между каждыми двумя точками излома изображенного пути также происходят сложные движенця. Кроме того, движение. в действительности происходит, конечно, не в одной плоскости, а в объеме. Рис. 84, который представляет собой проекцию этого движения на плоскость поля зрения в микроскопе, является лишь грубым приближением к действительной картине движения частицы. [c.359]

В случае достаточно больших монокристальпых объектов оказывается возможным судить о кристаллографической ориентировке объекта и о степени совершенства его решетки. В случае мелкозернистого поликристаллического объекта картина каналирования может не возникнуть, однако различия в ориентировках зерен проявляются в разной яркости изображений, как бы отвечающих отдельным элементам (полосам) картины каналирования. Поэтому для получения четких картин каналирования (пригодных для определения ориентировки монокристалла) или наилучшего кристаллографического контраста в изображении поликристаллического объекта надо позаботиться об отсутствии значительных искажений кристаллической структуры, которые могут возникать при подготовке поверхности объекта. В общем случае для определения ориентировки по картинам каналирования требуется индицирование полос. Однако возможно и прямое сопоставление экспериментальных картин с заранее построенными (теоретически рассчитанными) картами, которые в своей основе имеют гномо-пическую проекцию отражающих плоскостей, т. е. плоскостей почти параллельных направлениям падающего пучка электронов. [c.560]

Перспективная проекция модели на одну, две или три плоскости также трудна по выполнению. Чертеж обычно дается с учетом некоторых допущений, позволяющих упростить картину без ущерба для точности описания. Прежде всего детально или в точной проекции, или перспективно чертят только т части молекулы, которые интересны со стереохимической точки зрения, например непосредственное окружение двойной связи или асимметрического атома, в то время как другие части молекулы передают лишь общими символами. Способы детального изображения стереохимически важных деталей различны. Заместители при асимметрическом атоме легко можно различить, если пользоваться для изображения связей утолщенными, тонкими и прерывистыми линиями. Принято, что связи, которые даны линиями обычной толщины, находятся в плоскости бумаги, утолщенные линии выдаются вперед, а прерывистые уходят за плоскость. Безразлично, какие из связей выбираются в качестве определяющих плоскость, так что одна и та же модель может быть представлена несколькими абсолютно эквивалентными изображениями [c.35]

Усик с приклеенным монокристаллом закрепляется на гониометрической головке, которая устанавливается в камере РКОП (РКОП-А). После выбора диафрагмы проводится центрировка кристалла (при наблюдении через отверстие диафрагмы кристалл не смещается как при вращении диска вокруг его оси, так и при перемещении диска с держателем вдоль дуги, а также при качании дуги вокруг ее оси вращения). Центрировка осуществляется с помощью двух специальных винтов на основании головки. Далее дуга фиксируется в положении, при котором ее плоскость перпендикулярна первичному пучку, держатель с барабаном устанавливаются в положении, соответствующем 90° по шкале дуги. Угол вращения барабана при этом может быть произвольным. Такая установка кристалла необходима для правильного построения гномостереографической проекции. Обычно снимают три лауэграммы в положениях барабана 0°, 60° и 120°, что дает возможность получить наиболее полную дифракционную картину. [c.114]

Различия между внутренними и внешними колебаниями и тем более между трансляционными и вращательными осцилляциями не следует воспринимать слишком буквально. Строго говоря, корректной является только классификация по типам симметрии, как показывает следующий пример. В примитивной ячейке (фиг. 5.1 и 3.10) каждый из двух ионов СОз (обозначим их символами СОз и СОзО находится в окружении ближайших соседей — 6 ионов Са, три из которых расположены сверху (их обозначим символами Са ) и три снизу (обозначим их символами all), g такой системе возможны, например, два внешних колебания типа A g. Молено попытаться разделить их на поворотную осцилляцию ионов СОз вокруг оси третьего порядка (фиг. 5.3, о) и на трансляционную осцилляцию, при которой ионы СОз и со смещаются в противоположных направлениях (фиг. 5.3,6). Однако эти два колебания не являются независимыми. Фиг. 5.4, где представлена проекция на плоскость, нормальную к оси третьего порядка, показывает, что либрация ионов СОз" влечет за собой их трансляцию. В самом деле, при повороте ионы СОз удаляются от ионов Са и сближаются с ионами a i возникающее между ними взаимное притяжение смещает их вниз. Обратная картина наблюдается для ионов со , которые при том же самом либрационном движении смещаются вверх. [c.121]

Оптическое исследование естественных кристаллов показало, что они уже заранее обладают внутренними напряжениями. При наблюдении естественного кристалла, помещенного между скрещенными НИКОЛЯМИ, никогда не удавалось зафиксировать в нем полное отсутствие напряжения. Продолжительный отжиг от 600 до 700° С необходим для того, чтобы уничтожить все напряжения и сделать кристалл действительно однородным. Конструкция аппарата, применявшегося для нагрузки, была тщательно отработана для обеспечения однородного натяжения по всему сечению кристалла. Это обстоятельство проверялось тем же оптическим методом. Постепенно нагружая кристалл и наблюдая картину в поляризованном свете, мы обнаружили первое появление остаточной деформации при нагрузках, составлявших лишь примерно одну десятую тех сил, которые вызывали разрушение целостности кристалла в рентгеновых лучах. Четкая яркая линия появлялась на темном фоне и оставалась после удаления груза. При постоянной нагрузке, слегка превышающей этот предел упругости, через некоторое время появлялась вторая линия, параллельная первой, затем третья и т. д. Все эти линии являются проекциями плоскостей (110). Чаще они внезапно пересекают весь кристалл, быстро распространяясь в нем с одного края до другого. [c.249]

Более точную картину расположения частиц дают рис. 9, 10, И, на которых изображены проекции иа плоскость траекторий атомов, находящихся в слое толщиной приблизительно 0,8 а, параллельном одной из граней ячейки. Интересен тот факт, что, как видно из относящегося к переходной области рис. 10, механизм разру шения кристаллической структуры состоит не в локализованном вращении пар или больших групп ближайших [c.19]

Экспериментальные данные приведены в табл. 1 и на рис. 1 и 2. При температурах ниже 32,4°С (критической температуры этана) существует равновесие жидкость — газ, выше этой температуры — равновесие газ — газ первого типа. По графику (см. рис. 1) были определены координаты нижних критических точек равновесия газ — газ (табл. 2) и по их значениям построены Р — Т и Т — N проекции критической кривой смеси (см. рис. 2). По графику температура — состав определено значение производной дТ1дМ (Л — объемный процент этана в смеси) в критической точке этана. Оно оказалось равным 4,36. Вычисленный нами наклон по данным работы равен 4,19. Совпадение можно считать вполне удовлетворительным. Крутой, почти вертикальный, ход критической кривой в координатах Р— Т в системе гелий — этан напоминает картину, полученную для системы гелий — метан, где проекция критической кривой на плоскость Р — Т на начальном участке идет вертикально вверх. [c.143]

Соответственно при такой работе проекционной линзы микроскопическая картина будет находиться в задней главной фокальной плоскости проекционной линзы ( проекц)- [c.260]

Техника операций здесь та же, что и в предыдущем методе 01 -личие только в том, что объектом является изображение одной элементарной ячейки, и только после получения фотографии дифракционной картины на нее накладывается сетка обратной решетки. В качестве пример>а на рис. 50 г изображена дифракционная картина, полученная от ячейки р-диизоцианобензола в проекции, на плоскость (100) Если на нее наложить сетку обратной решетки и передать степеш [c.136]

Не менее важен и другой путь облегчения работы, связанный с уменьшением числа членов ряда Фурье. Важен он не только сточки зрения упрощения расчетной части работы, но и с точки зрения сокращения объема эксперимента. Ведь в ряд Фурье, в том его виде, который был предложен выше, входят в виде коэффициентов структурные амплитуды всех отражений, которые только способен давать кристалл. При исследовании сложных кристаллов приходится прибегать к рентгенгониометрическому методу. Общее число необходимых рентгенгониометрических снимков может достигать 20— 30. Над каждым из них нужно провести довольно большую предварительную работу найти индексы отражений, оценить интенсивности всех пятен, найти и учесть для всех отражений поляризационный фактор и фактор интегральности. Структурные факторы отражений разных рентгенограмм следует привести к одной шкале (см. стр. 164). Наконец, при расчете электронной плотности наибольшее количество труда и времени требует нахождение фаз всех отражений или знаков их структурных амплитуд, причем эта часть подготовительной работы может в дальнейшем оказаться бесполезной, если пробная структура была выбрана неправильно. Таким образом, огромная затрата труда может вовсе не окупиться. Ясно отсюда, насколько был бы важен такой вариант применения рядов Фурье, в котором ряд содержал бы значительно меньшее число членов и требовал соответственно меньшего экспериментального материала и затраты времени на подготовительные расчеты. Таким вариантом и является метод проекций. Естественно поэтому, что с момента зарождения метода исследования структур при помощи рядов и до последних лет использовался преимущественно этот способ исследования. Правда, вместо распределения р(хг/г) в пространстве исследователь получает лишь проекцию электронной плотности на определенную плоскость или на определенную прямую. Проекция дает значительно меньший материал для суждения о структуре, чем трехмерное распределение во-первых, проекция на плоскость позволяет фиксировать лишь две из трех координат каждого максимума, а проекция на прямую—лишь одну из них во-вторых, неизбежные наложения максимумов друг на друга при проектировании значительно затрудняют анализ получаемых картин. [c.317]

Как уже отмечалось, до начала исследования не имелось каких-либо разумных химических соображений о строении молекулы В оН . Поэтому исследование можно было провести только прямым методом знаки структурных амплитуд отражений НкО были определены из неравенств Харкера — Каспера и по этим данным строилась проекция электронной плотности на плоскость XV. После ряда уточнений была получена проекция, изображенная на рис. 94,е. Четкость получешюй картины не оставляет сомнения в том, что исследование находится на правильном пути. Молекула на проекции хорошо очерчена. Десяти атомам бора в проекции соответствуют восемь четких максимумов, из которых два —более мощных и, следовательно, должны изображать но два атома, налагающихся в проекции друг на друга. Молекула в проекции явно имеет две линии симметрии, приблизительно параллельные кристаллографическим прямым (14) и (21)- [c.327]

Все методы вычисления рядов Фурье можно разделить на две группы чисто расчетные (цифровые) методы, в которых различные приспособления и механизмы используются для ускорения математических действий и повышения их точности, и методы аналогии, основанные на имитации процесса превращения дифракционных спектров в картину распределения плотности при помощи того или иного физического явления. Механизмы и приспособления первой группы, как правило, предназначаются для суммирования одномерных рядов. Двойные и тройные ряды сводятся в этом случае к последовательному суммированию рядов Фурье с одним индексом. Методы, принадлежащие ко второй группе, могут давать как одномерные, так и сразу двухмерные распределения. Примерами машин, действующих по принципу аналогии и предназначаемых для получения одномерных распределений, являются электрические машины Биверса и Мак Ивена, Хегга и Лоурента , Азарова и др. Наиболее ярким примером получения распределения на плоскости является метод оптической аналогии, позволяющий получать фотографии проекций электронной плотности. [c.375]

В структуре М1(ННз)з(НС8)2, принадлежащей к группе 011-РЬпт, большинство атомов находится в плоскостях симметрии т, т. е. на высотах z= /4 и 2= /4. Поэтому проекции на плоскости XZ и YZ мало чем помогают исследованию большинство максимумов на них сосредоточено вблизи линий 2= /4 и 2= /4, что приводит к многочисленным наложениям их друг на друга. Проекция на плоскость XV позволяет определить координаты ху атомов N1, 81 и 5ц и наметить расположение остальных атомов, что приводит к двум возможным вариантам структуры (см. стр. 509). Улучшение картины распределения в результате последо- [c.521]

На рис. 20 изображена проекция элементарной ячейки на плоскость ас, перпендикулярную оси Ь (смотрим вдоль параллельных цепей). Поперечное сечение каждого из кружков соответствует ковалентным радиусам углеродных и кислородных атомов. Для того чтобы упростить картину, все водородные атомы, несмотря на их важность, на рисунках 19, 20, 21 и 22 не показаны. Если рассмотреть расположение групп ОН на плоскостях аЬ, можно увидеть, что существует полная возможность установления водородных мостиков между двумя параллельными цепями, если считать достоверными расстояния, являющиеся характерными для этой связи в соответствии с работой Паул Инга [84] и Хуггинса [85]. [c.130]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология