Вакансия дырка

При фотоионизации или возбуждении электрона с какой-то оболочки (например, К или I) каким-либо облучением в этой оболочке образуется вакансия ( дырка ). Различные по характеру релаксационные процессы, схематично показанные на рис. VI.1,6, могут привести к заполнению данной вакансии. [c.138]

Плавление кинетическая теория описывает следующим образом. В кристаллической решетке твердого тела всегда существуют в небольшом количестве вакансии (дырки), медленно блуждающие по кристаллу. Чем ближе температура к температуре плавления, тем выше концентрация дырок , тем быстрее они перемещаются по образцу. В точке плавления процесс образования дырок приобретает лавинообразный кооперативный характер, система частиц становится динамичной, исчезает дальний порядок, появляется текучесть. Решающую роль в плавлении играет образование свободного объема в жидкости, который и делает систему текучей. Важнейшее отличие жидкости от твердого кристаллического тела заключается в том, что в жидкости существует свободный объем, значительная часть которого имеет вид флуктуаций ( дырок ), блуждание которых по жидкости и придает ей такое характерное для нее качество, как текучесть. Число таких ды- [c.116]

Согласно первому механизму, атом может совершать блуждание лишь в том случае, если по соседству с ним окажется незанятый узел, так называемая вакансия (дырка). Очевидно, что создание вакансии, т. е. перевод атома из середины на поверхность тела с оставлением свободного узла, требует затраты некоторой энергии и . При температуре, приближающейся к абсолютному нулю, когда энергия тела имеет минимальное значение, число вакансий должно стремиться к нулю. Однако при любой температуре Г имеется некоторая равновесная концентрация вакансий, так как [c.267]

Когда под влиянием повышения температуры из заполненной зоны полупроводника электрон переходит в зону проводимости, на его месте в заполненной ( нижней) энергетической зоне остается вакансия— дырка . Ток в таких веш,ествах переносится как электронами, так и дырками, которые могут, вообще говоря, рекомбинировать. [c.283]

Внедренный 6 междоузлие атом Вакансия (дырка), отсутстВие (дефект по Френкелю) атома б узле (де<рет по шоттки] [c.47]

На рис. 14.96 показаны безызлучательные процессы снятия возбуждения, в результате которых атом переходит в конечное состояние с двумя вакансиями ( дырками ). Если одна из вакансий конечного состояния лежит в той же самой оболочке, что и первичная вакансия (хотя и не в той же подоболочке), безызлучательный переход называется переходом Костера—Кронига. Скорости переходов Костера—Кронига намного превышают скорости нормальных Оже-переходов и влияют на относительные интенсивности Оже-линий. В примере, приведенном на рис. 14.96, Li-оболочка содержит вакансию. Следовательно, будет происходить быстрый переход с La на Li (переход Костера—Кронига) и соответственно уменьшится интенсивность перехода с М-оболочки на вакансию Lj. [c.50]

Акцепторы — элементы, принимающие электроны и создающие при этом вакансии (дырки) в валентной зоне полупроводники р-типа. [c.86]

Разработанная Эйрингом и его учениками решеточная теория [53] применима и к описанию различных термодинамических свойств расплавов солей, включая сжимаемость [54-56]. Жидкость в этой теории трактуется как неупорядоченная решетка, где в окрестности каждой молекулы имеется хотя бы одна дырка, или вакансия. Дырки, или вакансии, могут случайным образом перемещаться по неупорядоченной решетке за счет перекосов соседних молекул в эти дырки. Ключевой особенностью решеточной теории является то, что эти вакансии можно рассматривать как газ, близкий по свойствам пару соответствующей жидкости. Таким образом, трансляционная функция состояния для вакансий соответствует идеальному газу. Поскольку. пар расплавов солей состоит из двухатомных молекул [54] МХ или смеси [55], например (МХ) в равновесии с МХ, функции состояния для вакансий включают в себя вращательные и колебательные добавки, аналогичные вращательным и колебательным функциям распределения для этих газовых составляющих. Функции распределения для неупорядоченной решетки берутся в принципе в виде функции распределения Эйнштейна для колебательных степеней свободы кристалла при эйнштейновской температуре, экспериментально определяемой в точке плавления. [c.451]

В 1936 г. Я. И. Френкелем было введено понятие экситона как формы передачи оптического возбуждения внутри кристалла. Под экситоном понимается пара электрон-f вакансия (дырка), странствующая по кристаллу как целое. Длительное сохранение электронной энергии кванта при его переносе по кристаллу без деградации в тепло осуществляется легче всего в молекулярных кристаллах (нафталин, антрацен и т. п.). Для неорга- [c.246]

Из кривых фотоэлектрической поляризации (рис. 1.4) следует, что в интервале потенциалов 0,24—0,50 В образз ю-щийся на поверхности меди оксид содержит в решетке избыток кислорода и имеет дырочную проводимость [13]. В обозначении теории полупроводников его формула имеет вид Си . [Си +Р/(Ук) ]0 , где X — стехиометрический недостаток меди Р — локализованная вблизи вакансии дырка. Сте-хиометрическое равновесие, когда состав оксида отвечает формуле СигО, наступает при 0,56 В. [c.12]

Различные дефекты кристаллов аналогичным образом обусловливают полупроводимость. Например, в оксиде никеля (П), легированном оксидом лития (см. рис. 5.7), ионы N1 + ведут себя как положительные вакансии ( дырки ). Эти вакансии мигрируют при наложении разности потенциалов к отрицательному полюсу. [c.145]

Это уравнение можно получить, если процесс возбуждения рассматривать как химическую реакцию, при которой пара электронов образует свободно движущийся заряд в зоне проводимости и вакансию ( дырку ) в валентной зоне, доступной для движущихся электронов. Записав реакцию в виде [c.100]

Если в решетку германия или кремния попадет какой-либо элемент III группы (бор, алюминий, галий, индий), то один из атомов кремния заместится атомом пришельца, например бора. Бор, имея только три валентных электрона, ведет себя как акцептор, т. е. он принимает из системы электрон и становится ионом В , а рядом с ним появляется электронная вакансия, дырка. Ее занимает электрон соседнего атома кремния, в результате чего она начинает перемещаться по кристаллу. Таким [c.47]

Число свободных электронов, способных переносить ток, увеличивается с повышением температуры, поэтому проводимость полупроводников быстро возрастает у металлов наблюдается слабо выраженное обратное явление. Кроме электронной проводимости в полупроводниках возможна дырочная проводимость. Отсутствие электрона в каком-то узле кристаллической решетки называется дыркой, или вакансией. Дырка ведет себя как квазичастица, ее возникновение и движение обусловлены квантовомеханическими эффектами в кристалле под влиянием электрического поля она направляется к отрицательному полюсу — в сторону, где имеется недостаток электронов. Дырка во многом аналогична электрону, но заряд ее положителен и движется она медленней. В результате перемещения электронов и дырок при наложении внешнего электрического поля и возникает проводимость. [c.169]

Повышенная электрическая проводимость органических полупроводников объясняется высокой подвижностью я-электро-нов сопряженных двойных связей. Это обусловливает эстафетную электронно-дырочную проводимость при состоянии, когда электроны находятся в них на более высоких энергетических уровнях. В результате взаимодействия с поверхностью, ограничивающей объем, электрон мол<ет оторваться от молекулы л попасть на поверхность. При этом в молекуле возникает вакансия— дырка. Эффективная масса электронов и дырок много меньше массы молекулы, так что у соседней молекулы, которая не успевает заметно сместиться, один из электронов. может перескочить в образовавшуюся дырку. Одновременно мигрируют как положительные, так и отрицательные заряды. Электрическая проводимость по эстафетному механизму возникает за счет электронных донорно-акцеиторных взаимодействий между молекулами и на границе масляной фазы с поверхностью металла. В отличие от ионной или форетической проводимости при эстафетной электрической проводимости не происходит переноса вещества, а значит, последняя не долл<на зависеть от вязкости среды. [c.61]

Дефекты по Френкелю состоят в наличии вакансий и междоузель-ных ионов в эквивалентных соотношениях. Механизм образования дефекта по Френкелю заключается в том, что ионы, испытывающие время от времени большие смещения под влиянием тепловых флуктуаций, покидают свои нормальные положения в узлах и переходят в междоузлие, результатом чего является возникновение вакансии ( дырки ) в решетке (рис. 49, а). Междоузельный ион движется в кристалле, переходя из одного междоузельного положения в другое ва- -кансии также подвижны. При встрече междоузельные ионы и вакансии рекомбинируют друг с другом. Между процессом образования вакансий и процессом рекомбинации устанавливается динамическое равновесие. Равновесная концентрация вакансий и междоузельных ионов в кристалле зависит от температуры (по условию электронейтральности системы концентрации вакансий и междоузельных ионов при любой температуре одинаковы). Как правило, дефекты по Френкелю об- [c.333]

В кристаллическом твердом теле частицы (атомы, молекулы, ионы) находятся в узлах кристаллической решетки в течение очень длительного времени, здесь существует как ближний, так и дальний порядок в расположении частиц. Из данных по рассеиванию рентгеновских лучей и нейтронов можно вычислить функцию плотности распределения частиц в зависимости от расстояния г от одной частицы, выбранной в качестве центра. При наличии дальнего порядка функция р(г) имеет ряд четких максимумов и минимумов. В жидкости из-за высокой подвижности частиц сохраняется только ближний порадок. Это четко следует из рентгенограмм жидкостей функция р(г) для жидкости имеет четкий первый максимум, размытый второй и затем р(г) onst (рис. 7.1). Это означает, что в жидкости существует только ближний порядок, а на далеких от частицы расстояниях расположение частиц хаотично, как в газе. Плавление кинетическая теория жидкостей описывает следующим образом. В кристаллической решетке твердого тела всегда существуют в небольшом количестве вакансии (дырки), медленно [c.181]

В таких материалах, как металлы и стекла, диффузант, растворяясь в твердом теле, внедряется в кристаллы и диффундирует в междоузлиях решетки. Понятно, что таким образом могут диффундировать только атомы и молекулы очень небольших размеров. Объемная диффузия может протекать и путем обмена мест в кристаллической решетке, а также через вакансии ( дырки ) [150, 153, 158—160]. Кроме того, имеется и другой вид активированной неснецифической диффузии это диффузия вдоль дефектов, трещин молекулярных размеров, по границам зерен. При понижении температуры более чувствительная к ней диффузия в решетке уменьшается и начинает возрастать диффузия вдоль границ зерен. Вообще этот вид диффузии в металлах и стеклах преобладает [159, с. 81]. [c.128]

Вакансии — это свободные узды решетки, которые должны быть заняты атомами. Атомы, окружающие вакансию (дырку), не будут оставаться в тех же поло-жеииях, которые они занимали бы, если бы в вакансии присутствовал атом. Они будут смещены таким образом, чтобы частично заполнить брешь. [c.541]

Молекулы в жидкостях упакованы довольно тесно, хотя между ними имеется некоторое расстояние. Вследствие этого молекулы могут только колебаться около равновесных положений, а трансляционные перемещения, т. е. перенос молекул, могут происходить только в том случае, если поблизости имеется свободное место, так называемая молекулярная полость, или вакансия — дырка. В результате теплового движения в жидкости постоянно образуются 1Бсе новые и новые вакансии, которые тут же занимают молекулы. Молекулы в газе движутся в пустом пространстве в некотором смысле аналогично движутся вакансии в жидкостях. Вакансии в жидкостях играют ту же роль, что и молекулы в газах. Однако большинство образующихся в жидкостях вакансий имеют, по-видимому, меньшие размеры, чем объем одной молекулы. [c.108]

Электропроводность обратных шпинелей значительна, что обусловлено движением носителей заряда по смежным разновалентным ионам. Например, двойной оксид никеля и кобальта N 00264 образует структуру обратной шпинели Со21 ]04. Часть катионов N 2+попадает в октаэдрические пустоты, при этом возникает проводящая цепочка Ni +ч [ oЗ+ -e+], где — электронная вакансия (дырка). Оксид С03О4 имеет структуру нормальной шпинели Со + Со +]204. В смежных октаэдрических пустотах, образованных ионами 0 , располагаются только ионы Со +, а в изолированных тетраэдрических пустотах — ионы Со2+. Отсутствие цепочки разновалентных ионов Со Со +-1-е+ обуславливает низкую электропроводность С03О4 [59]. [c.35]

Высушенные хлоропласты обнаруживают термолюминесценцию после предварительного их облучения при низких температурах видимым светом. Интенсивность свечения возрастает с повышением температуры, достигая максимума при 393 К. Авторы этого-наблюдения [31] считают, что термолюминесценция не является термохемилюминесценцией и обусловлена полупроводниковыми свойствами хлоропластов при поглощении света в пигментной матрице возникают свободные носители заряда, которые захватываются в достаточно глубоких ловушках (дефекты структуры, реакционный центр, акцептор электрона и т. п.). При нагревании матрицы электроны высвобождаются из ловушек и рекомбинируют с положительной вакансией — дыркой, локализованной в реакционном центре (катион-радикал пигмента хлорофилл или бактериохлорофилл реакционного центра) [c.23]

Как уберечь сенсибилизатор фотопроцесса — хлорофилл а — от разрушения радикалами хлора С1 Эта проблема сейчас не решена. По-видимому, можно подыскать краситель, который не реагирует с радикалами -С . Иной путь решения проблемы--заменить Ag l другим полупроводником. В последнем случае первичный акт фотопроцесса может быть связан уже не с появлением химически активных атомов, а с фотофизическим процессом возбуждения электрона (в случае и-полупроводника) из валентной зоны в зону проводимости. Локализация электрона проводимости на дефекте полупроводника приведет к пространственному разделению электрона е и электронной вакансии — дырки р. В этом случае первичный химический акт, очевидно, будет осуществляться в приповерхностном слое полупроводник — вода. Так же как и при использовании Ag l, фотопроцесс можно сенсибилизировать к длинноволновому участку оптического спектра. [c.42]

В современной физике встречаются термины, которые, несомненно, претендуют на эмоциональное их восприятие узкое горло, шарм, ливень, цвет, вакансия, коллапс, дырка, хаос, античастица и многие другие. Мы привели термины в художественном беспорядке и среди них поместили заранее выбранные — те, которые нам понадобятся в этой главе вакансия, дырка, античастица. Добавим к ним еш,е позитрон и позитроний, имеюш,ие привычную латинскую этимологию positivus — положительный. [c.280]

Калвин и сотрудники [17—27] провели ряд исследований ЭПР препаратов хлоропластов и фотосинтезирующих пурпурных бактерий Rhodospirillum rubrum при 120° К. Ими было, показано, что при условиях, когда заторможены ферментативные и химические реакции (120° К), при освещении хлоропластов в области 580—800 нм возникает бесструктурный сигнал ЭПР (рис. 2, а) с g = 2.002 и АН = 15 э, очень медленно исчезающий после прекращения освещения. Было предположено, что неспаренные электроны, ответственные за этот сигнал и возникшие в результате освещения хлоропластов при 120° К, являются электронами проводимости, захваченными в ловушках х. юро-пластов, которые, как было показано Арнольдом с сотрудниками [28, 29], в сухом состоянии обладают свойствами фотополупроводников. С повышением температуры до 220° К скорость исчезновения неспаренных электронов в темновых условиях повышается, вероятно, вследствие процесса рекомбинации с электронными вакансиями ( дырками ), возникшими в результате фотонереноса электронов в ловушки. [c.441]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология