Методы получения монокристаллов

Монокристаллическое состояние веществ в природе встречается довольно редко. Сейчас разработаны методы получения монокристаллов многих веществ, особенно металлов и оксидов. Их строение отличается дальним порядком, заключающимся в строго определенном расположении атомов или молекул по всему монокристаллу. Регулярное строение часто обусловливает наличие в кристаллах плоскостей спайности (между гранями с наименьшей поверхностной энергией), в которых действуют значительно меньшие [c.382]

Некоторые методы получения монокристаллов полупроводниковых соединений высокой чистоты. [c.262]

Метод получения монокристаллов пероксида водорода описан в работе- [c.179]

Методы получения монокристаллов длиной до 10 мм и диаметром 0,5 мм описаны в литературе [4]. [c.449]

Метод получения монокристаллов из расплава под давлением описан в работе [3]. [c.1194]

Другой метод получения монокристаллов многих металлов (например, А1, Mg или Ре) — метод рекристаллизации. Этот метод основан на том, что кристалл, претерпевший деформацию, склонен к рекристаллизации в большей степени. Скорость кристаллизации при этом зависит от степени деформации и температуры. Этим методом стержень с мелкозернистой структурой подвергают небольшому вытягиванию и затем при медленно повышающейся температуре проводят рекристаллизацию в вакууме или в атмосфере водорода при этом образуются большей частью монокристаллы. [c.207]

Новым этапом в развитии неорганического синтеза явилась разработка методов, обеспечивающих определенное состояние (например, кристалл-стекло), структуру (например, монокристалл—поликристалл), высокую степень чистоты и т. д. Сюда относятся разнообразные методы получения монокристаллов, включающие различные способы кристаллизации из расплавов, метод химических реакций переноса через газовую фазу (транспортные реакции), зонная плавка и многие другие. [c.59]

Гурин В. Н., Изв. АН СССР, неорг. материалы 9, 1289, 1973. Методы получения монокристаллов тугоплавких соединений (обзор). [c.253]

К числу важнейших методов получения монокристаллов относится также кристаллизация из растворов. Принцип метода иллюстрируется обобщенной фазовой диаграммой, приведенной на рис. 99. Вещество В может кристаллизироваться из раствора при температурах [c.210]

Монокристаллическое состояние веществ в природе встречается довольно редко. Разработаны методы получения монокристаллов многих веществ, в частности металлов и оксидов. Их строение характеризуется дальним порядком, заключающимся в строго определенном расположении атомов или моле- [c.437]

В работе [121 описан метод получения монокристаллов GaS из газовой фазы в диффузионной транспортной системе с применением иода в качестве переносчика. В этом случае исходным материалом был поликристал-лический сульфид галлия, который предварительно синтезировали из элементов. Процесс протекал в течение двух суток при градиенте температуры 710—665° С. В результате в более холодной зоне были получены гексагональные, желтые, слоистые, пластинчатые кристаллы GaS размерами до 10 X 5 х 0,1 мм. Идентификация состава выросших кристаллов подтверждалась химическим и рентгеновским методами анализа. [c.38]

Дальнейшую очистку кремния производят методом зонной плавки и методом получения монокристаллов кремния. [c.242]

Весьма своеобразным методом получения монокристаллов, специфичным для полиоксиметилена, оказалась полимеризация мономерного кристаллического триоксана, инициированная облучением. Этим методом удавалось получать монокристаллы уже макроскопических размеров. [c.284]

Подробное описание методов получения монокристаллов из расплава можно найти в литературе [19]. [c.251]

МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ [c.99]

Наиболее подходящими методами получения монокристаллов тугоплавких соединений являются следующие выращивание из газовой фазы выращивание из расплавов выращивание нз растворов в расплавах комбинированные методы. [c.99]

Надежные методы получения монокристаллов А1Р пока не разработаны, Небольшие, но совершенные монокристаллы фосфида алюми- [c.143]

Рассмотрим схему распространения тепла в кристалле. Расплавление полупроводникового материала при рассматриваемом методе получения монокристаллов осуществляется в графитовом тигле. В процессе выра-щиванния монокристалла теплота из расплава через поверхность раздела фаз вместе со скрытой теплотой кристаллизации отводится в результате теплопроводности в тело слитка. Одна ее часть рассеивается излучением с поверхности кристалла, другая — отводится через контакт затравки и затравкодержателя с охлаждающей проточной водой. [c.111]

Чаще при кристаллизации из очень разбавленного раствора (обычный метод получения монокристаллов) получаются правильные складки, в которые для цепей типа полиэтилена входит 4 звена (чтобы совершить поворот на 180°), а поверхность монокристаллов, выращенных из расплава, содержит, наряду с правильными складками, петли различных размеров (причем цепи могут возвращаться в кристалл далеко от места выхода), или свободные концы. Нас интересует не это, а самый факт складывания, наиболее часто наблюдающийся в гибкоцепных полимерах абревиатура соответствующих кристаллов или кристаллитов со сложенными цепями—КСЦ. Толщина ламели определяется термодинамической и кинетической историей ее роста, как мы увидим ниже, чем медленнее и ближе к равновесной температуре плавления происходит рост, тем больше будет I. [c.96]

Еще один метод получения монокристалла был указан Чохральским ( zo hral-ski, 1917). Он заключается в том, что кристаллическое зерно вытягивают из расплава с такой скоростью, с которой происходит кристаллизация. [c.608]

Систематические работы по синтезу соединений А В " были начаты в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе АН СССР. Одновременно в Институте металлургии им. А. А. Байкова и ГИРЕДМЕТе были разработаны методы получения монокристаллов аптимоиидов индия и галлия и их легирования электроактивными примесями эти исследования дали возможность физикам подробно изучить физические свойства соединений и определить возможные области их применения. Изучение систем, в которых образуются полупроводниковые соединения, было широко развернуто в Институте общей и неорганической химии им. Н. С. Куриако-ва АН СССР, а также в Институте неоргаиической химии СО АН СССР. [c.72]

Ноими и сотр. [5241 разработали лабораторный метод получения монокристаллов германия восстановлением ОеОг в атмосфере водорода с последующей очисткой зонной плавкой. Ориентированные кристаллы германия получены из газовой фазы в результате термического разложения ЪеН4 [525]. Известны и другие способы очистки германия [424, 432, 434, 439, 461, 466, 52 -533]. [c.414]

Методы получения монокристаллов нитридов описываются в очень немногих работах. Брагер [22] сообщает, что монокристаллы TiN можно получать осаждением на медную подложку из газовой фазы, содержащей NH3 и Ti U, при 800 °С. Монокристаллы ZrN и TiN можно получить осаждением на раскаленную вольфрамовую нить продуктов, образующихся при разложении тетрахлоридов в присутствии N2 и Нг или NH3 [23]. [c.25]

Развитие радиоэлектроники, космонавтики, атомной энергетики, а также других новых областей техники весьма остро поставило вопрос о создании методов получения монокристаллов со специальными физическими свойствами. Физиков, занимающихся отысканием таких методов, в первую очередь ицтересуют вопросы, относящиеся к росту монокристаллов и формированию их тонкой и субтонкой структуры, в то же время металлург, стремящийся получить качественный металлический слиток, сталкивается с необходимостью решения значительно более общей задачи ему необходимо установить законы, которые управляют формированием микро- и макронеоднородностей при затвердевании многокомпонентного расплавленного металла, и научиться их рационально использовать. Если в случае выращивания монокристаллов вопрос об условиях зарождения центров твердой фазы отпадает, так как обычно монокристаллы растят из кристалла-затравки, то в случае полз ения слитков образуется поликристаллический агрегат, в котором расположение, форма и величина кристаллитов могут меняться в широких пределах, причем соотношение скоро- [c.7]

Исследования различных свойств монокристаллов GaSe позволяют сделать заключение, что GaSe имеет практически важные полупроводниковые свойства. При этом есть достаточно надежный метод получения монокристаллов GaSe. Соединение имеет удельное электросопротивление при 300° К от 10 до 10 ом-см, обладает проводимостью р-типа, малой подвижностью дырок (от 10 до 20 сж /в-сек) и концентрацией носителей, равной - 5-10 " при ширине запреш енной зоны -—2 эв. [c.62]

Выбор методов выращивания монокристаллов uS весьма ограничен вследствие перитектического разложения uS при температуре 507° С. В работе [63] был опробован гидротермальный метод получения монокристаллов uS и uSe и показано, что лучшие результаты получаются при использовании в качестве растворителя НВг. Кварцевую ампулу на 65% объема заполняли НВг, после чего в нее засыпали uS. Синтез проводили под давлением 2400 ат. Автоклав помещали в печь с двумя температурными зонами. Рабочая температура получения кристаллов uS 450° С. [c.35]

Синтез Ga Teg проводится из компонентов в запаянных под вакуумом кварцевых ампулах при температуре несколько более высокой, чем температура плавления этого соединения. В литературе специальные методы получения монокристаллов GajTeg пе описаны. Однако, применяя известные несложные методы кристаллизации, например направленной кристаллизации, можно получить GagTeg в виде монокристаллов, так как температура плавления и давления пара при плавлении соединения невелики. Например, в работе [107] монокристаллы ОазТвд получены методом направленного охлаждения. [c.74]

Мори и Хашимото [26] измеряли удельное электросопротивление и коэффициент Холла монокристаллов TlSe при температурах в интервале 100—450° К. Все нелегированные образцы принадлежали к р-тгту. Характер температурной зависимости электросопротивления и коэффициента Холла связан с методом получения монокристаллов и их термической обработки. Образцы TlSe, полученные вытягиванием из расплава, имели характерную для полупроводников зависимость удельного электросопротивления от температуры, а образцы, полученные зонной плавкой, показывали в области низких температур слабое возрастание электросопротивления, которое падало лишь в области комнатной температуры. Наибольший положительный коэффициент сопротивления в области низких температур был у образцов, полученных обычным охлаждением. Эти образцы также не имели полупроводникового хода электросопротивления при температуре выше комнатной. На основании полученных данных были вычислены две величины энергии активации — 0,6 и 1,3 эв (значения, полученные Филдингом [231 и Ахундовым [24], равные 0,57 и 56. 1)6, вероятно, соответствуют энергиям акцепторных уровней). [c.157]

Хорошие результаты были получены в работе [10], где описывается метод получения монокристаллов соединений 2пОеА,>. . [c.94]

Методика приготовления и особенности морфологии полимерных монокристаллов детально описаны в обзоре Кейта и монографиях Манделькерна и Гайла эти вопросы здесь излагаться не будут. Существенно, однако, что общим методом получения монокристаллов различных полимеров является образование новой фазы из очень разбавленных (обычно менее 0,1 %-ных) растворов. Получаемые монокристаллы полимеров в простейшей форме представляют собой плоские пластины (ламели), характеризуемые следующими типичными размерами (по порядку величины) толщина — 100 А, стороны пластины — до 1 мкм. Эти пластины обычно представляют собой ромбовидные образования, иногда с усеченными вершинами. [c.283]

В лаборатории силикатных сорбентов ИХС АН СССР С. П. Ждановым и Н. Н. Самулевич был разработан метод получения монокристаллов, в основе которого лежит отмеченная в работе [62] независимость скорости роста кристаллов цеолитов и кристаллов затравки в силикаалюмогелях от их размеров. Таким методом удается выращивать кристаллы Na-X размером до 250 мкм. На рис. 1.29 показаны фотографии таких монокристаллов. В этой же лаборатории В. И. Тарасовым путем кристаллизации из растворов были получены сферолиты цеолита Р размером до 0,5 мм, крупные (до [c.63]

В качестве конкретного примера анализа влияния различных факторов на условия выращивания кристаллов из расплава рассмотрим один из тигельных методов получения монокристаллов из жидкой одиокомпопеитпой фазы — метод Чохральского, представляющий по существу разновидность метода направленной кристаллизации — метода Бриджмена (в котором отсутствует относительное движение жидкости и растущего кристалла, а происходит движение тигля относительно нагревательного устройства или наоборот). В методе Чохральского растущий на затравке монокристалл постепенно вытягивается из расплава (рис. 4.9) при непрерывном вращении кристалла, а иногда и тигля в противоположном направлении. [c.137]

Сравнивая рассмотренные методы получения монокристаллов ферритов из расплавов, необходимо отметить, что в случае феррогранатов иттрия лучшие условия выращивания и соответственно более высокий уровень свойств обеспечиваются применением метода оптической зонной плавки. Это в равной мере относится и к получению монокристаллов ортоферритов, гексаферрита бария и др. [c.141]

Такие же требования должны предъявляться и к эпитаксиальным пленкам. Однако необходимо отметить весьма существенные различия между обычными методами получения монокристаллов кремния из расплавов и методом водородного восстановления хлоридов. Уже отмечалось, что для выращивания монокристаллов по методу Чохральского кремний-сырец, получаемый методом водородного восстановления чистого тетрахлорида кремния, предварительно подвергается очистке методом зонной плавки. Очевидно, что в эпитаксиальной технологии отсутствует возможность какой бы то ни было дополйительной очистки полученного материала — пленки. Следовательно, требование к чистоте исходных материалов (51014 и Иг) и главное, [c.430]

Для получения карбида кремния полупроводникового качества необходима высокая чистота синтезируемого материала и изготовление его в виде монокристаллов. Методы выращивания из расплавов в данном случае неприменимы (Si интенсивно возгоняется до достижения точки плавления при Гa 2500°С), поэтому возможны методы выращивания из паровой фазы и из растворов. Было показано, что кристаллы Si можно выращивать из его растворов в хроме, никеле и других металлах. Однако при этом кристаллы невоспроизводимы по свойствам и геометрии. Основным методом получения монокристаллов Si яв- [c.447]

Таким образом, в результате анализа возможных методов получения монокристаллов карбидов вольфрама можно сделать вывод, что основное внимание уделяется получению кристаллов монокарбнда вольфрама. Наиболее перспективным методом их выращивания является модифицированный метод Чохральского с использованием вспомогательной металлической ванны, плавящейся при сравнительно низкой температуре (в случае применения кобальта в соответствии с диаграммой состояния Со— С температура плавления эвтектики составляет около 1360° С). Такие кристаллы имеют практически стехиометрическое содержание углерода при незначительном содержании примесей кобальта, причем при понижении концентрации УС в расплаве их качество повышается. [c.102]