Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Травление полирующее

    Травление германия. Кислотный травитель СР-4 обладает полирующим действием. В состав его входят азотная, плавиковая, уксусная кислоты и бром. Первые два компонента — окислитель и комплексообразователь. Процесс травления описывается суммарным уравнением [c.104]

    При условии W травление — полирующее, скорость [c.282]

    Для объяснения полирующего травления необходимо рассмотреть процесс диффузии молекул травителя из глубины раствора к поверхности кристалла. Следует сказать, что диффузионная теория в математическом отношении достаточно громоздка и требует решения некоторых дифференциальных уравнений. Многие важные выводы этой теории могут быть понятны только после такого решения. Что касается этих выводов, то они приведены ниже почти бездоказательно, сама же причина, вызывающая полирование поверхности при травлении, может быть пояснена следующими рассуждениями. [c.107]


    Таким образом, в случае стационарного процесса скорости диффузии и химической реакции совпадают и равны результирующей скорости травления, которая однозначно определяется соответствующими единичными скоростями. При большой единичной скорости диффузии травление селективно, а при большой единичной скорости химической реакции травление является полирующим. [c.109]

    Кроме СР-4 при производстве полупроводниковых германиевых приборов часто используют травители, содержащие перекись водорода и плавиковую кислоту (пергидролевый травитель.) Травление происходит за счет образования фторокомплексов германия (Н Ог — окислитель, НР — комплексообразователь). Травитель является полирующим и характеризуется небольшой скоростью травления. Близкими свойствами обладает щелочной пергидролевый травитель. Реакция, описывающая процесс травления, может быть представлена одним из уравнений  [c.104]

    Подготовка образцов. Образцом для рентгеноспектрального микроанализа служит металлографический шлиф, высота его рельефа не должна превышать 1 мкм. Образцы следует полировать только механически на тонких полировальных материалах (батист, синтетика, бумага), положенных на зеркальное стекло. В качестве абразива предпочтительна алмазная паста. Электролитическое полирование допустимо лишь в случаях, когда механические методы неприменимы по тем или иным причинам. Химическое травление для выявления структуры должно быть очень слабым, чтобы исключить появление рельефа. С целью проверки влияния рельефа следует дважды провести измерения по одной и той же линии, причем второй раз измерения проводят, повернув образец на 180°. Совпадение результатов свидетельствует об отсутствии влияния рельефа. Для закрепления образцов используют полимерные материалы полистирол, метилметакрилат, эпоксидные смолы и т. д. [c.45]

    Размеры, форму и взаимное расположение кристаллов в металлах изучают металлографическими методами. Наиболее полную оценку структуры металла в этом отношении дает микроскопический анализ его шлифа. Из испытуемого металла вырезают образец и его плоскость шлифуют, полируют и протравливают специальным раствором (травителем). В результате травления выявляется структура образца, которую рассматривают или фотографируют с помош,ью металлографического микроскопа. [c.319]

    Таким образом, скорость реакции в полирующем травителе не зависит от кристаллической структуры, т. е. от энергии активации — (О. С другой стороны, необходимо выявить причину повышенной скорости травления острых углов и выступов. [c.107]


    На этих же образцах изучают структуру. Для этого выбирают участок, отдаленный от места изгиба или излома. Поверхность тш ательно шлифуют с помощью мелких корундовых кругов и полируют на сукне. Затем для травления на нее наносят на 25—30 мип каплю водного раствора фенола. По истечении этого времени образец промывают струей воды для удаления растворенной части полимера. Фильтровальной бумагой снимают оставшуюся влагу и на микроскопе определяют морфологический тип структуры. Размер структур оценивают с помощью помещенной в окуляр измерительной сетки с известной ценой деления. При этом выбирают участок образца, имеющий преимущественную картину, и из трех измерений определяют среднее значение. Так же изучают структуру отожженных образцов. [c.199]

    Таким образом, выявление резких, но малых по размеру неоднородностей происходит в полирующем травителе по такому же механизму, как и в селективном. Поскольку при этом более крупные неоднородности остаются невыявленными, наблюдение микронеоднородностей после полирующего травления является гораздо более легкой задачей, чем после селективного. [c.110]

    Вследствие цепного механизма единичная скорость окисления в азотной кислоте очень велика и может превосходить единичную скорость диффузии молекул растворителя. Единичная скорость взаимодействия окислов германия и кремния с плавиковой кислотой НЕ также достаточно велика, и последние два фактора обеспечивают полирующее действие описываемого травителя. При выбранных концентрациях азотной и плавиковой кислот скорость и характер травления определяются кучностью расположения обрабатываемых кристаллов. [c.114]

    Необходимо также отметить, что при выявлении очень маленьких по геометрическим размерам неоднородностей применение полирующих травителей более эффективно, чем селективных. Для правильного понимания этого явления следует учесть, что при химическом полировании концентрация молекул травителя вблизи поверхности кристалла различна и зависит от энергии активации, т. е. от микроструктуры данного участка поверхности. С другой стороны, концентрация молекул травителя изменяется за счет процессов диффузии относительно плавно и не может скачкообразно принять другое значение. Иными словами, можно утверждать, что в пределах небольшого объема, определяемого так называемой диффузионной длиной, концентрация молекул травителя практически постоянна. Отношение скоростей травления для двух участков поверхности кристалла, находящихся на расстоянии, не превышающем диффузионной длины, определяется поэтому только разницей в энергиях активации, т. е. в микроструктуре рассматриваемых участков [c.110]

    При большой (по сравнению с единичной скоростью диффузии) единичной скорости химической реакции травление является полирующим и выявления кристаллической структуры в данном случае не происходит. [c.111]

    При полирующем травлении происходит эффективное выявление малых по размеру неоднородностей. [c.111]

    Полирующие травители предназначены для удаления материала с микровыступов поверхности, после действия которых получается весьма гладкая поверхность. В некоторых препаратах р- и -типы полупроводников травятся почти с одинаковой скоростью, но при травлении ими р— -переходов травится почти только одна сторона перехода. [c.314]

    А1(х) ТО возникнет плоскодонная ямка травления, которая после перемещения ступени исчезнет. Наоборот, при образуется тонкий туннель вдоль дислокации. Нормальная скорость пропорциональна частоте появления двумерных зародышей [18], а тангенциальная характеризует скорость их расширения при перемещении ступеней. Отношение можно регулировать введением ингибирующих и стимулирующих примесей в раствор, избирательное действие которых аналогично действию полирующих электролитов. Примеси, находящиеся в мета л л еГ могут оказыв ать двоякое действие с одной стороны, при сегрегации примесей на дислокациях уменьшается их химическая активность, так как релаксируют напряжения (поэтому старые дислокации травятся труднее), а с другой стороны, увеличивается растворение, так как вследствие изменения химического состава области выхода дислокации понижается коррозионная стойкость. [c.60]

    В виде монокристаллов определенного размера кристаллизуется очень много различных веществ, и только очень немногие из них исследовались как возможные подложки для напыленных металлов. Иногда вместо поваренной соли используют монокристалл окиси магния, так как он также расщепляется вдоль грани (100), но более термостоек, чем поваренная соль. Однако его расщепление осуществить труднее. В отношении легкости расщепления, величины поверхности, небольшой толщины и гибкости со слюдой не способен конкурировать ни один материал. Тем не менее некоторые вещества можно, как и слюду, использовать в качестве подложки и при получении эпитаксиальных пленок, например с преимущественной ориентацией граней (111) параллельно плоскости подложки в случае металлов с г. ц. к. структурой. Это гексагональные плоскости (001) графита, дисульфида молибдена и а-окиси алюминия. Для графита н дисульфида молибдена грань (001) является плоскостью спайности, но а-окись алюминия расщепить нельзя, и кристалл необходимо разрезать и полировать. Отполированная поверхность а-окиси алюминия весьма неупорядоченна и при травлении обнаруживает различные дефекты. Для получения четких картин ДМЭ необходимо неупорядоченные слои удалить ионной бомбардировкой и отжигом. Аналогичное положение, по-видимому, характерно и для других граней, получаемых разрезанием и полировкой. [c.103]


    Для исследования морфологии вторичной структуры смолы-68 был использован метод травления шлифованных срезов с образцов, использовавшийся в работах [1, 4, 6]. Оп позволяет отделить часть образца, закристаллизовавшегося в ту или иную вторичную структуру, от его аморфной фазы и выявить геометрию элементов вторичной структуры. Для травления использовали трикрезол и разбавленную серную кислоту. Перед травлением образцы полировали вручную вначале на корундовом камне, а затем на тонком сукне до получения зеркальной поверхности без видимых глазом дефектов. На отполированную поверхность среза наносили тонкий слой растворителя, который через определенное время смывали водой вместе с растворенной частью материала. [c.373]

    Электролитическое травление (и полировка) представляет собой анодную (или катодную) обработку металлических поверхностей в различных ваннах, предназначенную для получения чистых (протравленных) или гладких (полированных) поверхностей. Электролитические растворы для травления приведены в табл. 2-20. При электролитической полировке критичными являются не только состав ванны, но и ее электрические параметры. При напряжении ниже определенной величины ванна в основном больше протравливает, чем полирует. Гладкая электролитическая полировка происходит в определенном диапазоне оптимальных напряжений. При более высоких напряжениях большое газовыделение приводит к неравномерной коррозии анодных поверхностей. [c.61]

    Ое — 31. Предварительная обработка поверхностей была различной все образцы обезжиривались, некоторые подвергались травлению образец Се — 81, кроме того, полировали для удаления впадин, образованных при травлении. Опыты проводили после прогрева вакуумной системы, давление остаточного газа было ниже 10 мм рт. ст. [c.168]

    Необходимо следить за стандартной заточкой электродов и хорошей поверхностью их рабочей части. Это достигается, например, при использовании приспособления, разработанного на Каменск-Уральском заводе по обработке цветных металлов. Оно основано на повороте резца в процессе заточки (на токарном станке) относительно оси электрода, зажатого в патрон (см. Приложение П). Хорошее воспроизведение фор(МЫ конца электрода и устранение мелких неровностей его поверхности обеспечивает также электролитическое травление (см. Приложение И). Поверхность образцов во многих случаях после заточки нужно полировать. Желательно ввести охлаждение электродов и образцов после каждого замера. [c.83]

    Механическая полиров-ка- -электрополировка + - -анодное травление. . 64,7 65,8 [c.326]

    Не менее важное значение для получения надежных картин травления имеет правильная обработка поверхности образца. Обычно кристаллы шлифуются и механически полируются, однако иногда уместна электролитическая полировка. Для выявления дислокаций в поликристаллических образцах карбида ниобия шлиф обрабатывался после химического травления в ванне с раствором [пН2504 + тНЫ0з + рНР]. Полученные ямки, плотность которых 10 см-2, образовывали характерные субграницы. При многократном травлении их расположение практически не изменялось. Часто П0 виду и расположению ямок травления можно определить направление дислокационных линий. Так, при исследовании поликристаллических образцов природного кварца методом гидротермального травления были обнаружены плоскодонные и пирамидальные ямки. Плоскодонные ямки соответствовали промежуточному положению дислокаций. Применяя послойное травление, можно определить пространственное распределение линейных дефектов. [c.160]

    Кроме селективного известно и часто применяется полирующее травление. Особенностью этого травления является то, что оно почти не выявляет кристаллической структуры данного тела, но сглаживает имевшиеся до обработки шерохова- тости и неровности, например острые углы, выступы, углубления, сколы и т. д. [c.107]

    Травление образцов увеличивает контраст между фазами, обнаруживает бловдость в структуре, позволяет охарактеризовать взаимное расположение отдельных зерен. Выбор травителя определяется обычно экспериментально на основе химической природы составляющих фаз. Существует несколько способов нанесения травителя на шлиф. При одном из них полированную поверхность погружают в сосуд с травите-лем. При этом необходимо перемешивание, чтобы травление происходило равномерно и продукты травления не оседали на шлифе. Этот метод требует большого расхода реактивов. При других способах травящие реагенты наносят из капельницы на полированную поверхность или втирают в нее ватой. Время действия травителя определ51Ют опытным путем, просматривая шлиф под микроскопом. Визуально это определить нельзя, так как некоторые сплавы сохраняют блестящую поверхность и в травленном виде. Недотравленные образцы снова полируют в течение 1—3 мин, а затем травят более продолжительное время. Если шлифы были приготовлены заранее, то перед травлением их поверхность активизируют кратковременной полировкой. Приготовление шлифов для изучения микротвердости производится таким же образом. Микротвердость измеряют на травленных образцах, причем выбирают такой травитель, который характеризуется меньшей скоростью взаимодействия с поверхностью образца. [c.51]

    Хорошо известно, что приготовление полупроводниковых электродов не обходится без химического или электрохимического травления [6]. Его основная цель удалить с полупроводника поверхностные загрязнения и дефекты и в первую очередь — так называемый нарушенный слой, возникающий на образце в результате его механической обработки (резка, шлифовка, полирование) и содержащий множество структурньгх макро-и микродефектов, искажающих присущие данному полупроводнику электрические свойства. К сожалению, для алмаза не существует удобного способа химического травления. (Правда, в нем обычно не возникает особой нужды, потому что полировка алмаза может проводиться без применения абразива и, по-видимому, не сопровождается образованием нарушенного слоя и ухудшением полупроводниковых характеристик поверхности алмаза. Алмаз полируют на чугунном круге под действием развивающегося нагрева поверхность алмаза графитизируется, а графит испаряется.) [c.26]

    Для определения пористости методом хлорного травления пластины кремния должны быть полированы с двух сторон для того, чтобы слой окисла равнол ерно покрывал обе повер хности. Держатель с пластинами помещают в печь, разогревают ее до 1000°С, затем закрывают реактор шлифом 3 и, открывая кран делительной воронки, регулируют поток хлора таким образом, чтобы через склянку Тищенко с серной кислотой проходило 1—2 пузырька в минуту. Травление проводят в течение 15 мин. Затем прекращают подачу хлора и извлекают пластину из реактора. Образец сначала осматривают, а затем исследуют на металлографическом микроскопе. Подсчитывают число растравленных отверстий в окисной пленке в поле зрения окуляра, й затем, определив площадь поля зрения при помощи объект-микрометра, рассчитывают плотность сквозных пор (см" ) в окисле по формуле N = п/5, где п — количество пор в поле зрения окуляра, 5 — площадь поля зрения, см . [c.135]

    При изготовлении формы для сеток, медную или латунную пластину требуемого размера тщательно полируют, обезжиривают и покрывают светочувствительным хромово-желатиновым составом, который затем высушивают. Затем накладывают негатив с оригинала (сетки) и экспонируют на свету. При этом освещенные участки светочувствительного слоя делаются нерастворимыми в воде, а неосвещенные — остаются растворимыми. Экспонированную пластину проявляют, промывая в теплой воде, причем растворимые участки удаляются пластину подогревают до 150° С, чтобы обеспечить прочное сцепление металла с нерастворимыми участками светочувствительного слоя. Далее пластину помещают в ванну для химического или электрохимического травления, которое производят до тех пор, пока металл на незащищенных участках не стравится до нужной глубины (50—80 мк). В заключение химически удаляют задубленный светочувствительный слой, а углубления пластины заполняют окрашенной пластмассой до уровня плоскости пластины. После этих предварительных операций на пластину наносят тонкий слой никеля. Для нанесения раздели- [c.218]

    Подложки (пластины) получают разрезкой монокристаллов 81 (или др. материала) на пластины, к-рые затем шлифуют, подвергают травлению и полируют (см. Полирование), чтобы получить повить без наруш. слоя. Обработанные пластины тщательно очищают хим. или плазменным (сухим) способом. Для хим. очистки применяют смеси сильных окислителей (напр., НКОз, Н О с к-тами (напр., с Н ЗО ), а также водный р-р КНз. После хим. очистки пластины промывают в деионизир. воде и сушат в центрифуге. Отмывка-одна из наиб, часто повторяющихся операций П. т., при этом чистота воды имеет решающее зиачение. Сухая очистка в кислородной плазме применяется в осн. для удаления с пов-сти пластин оставшегося после фотояитогра- [c.556]

    До настоящего времени отсутствует единая теория химической полировки. Поэтому трудно дать какие-либо надежные рекомендации к подбору состава растворителя и режима полировки. Улучшение процесса химической полировки достигается повышением температуры раствора. Для выбора полирующего состава необходимо выполнить ряд условий. Прежде всего, горизонтальная скорость распространения ступеней от ямок травления должна быть намного выше нормальной скорости растворения и, по-видимому, образование зародышей растворения должно происходить на любых местах поверхности кристалла, а не только на выходах дислокаций. Этот вопрос рассмотрен Ю. П. Пшеничновым [1974] и Р. Б. Хейманом [1979], там же приведены рецепты составов и режимов химической полировки для кристаллов многих веществ. [c.182]

    Для улучшения электродных свойств платиновую жесть иногда полируют наждаком или пастой и проглаживают стеклянной палочкой. Чтобы предотвратить диффузию водорода внутрь платины, рекомендуется ее золотить [27]. Однако автор не обнаруживал заметного различия в поведении свежеплатинированного электрода, основа которого подвергалась травлению, полировке или золочению. Не исключено, что такая обработка сказывается на [c.218]

    Травление образцов производилось в полирующем электролите, состоящем из 51% серной кислоты, 47% ортофосфорной кислоты и 2% воды при анодной гальваностатической поляризации плотностью тока 0,2 А/см . Такой ток соответствовал области транспассивности. [c.108]

    Поверхности коррозионно-стойких сталей полируют электронатиранием с предварительным нанесением на поверхность пленки раствора поверхностно-активного вещества (ПАВ). При интенсивном образовании продуктов коррозии производят травление электронатиранием кислым и щелочным раствором. [c.24]


Смотреть страницы где упоминается термин Травление полирующее: [c.44]    [c.109]    [c.97]    [c.104]    [c.106]    [c.344]    [c.53]    [c.21]    [c.408]    [c.255]    [c.82]    [c.240]    [c.182]    [c.240]    [c.372]    [c.821]    [c.25]    [c.39]   
Введение в химию полупроводников Издание 2 (1975) -- [ c.281 , c.282 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Полирам

Травление



© 2025 chem21.info Реклама на сайте