Рассеяние рентгеновских лучей дискретное

Средний размер частиц (от 29 до 88 А), определенный методом рассеяния рентгеновских лучей, оказался близким к размеру частиц, рассчитанному из удельной поверхности при допущении дискретных, плотных, сферических частиц (измеренная в действительности удельная поверхность была несколько ниже, чем рассчитанная из размеров частиц 5 , по-видимому, вследствие потери поверхности в точках контакта). Уиллером [32] было рассчитано распределение микропор по размерам в согласии с теорией капиллярной конденсации. [c.134]

На основании проведенных исследований по термическому старению гелей кремнезема Шапиро и Кольтгоф [П7] согласились с авторами работы [118] в том, что структуру геля кремнезема лучше всего интерпретировать как состоящую из дискретных частиц. Методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей последние из указанных авторов оценили, что средний размер первичных частиц при допущении их сферической формы составлял в свежеприготовленном геле кремнезема 30—60 А. [c.303]

Дискретное рассеяние рентгеновских лучей под малыми углами есть частный случай дифракции на кристаллах малый угол, под которым наблюдаются интерференции, соответствует периодам решетки, значительно большим длины волны. [c.281]

Установка рентгеновская малоугловая для изучения диффузного и дискретного рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами в коллоидных растворах [c.245]

Для ориентированных аморфных полимеров в области малых углов отсутствует дискретное рассеяние рентгеновских лучей (малоугловые рентгеновские рефлексы) (рис. 6а), что свидетельствует о надмолекулярно гомогенности фибрилл и позволяет изобразить схему расположения макромолекул в них так, как на рис. 7а. [c.260]

Рассеяние рентгеновских лучей на монодоменных образцах. В нескольких случаях, когда были выполнены такие исследования [14, 16], оказалось, что интенсивность рассеяния концентрируется в некоторых дискретных точках обратного пространства. Это означает, что оси последовательных слоев совпадают и параллельны друг другу 2). [c.333]

Круг явлений, при рассмотрении которых необходимо учитывать атомную, дискретную структуру твердого тела, очень широк (рассеяние рентгеновских лучей, рассеяние электронов и многие другие). Для тех из них, которые происходят не в непосредственной близости от границ кристалла, кристаллическая решетка является бесконечным пространством. Ее геометрия (и, прежде всего, периодическая структура) определяет многие черты наблюдаемых явлений (см. главы 15, 16). [c.227]

Последующие исследования стеклообразных систем тонкими физическими методами принесли новые прямые доказательства неоднородной структуры многих других стекол. Интенсивное рассеяние рентгеновских лучей под малыми углами, как известно, характерно для материалов, построенных из мелких отдельных частичек. Таким материалом является, например, сухой порошкообразный силикагель, состоящий из дискретных частиц размером 10—100 А. Следовательно, малоугловое рассеяние может служить доказательством неоднородности исследуемого вещества. [c.89]

При определенных условиях растянутые и кристаллизующиеся ориентированные образцы полимеров дают электронограммы, состоящие из дискретных пятен и аналогичные электронограммам монокристаллов. На рис. 150 в связи с рассмотрением методов расчета текстур диаграмм была показана электронограмма растянутого полимера. Дифракционные картины растянутых полимеров весьма близки к волокнистым диаграммам блочных полимеров, получаемых при рассеянии рентгеновских лучей, и, вообще говоря, не дают никаких новых сведений об их структуре. Однако, как и во многих других случаях, преимущества методов электронной дифракции определяются возможностью комбинирования чисто дифракционных исследований с электронно-микроскопическими наблюдениями исследуемого объекта. На рис. 156а показан электронно-микроскопический снимок растянутой тонкой пленки полиэтилена толщиной всего лишь 100 Л (нерастянутая пленка полиэтилена состоит из сферолитов). Микродифракционная картина, полученная с этой области (рис. 1566), свидетельствует о том, что полимерные цепи ориентированы преимущественно параллельно осям фибрилл [37 ]. Однако следует отметить, что такая ориентация макромолекул осуществляется не во всех фибриллярных структурах, встречающихся в кристаллических полимерах (см. раздел Г-3). [c.249]

Дискретное рассеяние можно получить от многих полимеров, но обязательно от полимеров, находящихся в твердом состоянии, и оно никогда не наблюдается от веществ, которые, судя по данным рассеяния рентгеновских лучей под большими углами, аморфны. Чаще всего оно обнаруживается в виде единичного максимума, соответствующего брэгговскому периоду от 75 до 200 А, как показано на рис. 115, а, хотя в некоторых случаях удается наблюдать максимумы второго или третьего порядка. Если такой полимер подвергнуть деформации, дискретное кольцо ориентируется и обычно стягивается к меридиану рентгенограммы, как показано на рис. 115, б, что указывает на периодичность структуры вдоль оси молекулы полимера. Отсутствие диффузного рассеяния на рис. 115, б аномально более обычна картина рассеяния, приведенная на рис. 115, в, на которой видно как диффузное, так и дискретное рассеяние. При особых условиях максимум интенсивности диффузного рассеяния может наблюдаться под углом, отличным от 0°, причем природа этого явления отлична от природы дискретного рассеяния. [c.194]

Большой период вычисляется по положению максимума дискретного рассеяния рентгеновских лучей в области малых углов. [c.168]

Кристалл — это решетка из молекул, для которой характерна упорядоченность во всех трех измерениях. Однако из сказанного ранее ясно, что кристаллическое состояние не является обязательным для рентгеновских дифракционных измерений. Любая упорядоченная (или частично упорядоченная) решетка молекул может давать полезную рентгеноструктурную информацию. Но очевидно, что наиболее предпочтительными объектами являются именно кристаллы. Упорядоченная решетка атомов или молекул, обладающая достаточно большими размерами, дает четкие дифракционные пятна, когда интенсивность рассеянных рентгеновских лучей сосредотачивается в малых дискретных областях угла рассеяния 16. Это сильно облегчает процедуру получения надежных рентгеновских данных. [c.346]

В кристаллической одномерной молекулярной решетке N может достигать 10 (или больше). Поэтому структурный фактор становится очень большим всякий раз, как только sin(jrS а) приближается к нулю. Это происходит во всех случаях, когда величина S а приближается к целому числу. По сравнению с острым пиком рассеяния при целом S а все остальные значения F(S) пренебрежимо малы. Следовательно, интерференционная функция для линейной цепочки (ряда) точек (атомов) приводит к дискретной картине рассеяния. (В Дополнении 13.4 иллюстрируются подобные эффекты при оптической дифракции.) Вообше рассеяние может наблюдаться только для определенных относительных ориентаций объекта и детектора рентгеновских лучей. Этот результат носит название условия Лауэ [c.327]

Существуют достаточно убедительные указания на то, что на всех доступных изучению уровнях надмолекулярной морфологии развиваются вполне определенные и хорошо различимые, хотя и не до конца расшифрованные, организованные структуры. Малоугловое рассеяние рентгеновских лучей выявляет дискретные структуры с линейными размерами до сотен ангстрем [26, 27]. Типичная картина рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами от высо-коориентированиого волокна из линейного полиэтилена показана на рис. 7. В этом образце разрешаются несколько диффракционных порядков, соответствующих большому периоду 410 20 А. При малых углах, кроме дискретного максимума, появляется еще и диффузное рассеяние. Рассеяние света от тонких пленок кристаллических полимеров также выявляет наличие структурных элементов с размерами порядка тысяч ангстрем [28]. [c.27]

Это еще более ярко выражено в случае ковалентных полупроводников Ое и 51. Если такие атомы сближаются при введении их в решетку алмаза, исходя из бесконечного разведения, то первоначально дискретные 5- и р-уровни уширяются из-за перекрывания и в конечном счете энергетическая щель исчезает. Однако к мохменту, когда достигается положение равновесия, возникает новый, другой по природе вид энергетической щели, связанный с локализованными связями (теперь щель приблизительно равна энергии, требуемой для удаления электрона из химической связи )). И опять при исследовании рассеяния рентгеновских лучей на Ое или 51 мы обнаружим так называемое запрещенное отражение , которое не может быть объяснено (обладает нулевой интенсивностью) при наличии сферических капель, расположенных в узлах решетки. [c.137]

Условие a( osap — osao)=pK при разных значениях р (р = 0, 1, 2,. ..) дает разную величину угла ар (ао, di, аг,. ..), т. е. выделяет дискретное семейство конусов, коаксиальных оси X. То же справедливо для двух других условий Лауэ в отношении осей У и Z. При изменении длины волны или ориентации кристалла условия одновременного пересечения трех конусов по одной прямой будут последовательно удовлетворяться в отношении разных комбинаций троек конусов. Поэтому общее число дифракционных лучей, возникающих при рассеянии рентгеновских лучей в кристаллической решетке, может быть довольно большим. [c.184]

На - основе изучения термического старения гелей Шапиро и Кольтгофф [15] в согласии с Элкинсом. Шлллом и Россом [16] показали, что структуру силикагеля следует представлять образованной нз дискретных частиц. Последние из указанных авторов по рассеянию рентгеновских лучей под малыми углами определили, что в свежеприготовленном силикагсле средние размеры первичных частиц, принятых за сферические, составляют 30—60 А. По. мнению Шаииро п Кольтгоффа, точка зрения, что гель построен из неких первичных частиц, более соответствует общей теории образования осадков и взглядам на их старение [c.128]

Надежин, Сидорович и Кувшинский [40] методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей (МУРР) обнаружили в аморфном поливинилацетате при температурах ниже Тс регулярную надмолекулярную структуру, которая отчетливо проявляется, если одноосно растянуть образец (на 10—30%). В плоскости, перпендикулярной растяжению, появляется малоугловой рефлекс (максимум на кривой интенсивности). Большой период, соответствующий этому дискретному расстоянию, находится в пределах 150— [c.26]

Другое интересное применение темнопольного метода было описано Скоттом [48], который провел электронно-микроскопическое исследование срезов волокон линейного полиэтилена. Микрофотографии этих срезов не были равномерно светлыми, но кристаллические области выделялись в виде ярких участков. Размер этих участков хорошо соответствовал размеру кристаллитов, вычисленному по ширине рентгеновских дифракционных максимумов при больших углах рассеяния с того же образца и по результатам рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами. Из этой работы следует важный вывод о реальном существовании кристаллитов. Используя темнопольный метод для исследования сферолитов найлона-6,6, Скотт [43] наблюдал расщепление тем1Юго изображения на систему мелких пятен, обусловленных существованием дискретных кристаллических областей. [c.257]

Автоматизированный малоугловой рентгеновский дифрактометр АМУР-1. Дифрактометр предназначен для изучения диффузного и дискретного рассеяния рентгеновских лучей субмикроскоиическими (от 5 до 1000 А) неоднородностями в веществах, а также в материалах с большими (до 1000 А) периодами кристаллической решетки. В дифрактометре предусмотрена полная автоматизация процесса измерений, включая измерения абсолютной интенсивности рассеяния. [c.14]

Малоугловая рентгеновская установка КРМ-1. Установка предназначена для изучения диффузного и дискретного рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами с целью определения формы и размеров областей равной плотности в широком интервале температур (от —125 до +500 °С) и исследования образцов в виде пленок и волокон в обычном, растянутом и других состояниях. Установка может быть применена также для исследования коллоидных растворов, органических и неорганических стекол, саж и других материалов. Установка позволяет проводить автоматическую регистрацию кривых рассеяния при непрерывном и ступенчатом перемещении детектора. Малоугловой гониометр работает на просвет в диапазоне углов от —2 до +9°, отсчитываемых от центра первичного пучка, при регистрации рассеянного излучения С1(интилляционным счетчиком или фотопленкой. [c.24]

Рассеяние рентгеновских лучей атомом зависит от его положения в пространстве и от числа имеющихся у него электронов. Рентгеновское рассеяние от ряда атомов можно рассчитать путем суммирования вкладов от отдельных атомов. Периодичность рядов идентичных атомов приводит к тому, что заметное рассеяние наблюдается лишь при очень ограниченном наборе геометрий эксперимента. При рассмотрении рядов молекул подход должен быть таким же, как при рассмотрении рядов атомов. Кристалл — трехмерная периодическая решетка, состоящая из элементарных ячеек, размноженных в пространстве. Вершины ячеек определяют кристаллическую решетку. Периодичность этой трехмерной решетки ограничивает наблюдение рассеяния дискретным бабором геометрий, которому соответствует обратная решетка кристалла. [c.400]

Дальний порядок в термоэластопластах исследовали методом малоуглового рентгеновского рассеяния одновременно несколько коллективов исследователей в Англии и США [159, 394, 395, 462, 463, 608, 769]. Келлер и др. [463] исследовали прутки блок-сопо-лимера СБС с 25% полистирола, полученные экструзией. Молекулярные массы блоков составляли соответственно Ы0 5,5-10 и ЫО г/моль. Картина дифракции рентгеновских лучей показана на рис. 4.6. Интенсивность и контрастность рефлексов увеличивались после длительного отжига образцов. Келлер и др. [462, 463] заключили, что дискретная фаза полистирола распределена в виде цилиндров с гексагональной симметрией относительно направления экструзии. [c.122]

При рассеянии полимерами рентгеновских лучей под малыми углами возникают явлегшя двух типов диффузное рассеяние и дискретная дифракция. Важно установить различия между этими явлениями, так как между ними может совершенно отсутствовать связь рассматриваемые явления вызваны различными типами агрегации молекул полимера. В настоящем параграфе дается краткое рассмотрение типов наблюдаемых обычно картин рассеяния. [c.193]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология