Электронограммы монокристаллов

Электронограмма монокристалла представляет собой плоское сечение его обратной решетки, увеличенное в лL раз ( , — длина волны электронов, L— эффективное расстояние от объекта до экрана). Поэтому анализ и расчет точечных дифракционных картин сравнительно прост. [c.24]

Электронограммы могут иметь различный вид в зависимости от условий опыта. Основными видами картин электронной диффракции являются электронограммы порошков, состоящие из систем концентрических колец электронограммы монокристаллов, состоящие из точек или пятен, электронограммы ориентированных поликристаллов (текстуры), состоящие из серповидных или точечных отражений. Электронограммы газов, жидкостей и аморфных тел имеют обычно вид систем широких размытых концентрических колец. Для фазового анализа, точного определения постоянных решетки и определения средних размеров кристалликов особенно удобно использовать электронограммы порошков. При подобных исследованиях желательно иметь одновременно на одной и той же электронограмме картины диффракции исследуе- [c.31]

Р и с. 149. Электронограмма монокристалла полиэтилена. [c.241]

Р и с. 14. Электронограмма монокристалла железа, покрытого магнетитом [71 ]. [c.348]

Электронограммы монокристалла кадмия, полированного в смеси хлорной кислоты и спирта, соответствуют чистому металлу [189]. [c.80]

Наибольшее влияние на габитус кристаллов оказывает температура синтеза. При прочих равных условиях тонкие прозрачные для электронного пучка волокна синтетического муллита получаются только при низких температурах. С увеличением температуры толщина кристаллов возрастает, а степень волокнистости уменьшается. Анализ точечных электронограмм муллита показал, что они соответствуют в большинстве случаев плоскостям (110), (010) обратной решетки и, следовательно, отвечают плоскостям кристаллической решетки с теми же индексами (для ромбической сингонии индексы соответствующих плоскостей прямой и обратной решетки имеют с точностью до постоянного множителя одинаковые значения). Расчет точечных электронограмм дает следующие значения параметров а = 0,754 нм и с = 0,2982 нм, что характерно для муллита. Дифракционные картины муллита содержат запрещенные рефлексы. На рис. 51, г представлено сечение (ЛО/) обратной решетки муллита. Для этого сечения характерны четкие отражения 002, 200, 400 и т. д. Наблюдаются запрещенные диффузные рефлексы. На точечных электронограммах, отображающих сечения (ПО) обратной решетки муллита, запрещенные рефлексы расположены в центре прямоугольника, образованного рефлексами 00/ и кШ. Электронно-микроскопическое исследование показывает, что независимо от физико-химических условий синтеза иглы муллита являются монокристаллами с осью роста С. 154 [c.154]

Начиная с -у]-фазы, пленка теряет свой поликристаллический характер и постепенно превращается в монокристалл, что отчетливо видно на электронограммах и микрофотографиях (фото 4, в, г). Дальнейшие превращения, характеризующиеся обогащением сплава медью, протекают уже в монокристалле. Появление светлых пятен на фото 4, г, очевидно, обусловлено испарением алюминия. Ряд дополнительных сведений относительно деталей наблюдавшегося превращения был получен авторами при помощи микродифракции. [c.35]

Рис. 63. Электронограмма от монокристалла галенита

Электронографическим анализом установлено, что проявлению расщепления адсорбционных максимумов благоприятствует макроскопическая природа кристаллографической гетерогенности поверхности висмутового электрода, характеризуемая наличием на поверхности относительно больших монокристалличе- ских участков [8]. Высокоразвитое поликристаллическое строение и связанная с ним заметная энергетическая неоднородность поверхности способствуют проявлению широкого спектра взаимодействий в адсорбционном слое, что приводит к размыванию максимумов, а не к их расщеплению [17]. Математический анализ электронограмм показал [8], что на совершенно гладкой (характеризуется сильно растянутыми рефлексами) оплавленной поверхности висмута имеются относительно большие моно-кристаллические области с миллеровскими индексами (100), (101), (111) и (211). Наряду с макроскопическими монокри-сталлическими плоскостями иногда встречаются агрегаты монокристаллов из 2—4 кристаллитов с индексами (100), (111), (101), (552), (321) и др. Статистической обработкой полученных электронограмм удалось показать, что в основном на поверхность оплавленной капли висмута выходят 2—3 вида четко выраженных граней монокристалла (их доля от общей поверхности капли 80—90%) [8]. Кристаллографическая структура оплавленной поверхности статистически воспроизводится в различных опытах благодаря постоянству режима изготовления висмутовых электродов по описанной выше методике. [c.103]

При по.мощи электронного микроскопа. можно наблюдать также ограненные монокристаллы полимеров (рис. 33, 34). Такие кристаллы, впервые полученные Келлером, образуются из разбавленных растворов полимеров и обладают пластинчатым строением 2°, Толщина пластинчатых кристаллов составляет 100—150 А, а размеры отдельных кристаллов достигают нескольких сотен микрон. При микродифракционном исследовании таких кристаллов получаются электронограммы, типичные для монокристаллических структур. [c.124]

Несмотря на значительную дефектность, ламелярные кристаллы можно считать монокристаллами,- так как в пределах одного кристалла сохраняется единое направление кристаллографических осей. Это подтверждается точечным характером рефлексов на электронограммах полимерных монокристаллов (рис. 7). В таких кристаллах кроме дефектной складчатой поверхности существуют дефекты, обычные для низкомолекулярных кристаллов, [c.20]

Поскольку в предельно ориентированных поликристаллах, как и в монокристаллах, сохраняется единая ориентация кристаллографических осей, их рентгенограммы используют для расчета параметров элементарной ячейки полимеров. Полимерные монокристаллы малы для этой цели — их можно использовать только для получения электронограмм. Обработка таких электроно-грамм показывает, что монокристаллы имеют те же параметры решетки, что и предельно ориентированные образцы. [c.21]

В описанных ниже опытах по изучению реакции водорода и этилена на монокристалле никеля было замечено, что углерод отлагался на сферическом кристалле, когда последний нагревали в атмосфере одного этилена при 450°. Как показано на рис, 15, при этом были получены весьма отчетливые и красивые фигуры, которые существенно отличаются от фигур, образующихся в присутствии окиси углерода. При нагревании в этилене углерод не появлялся в областях (111) и (100), которые, как показали полученные электронограммы, были весьма гладкими. Остальные области на поверхности были покрыты углеродом, причем количество последнего варьировало в зависимости от типа грани. Заметного отложения углерода не происходило до тех пор, пока [c.108]

Бомбардировка ионами аргона проводится при низких значениях параметров, для того чтобы уменьшить толщину слоя с нарушенной структурой. Для этой цели достаточен разряд в течение нескольких минут при напряжении постоянного тока 250 в и силе тока 100 ца. Так как применяемое давление аргона равно нескольким микронам, то для поддержания разряда нужно использовать небольшую индукционную катушку, расположенную вблизи разрядной трубки (но не в контакте с ней), либо ионизирующий электронный ток внутри трубки. В процессе бомбардировки аргон внедряется в поверхность образца. Непродолжительный отжиг образца в течение нескольких минут при 500° достаточен для удаления аргона и восстановления решетки кристалла. Чтобы получить поверхности, которые после проверки методом дифракции электронов с низкими энергиями можно было бы считать почти атомно чистыми, необходимо многократно повторять попеременную тепловую обработку и бомбардировку ионами. Фотографии, сделанные с увеличением в 800 раз, указывают на то, что ионная бомбардировка в применяемых условиях уменьшает шереховатость грани (100) монокристаллов никеля и германия. Снятая при использовании электронов с низкой энергией электронограмма грани (100) кристалла никеля, предварительно подвергнутого ионной бомбардировке и отжигу, показывает, что полученная поверхность протравлена параллельно грани (100), и, следовательно, в пределах точности измерений (около 5%) можно считать, что никаких других граней не имеется. [c.147]

Используя понятие об обратной решетке, можно провести расчет текстур электронограмм. Для монокристалла существует только одна обратная решетка, находящаяся в определенном положении. Большое число кристаллитов в текстурированном волокне может быть заменено вращением обратной решетки вокруг оси волокна (рис. 152). На этом рисунке узлы решетки равномерно распределены на концентрических кольцах вокруг оси волокна. Эта система колец пересекается плоскостью отражения, т. е. тангенциальной плоскостью сферы отражения. Плоскость всегда проходит через начало обратной решетки, и ее расположение зависит от направления падающего пучка по отношению к оси волокна. [c.243]

Если электронограммы, представленные на рис. 149 и 155, интерпретировать согласно рассмотренным выше методам, то легко определить общий принцип построения полимерных монокристаллов. В таких кристаллах ось с, совпадающая с направлением оси полимерных цепей, располагается перпендикулярно плоскости образца, т. е. макромолекулы лежат перпендикулярно (или почти перпендикулярно) плоскости пластинчатых кристаллов. Поскольку-молекулы полимеров имеют длину около 1000 A, а толщина кристалла равна приблизительно 100 А, то следует предположить, что в кристалле молекулы складываются сами на себя [26]. [c.248]

Moro и стандартного вещества. Электронограммы монокристалль-ного типа и текстуры представляют собой наиболее благоприятный материал для проведения структурного анализа и определения расположения атомов. По электронограммам, представляющим собой текстуры, можно изучать ориентацию микрокристалликов. [c.32]

При определенных условиях растянутые и кристаллизующиеся ориентированные образцы полимеров дают электронограммы, состоящие из дискретных пятен и аналогичные электронограммам монокристаллов. На рис. 150 в связи с рассмотрением методов расчета текстур диаграмм была показана электронограмма растянутого полимера. Дифракционные картины растянутых полимеров весьма близки к волокнистым диаграммам блочных полимеров, получаемых при рассеянии рентгеновских лучей, и, вообще говоря, не дают никаких новых сведений об их структуре. Однако, как и во многих других случаях, преимущества методов электронной дифракции определяются возможностью комбинирования чисто дифракционных исследований с электронно-микроскопическими наблюдениями исследуемого объекта. На рис. 156а показан электронно-микроскопический снимок растянутой тонкой пленки полиэтилена толщиной всего лишь 100 Л (нерастянутая пленка полиэтилена состоит из сферолитов). Микродифракционная картина, полученная с этой области (рис. 1566), свидетельствует о том, что полимерные цепи ориентированы преимущественно параллельно осям фибрилл [37 ]. Однако следует отметить, что такая ориентация макромолекул осуществляется не во всех фибриллярных структурах, встречающихся в кристаллических полимерах (см. раздел Г-3). [c.249]

На рис. 157а приведена электронограмма ориентированного полимерного слоя, выращенного вышеуказанным способом. Анализ таких электронограмм (весьма схожих с электронограммами монокристаллов), проведенный по описанному в разделе В-2 методу, приводит к выводу, что все наблюдаемые рефлексы могут быть описаны двумя отражающими системами, вращающимися друг относительно друга под углом 90°. На рис. 1576 приведены рефлексы от одной из этих двух систем. Дальнейшее рассмотрение этих электронограмм позволило сделать вывод, что кристаллы полиэтилена должны расти, располагаясь своими плоскостями (ПО) на плоскости спайности кристалла Na l, а оси молекулярных цепей должны располагаться параллельно направлениям (110) и (ПО) кристаллов каменной соли. [c.249]

Электронографический анализ осуществляется на электронографах — электронно-оптических вакуумных приборах, которые могут работать и как электронные микроскопы, позволяя получать теневые электронно-оптические изображения, хотя их работа в этом режиме имеет вспомогательное значение. К таким приборам, например, относится электронограф ЭГ-100А. По ходу электронного пучка сверху он имеет следующие основные узлы электронную пушку (источник электронов) двойную электромагнитную линзу кристаллодержатель, позволяющий осуществлять различные перемещения образцов по отношению к пучку электронов камеры образцов проекционный тубус фотокамеру с флюоресцирующим экраном для визуальной работы низко- и высоковольтные блоки питания пульт управления. В электронографе имеется устройство для исследования газов и паров различны < веществ. Разрешающая способность прибора позволяет получать раздельные дифракционные максимумы при различии в меж-плоскостном расстоянии на 0,001 А. Наблюдение дифракционной картины производится на флюоресцирующем экране или фотографическим методом. Электронографическая картина различна в зависимости от типа снимаемого объекта точечная электронограмма образуется при съемке монокристаллов на просвет и на отражение кольца на электронограмме образуются при исследовании поликристаллических веществ дуги и кольца — от веществ, имеющих текстуру. [c.106]

Волновые свойства электронов получили убедительные экспериментальные подтверждения в опытах по их интерференции и дифракции, выполненных начиная с 1927 г. американскими исследователями К. Девиссоном, Л. Джермером и советским ученым П. С. Тартаковским. Электронограммы, полученные при бомбардировке электронами монокристаллов металлов, принципиально не отличались от рентгенограмм, полученных с применением рентгеновского излучения. Эти данные подтверждают, высказанное В. И. Лениным философское положение Условие познания всех процессов мира в их самодвижении , в их спонтанном развитии, в их живой жизни, есть познание их как единства противоположностей . [c.56]

Значительно чаще такие новообразования как карбонаты (имевшиеся в структуре самого образца, а не возникшие при препарировании), гидроокись кальция, гидроалюминаты, гидросульфоалюминаты и гидрогранаты имеют свойственную им форму гексагональных пластинок, кубов, палочек, призм, листочков, ромбовидных частиц и изометричных образований. Портлапдит, кальцит и гидроалюминат хорошо окристаллизованы, что видно из электронограмм их кристаллов. Обычно получить дифракцию с монокристалла почти не удается, так как несколько частиц гидратов обязательно совместно присутствуют в том минимальном микроучастке, с которого еще можно снять дифракцию, или располагаются друг на друге. [c.218]

Научное значение подобного рода исследований значительно возросло после того, как появилась возможность в электронных микроскопах осуществлять микродифракцию. Сравнивая микрофотографии и электронограммы с одного и того же кристалла трехокиси молибдена, прогреваемого в атмосфере водорода до различных температур, Сасаки и Уеда [44] смогли зафиксировать различные стадии в восстановлении окисла до двуокиси и затем до металла. Аналогичные результаты были получены в случае монокристаллов трехокиси вольфрама [45]. Если препарат был нанесен на углеродную пленку, то на последней стадии восстановления частички металла реагировали с подложкой с образованием частиц а-карбида вольфрама. Те же авторы [46] провели электронно-микроскопическое и микродифракционное исследования изменения структуры ряда [c.40]

Выше отмечалось, что в зависимости от способа получения гидрозоли золота нередко содержат частицы в виде пластинок правильной треугольной или шестиугольной формы. Морфологию и кристаллографию таких частиц нри помощи электронной микроскопии и микродифракции тщательно изучали Суито и Уеда [19—21]. Они показали, что пластинки представляют собой монокристаллы золота, развившиеся вдоль плоскости (111) гранецентрированной кубической решетки. Авторы разработали метод определения толщины пластинок на основании полученных от них электронограмм и установили, что толщина пластинок составляет менее 100 А. [c.138]

Сокилл [58] провел комплексное исследование превращений в тонких кристаллах азида серебра, которые разлагались в микроскопе под действием электронного пучка. На микрофото--графиях можно было наблюдать появление и рост мелких зародышей серебра, тогда как электронограммы, получавшиеся также в микроскопе на различных стадиях разложения кристалла, постепенно изменялись от характерных для азида серебра к характерным для серебра. Было показано, что образованию кристаллов предшествует миграция атомов серебра в решетке азида, в результате чего небольшие монокристаллы серебра возникают в поверхностном слое азида. Кроме того, под поверхностным слоем образуется сетка из высокодисперсного серебра с элементами структуры размером —0,1 р., приводящая к появлению колец на электронограммах. По-видимому, это Связано с выделением серебра на Дефектах решетки в объеме кристалла. т [c.184]

Несмотря на большое число и резкость рефлексов под малыми углами, а также кажущееся совершенство пластинок, наблюдаемых в электронном микроскопе, как электронограммы, так и рентгенограммы таких образцов содержат гало. Рентгено граммы от единичных кристаллов полиэтилена идентичны полученным от высококристалличного блочного полимера с содержанием аморфной фазы 15—20% (по плотности [65]). Для лилейного полиэтилена, включая высокомолекулярные фракции, плотность выращенных из разбавленного раствора образований на 2—3% меньше плотности идеального монокристалла [62, 66] и соответствует степени кристалличности порядка 80%. [c.298]

Примерно также производятся измерения и по электронограмме, полученной при отражении от поверхности монокристалла (рис. 62). Здесь линейная решетка с периодом с,, параллельная лучу, не может дать резкого дифракционного эффекта по той причине, что длина пути луча для когерентного рассеяния имеет порядок 150 А. Расширенными будут и линии от решеток с периодом Ь, так как скользящий луч может проникать в кристалл лишь до глубины порядка 20 А. Наоборот, вследствие достаточно большой ширины луча (примерно 0,1 мм=10 А) линии от решетки с периодом а всегда бывают резкими, а поэтому резкими получаются и точки их пересечения (рис. 63). В общем же случае дифракционные картины от поверхности монокристалла бывают иногд а значительно сложнее. [c.126]

Электронограмма, полученная от монокристалла, представляет собой систему точек (рис. 11.4, в) точеч- [c.299]

Результат дифракции в микрообъемах чаще всего представляет собой точечную картину от монокристалла (см. п. 11.2) или наложение картин дифракции от включения кристаллической фазы и окружающей ее матрицы, если объектом исследования является гетерогенная высокодисперсная структура. При дифракции с очень ограниченных участков тонких кристаллов в просвечивающем электронном микроскопе электронограммы могут содержать малое число рефлексов при резких различиях их интенсивности. Эта особенность реальных микроэлектро-нограмм обусловлена не только субструктурой объекта и малостью области дифракции, но и сознательно выбранной оптимальной геометрией съемки близостью ориентировки кристалла к условию Вульфа — Брэгга для определенных семейств плоскостей (рис. 20.27, б). При таком положении образца оказывается наилучшим контраст микроскопического изображения определенных деталей его структуры. [c.467]

Кристаллизация из разбавленных растворов. При медленном охлаждении разб. р-ров полимеров образуются полимерные монокристаллы (см. Кристаллическое состояние). Наиболее полно изучена К. линейного полиэтилена. При относительно медленной его К. из 0,01%-ного р-ра в ксилоле образуются ромбовидные плоские кристаллы, толщина к-рых существенно зависит от темп-ры К., монотонно возрастая от 9 до 15 кж (от 90 до 150 A) при повышении темп-ры от 50 до 90 °С. Анализ электронограмм и электропномикроскопич. данных показывает, что плоские монокристаллы состоят из с. юженных полимерных цепей. Скорость роста монокристаллов (полиэтилен, полиэтиленоксид) определяется скоростью образования зародышей. [c.586]

Так же удаление поверхностных слоев, искаженных механической обработкой и процессами растворения, проводят с помощью отжига кристаллов в вакууме или в атмосфере инертного газа, а также путем испарения этого слоя в вакууме. В первом случае происходит рекристаллизация нарущенной поверхности с образованием монокристаллического слоя, который обычно принимает ориентацию лежащей под ним решетки. На рис. 14.2 показаны механически полированные поверхности кристалла N 0 с различной ориентацией после отжига. Монокристаллическая структура поверхности отражает симметрию соответствующей грани кристалла. Переход в монокристаллическую структуру, полученную при отжиге, показан на электронограмме (рис. 14.3). На снимке механически полированной поверхности видно сильное почернение фона и размытое кольцо (кольцо Дебая), связанное с намечающейся текстурой. Отожженный образец имеет характерные для ненарушенной решетки рефлексы монокристалла (пятна Лауэ). Испарение слоев в высоком вакууме происходит в зависимости от давления и температуры. [c.349]

На рис. 4 приведены электронномикроскопический и микро-дифракционный снимки монокристалла карбина. Точечная элек-тронограмма представляет собой базисную плоскость обратной решетки кристалла гексагональной системы. Непосредственное измерение периодов 00 и око с использованием дифракционных линий палладиевой подложки дает следующие размеры ребер гексагональной ячейки кристалла а = Ь = 5,08 А. Измерением и инициированием точечной электронограммы некоординатной плоскости обратной решетки с осями [/гОО] и [к = О, к, I — 2А ] [c.22]

Сравнительно полное рентгеноструктурное исследование на монокристаллах проведено только для ферроцианида калия [880, 881, 955]. На монокристаллах ферроциапида бария Ba2[Fe( N)g] [1116] определена элементарная ячейка. Информация о структурах других ферроцианидов имеется только из рентгенограмм и электронограмм, полученных методом порошка, и в небольшом числе случаев из предполагаемой изоструктурности с другими соединениями. Эти данные иногда позволяют ориентировочно определить координаты атомов, межатомные расстояния и тип структуры. В большинстве же случаев определены только симметрия, размеры элементарных ячеек и вероятные пространственные группы. [c.168]

В последнее время нами было проведено электронографическое изучение кристаллической структуры ряда образцов, охватывающих все существующие типы ПВХ. В табл. VII.3 приведены их юсновные характеристики. С целью получения возможно более ориентированных образцов для исследования была выбрана методика ориентированной кристаллизации тонких пленок на поверхности сколов монокристаллов Na l. Это позволило получить несколько типов весьма совершенных текстур, носящих монокристальный характер. На рис. VII.4 представлены две электронограммы двух различных текстур. В первом случае (рис. VII.4, а) имеет место наложение двух текстур одновременно перпендикулярно плоскости пленки ориентирована ось а, а две другие оси бис ориентированы в двух взаимно перпендикулярных направлениях в плоскости пленки перпендикулярно плоскости пленки ориентирована ось при двух взаимно перпендикулярных направлениях ориентации осей аи с в плоскости пленки . Во втором случае (рис. VII.4, б) перпендикулярно плоскости пленки ориентирована лишь одна ось с при двух взаимно перпендикулярных направлениях ориентации осей а и 6 в плоскости пленки . Анализ подобного рода текстур для всех исследованных образцов однозначно показал, что все они кристаллизуются в одну и ту же кристаллическую решетку, описываемую ромбической ячейкой и пространственной группой Р am, т. е. структурой, ранее предложенной Натта и подробно описанной выше. При увеличении степени синдиотактичности изменяются лишь значения двух параметров а я Ь кристаллической ячейки от 10,36 и 5,36 А для образца А (табл. VII.3) до 10,20 и 5,28 А для образца Н. Приведенные в табл. VII.3 значения расчетной кристаллической плотности также иллюстрируют указанную зависимость. Аналогичный результат получен в работе на примере одного из представителей низкотемпературного ПВХ, полученного при —15 X под действием рентгеновского излучения. Предложена ромбическая ячейка и пространственная группа Dll Рсат, р р = 1,455 г/см . [c.206]

По аналогии с полистиролом первый максимум (5,2 А), по-видимому, обусловлен межмолекулярной интерференцией и должен характеризовать межцепные расстояния в некристаллической части ПВХ. В пользу такой интерпретации говорит факт смещения его положения от 5,2 А к 5,7 А при увеличении содержания атомов хлора в цепи (хлорированный ПВХ и аморфные сополимеры винилхлорида с винилиденхлоридом), в то время как положение других максимумов практически не изменяется . Такой максимум в виде кольца жидкостного или полукристаллического типа с. й = 5,8 А наблюдался и Н9 рентгенограммах хлорированных монокристаллов полиэтилена, а акже на точечной электронограмме однослойного монокристалла тЪлщиной 150 А. [c.208]

При конденсации на собственном монокристалле (Na l/Na l, LiFi/LiF, K l/K l, КВг/КВг, KJ/KJ) при комнатной температуре оказалось, что до определенной толщины слой конденсата имеет точно такую же структуру, как и подложка (рис. 22, а). Однако электронограммы, полученные от более толстых слоев, содержат дополнительные рефлексы (рис. 22, б и в). Анализ показал, [c.72]

Первые работы с использованием методов, основанных на явлениях электронной дифракции и показавшие возможность получения единичных кристаллов из растворов полимеров, были опубликованы Сторксом [6]. Электронограммы от пленок гуттаперчи, ориентированных перпендикулярно пучку электронов, состоят из пятнистых колец. Отсутствие равномерно зачерненных дебаевских колец приводит к выводу о том, что такая пленка должна содержать микроскопические единичные кристаллы. Пятнадцать лет назад Шлезингер и Липер [22], кристаллизуя гуттаперчу из раствора и используя обычный оптический микроскоп, обнаружили существование больших кристаллов. Затем Джаккодин [23] сообщил об электронно-микроскопическом наблюдении единичных кристаллов полиэтилена, имеющих форму ромбовидных пластин, растущих по спиральному механизму. Однако Джаккодин не определял ориентацию молекул в полученных им монокристаллах. [c.247]

Начиная с 1957 г. пластинчатые монокристаллы, выросшие из растворов и идентифицированные электронографически, были обнаружены для ряда других полимеров, например поли-4-метилпентена-1 [28], полиоксиметилена [29], найлона-6 [30], изотактического полипропилена [31] и полистирола 132]. На рис. 155 показан другой пример электронограммы кристалла одного из таких полимеров. Как видно из этого рисунка, поли-4-метилпентен-1 кристаллизуется в гексагональной форме. Дифракционные внутренние пятна высокой интенсивности соответствуют плоскостям отражения (200) с величиной межплоскостного расстояния 9,3 А [28]. [c.248]

В дальнейшем с такими кристаллами был проведен ряд электронографических исследований. Так, например, было показано, что различные квадранты ромбовидных кристаллов полиэтилена дают дополнительные рефлексы на общей дифракционной картине рассеяния электронов от монокристалла в целом [33]. Это можно объяснить строением кристаллов, которые не являются плоскими, а представляют собой полые вогнутые пирамиды. Кроме того, по-видимому, имеются еще более сложные причины, способствующиепоявле-1И1Ю такого типа электронограмм [34, 35]. [c.248]

Электронограммы, соответствующие монокристаллам, характерны не только для полимерных образцов, кристаллизующихся из разбавленных растворов, но также и для полимеров, кристаллизующихся из расплава (приготовление этих образцов описано в разделе Б-2,а). Согласно данным Джейла [36], при кристаллизации изотактического полипропилена из расплава в виде тонких пленок наблюдается образование пластинчатых кристаллов гексагональной формы. Электронографическое изучение этих кристаллов подтвердило складчатую конформацию макромолекул. [c.248]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология