Проводимость световая

Этот процесс можно наблюдать визуально, если взять за А краситель 2,6 — дихлорфенолиндофенол, который в окисленной форме синий, а в восстановленной (АН2) - бесцветный. Именно этот краситель был использован Р. Хиллом. Экстракты из листьев с этим красителем на свету были сначала синими, затем быстро обесцвечивались, и наблюдалось выделение свободного кислорода. В темноте эти же растворы оставались синими, и кислород не выделялся. Этим же автором убедительно было показано, что для этой реакции не требуется диоксид углерода (СО2), он не восстанавливается. Т.е. нет природного акцептора электронов в проводимой световой реакции фотосинтеза. [c.196]

Металлическая проводимость возникает при наличии частично занятых электронами энергетических зон, в пределах которых электроны обладают высокой подвижностью. В непроводящих веществах (изоляторах) имеются полностью заполненные энергетические зоны, отделенные от свободных энергетических зон широкой запрещенной зоной (рис. А.26). У полупроводников ширина запрещенной зоны мала, так что уже при подводе тепловой энергии электроны могут переходить в более высоколежащие зоны. Поэтому в противоположность веществам с металлической проводимостью у полупроводников повышение температуры вызывает увеличение электропроводности. Тот же эффект может наблюдаться при воздействии световой энергии. Это объясняет фотопроводимость у селена. [c.360]

Измерения электрической проводимости растворов обычно производят с помощью моста переменного тока, или моста Кольрауша, простейшая схема которого приведена на рис. 4.2. Нулевой ток в детекторе (отсутствие всплеска светового сигнала на экране осциллографа) будет иметь место при условии выполнения баланса [c.82]

Объясняется это следующими причинами. Если в металлах все внешние электроны существуют в свободном состоянии как электронный газ, то в диэлектриках они связаны с ядрами атомов прочно, а в полупроводниках их связь с ядрами атомов так слаба, что внешние тепловые и световые воздействия переводят эти электроны в свободное состояние. При этом электрическая проводимость полупроводника повышается. [c.265]

Алмаз (в переводе с арабского означает твердейший ) — самое твердое из всех природных вешеств с плотностью 3500 кг/м . Он сильно преломляет и рассеивает световые лучи, не обладает электрической проводимостью, плохо проводит теплоту. Тугоплавок и заметно испаряется при температуре белого каления. Устойчив к действию кислот и щелочей. Размер природных алмазов колеблется от микроскопических зерен до весьма крупных кристаллов массой в сотни и тысячи каратов (1 карат равен 0,2 грамма). Крупные кристаллы [c.343]

Результаты от МЦО оставляли желать лучшего. Одним из факторов низкой эффективности этого метода, виделось в неудовлетворительной организации проводимых работ. Техноло гией МЦО предусматривалось после закачки раствора каустической соды, проведение освоения скважины до промышленного притока жидкости из пласта, т.е. 6 - 8 ч непрерывной работы компрессора, что не всегда выдерживалось по причине нехватки светового дня. [c.220]

Зонная модель позволяет также объяснить присущий всем металлам специфический блеск. Электроны металлического кристалла способны поглощать световую энергию, переходя на более высокие энергетические уровни в валентной зоне или в зоне проводимости, после чего они сразу же испускают свет, возвращаясь на более низкие уровни. Наличие большого числа чрезвычайно близких энергетических уровней приводит к тому, что свет, падающий на металлический кристалл, практически полностью отражается им. Это и объясняет, почему все металлы имеют характерную зеркально-серебристую поверхность. При облучении металла светом с достаточно большой энергией (частотой) электроны могут полностью отрываться от его поверхности. Это явление получило название внешнего фотоэлектрического эффекта. [c.391]

Для проведения количественного анализа на любую атомную группировку, благодаря своей высокой точности, чувствительности, быстроте, малому количеству требующегося вещества и возможности проведения измерений в потоке, очень удобным оказывается метод инфракрасной спектроскопии. В основе всех количественных измерений, проводимых по спектрам поглощения, лежит закон -Бугера—Ламберта — Бера, по которому оптическая плотность образца, равная натуральному логарифму отношения падающего на образец монохроматического излучения к прошедшему, пропорциональна числу поглощающих центров, приходящихся на один квадратный сантиметр сечения светового пучка. [c.178]

Это вещества, обладающие в обычных условиях характерными металлически.ми свойствами - высокими значения.ми электро- и теплопроводности, отрицательным те.мпературным коэффициентом электрической проводи. юсти, способностью хорошо отражать световые волны (блеск), пластичностью. Ранее основными признаками металла считали блеск, пластичность и ковкость. Но металлическим блеском обладают и некоторые неметаллы (например, йод) В настоящее вре.мя важнейшим признаком металла признается отрицательный температурный коэффициент электрической проводимости, т.е. понижение электропроводности с ростом температуры. [c.42]

Наиболее универсальным фактором, влияющим на электропроводность всех тел, является температура. Для полупроводников и диэлектриков это объясняется изменением с концентрации и подвижности Цз носителей электрических зарядов. В чистых полупроводниках при тепловом или световом возбуждении электроны могут переходить из валентной зоны в зону проводимости, увеличивая тем самым число электронов, участвующих в электропроводности. Для такого перехода необходима энергия не меньше ширины запрещенной зоны АЖ. Это так называемая собственная проводимость. [c.410]

Наряду с темновыми и световыми измерениями контактной разности потенциалов на поверхности катализаторов методом вибрирующего конденсатора, а также с измерениями проводимости и внутреннего фотоэффекта, метод внешнего фотоэффекта на каталитических полупроводниках даст возможность изучать поведение хемосорбированных молекул. [c.223]

При воздействии светового излучения достаточно высокой частоты наблюдается перенос электронов из валентной зоны в зону проводимости, т, е. генерация. электронно-дырочных пар. Появление дополнительных носителей тока приводит во многих случаях к значительному ускорению электрохимических процессов (к возникновению фототоков), а также к и.зменению характера этих процессов. [c.296]

Основаны на взаимодействии светового излучения с контролируемым объектом. Они предназначены для обнаружения различных поверхностных дефектов материала деталей, скрытых дефектов агрегатов, контроля закрытых конструкций, труднодоступных мест машин и силовых установок (при наличии каналов для доступа оптических приборов к контролируемым объектам). Регистрация поверхностных дефектов осуществляется с помощью оптических устройств, создающих полное изображение проверяемой зоны. Достоинства этих методов — простота контроля, несложное оборудование и сравнительно небольшая трудоемкость. Поэтому их применяют на различных стадиях изготовления деталей и элементов конструкций, в процессе регламентных работ и осмотров, проводимых при эксплуатации техники, а также при ее ремонте. [c.34]

Детальный механизм световых реакций фотосинтеза нельзя считать твердо установленным. Однако можно утверждать, что в этой области существенную роль уже сыграли и будут играть исследования, проводимые методом ЭПР. [c.417]

Рассмотрим теперь схематическую конструкцию фотогенератора (рис. 43,г). Его называют обычно фотоэлементом с запирающим слоем, или вентильным. На стальное основание 1 нанесен слой селена 2 или другого светочувствительного проводника ((сернистого серебра, кремния с примесью бора и др.). Специальной термической обработкой на поверхности селена создается запорный слой 3, обладающий односторонней проводимостью. Световой поток попадает на этот слой через полупрозрачную пленку золота 4. Под действием света электроны из слоя 2 переходят в слой 3, создавая разность потенциалов. Если к за- [c.88]

Оптическая (зеркальная) изомерия. Оптическими изомерами являются комплексные соединения, способные существовать в виде двух изомеров, один из которых по своей конфигурации является зеркальным повторением другого. Оптические изомеры обладают одинаковой по величине, но противоположной по знаку вращательной способностью плоскости поляризации светового луча, различными скоростями взаимодействия с молекулами оптически активного заместителя. Такие свойства, как молекулярная проводимость, магнитные и кислотно-основные, не зависят от конфигурации оптического изомера. Оптическая изомерия наблюдается у комплексных соединений М[Ни (С204)2РуЫ01, Кз[НЬ ( 204)20121, Кз[1г(0204)2012], [СоЕп2СШ02]Х и др. [c.240]

Для изготовления элементов более предпочтительны монокристаллы, так как в поликристаллах вследствие большой длины светового луча могут быть значительные потери энергии из-за рассеяния, особенно в области коротких воли. Монокристаллы полупроводниковых веществ должны иметь малую I он-центрацию носителей (поглощение свободными носителями пропорционально и может быть весьма большим для длинных воли) и, по возможности, обладат ) электронной проводимостью, так как в этом случае поглощение значительно меньше, чем в кристаллах с дырочной ироводимостью. [c.136]

Действие фотоэлементов с запирающим слоем заключается в том, что световой поток, падающий на поверхность полупроводника, нанесенного на железную пластинку и обладающего односторонней проводимостью, возбуждает на ней движение электронов, которые не могут проникнуть в нижний слой (фронтальный фотоэффект). Если соединить верхний и нижний слои каким-либо проводником через гальванометр, можно измерить фототек, появляющийся во внешней цепи. Вентильные фотоэлементы обладают некоторым преимуществом перед фотоэлементами с внешним фотоэффектом, так как не требует дополнительных источников питания и имеют невысокое внутреннеее сопротивление, что позволяет непосредственно подключать к ним измерительный прибор. При непосредственном включении в цепь вентильного фотоэлемента измерительного прибора необходимо, чтобы последний обладал малым внутренним сопротивлением. Из вентильных фотоэлементов наибольшее распространение получил селеновый фотоэлемент [4]. [c.241]

Фотохимические процессы могут вызывать химические изменения веществ. Природа получаемых продуктов, а также скорости их образования могут быть определены обычными химическими методами, рассматривать их здесь нет необходимости. Больший интерес представляют экспериментальные методы, связанные с использованием световых измерений. Определения интенсивностей поглощаемого (а иногда испускаемого) света существенны для нахождения квантовых выходов, которые в свою очередь необходимы для оценки эффективности первичных фотохимических процессов. Квантовые выходы могут быть определены с помощью классических методов, т. е. при освещении постоянным светом. Кинетическое поведение реакционных систем в условиях постоянного освещения обычно согласуется с предположением о наличии стационарных концентраций промежуточных соединений реакций. Дополнительные кинетические данные (например, константы скорости отдельных стадий) можно получить в экспериментах, проводимых в нестационарных условиях. Это уже было продемонстрировано на примерах фотолиза (см. конец разд. 1.8) и флуоресценции (см. разд. 4.3). Фотохимические процессы идеально подходят для изучения в нестационарных условиях потому, что освещение можно включить и выключить очень быстро с помощью импульсной лампы или механического затвора. Часто нельзя аналогичным образом начать и остановить термические реакции (хотя ударные волны могут использоваться для быстрого нагревания в газовых системах). Эта глава начинается с обсуждения источников света, применяемых в фотохими- [c.178]

Теперь мы обратимся к краткому рассмотрению того, как описанные фотохимические изменения превраш,аются в электрический импульс, который стимулирует мозг. Существуют доказательства, что одиночный квант света может вызвать раздражение палочки сетчатки. Однако поглощение одного кванта еще не создает эффекта зрения. Для этого требуется попадание нескольких квантов (согласно разумной оценке, от двух до шести квантов) в одну и ту же палочку в течение относительно короткого временного промежутка. Но даже в этом случае процесс весьма эффективен, а энергия конечной реакции существенно превосходит энергию, поглощенную зрительным пигментом. Поглощение света инициирует цепь реакций, черпающих энергию из метаболизма. Тем самым зрительное возбуждение является результатом усиления светового сигнала, попадающего в сетчатку. Фоторецептор служит биологическим эквивалентом фотоумножителя, который преобразует кванты света в электрический сигнал с большим усилением и низким шумом (см. гл. 7). И фоторецептор, и фотоумножитель достигают большого коэффициента усиления с помощью каскада стадий усиления. Зрительные пигменты представляют собой интегральные мембранные белки, которые находятся в плазме и мембранах дисков внешнего сегмента фоторецептора. Фотоизомеризация ретиналя вызывает серию конформационных изменений в связанном с ним белке и тем самым образует или раскрывает ферментативный активный центр. Следует каскад ферментативных реакций, которые в конце концов дают нервный импульс. Электрический ответ начинается с кратковременной гиперполяризации, вызванной закрытием нескольких сотен натриевых каналов в плазматической мембране. Таким способом молекулы-посредники (мессенджеры) передают информацию от диска рецептора к мембране плазмы. Вероятным кандидатом на роль мессенджера является богатый энергией циклический фосфат цГМФ (гуанозин-3, 5 -цикломонофосфат), возможно, в сочетании с ионами Са +. Было показано, что катионная проводимость плазматических мембран палочек и колбочек прямо контролируется цГМФ. Таким образом светоиндуцированные структурные изменения диска активируют механизм преобразования, который сам генерирует потенциал, распространяющийся по плазматической мембране. В настоящее время детали механизмов преобразования и усиления продолжают исследоваться. Была предложена схема, основной упор в которой делается на центральную роль фосфодиэстеразы в процессе контроля за кон- [c.241]

Характерные свойства металлов являются следст- вием их строения. Электроны, заполняющие межатомное пространство, отражают световые лучи. Это вызы-i вает непрозрачность и блеск металла. Электроны в процессе своего перемещения внутри кристаллической решетки металла переносят тепловую энергию от нагретых слоев к холодным. Хаотически движущиеся электроны в металле под воздействием приложенного электрического напряжения приобретают направленное движение, т. е. они проводят электрический ток. При повышении температуры металла возрастают амплитуды колебаний находящихся в узлах пространственной решетки атомов и ионов. Это затрудняет перемещение электронов, и электрическая проводимость металла падает. [c.390]

Когда некоторые материалы, такие, как диэлектрики и полупроводники, подвергаются электронной бомбардировке, то возникает длинноволновое световое излучение в ультрафиолетовой и видимой части спектра. Это явление, известное как катодолюминесценция, может быть объяснено с помощью зонной структуры твердого тела (рис. 3.51). В таких материалах валентная зона заполнена, т. е. все возможные электронные состояния в ней заняты, а зона проводимости является пустой. Валентная зона и зона проводимости разделены запрещенной зоной шириной Eg. Когда высокоэнергетичный электрон пучка неупруго рассеивается в таком теле, электроны из заполненной валентной зоны могут забрасываться в зону проводимости, оставляя в ней дырки , т. е. отсутствующие электроны, за счет чего образуется электронно-дырочная пара. В сульфиде кадмия ширина запрещенной зоны составляет 2,4 эВ, в кремнии — 1,1 эВ. Если на образец не подано напряжение, разделяющее электронно-дырочную пару, то электрон и дырка могут рекомбинировать. Избыточная энергия, равная энергии запрещенной [c.94]

В идеальном случае подложка для образца должна быть хорошим проводником и быть сделана из материала, который не давал бы вклада в рентгеновский сигнал, идущий с образца. Для массивных образцов или срезов, изучаемых в режиме вторичных электронов, образцы обычно помещают на хорошо отполированные сверхчистые углеродные, алюминиевые или бе-риллиевые диски. Подходит также для этого легированный бором монокристаллический кремний. Эти материалы являются достаточно хорошими проводниками и дают только малый вклад в рентгеновский фон. Материалы, которые нужно исследовать с помощью световой оптики, должны монтироваться на кварцевых или прозрачных пластиковых пленках, которые для создания проводимости должны покрываться тончайшим слоем ( 5—7 нм) алюминия. Для материалов в виде среза пригоден целый ряд подложек, в основном на основе стандартной сетки (3,08 мм) для просвечивающего электронного микроскопа. Можно применять сетки, изготовленные из меди, титана, никеля, алюминия, бериллия, золота, углерода и нейлона. Они могут использоваться с пластиковой поддерживающей пленкой и без нее. Имеется тенденция использовать сетки, изготовленные из материалов с низким атомным номером, таких, как алюминий, углерод или бериллий, так как они дают значительно меньший вклад в рентгеновский фон. В качестве подложек для образца использовались нейлоновые пленки с алюминиевым или углеродным покрытием [300, 426], преимущество которых состоит в том, что они являются более прочными и прозрачными [c.285]

Внутренний фотоэффект в полупроводниковых устройствах возникает тогда, когда энергия поглощаемых полупроводником квантов света hv превышает энергетическую шрфину запрещенной зоны, отделяющей валентную зону от зоны проводимости. В результате образования в объеме полупроводника свободных электронно-дырочньпс пар возникает собственная фотопроводимость. Поскольку на границе р-п перехода существует контактная разность потенциалов, то, оказавшись вблизи этой границы (в результате диффузии), пары свободных носителей заряда (электроны и дырки) разделяются на ней с образованием фото-ЭДС, полярность которой противоположна контактной разности потенщ1алов. Если к такому детектору подключить внешнее сопротивление, то через него потечет электрический ток. Рассмотренный вентильршй режим работы полупроводникового детектора (без внешнего источника электропитания) не получил широкого применения для детектирования излучения из-за неудовлетворительных временных характеристик и узости линейного динамического диапазона световой чувствительности. [c.395]

Устройство для регулирования уровня электролита типа РУК-1 М осуществляет световую сигнализацию нижнего предельного уровня и свето-звуковую сигнализацию верхнего аварийного уровня. Действие регулятора уровня основано на использовании электрической проводимости электролита. Датчик-контактное устройство — заключен в кожух, помеи1ен в контролируемую среду. При изменении уровня электролита в ванне замыкаются или размыкаются соответствующие контакты датчика. Сигнал от датчика по-втупает на электронный блок. В анодные цепи ламп этого блока включены реле, управляющие цепями исполнительного механизма, световой сигнализацией нижнего предельного положе- [c.230]

В рентгеновидиконах распределение проводимости фоторезистивного слоя преобразуется в последовательность электрических сигналов, которые во вторичном преобразователе телевизионной системы преобразуются в световое изображение. [c.89]

Основным элементом в этой схеме является фото-управляемая полупроводниковая пластина 5, которая обладает малым темновым возмущением в неосвещенном состоянии ее парамефы не искажают поле в том месте, где находится эта пластина. Если эту пластину в какой-либо точке осветить световым пятном большой интенсивности, то в этом месте резко изменится проводимость материала пластины (коэффициент офажения, преломления и прохождения). [c.445]

Явление эмиссии электронов при отрыве полимерной пленки от стекла и при раскалывании твердых тел было открыто Дерягиным, Кротовой и Карасевым [5.71, 5.72]. Поток электронов идет с свежеобразовапных (ювенильных) поверхностей, возникающих при нарушении адгезионного контакта или раскалывании, и отчетливо наблюдается при проведении опытов в вакууме, где отсутствует поглощение излучения воздухом. Основной причиной вырывания электронов с поверхности является образование нри разрыве тела двойного электрического слоя (противоположные поверхности заряжаются разноименно). Было показано, что при медленном отрыве поток электронов практически отсутствует. Это объясняется тем, что возникшие электрические заряды успевают вследствие проводимости стечь с поверхностей. В результате взаимодействия электронов с веществом как вторичное явление возникает рентгеновское, световое и радиоизлучение. [c.139]

Наконец, при наличии малого энергетического зазора (рис. 54, б) валентные электроны, приобретающие под внешним воздействием, например, теплового, светового облучения дополнительную энергию (возбуждаются, как в атоме, см. рис. 8), оказываются способными преодолевать запрещенную зону (происходит перескок валентных электронов в зону проводимости), В результате повышается электронная проводимость вещества, что используется в технике (например, в фотодиодах). Вещества, электронное строение которых характеризуется узкими запрещенными энергетическими зонами, называются полупроводииками . К ним относятся, в первую очередь, кремний, германий, селен и теллур, а также некоторые соединения, например GaAs, InP, ZnTe. [c.149]

Фотоэлемент с запирающим слоем. При падении лучистой энергии на некоторые полупроводники или изоляторы наблюдается явление внутреннего фотоэффекта. Он проявляется в том, что сопротивление облучаемого тела уменьшается. К таким телам относятся изоляторы — алмаз, цинковая обманка полупроводники — селен, аргентит (AggS), окись меди (I) и др. Физическая сущность внутреннего фотоэффекта заключается в освобождении электронов под действием энергии световых квантов из кристаллической решетки изолятора или полупроводника, связанных с отдельными атомами решетки, и превращении их в электроны проводимости. [c.46]

Искровой разряд [195] есть форма нестационарного самостоятельного разрядного процесса, переводящего среду из состояния диэлектрика в состояние существенной проводимости. Быстрое нарастание тока в промежутке сопровождается яркими световыми явлениями и сильными звуковыми эффектами, а также электромагнитными процессами. Для искры характерен отшнурованный канал. [c.120]

Основная информация, получаемая с помощью РЭМ — микроструктура и рельеф поверхности. Изображение поверхности объекта, не требующего (что очень важно ) специального препарирования, может быть получено в отраженных, вторичных или в поглощенных электронах, в режимах катодолюмннес-ценции и возбужденной проводимости, а также в прошедших электронах в случае тонкой пленки. Одной из особенностей РЭМ по сравнению со световой микроскопией является значительная глубина поля изображения. Это вызвано уменьшением апертурного угла линзы объектива, который делается малым, чтобы снизить сферическую аберрацию. [c.227]

На рисунках 46 и 47 приведены кривые термического высвечивания для незасвеченных (кривые (а) и засвеченных (кривые (в)) кристаллов Na l, подвергнутых термической обработке при 600 й 700°. Из рисунков видно, что видимый свет вызывает уменьшение интенсивности свечения во втором пике и параллельное ее увеличение в первом. Если засвечивание производится светом небольшой интенсивности, то световая сумма свечения сохраняется почти неизменной (табл. 14). Таким образом под действием света в области f-полосы происходит превращение одних центров с большей энергией локализации электрона в другие центры с меньшей энергией локализации электрона. Иными словами, под действием света происходит перераспределение электронов по локальным уровням путем их пересадки через зону проводимости с более глубоких f-уровней на более мелкие [c.114]

При повышении температуры или поглощении атомом световых (вообще электромагнитных) фотонов достаточной энергии и других факторах возбуждения некоторое число валентных электронов приобретает повышенный (против нормального состояния) запас энергии. Такие электроны могут оторваться от своего атомного остова и стать способными служить носителями электрического тока. Об эти) электронах говорят, что они перешли в зону проводимости, преодолев так называемую запрещенную зону. Под последней подразумевается некоторый энергетический барьер, который электрон полупроводника должен преодолеть для того, чтобы из валентно-связанного состояния перейти в состояние носителя электрического тока, т. е, из валентной зоны перейти в зону проводимости. Величина энергетического барьера (( ширина запрещенной зоны) выражается в электрон вольтах. Например, для германия ширина запрещенной зоны составляет 0,75 эВ, у диэлектриков больше 3 — 3,5 эВ. У металлов указанная зона практически отсутствует (ее ширина близка нулю). Большинство полу-пповодников характеризуется запрещенной зоной, лежащей в пределах 0,2—2,5 эВ. [c.431]

Захваченные электроны в кристаллах типа (б) и (в) могут стать квазисвободными в решетке путем поглощения энергии, т. е. электроны удаляются от своего ближайшего окружения и смогут двигаться сквозь решетку, добавляя электронную проводимость к ионной проводимости, обусловленной движением ионных вакансий. Если поглощенная энергия возбуждения в основном световая, то процесс называется фотопроводимостью, однако, если энергия возбуждения только тепловая, нестехиоме-трический кристалл [типа (б) ли (в)] проявляет электронную [c.96]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология