Кремний субхлорид

В табл. 1 приведены результаты анализа гипотез о составе газовой фазы в статическом и динамическом экспериментах. Каждая строка таблицы отвечает определенной гипотезе о составе. Прочерки означают, что данный продукт в составе не учитывался. В столбцах 2—4 приведены значения энтальпий образования (ккал/моль) субхлоридов кремния, отвечающие [c.133]

Увеличение количества металлического железа при температуре выше 1000 °С может быть объяснено в первую очередь сильным восстановительным действием субхлорида кремния (81012), образующегося только при 1000—1200 °0. [c.534]

Хлорирование кремния при высоких температурах также сопровождается образованием субхлорида по уравнению [c.8]

Для того чтобы определить, какой из трех указанных субхлоридов кремния играет ведущую роль в реальных процессах силицирования, был выполнен расчет равновесного состава газовой смеси хлоридов кремния в зависимости от температуры изотермической выдержки. [c.20]

При прочих равных условиях насыщение образцов, расположенных в первой зоне установки, происходит интенсивнее, чем образцов молибдена, расположенных во второй зоне, что может быть связано с большей активностью субхлоридов кремния, которые в первом случае образуются вблизи от насыщаемой поверхности. Подобным явлением можно также объяснить сравнительно большую скорость силицирования молибдена в порошковой смеси (60% кремния, 37% шамота и 3% хлористого аммония) [32], так [c.87]

В отличие от нагрева электросопротивлением, когда источником нагрева (повышения энергетического уровня) среды является проволочный образец, в тлеющем разряде в результате ионизации значительно повышается энергия газовой смеси и создаются более благоприятные условия для протекания реакций (56) и (57) образования субхлоридов кремния (см. гл. I). В условиях тлеющего разряда образование силанов маловероятно, так как при высокой температуре (что соответствует высокому энергетическому уровню), даже в равновесной газовой среде, относительное количество силанов невелико. [c.137]

Таким образом, образовавшиеся субхлориды кремния вступают во взаимодействие с молибденом, например, по реакциям (59) и (60), которые имеют тенденцию затухать с повышением температуры (см. гл. I). По-видимому, этой тенденцией реакций (59) и (60) можно объяснить уменьшение привеса с повышением температуры молибденовых образцов не только при прямоточном силицировании в тлеющем разряде (кривые 1—3 на рис. 79), но и в случае силицирования циркуляционным методом в безводородной среде, когда на первой стадии процесса образуются субхлориды по реакциям (53) и (54) [см. гл. I], а интенсивность второй стадии в основном определяется ходом реакций (59) и (60) [см. рис. 37]. [c.137]

Транспорт кремния можно проводить в потоке газа. Для этого лодочку с очищенным кремнием помещают в кварцевую трубку, которую нагревают до 1100—1200 С (рис. 2, 23). Переносчиком кремиия является смесь хлорида кремния (IV) с водородом. Ее получают, пропуская водород через промывалку с хлоридом кремния, который с кремнием дает субхлорид Si b. [c.182]

Реакции (I), (4), (6) приводят к росту пленки, а (5), (7) —к се травлению. Сущестпенным отличием этого метода от других является то, что осажденный кремнии вступает в обратимую реакцию с тетрахлоридом кремния с образованием летучего субхлорида (7), Это ведет к травлению поверхности при больших концентрациях тетрахлорида кремния. Реакция (7) в некотором смысле противоположна реакции осаждения. Определяемая экспериментально скорость роста есть алгебраическая сумма скоростей этих двух процессов. При этом чем выше концентрация тетрахлорида в газовой смеси, тем заметнее роль травления, и наоборот. [c.142]

Принципиальная схема аппаратуры для газофазной эпитаксии за счет реакций химического переноса показана на рис. VI.18. Галлий транспортируется в виде субхлорида, образующегося при пропускании хлористого водорода над расплавом металла. Мышьяк и фосфор — в виде арсина и фосфина. Донорную примесь (селен) вводят в виде селеноводорода. Иногда применяют теллур или кремний в виде теллурорганических соединений и силанов. Акцептор (цинк) поступает обычно за счет диффузии из пара уже после выращивания эпитаксиального слоя. Газом-носителем служит водород, очищенный пропусканием через нагретый палладиевый фильтр. Скорость выращивания достигает 40 мкм/мин. К достоинствам этого метода относится высокая чистота конечного продукта и большая степень его однородности кроме того, этот метод отличается простотой, надежностью, производительностью, и, следовательно, экономичностью. Недостаток метода — низкая степень использования исходных продуктов ( 3%), а также необходимость работы с токсичными веществами (гидриды мышьяка, фосфора, селена и теллура). Схему, показанную на рис. 1.18, обычно используют в лабораторных условиях. Для повышения производительности [c.148]

Si U употребляют для получения чистого кремния-полупровод-ника — восстановлением его парами цинка при высокой температуре. Образование элементарного кремния возможно также путем диспропорционирования 2 субхлорида, полученного восстановлением SI I4 водородом [c.748]

Трост и Отфей осуществили транспорт кремния [3] и алюминия [4] в токе соответствующих газообразных хлоридов. Как нам известно сейчас, этот процесс обусловлен образованием и диспропорционированием субхлоридов [c.12]

Был получен субхлорид кремния [В 541, состав которого примерно соответствует формуле Si lo.5-2,6. и изучены его свойства. Это вещество получается при взаимодействии четыреххлористого кремния или трихлорсилана с водородом в электрической дуге [953, 1871] или восстановлением четыреххлористого кремния элементарным кремнием [1716, В 2]. В автоклаве при 320—350° субхлорид кремния реагирует с хлористым метилом с [c.49]

СпоЛбность к образованию субхлоридов проявляют алюминий, кремний, бор и др. [1, с. 12 2—5]. Одновалентный хлорид алюминия обнаруживается при высоких температурах как продукт взаимодействия А1С1з или хлоридов других металлов с металлическим алюминием [c.8]

При хлорировании расплавленного алюминия выявлено повышенное по сравнению со стехиометрией содержание алюминия в хлориде, что, по-видимому, является следствием диспропорциопи-рования субхлорида в газовой фазе и обогашения хлорида алюминия металлическим алюминие.м. Побочные продукты хлорирования ферросилиция содержат вместо трихлорида железа преимущественно дихлорид железа и металлическое железо, что несомненно говорит о присутствии в газовой фазе субхлорида кремния, обладающего сильными восстановительными свойствами [6]. [c.8]

Субхлориды кремния. Показано [29] существование монохлорида кремния Si l и хлорида кремния Si U- Продолжительность существования молекулы монохлорида составляет примерно 10 с. Полимер монохлорида кремния (Si l) выделен в твердом виде и подробно изучен [30]. Он представляет собой высокомолекулярное соединение с чередующимися двойными связями и обладает аморфной структурой. При нагревании его цвет меняется от желтого (на холоду) до оранжево-красного и он легко гидролизуется. При действии сухого кислорода он стабилен только в условиях комнатной температуры, при температуре выше 90 °С монохлорид бурно сгорает. В отсутствие кислорода монохлорид устойчив и при небольшом нагревании, но выше 500 °С разлагается полностью. [c.185]

В интервале 400—600 °С образуется смесь хлоридов с преобладанием хлорного железа. При температурах выше 1000 °С содержание РеС1з резко снижается и появляется заметное количество металлического железа. Такое изменение состава продуктов хлорирования может быть объяснено сильным восстановительным действием субхлорида кремния, образующегося по реакции [c.188]

Субхлорид кремния образуется при 1000—1200 °С, с понижением температуры равновесие реакции сдвигается влево. При температуре около 1000 °С субхлорид кремния является сильным восстановителем и способен восстанавливать РеСЦ до металлического железа. Соотношение Fe Ia и РеСЬ в продуктах хлорирования изменяется также за счет термического разложения хлорного железа. Как показали анализы отходов производства тетрахлорида кремния на двух заводах, твердые возгоны содержат преимущественно металлическое железо, дихлорид железа и незначительное количество трихлорида железа. Это согласуется с результатами лабораторных исследований, так как температура в зоне реакции в промышленных аппаратах достигает 1100—1250 °С. [c.188]

При расчете по модели 7(51С1, 51С12, 51С1з) единственный минимум был обнаружен только в опытах 1, 2. Можно предположить, что с увеличением р, т. е. с ростом общего давления в системе, ухудшается обусловленность системы уравнений (13) вследствие подавления диссоциации в паре. Введение весовой функции, зависящей от концентраций субхлоридов кремния, приводит к улучшению сходимости [24] при этом минимум целевой функции наблюдается и в опыте 3. Для энтальпии образования 5 С12 получена величина, отличающаяся от результирующей оценки по частным моделям на 4 кДж/моль. [c.244]

Выше говорилось, что наряду с субхлоридами кремния в паре возможно присутствие 512С1б. В [27] показано, что содержание —-- [c.245]

Одним из существенных результатов настоящего анализа равновесий в системе 51—С1 является заключение о присутствии 51С1з в паре. До сих пор радикал 51С1з в условиях равновесия не наблюдался. В литературе общепринята модель равновесия 2, согласно которой в паре отсутствует также 51С1. Поэтому для подтверждения модели 7 особое значение приобретают спектроскопические исследования равновесий с участием субхлоридов кремния. [c.246]

Изменение энтальпии образования SiH lg в пределах погрешности ее определения несущественно влияет на равновесный состав. Поэтому величины в скобках (табл. 5) характеризуют нижнюю границу концентраций субхлоридов кремния. [c.252]

Субхлорид кремния (Si l) — желтого цвета, аморфный, пластичный. Он нерастворим в обычных органических растворителях. При температуре 98° в кислороде воспламеняется, водой разлагается с выделением водорода. При нагревании субхлорид кремния разлагается по схемам типа [c.41]

Силнцирование молибдена можно осуществить в безводородной хлоридной среде, но при обязательном наличии в рабочей камере кремния. Тогда на первой стадии процесса будут образовываться субхлориды кремния по реакциям (53)—(55), которые затем могут реагировать с молибденом по реакциям типа (59) и (60) или кремний будет выделяться на поверхности молибдена по реакциям дис-г.ропорционнрования [c.20]

Указанный в табл. 32 сравнительно большой расход кремния в безводородной варианте силицирования, видимо, можно объяснить тем, что часть субхлоридов кремния диспропорционирует с выделением кремния в менее нагретых участках установки. В водородном варианте отмечается меньший расход кремния в связи с тем, чтo oбpaзyющиe яJ[xлop илaны препятствуют указанному выделению кремния. [c.84]

В соответствии с расчетами равновесных составов газовых смесей (см. табл. 6 и 34) при повышении температуры кремния в смеси увеличивается концентрация субхлоридов 51С12 и 51С1з, которые являются переносчиками кремния в зону расположения молибденовых образцов, что приводит к нежелательному высаживанию кремния. [c.85]

На основании термодинамических расчетов можно полагать, что при силицировании молибденовой проволоки, нагреваемой электросопротивлением, в окружающей ее газовой смеси в наибольшем количестве содержится силан Н51С1з, так как температура газовой смеси в этом случае всегда ниже температуры проволоки. Термодинамический расчет реакции (61) показал, что она возможна при температуре 850 К и выше. В связи с этим образованием силана Н51С1з по реакции (58) и взаимодействием его с молибденовой проволокой в соответствии с реакцией (61) можно объяснить зависимости 4 и 5 на рис. 79. Указанный химизм, по-видимому, доминирующий однако нельзя полностью исключить возможность образования субхлоридов кремния и их взаимодействия с молибденом. [c.137]

Об эффективности субгалогенидного. метода можно судить ио результатам очистки алюминия, индия и кремния через их субхлориды [34]. Содержание примесей в полученном указанным методом алюминии было на порядок ниже, чем в наиболее чистом электролитически рафинированном алюминии. Концентрация примесей РЬ, Си, Ni, d, Zn, Sn, Fe в очищенном таким методом индии составляла менее чем 10 %, а чистота кремния была выше чистоты, достигнутой в иодидном методе. [c.28]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология