Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Электронная температура в положи

    В основу химических процессов, протекающих в струе низкотемпературной плазмы, положена способность некоторых газов диссоциировать на атомы, ионы и электроны при сравнительно невысокой температуре. Так, например, степень диссоциации водорода по реакции [c.148]

    Недавно было обнаружено, что форма, химические свойства и кристаллическая структура крахмальных зерен определяются многими генами [19], причем на эти признаки влияют также факторы окружающей среды в период развития зерна крахмала. Классическая работа Негели [128] положила начало интенсивному изучению расположения слоев в крахмальных зернах амилопластов. Вначале предполагали, что наличие чередующихся слоев, расположенных в зернах крахмала в радиальном направлении, обусловлено то высоким, то низким содержанием воды. Фрей-Висслинг [65] предположил, что наблюдаемые с помощью микроскопа структурные различия обусловлены изменением показателя преломления, который оказывается более высоким во внутренней части слоя и более низким — в его наружной части, причем имеет место резкое скачкообразное повышение показателя преломления в следующем слое. Слоистое строение крахмальных зерен картофеля, кукурузы и сорго [171], а также эндосперма злаков [34] окончательно доказано исследованиями с применением электронного микроскопа. Вполне очевидно, что содержание воды не единственный фактор, определяющий структурные особенности зерен крахмала, поскольку для исследований в электронном микроскопе использовались высушенные образцы. Бак-хайзен [22] был сторонником предположения, согласно которому образование слоев обусловлено отложением крахмала в разное время суток, причем крахмал, откладывающийся в дневное время, отличается высоким показателем преломления. Он привел данные, показывающие, что при неизменных внешних условиях во время роста у пшеницы формируются крахмальные зерна, лишенные видимой слоистой структуры. Эти данные были подтверждены электронно-микроскопическим исследованием образования зерен крахмала в эндосперме ячменя и пшеницы, произраставших в постоянных условиях [34, 36]. Однако микроскопические и электронно-микроскопические исследования клубней картофеля [36, 148] и РеШота [32] дали совсем иную картину. При выращивании этих растений в тщательно контролируемых условиях освещения и температуры их крахмальные зерна обладали слоистостью, идентичной слоистости нативного крахмала, который образовывался в нормальных полевых условиях то же было установлено [c.143]


    Для правильного описания результатов эксперимента приходится задаваться значениями Vм, меняющимися от 0,2 до 0,5. Для модельных систем (дисперсия акрилатного латекса в ПММА и т. п.), структура которых была оценена методом электронной микроскопии, проводились расчеты зависимости модуля упругости от состава по уравнению Кернера. Установлено, что в ряде случаев оказывается необходимым введение в теоретические уравнения не истинной, а эффективной доли объемной дисперсной фазы с учетом зависимости этой величины от температуры. При этом важную роль играет эффект инверсии фаз, который может приводить к изменению хода температурной зависимости механических потерь. Использование модельных представлений может быть положено также в основу рассмотрения влияния морфологии на свойства полимерных композиций, если под морфологией понимать характер распределения частиц наполнителя и их размеров в фазе полимера-матрицы [440]. [c.227]

    Но чаще всего иод, как и положено галогену (на внешней оболочке атома семь электронов), проявляет валентность 1 . Как и другие галогены, он достаточно активен — непосредственно реагирует с большинством металлов (даже благородное серебро устойчиво к действию иода лишь при температуре до 50° С), но уступает хлору и брому, не говоря уже о фторе. Некоторые элементы — углерод, азот, кислород, сера, селен — в непосредственную реакцию с иодом не вступают даже при высоких температурах. [c.74]

    Рассмотрим теперь способы нагревания и методику измерения температуры эффузионных камер. До 1550—1800 К обычно используют печи сопротивления или радиационный способ от нагревателя, не контактирующего непосредственно с камерой. Более высокие температуры достигаются, как правило, за счет электронной бомбардировки камеры [4]. В последнем случае ускоряющее электроны напряжение подводят к самой камере, катод — эмиттер электронов — заземляют. При такой схеме включения, при всей ее технической целесообразности, возможно попадание в ионный источник положи- [c.48]

    Зонную плавку диметилдихлорсилана проводили в герметичном сосуде, в основу которого была положена конструкция прибора Рокка [27,], однако несколько измененная применительно к низким температурам и опробованная на образцах н-октана (желательно с температурой кристаллизации —56,8°) и н-гексана (температура кристаллизации —95,35°) [2]. Чистоту исходного и полученного после очистки образцов диметилдихлорсилана контролировали криоскопическим методом по кривым продолжительность —температура кристаллизации исследуемого соединения [36]. Изменение температуры вещества во время его замораживания, измерявшееся медь-константановой термопарой, записывалось на ленту электронного пишущего потенциометра ЭПП-09, реконструированного на высокую чувствительность [36]. В этом случае точность записи составляла для более загрязненных образцов 0,05°, для более чистых 0,01°. [c.224]


    Для большинства спектров тяжелых элементов сильное кристаллическое поле будет возмущать электронную конфигурацию в такой степени, чтобы снять большую часть электронного вырождения, за исключением синглетного (5 = 0) или дублетного (5 = /г) основного состояния. Далее, кристаллическое поле будет, как правило, вызывать достаточное расщепление, оставляя заметно заселенным при низких температурах только основное состояние. Наблюдаемый спектр, кроме того, может быть суперпозицией спектров двух или более групп атомов, находящихся в неэквивалентных положе- [c.406]

    Это означает ие только возможность положить 11 = i = О (см. формулу (25.5)), но и главное пренебречь передачей эиергии от электронов равновесным фононам в каждом акте столкновения. Напомним, что прн Г 0 столкновения с фононами квазиупруги. Это причина выполнения закона Видемана—Франца при высоких температурах. [c.217]

    Подчеркнем, что в схеме (12.4) предполагается, что обменом электронами между ФРЦ и средой можно пренебречь. Это допущение подтверждается тем, что в эксперименте наблюдается многократная воспроизводимость полностью обратимого фотоокисления бактериохлорофилла во всем изученном диапазоне температур в отсутствие экзогенных доноров [Лукашев и др., 1975]. Процесс темновой релаксации ФРЦ также может быть описан системой уравнений (12.5), если положить в последней величину световой константы скорости ко равной нулю  [c.248]

    Кроме того, видно, что с ростом тока нри р = onst, интенсивности /я возрастают, стремясь к некоторому пределу. С ростом давления р при / = onst интенсивности падают. Это показано на рис. 2, на котором сплошные линии вычислены по формуле (1), а располагающиеся рядом с этими линиями точки соответствуют опытным данным. Согласие расчета и опыта свидетельствует о том, что изменение /я, с ростом р обусловлено только попаданием электронной температуры. Это соответствует предпосылкам, которые положены в основу вывода формулы (1). [c.139]

    Впервые таблица термодинамических функций ОН до 5000° К была составлена Джонстоном и Даусоном в 1933 г. [2275] на основании расчета методом непосредственного суммирования по колебательным и вращательным уровням энергии электронных состояний Х П/ и Л И с использованием рекуррентных формул. Пересчет этой таблицы к новым значениям физических постоянных (как это сделано, по-видимому, в справочниках [3680, 3507, 2142, 3426]) приводит к значениям термодинамических функций ОН, согласующихся с соответствующими значениями табл. И (II) в пределах нескольких тысячных кал моль-град. Расчет термодинамических функций ОН до 5000° К был выполнен также Харом и Фридманом [1910] на электронной счетной машине. Расхождения между значениями термодинамических функций ОН в табл. И (II) и результатами расчета Хара и Фридмана увеличиваются с температурой и достигают 0,028 кал моль-град в значении Фиоо- Это объясняется главным образом тем, что Хар и Фридман в основу расчета положили метод Майера и Гепперт-Майер (см. стр. 90), приводящий к неверным результатам при высоких температурах. В первом издании Справочника расчет термодинамических функций ОН был выполнен по табличному методу Гордона и Барнес до 6000° К. Расхождения в значениях Фг гидроксила в первом и настоящем изданиях Справочника не превышают 0,004 кал/моль-град. [c.228]

    Эмиссия свободных электронов в жидкость дает возможность исследовать ряд явлений, связанных с проводимостью и пробоем жидких диэлектриков. Это может быть осуществлено несколькими способами а) фотоэффектом, б) термоэмиссией из нагретого электрода, в) холодной эмиссией электронов из катода, г) нанесением / -излучающего вещества на один из электродов. Изучение температурной зависимости самостоятельной проводимости чистых жидкостей показало линейную зависимость логарифма тока от обратной температуры. Вычисленная из этих данных энергия активации электропроводности для многих исследованных углеводородов составляет так же, как и в водных растворах электролитов, величину порядка 3 ккал/моль, что позволяет сделать предпо-ложепие о независимости самостоятельной проводимости от структуры жидкости. Правда, существуют и другие мнения о механизме проводимости. Поскольку многие явления в жидких и твердых диэлектриках обнаруживают большое сходство, поэтому теория, разработанная для твердых диэлектриков может быть применима и для жидких диэлектриков. В кристалличе ских структурах большое влияние оказывают различного рода примеси, создающие своеобразные ловушки , энергетиче ские уровни которых располагаются в промежутке между валентной зоной и зоной проводимости кристалла. Переход электрона, положим, с валентного уровня на промежуточный значительно облегчается, что и служит причиной увеличения проводимости загрязненных кристаллов. Точной теории подвижности заряженных частиц в жидких диэлектриках, а тем более в смесях или растворах, до сих пор нет. [c.191]

    Лорентц создал теорию металлов, объясняющую качественно некоторые характерные свойства. Последние годы эта теория усиленно разрабатывается на базе квантово-меха- нических представлений. Согласно этой теории кристаллическая решетка металла построена из жестких сфер (катионы металлов), в промежутках между которыми движутся свободные электроны. Предположение о наличии свободных электронов в металле позволяет объяснить весьма просто металлический блеск н другие оптические свойства, высокую тепло- и электропроводность, высокие значения теплоемкости и энтропии и некоторые другие свойства металлов. Одной из интересных особенностей металлов гя яется малый и независимый от температуры пй рамагнетизм. ссмотрение этого явления Паули в 1927 г. положило нача, ь-довременной электронной теории металлов. Фундаментальное пр жение этой теории состоит в том, что в металле имеется н прерывный или частично непрерывный ряд энергетических уровней для свободных электронов. При абсолютном нуле N электронов занимают попарно N 2 низших уровней В соответствии с принципом Паули спины электронов каж дой пары должны быть направлены в противоположные стороны, так что во внешнем магнитном поле спиновые маг- [c.387]


    Аналогичное явление наблюдается при нагревании металла до температуры белого каления. И в этом случае металл получает полож.ительный заряд, теряя какие-то частицы, связанные с отрицательным электричеством. Опыты с Г адающий луч отклонением катодного луча (потока электронов) позволили установ.ить знак заряда электронов (отрицательный заряд). [c.94]

    Действительно, заряд в, несомый суспендированной частицей, получается ею благодаря только ионам, находящимся в окружающей среде следовательно, он равен одному электрону, положим 4,2 10 электростатических единиц системы С.С.В. и так как при обычной температуре и] = 1,7 10 , то отсюда можно заключить, что [c.191]


Смотреть страницы где упоминается термин Электронная температура в положи: [c.246]    [c.338]    [c.306]    [c.211]    [c.412]    [c.211]    [c.149]    [c.401]    [c.27]   
Ионизованные газы (1959) -- [ c.0 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Температура электронная



© 2024 chem21.info Реклама на сайте