Система дискретная

Система дискретных частиц [c.113]

Результаты испытания плотных сыпучих тел в сдвиговых приборах показали, что их прочность обусловлена силами, необходимыми для разрыхления слоя, перестройки структуры с. преодолением сжимающей нагрузки. При изучении механизма этого процесса много внимания уделено разработке теории сдвиговых деформаций сыпучего тела как системы дискретных элементов. Рассмотрен также метод расчета критической порозности слоя, состоящего нз частиц произвольной формы. Результаты расчетов в основном удовлетворительно согласуются с опытными данными. [c.64]

Смысл использования математического аппарата операторов в том, что в квантовой механике мы располагаем одним источником для получения физических величин — волновой функцией, и к ней надо подобрать операторы, извлекающие нз нее ту или иную характеристику состояния частицы (например, импульс). Опыт показывает, что динамические величины изменяются в организованных системах дискретно, так как существует квант действия, определяющий дискретность значений многих из них. [c.36]

Переходя к следующему уровню организации, необходимо рассмотреть с и с т е м ы, состоящие из центрального ядра и частиц в поле ядра. Это — атомы, привлекающие внимание химиков в гораздо большей степени, чем частицы в ящиках. Однако и в атомах устойчивость есть следствие ограничений, налагаемых на движение частиц. Из элементарного курса химии известно, что энергетические уровни, отвечающие стационарным состояниям атомной системы, дискретны и переходы между ними связаны с излучением или поглощением кванта энергии. Атомы, следовательно, тоже защищены от случайных влияний. Это относится и к еще более организованным системам — молекул и твердых кристаллических тел. Но по мере усложнения систем появляются новые факторы, роль которых незаметна на низших уровнях. Обмен энергией или массой зависит от геометрического соответствия между реагирующими молекулами, от распределения электронной плотности в пределах молекулы, наличия экранирующих групп и т. п. Возникает вопрос, в какой мере можно распространить принцип защиты на сложные системы. Можно ли утверждать, что в таких системах любые, даже слабые внешние возмущения или химические влияния поведут к развитию процесса, итогом которого будет глубокая перестройка системы [c.51]

Примером может служить струна, при закреплении концов которой (наложении ограничении) создаются условия для возникновения набора резонансных частот. Отсюда следует, что наложение на системы ограничений или запретов ведет к образованию организаций, способных существовать и сохранять устойчивость в некотором дискретном наборе состояний. Вполне понятно, что дискретность ряда устойчивых состояний означает и дискретные формы отношений как со средой, так и с другими системами. Дискретность атомных и молекулярных спектров и огромный фотохимический опыт не оставляют сомнений на этот счет. [c.333]

Пусть параметры X к У определяют состояния двух невзаимодействующих систем и являются случайными величинами. Если состояния системы дискретны, теорема умножения вероятностей запишется в виде равенства [c.16]

Размеры используемых в этой системе дискретных элементов колеблются в широких пределах от нескольких сантиметров до долей миллиметра. Поток сплошной среды может подаваться в НС как сверху, так и снизу на практике встречаются НС с иным направлением потока (через кольцевой НС и др.). [c.217]

Аналогичная ситуация имеет "место и при описании явлений переноса в газах. Как известно, для замыкания уравнений гидромеханики, описывающих движение газа, может быть использована кинетическая теория газов, объясняющая наблюдаемые явления в газе на основе гипотезы о молекулярном строении вещества. Подобная статистическая теория может быть использована и для описания процессов переноса в псевдоожиженном слое. При этом псевдоожиженный слой рассматривается как система дискретных твердых частиц, взвешенных в потоке газа, причем твердые частицы участвует не только в некотором осредненной движении, но и совершают хаотическое движение. Такой подход к описанию явлений переноса в псевдоожиженном слое был предложен в работах [34—36]. [c.39]

Первый подход - стехиометрический, основывается на модели, в которой динамика дискретных частиц реагирующей смеси изучается путем решения уравнений движения ддя отдельных частиц. Механизм сложной реакции традиционно записывается в виде стехиометрических уравнений, отражающих связь между дискретными частицами в системе дискретных реакций. [c.12]

Колебательные состояния двухатомных молекул. В каждом стабильном электронном состоянии двухатомная молекула обладает системой дискретных уровней колебательной энергии. Колебательная энергия молекулы О (и) является функцией величины колебательного [c.41]

Классическое описание молекулярных колебаний является приближенным, так как в нем не учитывается дискретность колебательных состояний молекулы. В действительности в стабильном электронном состоянии, т. е. таком состоянии, в котором потенциальная энергия молекулы имеет минимум, соответствующий ее равновесной геометрической конфигурации, молекула обладает системой дискретных колебательных состояний. Если колебания молекулы могут рассматриваться как гармонические и независимые друг от друга, что является достаточно хорошим приближением и соответствует предположению о пропорциональности потенциальной энергии молекулы квадратам нормальных координат, энергия колебательных состояний молекулы описывается уравнением [c.60]

Наиболее интенсивная система дискретных полос в спектре поглощения lj, и Jg в видимой области (вместе с примыкающим к ней континуумом) была отождествлена Малликеном с переходом n + -X 2g, а слабая система полос в ближней инфракрасной части спектра [c.250]

Такая же методика схематически показана на рис. 9.6. Тип методов моделирования существенно зависит от природы рассматриваемых процессов. Если они являются детерминированными, то допустим обычный математический анализ. Однако если они по своей природе являются стохастическими, то необходимо использовать вероятностные и статистические методы. На практике применяются два типа моделирования. Причем выбор конкретного типа моделирования зависит от того, определяется ли поведение системы дискретными событиями или непрерывным изменением некоторой ее переменной. При моделировании дискретных событий появление определенного события приводит к изменению значения некоторого определяющего атрибута системы. Оно может начать или остановить действие системы или создать (разрушить) саму систему (возбужденное состояние или радиоактивная частица). В то же время для моделей с непрерывным изменением переменных требуется исполь- [c.390]

Соверщенно ясно, что в равновесных системах дискретность и непрерывность взаимно сочетаются и существуют рядом друг с другом. Диаграммы, относящиеся к однородному, непрерывному состоянию, в конце концов характеризуют изломы и разрывы свойств тех определенных химических соединений, которые могут быть выделены при охлаждении в твердом виде. Мы видим приложение диалектического принципа единства противоположностей. Замечательная мысль Гегеля о том, что величина в непрерывности имеет непосредственно момент дискретности , получает здесь реальное осуществление [31, стр. 142]. [c.392]

Спектр многоэлектронного атома в общем случае состоит из сотен линий, в расположении которых на первый взгляд имеется мало закономерности. Еще до развития квантовой теории было эмпирически установлено, что если наблюдаемые длины волн выразить через частоты, то данному атому можно приписать такую серию чисел, что все наблюдаемые частоты могут быть выражены разностью двух чисел из этой серии, хотя не все разности проявляются в наблюдаемом спектре. В современных терминах эти экспериментальные факты выражают следующим образом. Для данной атомной системы существует система дискретных энергетических уровней, или стационарных состояний с энергиями .... Между некоторыми из [c.165]

В зависимости от формы колебаний системы дискретного регулирования межэлектродного зазора могут быть разделены на системы с симметричными и асимметричными колебаниями электрода. В свою очередь каждая из этих систем в зависимости от характера взаимодействия объекта регулирования и регулятора может быть разомкнутой или замкнутой. [c.114]

Простейшим примером разомкнутой системы дискретного регулирования МЭЗ с симметричными колебаниями электрода может служить система, разработанная Б. И. Морозовым [125]. Характерной особенностью системы является синхронизация включения источника технологического напряжения с определенными фазами движения катода-инструмента относительно обрабатываемой детали. Напряжение на электроды подается в моменты наибольшего их сближения. Центр колебаний электрода-инструмента с постоянной скоростью смещается в сторону обрабатываемой детали. По характеру регулирования зазора система близка к системе непрерывного регулирования МЭЗ со стабилизированной скоростью подачи. При использовании дискретной системы регулирование МЭЗ также основывается на свойстве саморегулирования электрохимической ячейки. Отличие состоит лишь в дискретном характере саморегулирования и в более интенсивном удалении из межэлектродного промежутка продуктов анодного растворения вследствие колебаний инструмента относительно обрабатываемой детали (или, наоборот, детали относительно инструмента). Системе свойственны недостатки ее непрерывного аналога. [c.114]

Более широкие технологические возможности и большую точность регулирования МЭЗ обеспечивают системы дискретного регулирования с асимметричными колебаниями электрода. Эти системы можно разделить на разомкнутые и замкнутые в зависимости от характера взаимодействия регулятора и электрохимической ячейки. Наибольшее применение получили разомкнутые системы дискретного регулирования МЭЗ [8]. В зависимости от сложности обрабатываемых деталей, требуемой точности и других технологических условий обработки рабочее время в каждом единичном цикле может составлять от нескольких десятых долей секунды до десятков и даже сотен секунд (рис. 71). Обычно обработка ведется на зазорах 0,15—0,4 мм. Такими системами регулирования межэлектродного зазора оснащены станки моделей ЭХО-1, ЭХО-2, ЭХА-300. [c.115]

Применение замкнутых систем дискретного регулирования МЭЗ позволяет повысить производительность обработки за счет увеличения длительности рабочего времени в каждом единичном цикле. Наиболее простым вариантом такой системы является комбинированная система дискретного регулирования, в которой в рабочие периоды единичных циклов осуществляется стабилизация МЭЗ с помощью замкнутого контура регулирования, так же как и в системах непрерывного регулирования. [c.117]

Значительный интерес представляют замкнутые системы дискретного регулирования МЭЗ с регулированием скорости рабочей подачи в каждом очередном единичном цикле на основе сравнения величин начального и конечного зазоров в предыдущих циклах. При увеличении по сравнению с х скорость подачи инструмента увеличивается на величину, пропорциональную Аз = — Зо, и, наоборот, при отрицательном значении Ая скорость подачи уменьшается. Примером такой системы является система с использованием устройства, описанного в работе [163]. [c.117]

При рассмотрении электронной проводимости в кристаллах и стеклах используются представления и выводы зонной теории твердых тел [20]. Как известно, в изолированных атомах электроны в стационарных состояниях обладают дискретными значениями энергии, характеризуемыми четырьмя квантовыми числами, причем в каждом состоянии могут находиться два электрона с противоположно направленными спинами. При сближении большого числа N одинаковых атомов, образующих твердое или жидкое тело, вследствие взаимодействия происходит расщепление каждого из квантовых состояний, на N различных состояний. В кристалле вместо системы дискретных уровней, которыми характеризуются "изолированные атомы, имеется система полос, внутри которых расстояние между соседними уровнями весьма мало (примерно 10" э З), поэтому их [c.21]

Совершенно ясно, — пишет Н. С. Курнаков, — что в равновесных системах дискретность и непрерывность взаимно сочетаются и существуют рядом друг с другом. Диаграммы, относящиеся к однородному непрерывному состоянию, в конце концов, характеризуют изломы и разрывы свойств тех определенных химических соединений, которые могут быть выделены при охлаждении в твердом виде. [c.44]

Около 152 нм начинается интенсивная система дискретных полос, которая состоит из короткой прогрессии валентного колебания С=С-связи. Полоса чисто электронного перехода имеет максимальную интенсивность. Вторая подобная очень интенсивная система начинается при 134,2 нм [37]. То что в спектрах проявляются только полносимметричные колебания, свидетельствует о линейном строении возбужденной молекулы. Эти полосы — первые члены [c.103]

Предположим, что процесс представлен следующей системой дискретных по времени линейных уравнений (при времени t = tu) - [c.185]

Для раздельного анализа трех стадий массопереноса в псевдоожиженных системах массообмен между стенкой и слоем (раздел I), а также между твердыми частицами и ожижающим агентом (раздел II), следует рассматривать в отсутствие сегрегации фаз (т. е. газовых пузырей). Это можно осуществить кепериментально, так как для развития газовых пузырей необходима некоторая конечная высота слоя. В жидкостных псевдоожиженных системах дискретная фаза (пузыри) образуются на высоте , превышающей 0,5—1м при газовом псевдоожижении пузыри заметных размеров ( с1р) присутствуют уже на высоте 0,2 м. Таким образом, данные по масообмену могут быть получены как в отсутствие пузырей (однородное псевдоожижение), так и а тех случаях, когда дискретная фаза оказывает влияние на скорость массопереноса (неоднородное псевдоожижение). В разделах I и II мы будем рассматривать только однородные псевдоожиженные системы неоднородные будут основной темой последующих разделов. [c.377]

В работах И. М. Лифщица было показано, что для биологических полимеров, образующих плотные глобулы, характерно появление системы дискретных уровней энергии Гельмгольца. Л. А. Блюменфельд указал, что в случае гетерополимеров, к числу которых относятся и белки, каждому дискретному уровню должна соответствовать и определенная конформация (т. е. способ образования вторичных связей). [c.348]

Различие в характере распределения фермионов и бозонов по одночастичным квантовым состояниям приводит к тому, что ансамбли этих частиц подчиняются различным статистикам для фермионов это статистика Ферми — Дирака, для бозонов — статистика Бозе — Эйнштейна (рис. П.З). Таким образом, квантовая природа частиц сказывается и в том, что возможные состояния системы дискретны, и в способе распределения ча-стид (фермионов или бозонов) по микросостояниям. Однако [c.79]

Детектирование ионов посредством электронного умножителя основано на эмиссии вторичных электронов в результате столкновения частицы, обладающей определенной энергией, с соответствующей поверхностью. Количество вторичных электронов можно увеличить при бомбардировке ими нескольких последовательных поверхностей. Существуют непрерывные динодные умножители и системы дискретного типа. Дискретный динодпый умножитель состоит из 12-20 бериллиево-медных динодов, связанных посредством резистивной цепи. Непрерывные системы или канальные умножители состоят из покрытой свинцом изогнутой воронкообразной трубки. Напряжение, прикладываемое между концами трубки, создает непрерывное поле по всей ее длине. Вторичные электроны ускоряются в трубке, постоянно сталкиваясь с внутренней Степкой. Типичный коэффициент усиления электронного умножителя составляет 10 . Ток, протекающий через электронный умножитель, усиливается и оцифровывается для последующей обработки системой обработки данных. [c.264]

Теория Дебая. Предположение Эйнштейна о том, что все атомы можно рассматривать как гармонические осцилляторы, колеблющиеся с одинаковой частотой, было бы удовлетворительным, если бы каждый атом колебался независимо от своих соседей. На самом деле связь между атомами в твердом теле настолько сильна, что более вероятным является то, что опи колеблются как единое целое. Дебай предполол- ил, что твердое тело можно рассматривать как упругую среду, и получил выражение для часют колебаний, которые могут существовать 1 такой системе. Дискретный характер кристаллической решетки и ее атомная структура учитывались лишь тем, что число возможных частот колебаний решетки было 01раничен0 числом ЗА степеней свободы N атомов, составляющих решетку. Дебай предложил рассматривать акустический спектр твердого тела как спектр однородной упругой среды, однако число независимых упругих волн, возникающих вследствие колебаний N атомов решетки, он считал равным ЗN. Известно, что в изотропной упругой среде каждому волновому вектору к соответствует одна продольная и две поперечных волны, скорости которых не зависят от направления распространения. [c.109]

Поглощая энергию, А. переходит из осн. состояния с минимумом энергии в одно из возбужденных, его электронная конфигурация при этом изменяется. Каждый А. обладает присущей только ему системой дискретных энергетич. состояний, к-рым соответствуют определ. уровни эиергии. Последние сходятся к т. н. границе ионизации (ионизац. пределу), к-рой отвечает значение энергии, необходимой для отрыва электрона от А. в осн. состоянии. Квантовые переходы между уровнями энергии свободных или слабо взаимодействующих А. обусловливают атомные спектры. Пропорциональная энергии состояния А. величина, выраженная в см , наз. атомным термом. [c.58]

Для электрохимической обработки при малых МЭЗ (менее 0,1 мм) применяются разомкнутые системы дискретного регулирования с асимметричными колебаниями инструмента с периодичв ской промывкой межэлектродного промежутка при разведении электродов. Питание электрохимической ячейки осуществляется импульсным технологическим напряжением. Система, разработанная в Тульском политехническом институте [57], позволяет вести обработку при зазорах 0,05 мм и менее при неподвижных, сближающихся и разводящих электродах (рис. 72). Особенностями работы системы являются разведение электродов на заданную величину промывочного зазора 5 р в каждом единичном цикле и питание электрохимической ячейки импульсным током. Катод ускоренно перемещается до касания с анодом — обрабатываемой заготовкой. Во время движения на электроды подается контрольное напряжение 0 от маломощного источника. В момент касания электродов вследствие замыкания электрической цепи контрольное напряжение источника резко уменьщается, что используется аппаратурой управления для выработки сигнала на реверс привода подачи. В течение времени отв следует ускоренный отвод катода-инструмента на заданный межэлектродный зазор Хд. За время рабочего периода р катод может оставаться неподвижным, подаваться к обрабатываемой заготовке или удаляться от нее (см. рис. 72). В это время на электроды подается импульсное напряжение от силового источника питания. По окончании обработки в единичном цикле катод ускоренно отводится на заданную величину межэлектродного зазора Япр для обеспечения интенсивной промывки межэлектродного пространства. После отвода катода следует ускоренная подача его к обрабатываемой заготовке, и цикл работы повторяется. [c.116]

В отличие от электрохимических копировальпо-прощивочных станков (ЭХА-300, МА-4423) станок ЭХКП-1 обеспечивает обработку на малых межэлектродных зазорах (0,05 мм и менее), что значительно повышает точность обработки и сводит к минимальному объему работы по корректировке размеров катода-инструмента и доводке обработанных поверхностей. Станок производит обработку в две стадии 1) предварительно при межэлектродных зазорах не менее 0,1 мм с использованием системы дискретного либо непрерывного регулирования. МЭЗ 2) окончательно при зазорах не более 0,05 мм с использованием дискретной системы регулирования и при питании электрохимической ячейки импульсным током. [c.211]

По существу, биомасса, участвующая в процессе очистки сточных вод активным илом, может быть разделена на три основные категории взвешенные бактериальные клетки, которые не удаляются осаждением флокулированные бактерии, которые легко удаляются осаждением и возвращаются в процесс для его поддержания и простейшие, преимущественно кругоресничные инфузории прикрепленного типа, которые прилипают к бактериальным флокулам [155] и, следовательно, также подвергаются рециркуляции, благодаря чему поддерживается их количество в системе. Простейшие составляют около 5 % от общей биомассы, и их роль заключается в поедании присутствующих в системе дискретно диспергированных бактерий, что уменьшает количество взвешенных частиц в очищаемых стоках. Считается, что простейшие не способны поглощать флокулированные бак- [c.104]

Рассмотрим некоторые особенности, которые могут повлечь за собой увеличение коэффициента (3. Г. А. Максимовым [Л. 54] установлено, что образование в материале молярного потока пара в ряде случаев ведет к взрывному выбросу из материала пара вместе с захваченной им парожидкостной эмульсией. Подобный характер влагопереноса вытекает и из струйной гипотезы тепломассооб.мена, выдвинутой А. А. Гухмаиом [Л. 12], согласно которой при достаточно развитом внутреннем парообразовании поверхностный влагообмеи осуществляется с помощью системы дискретно расположенных и взаимодействующих струй, вытекающих из капилляров. А. В. Лыков [Л. 42, 43] предполагает, кроме того, наличие объемного испарения, которое может особенно сильно проявиться в первый период сушки. Жидкость под влиянием молярного переноса пара может выталкиваться из материала наружу, не претерпевая фазового превращения, и затем испаряться. Наконец, при высокотемпературной сушке в первый период наблюдается непрерывное расширение зоны парообразования [Л. 57, 96], в результате чего общая поверхность испарения значительно превышает геометрическую поверхность материала. [c.134]

Автоматическая система включает регулятор расхода промывочной воды и регулятор воздуха, используемого для взрыхления фильтрующего материала. Измерение задания этим регуляторам осуществляется оператором или системой автоматики. Центральной частью системы дискретного управления восстановлением фильтров являются логический автомат восстановления (ЛАВФ) и программное устройство. Логический автомат ЛАВФ приборного исполнения строится на базе диодно-тиристорных реле и размещается на щите автоматики. [c.93]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология