Интенсивность системы

Исследования спектра излучения продуктов горения состава А без катализатора показали, что на частично непрерывном фоне существуют полосы продуктов горения СО (324,2), Сз (328,3), N2 (337,1), N2(668,8), НН (375,2), Н2О (663,2 692,2 нм) и т. д. Кроме указанных полос и линий, яа спектрограммах ярко обозначены линии излучения примесей в топливе, На и К- При горении топлива Б кроме обнаруженных спектральных полос, характерных для состава А, наблюдаются линии Си (314,6 нм), Си (399,4 нм), СиО (477,1 нм) и интенсивные системы полос с резко выраженными максимумами и минимумами. Наиболее интенсивными системами являются полосы СпН при 368,8—400,0, 400,4—428,0, 428,8— 466,1 и 466, 1 нм. [c.285]

Эти интенсивные системы полос излучения продуктов каталитических реакций характеризуются большой протяженностью от 20 до 80 нм и строгими колебаниями интенсивности в каждой системе. Характерным является также постепенное убывание интенсив- [c.285]

Пример 11.70. Определить общий объем башенной системы и высоту башен при интенсивности системы 200 кг/(м -сут), если ее производительность равна 222 т моногидрата в сутки. Диаметры башен принять равными, в м [c.101]

Наиболее интенсивная система дискретных полос в спектре поглощения lj, и Jg в видимой области (вместе с примыкающим к ней континуумом) была отождествлена Малликеном с переходом n + -X 2g, а слабая система полос в ближней инфракрасной части спектра [c.250]

А1Н. Основным электронным состоянием молекулы АШ является состояние Спектр молекулы АШ исследовали многие авторы. Наиболее интенсивной системой в спектре АШ является система, расположенная в области 4000—5800 А и обусловленная переходом Л 41 [c.754]

AIF. Основным электронным состоянием A1F является состояние Спектр A1F как в излучении, так и в поглощении исследовался неоднократно 1.3465, 3540, 3028, 3029, 3541, 3030, 3031, 661, 1354, 1355, 657, 3032]. Наиболее интенсивная система полос в спектре A1F расположена в области 2360—2200 A и обусловлена переходом ЛШ — Кроме этой системы, с молекулой A1F связано большое число других синглетных систем, а также ряд систем, обусловленных переходами между триплетными состояниями. Интеркомбинационные переходы в спектре A1F не наблюдались. [c.756]

Однако радикал СЮ также образовывался в продуктах реакций О + ОСЮ (избыток) [181] и Вг + ОСЮ[164] последняя, кроме того, давала радикал ВгО [164]. В продуктах реакции Ц л) - -Оз- Ю + Ог обнаружены радикалы 10(Х П) с двумя колебательными уровнями о = О и и" = 1, но об этих частицах получено ограниченное число кинетических данных [20]. Все три радикала СЮ, ВгО и 10 регистрировались при многократном прохождении пучка света для получения заметного поглощения в интенсивных системах полос в ультрафиолете [20]. [c.377]

Более интенсивные системы полос поглощения в спектре паров бензола наблюдались в области вакуумного ультрафиолета. Оказалось, что первая система (205—185 нм) состоит из щироких полос [c.47]

Детали расчета в случае антрацена основываются на значениях частот, полученных из спектра раствора. Найдена система полос поглощения, начинающаяся около 3800 А (приблизительно 26 ООО сл " ), с силой осциллятора / л 0,1 и длиной диполя перехода 0,6А, рассчитанной по уравнению (6). Этот переход достаточно близок по энергии, но намного слабее по интенсивности, чем второй переход при 2500 А (40 ООО см ) с длиной диполя 2,3 А. Эффекты первого порядка этой системы, поляризованной вдоль длинной оси симметрии молекулы, уже обсуждались в разделе 1,4, а здесь мы проследим их влияние на систему полос при 3800 А. Следующее ниже рассмотрение носит лишь иллюстративный характер, и его результаты не могут соответствовать реальному спектру кристалла, так как при расчете принимается, что интенсивность системы полос сосредоточена при одной частоте, вместо того чтобы быть распределенной по всей колебательной прогрессии. Значение такого допущения и расчет реального спектра обсуждаются в разделе 1,6, А. Для системы полос, интенсивность в которой сосредоточена при одной частоте, расщепление первого порядка может быть найдено из дипольных сумм, приведенных в табл. 5, путем умножения соответствующего табличного значения на квадрат длины диполя перехода 0,36 А . При поляризации вдоль длинной и короткой осей симметрии молекулы это приводит к значениям 995 и 38 см соответственно. При отнесении слабого перехода [c.533]

В этом приближении может быть рассчитан спектр кристалла нафталина при 2750 А и сходные спектры других ароматических соединений. Соответствующий переход в нафталине имеет силу осциллятора / = 0,11 и характеризуется значительными взаимодействиями второго порядка с переходом, дающим интенсивную систему при 2200 А и имеющим силу осциллятора 1,7. Эта интенсивная система поляризована вдоль длинной оси молекулы, подобно соответствующей интенсивной системе в антрацене при 2500 А. Расчеты системы при 2750 А сделаны для обоих направлений поляризации, лежащих в плоскости, и результаты этих расчетов сведены в табл. 7 и 8. Дипольные суммы для нафталина приведены в приложении. Система при 2750 А имеет пять членов прогрессии, разделенных колебательной частотой приблизительно 1400 см первый член обозначен как п = О в соответствии с принятым ранее условием. [c.541]

Во многих случаях, главным образом при малых интенсивностях переходов, спектры кристалла и раствора очень схожи по общему виду и по частотам. В качестве примера на рис. 8 приведена система полос антрацена при 3800 А, причем отчетливая прогрессия с разностью частот между компонентами 1400 см наблюдается во всех трех спектрах. В других случаях связь между спектрами свободной молекулы и кристалла не так очевидна. Например, система полос антрацена при 2500 А, несомненно, наиболее интенсивна в спектре свободной молекулы, но измерения спектра кристалла вплоть до 2100 А не позволили обнаружить полосы поглощения со сравнимой интенсивностью. Однако интенсивная система, поляризованная вдоль оси симметрии молекулы а, была найдена в вакуумном ультрафиолете около 1900 А, и была показана ее связь с системой при 2500 А в спектре свободной молекулы. [c.551]

Нафтацен (тетрацен) имеет интенсивную систему полос поглощения в растворе при 3800 А (/ = 1,7). Спектр кристалла антрацена был измерен Бри и Лайонсом [9]. В этом спектре, приведенном на рис. 9, видны два слабых перехода, а в спектре раствора — интенсивная система полос с максимумом при 36 ООО см (пунктирная кривая). [c.552]

Как показано на рис. 9, поглощение в кристалле вблизи положения максимума поглощения в растворе чрезвычайно мало, а рассмотрение его-величины в связи с ориентацией молекул в кристалле, структура которого была определена до этого рентгенографически Синклером [91], показывает, что переход молекулы типа В%ц — Ag должен быть поляризован вдоль длинной оси молекулы и что основная часть его интенсивности сдвинута в кристалле в сторону длин волн, лежащих вне кварцевого ультрафиолета, а в области максимума поглощения раствора остается только очень небольшая компонента. Таким образом, между интенсивными системами антрацена и нафтацена существует довольно полная аналогия как в отнесении, так и во влиянии кристаллического окружения. В обоих случаях найдено очень большое давыдовское расщепление, порядка тысяч обратных сантиметров. [c.553]

Приведенные выше материалы показывают, что наиболее высокий уровень химизации сельского хозяйства характерен для развитых стран Европы и Северной Америки. В этих странах начиная с середины 1960-х годов осуществляется интенсивная система земледелия с применением суммарных доз удобрений > 300 кг/га и пестицидов > 2 кг/га. Прогнозные расчеты, выполненные нами на основе прогнозных данных ООН [221, 303, 305], свидетельствуют о том, что к ведению интенсивного земледелия страны Азии и Центральной Америки подойдут к концу 1980-х годов, Южной Америки — к 2000 г., Африки и Океании - к 20-м годам XXI столетия (табл. 46)). Согласно прогнозным исследованиям Международного института прикладного системного анализа [310], в 2000 г. в развитых странах мира дозы минеральных удобрений достигнут 77—145 кг/га по азоту, 43—70 кг/га РгОз и 44—74 кг/га Кг О для развивающихся стран [c.240]

Фридель Ф. Производство серной кислоты в интенсивных системах. М.-Л., [c.286]

С увеличением количества башен технологический режим становится более устойчивым. Это особенно важно при повышении интенсивности системы . [c.122]

Около 152 нм начинается интенсивная система дискретных полос, которая состоит из короткой прогрессии валентного колебания С=С-связи. Полоса чисто электронного перехода имеет максимальную интенсивность. Вторая подобная очень интенсивная система начинается при 134,2 нм [37]. То что в спектрах проявляются только полносимметричные колебания, свидетельствует о линейном строении возбужденной молекулы. Эти полосы — первые члены [c.103]

Зная оптимальные условия протекания основных процессов, рассмотренных выше, можно вывести заключение о влиянии концентрации газов и других факторов (температура, давление, крепость кислот и пр.) на интенсивность системы. Это исследование мы проведем отдельно для реакционной и абсорбционной зон, [c.299]

Интенсивность системы в кг/л в сутки [c.315]

Какое влияние на интенсивность системы в целом оказывает концентрация SO2 и Oj в обжиговых газах [c.332]

Как влияет повышение давления на интенсивность системы в целом [c.332]

Фридель Ф., Производство серной кислоты в интенсивных системах, Госхимтехиздат, М. 1933. [c.333]

Кузнецов. A..E., Сафронов В.В., Дмитриева И.А., Михайлюк А.И,, Манаков М.Н. Интенсивная система микробиологической деструкции фенола. Труды 3-го Международного конгресса "Окружающая среда для нас и будущих поколений экология, бизнес и экологическое образование". Самара-Астрахань-Самара, 6-13 сентября 1998 г. [c.241]

В соответствии с решением АО Башнефть на Акинеев-ском участке осуществляется промышленный эксперимент по площадному заводнению и на нем было выделено два опытных поля (рис. 9.2). Системы полей отличаются только плотностью размещения скважин. В технологической схеме разработки предусмотрена разработка южного поля с применением системы площадного заводнения при плотности сетки скважин 9 га/скв. по девятиточечной схеме их размещения. Главной задачей опытно-промышленных работ является испытание на южном поле более интенсивной системы разработки, чем на северном. [c.351]

Технологический процесс производства пленки методом экструзии с раздувом включает подачу сырья в экструдер, подготовку расплава и его фильтрацию, формование заготовки, формообразование пленочного полотна, его охлаждение, прием и, намотку [2]. Перечисленные стадии являются типичными для всех видов пленок. Процесс производства широких (более 600 мм) толстых пленок отличается от процесса получения обычных и тонких рукавных пленок (толщиной 0,03-0,3 мм) степенью раздува, диаметром формующей головки, а также более интенсивными системами охлаждения рукава. При переработке наполненных полимерных композиций (например, норплас-тов) существенное отличие имеется и в технологии подготовки расплава. [c.245]

В Институте микробиологии им. А. Кирхенштейна АН Латв. ССР создан ферментатор колонного типа с циклонным пе-ногасителем. В этом аппарате образуется интенсивная система циркуляции — жидкость пенится, пена заполняет пространство над поверхностью раствора, попадает в циклон, где снова пре- [c.91]

Плотность орошения башен равна 2—8 м /м ч, а кратность орошения в современных интенсивных системах составляет 30- 50 к г,а кг получаемой продукции. Нитрозность орошающих кислот достигает 9% НзОз, а азотооборот колеблется от 500 до 900 кг окислов азота (в пересчете на ННОз) на тонну продукта. (Азотооборот — это количество окислов азота, поглощаемых в башнях 4 и 5). Обычно потеря окислов азота возмещается тем, что в систему добавляют 10— [c.130]

В спектре SiN наблюдались две системы полос В 2 — Х Е" и СШ — Л П, расположенные в областях А,А,3800—5200 и 3200—5600 A соответственно. Система полос В Е — Х Е неоднократно исследовалась в испускании [2245, 2234, 2713, 2714, 2715, 2973] и была получена в поглощении Трешем [3988а] при изучении импульсного фотолиза смеси SI I4 и Ng. Менее интенсивная система полос С П —Л П исследовалась в испускании Малликеном [2973]. [c.667]

ВН. Основным электронным состоянием молекулы ВН является состояние В спектре испускания молекулы моногидрида бора наблюдались четыре системы полос синглетные системы Л П— [2636, 3195, 3989, 523], С 2 ЛШ, 0 2 ЛШ [1367] и система полос, связанная с переходом между триплетными состояниями — П [2636, 523]. В поглощении была получена только наиболее интенсивная система Л П — Х Е , появляющаяся в спектре при фотолизе диборана и при фотолизе ВС1з в присутствии водорода [3988а, 30386] 2. [c.702]

В 1938 г. Рочестер I3464] вновь исследовал спектр поглощения и испускания PbF в области 2300—6000 A на приборах с большой дисперсией. В спектре испускания наблюдалась одна система полос, интерпретированная автором [3464] как соответствующая переходу из S-состояния РЬР на верхнюю компоненту основного состояния X YI. В спектре поглощения было получено пять полос, соответствующих переходам с нижней компоненты состояния в возбужденные состояния В, С, D, Е я F. Три полосы наиболее интенсивной системы (В — X rii/J наблюдались также в испускании. По кантам полос Рочестер [3464] выполнил анализ шести систем и определил значения колебательных постоянных ряда состояний. Найденные им значения хорошо согласуются с полученными в предыдущих работах и приведены в табл. 289. [c.926]

Каждый из двух методов (Na/Li или Na/ l) можно использовать как для определения концентрации атомов водорода в пламени, так и в других случаях, обсуждаемых ниже. Важнейшее условие, необходимое при использовании подобных методик и в особенности при изучении кинетики реакций в пламени, заключается в их высокой чувствительности к изменению концентрации атомов водорода в ходе реакции. Этому условию как раз удовлетворяет методика спектральных полос меди, разработанная Булевичем и Сагденом [109]. Они заметили, что интенсивность системы полос вблизи 428 нм, обусловленная электронным переходом СиН(Л 2+ — А 2+), и широкой полосы в зеленой области спектра, отнесенной авторами к молекуле СиОН [41], пропорциональна концентрации атомов водорода в пламени, в то время как интенсивность резонансной дублетной линии атома Си при 325 нм не зависит от состава газа. Сагден [110] теоретически показал, что концентрация молекул АВ достигает равновесия относительно концентрации свободного атома А в результате двух процессов [c.239]

Гиббс и Огрызло [100] впервые описали полосатый спектр люминесценции в красной и ближней инфракрасной областях, который появлялся в микроволновом разряде в процессе рекомбинации атомов Вг в основном состоянии Полосы V 3, обусловленные переходом молекулы Вгг, находились в конце коротковолновой области спектра вместе с несколькими неидентифицированными полосами с большей длиной волны. Клайн и Коксон [101] наблюдали тот же самый спектр и пришли к заключению, что, кроме слабых полос В Г1д+ , он включает более интенсивные полосы, принадлежащие системе молекулы Вгг. Эта система очень широкая и занимает область от 6450 вплоть до 9800 А. Многие границы полос были такими же, как и полосы поглощения Вгг, отнесенные Дербиширом к крайне красной системе А — X. Для более длинных волн расхождение между границами полос поглощения и излучения постепенно увеличивается. Это отклонение указывает на необходимость пересмотра колебательных переходов этих полос поглощения. Эмиссионные полосы включают переходы с более низких колебательных уровней возбужденного состояния (у 1), чем наблюдалось в поглощении и позволяют, таким образом, надежнее оценить колебательные постоянные состояния Л П . Анализ системы А—Х в спектре послесвечения брома, проведенный с помощью прибора с высоким разрешением, должен дать легко интерпретируемые данные, которые нельзя получить из спектра поглощения Вгг, поскольку в нем слабая полоса А—Х сильно перекрывается более интенсивной системой — X 2 . [c.343]

Следует заметить, что в первом из выражений межмолекулярпые члены умножены на фактор Франка — Кондона. Это показывает, что в приближении первого порядка расщепление вибронного уровня пропорционально интенсивности именно данного вибронного перехода, а не суммарной интенсивности системы полос. Из вышеизложенного ясно, что такой подход применим только к переходам, для которых взаимодействие между молекулами не слишком велико. Причиной этого ограничения служит то, что если второй из трех матричных элементов в уравнении (48) сравним или превышает колебательный интервал между п-и и /п-м квантовыми состояниями колебания, то разделение этих состояний в кристалле будет сильно изменено. Можно сказать, что в таком случае система внутримолекулярных сил имеет большие дополнительные члены, обусловленные зависимостью электронной энергии кристалла от колебательного состояния молекулы, которые меняют не только колебательные частоты, но, возможно, также и равновесную конфигурацию молекулы в верхнем состоянии. Другими словами, можно сделать вывод, что в этом случае разделение по Борну — Опненгеймеру электронной энергии кристалла и колебательной энергии индивидуальных молекул неприменимо. При этом простой подход, ведущий к уравнению (48), оказывается уже непригодным. Во многих реальных случаях интенсивные переходы дают очень слабую тонкую колебательную структуру, и расчет, основывающийся на предположении о том, что переход происходит в чисто электронное верхнее состояние, приводит к приемлемому согласию с экспериментом, как это показано в разделе 1,5. В случае сильного взаимодействия, рассмотренного в статье [92], теория для колебательных эффектов полностью еще не разработана. [c.541]

Увеличение нитрозности кислоты сыграло наибольшую роль в интенсификации башенных систем. Чем выше интенсивность системы, тем больше должно быть содержание ННОз в нитрозе. При интенсивности системы 200—260 кг1м в сутки (при прочих равных условиях) содержание НЫОз в нитрозе, орошающей вторую башню, должно составлять 12—17%. [c.140]

Примерные расходные коэффициенты на 1 т башенной серной кислогы (считая на 100% Н2504) при интенсивности системы 220—260 /сг/ж в сутки [c.142]

Башни. При определении общего объема башен исходят из интенсивности системы, которую принимают в настоящее время ие менее 200 кг/м в сутки (в расчете на 100% Н2504). [c.142]

Мэзона и Норман 1140], Мэзона [136] и Боснича [20]. Сложная структура КД йг-[Н1(Ь1 ру)2рЬеп] + в области 32—35 кК, вероятно, является результатом взаимодействия между р-полосой фенантролина и интенсивной системой с низкой энергией дипиридила. Для полного отнесения этого спектра предстоит измерить КД при низких температурах. [c.315]

Чем больше интенсивность системы, тем меньше кратность орошения при одной и той же плотности орошения. При малой интенсивности системы для создания достаточной плотности срешения приходится повышать кратность орошения путем часп чио,-го орошения башен на себя . [c.274]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология