Сопротивление электрическое активное

В грунтовом электролите в условиях активной защиты всегда присутствуют ионы, способные восстанавливаться. Видимо, поэтому практически во всех анализируемых КСС не был обнаружен участок, параллельный оси абсцисс. Следует также отметить, что с увеличением напряжения КСС полное сопротивление электрической цепи несколько уменьшается, в том случае если сооружение имеет защитный потенциал. [c.36]

Электрическое активное сопротивление (сопротивление) К — величина, равная отношению напряжения и на концах проводника к силе тока I в нем [c.408]

Благодаря описанным явлениям на любом электрическом активном сопротивлении возникает напряжение теплового шума. [c.665]

Малые механические перемещения для усиления их удобно преобразовать в изменения электрических сопротивлений (омическое, емкостное или индуктивное), чтобы после дальнейшего преобразования сопротивлений в активные электрические сигналы (э. д. с., ток) и их усиления получить снова перемещение, но уже большее по значению и по мощности. [c.65]

Активное сопротивление электрического поля электрофильтра можно определить из выражения [c.216]

Для обеспечения спокойной работы электрофильтра (без частых дуговых разрядов в междуэлектродных промежутках) необходимо соблюдать следующее условие активное сопротивление электрического питающего агрегата должно составлять не менее 30—40% от активного сопротивления электрофильтра [c.216]

Этот элемент очень трудно поддается очистке, поэтому марочный кремний ценится дороже германия, хотя исходное кремниевое сырье почти что ничего не стоит и кремния в нем очень много. Между тем к чистоте кремния полупроводниковая техника предъявляет особо высокие требования. Если ее удовлетворяет германий, содержащий электрически активных примесей 10 —10 в 1 сж , то кремний должен быть на два порядка чище. Особо чувствительны электрические свойства кремния к примесям В, Р, А1, Ре, N1, Сц. Чтобы иметь кремний собственной проводимости, надо снизить концентрацию этих примесей до менее 10 ° в 1 сл удельное сопротивление такого образца будет равно 230 ООО ом см. [c.182]

Изолирующий слой, образуемый миелиновой оболочкой, резко уменьшает емкость мембраны аксона и одновременно почти полностью предотвращает утечку тока через нее. Между двумя соседними сегментами миелина остается узкий незащищенный участок мембраны (рис. 19-14). Эти так называемые перехваты Ранвье шириной всего лишь около 0,5 мкм являются центрами электрической активности. Почти все натриевые каналы аксона сосредоточены в перехватах, где плотность этих каналов достигает нескольких тысяч на 1 мкм, тогда как в участках, прикрытых миелиновой оболочкой, их почти вовсе нет. Поэтому изолированные участки мембраны не способны возбуждаться, но обладают превосходными кабельными свойствами - низкой емкостью и высоким сопротивлением для утечки тока. Поэтом> токи, связанные с потенциалом действия в области перехвата, эффективно направляются путем пассивного проведения к следующем) перехвату, быстро деполяризуют мембрану и возбуждают очередной потенциал действия. Такое проведение называют сальтаторным - сигнал распространяется вдоль аксона, перескакивая с одного перехвата на другой. Миелинизация дает два главных преимущества быстрее распространяется потенциал действия и сберегается метаболическая энергия, так как активное возбуждение происходит лишь на небольших участках в перехватах Ранвье. [c.303]

Почти во всех существующих моделях электрическую активность органов и тканей сводят к действию определенной совокупности тюковых электрических генераторов, находящихся в объемной электропроводящей среде. Эквивалентная схема токового генератора в проводящей среде представлена на рис. 65. Токовый генератор имеет высокое внутреннее сопротивление Я, во много раз превосходящее сопротивление внешней нагрузки (среды) / о. По закону Ома для полной электрической цепи / = / = = Е/(/ -Ь / о) где / и /о — сила тока в генераторе и суммарного тока в среде Е — э. д. с. генератора. Поскольку [c.173]

Электрическая схема блока датчика представляет собой измерительный четырехплечий мост. Чувствительные элементы выполнены в виде цилиндров из окиси алюминия с резьбой, по которой уложена платиновая нить, служащая в качестве нагревателя и термометра сопротивления. Чтобы окись алюминия была каталитически активной, ее пропитывают раствором хлористого палладия, который при обработке восстанавливается до металлического с мелкозернистой структурой. [c.261]

В мостике переменного тока достигнуть полного равенства потенциалов в точках С и О нельзя, потому что в цепи переменного тока, кроме активного омического сопротивления Я существует реактивное сопротивление Ясь- Последнее состоит из сопротивления емкости /шС и индуктивного соЬ, где со — частота переменного тока С — емкость Ь — индуктивность 1-= — 1 — оператор, соответствующий сдвигу фаз между током и напряжением на 90°. Полное сопротивление (импеданс) ветви 2 / с, L. Равновесие в этом случае определяется отношением не сопротивлений, а импе-дансов 2м/2л = / г. Чтобы добиться полного равенства потенциалов в точках С и О, нужно по мере возможности устранить реактивные сопротивления в отдельных ветвях измерительного контура. Для этого следует брать короткие соединительные провода, контакты тщательно зачищать и припаивать, ветви мостика экранировать, а экран заземлять. Однако все эти меры не устраняют емкостного сопротивления электрической ячейки. [c.190]

Легирование П м может быть осуществлено также путем радиац воздействия на кpи тaлJ , когда в результате ядерных р-цнй с участием собств атомов в-ва образуются электрически активные прнмесн Нанб интерес для радиац легирования представляет воздействие тепловыми нейтронами, к-рые обладают большой проникающей способностью, что обеспечивает повыш однородность легирования Концентрация примесей, образующихся в результате ней-гронного облучения, определяется соотношением N = = Л оа.С.ф/, где Яд-кол-во атомов в единице объема П м, а,-сечение поглощения тепловых нейтронов. С,-содержание (%) соответствующего нуклида в естеств смеси, ф-плотность потока тепловых нейтронов, /-время облучения Легирование облучением тепловыми нейтронами обеспечивает строго контролируемое введение заданных концентраций примесн и равномерное ее распределение в объеме кристалла Однако в процессе облучения в кристалле образуются радиац дефекты, для устранения к-рых необходим последующий высокотемпературный отжиг Кроме того, может появиться наведенная радиоактивность, требующая выдержки образцов после облучения Легирование облучением тепловыми нейтронами обычно используют для получения однородею легированных фосфором монокристаллов 1 с высоким уд электрич сопротивлением В данном случае происходят след ядерные р-ции [c.62]

Наряду с этим изучалось влияние термобарической обработки на электрическое сопротивление монокристаллов алмаза. Сопротивление образцов определялось мостом Р4053 или с помощью измерителя малых токов ИН Т-0,5. Установлено, что нелегированные и легированные бором (р-тнп проводимости) кристаллы не изменяют своего сопротивления до температуры 2070 К при длительности отжига до 2 ч. В то же время электрическое сопротивление легированных Л -образцов (п-тип проводимости) с увеличением температуры отжига с 1770 К до 2120 К и при длительности ее воздействия 2 ч увеличивается на два-три порядка (до 10 —10 з Ом-м), но не достигает еще уровня нелегированных ( 10 Ом-м). Возможно, отсутствие в природе кристаллов алмаза с электронным типом проводимости и объясняется низкой термической стойкостью соответствующих электрически активных дефектов. [c.438]

Электрические свойства монокристаллов иттрий-алюминиевых гранатов. Высокой чувствительностью к физическим и химическим неоднородностям в кристаллах, к точечным и линейным дефектам ири условии их электрической активности обладают электрические характеристики удельная, относительная диэлектрическая постоянная е, и их функциональные зависимости от температуры. Перечисленные свойства изучались во ВНИИСИМСе [36]. С целью измерения электрических свойств кристаллов граната образцы подвергались металлизации платиной катодным распылением на установке УВР-2. Измерение удельного сопротивления осуществлялось методом Бронсона с использованием электрического усилителя ВК2-16 и лабораторной измерительной ячейки. [c.196]

СВОЙСТВ. Так, халькогенидные стекла благодаря прозрачности в ИК-области спектра, высокому сопротивлению и фоточувствительности применяют для изготовления электрофотографических пластин. У аморфных полупроводников ярко выражен эффект электрического переключения из высокоомного состояния в низкоомное и обратно, что позволяет создавать элементы со временем срабатывания 10 си менее. Полупроводниковые материалы применяют, в частности, при изготовлении варисто-ров — активных нелинейных сопротивлений, электрические характеристики которых зависят от напряженности электрического поля [76]. Варисторы практически безынерционны и симметричны — при перемене полярности остаются симметричными. [c.248]

При изучении кристаллов алмаза, полученных из шихты, содержащей Аз, установлено, что влияние этой примеси на полупроводниковые свойства образцов устойчиво проявляется только при одновременном присутствии в шихте и технологических добавок, обеспечивающих скорость роста кристаллов не более 1,7- 10 м/с. Очевидно, такие условия, при которых формируются практически безазотные кристаллы (см. гл. 18), и способствуют образованию в них электрически активных дефектов с участием атомов мышьяка. Легированный мышьяком в процессе роста алмаз обладает п-типом проводимости и удельным сопротивлением при ЗООК от 10 до 10 Ом м. На образцах с большим сопротивлением определить тип проводимости известными способами ие удается. На рис. 168 наблюдаются отчетливая корреляция между сопротивлением кристаллов и содержанием легирующей примеси в шихте, а также слабая анизотропия проводимости пирамид роста <111> и <100>. На температурных зависимостях сопротивления кристаллов п-типа проводимости имеются пологие участки, соответствующие энергии активации 0,008—0,03 эВ в низкотемпературной области и 0,25—0,58 эВ в высокотемпературной, что также можно объяснить наличием примесной зоны. [c.458]

Обычно математическое соотношение, на котором основана теория метода, является уравнением некоторого физического процесса. В зависимости от того, какой физический процесс используют, методы исследований подразделены на газодинамические (наблюдения за движением газа), акустические (наблюдения за распространением звуковых волн, возникаюпщх при движении газа и жидкости в пористой среде) и геофизические (наблюдения за электрическим удельным сопротивлением, электрохимической активностью, тепловым сопротивлением, начальной восприимчивостью естественной радиоактивности и др.). [c.106]

Основным свойством ионитовых мембран является ик электрохимическая активность. Это означает, что, будучи помещенными в электролитическую ванну в качестве перегородки, они не оказывают большого сопротивления электрическому току и при этом обладают способностью существенно изменять числа переноса соответствующих ионов. Так, например, катио-н итовая мембрана не оказывает лрепятствия прохождению через нее катионов (числа переноса катионов через мембрану близки к единице), в то время как перенос электричества анионами через такую мембрану практически выражается величиной, близкой к нулю. На анионитовой мембране наблюдается обратная картина. [c.143]

Химически активная сре- Снижение сопротивления электрической изоляции да приводит к ее пробою и возникновению замыка- [c.12]

В процессе нагрева заготовки изменяются значения тока и сопротивления. Изменение активного сопротивления происходит вледствие увеличения с температурой удельного электрического сопротивления, явления поверхностного эффекта и потерь на перемагничивание. 100 [c.100]

В теории пространственной решетки Манегольд, Гофман и Зольф [46], а также Энгельгардт [47] исследуют систему равных шариков, между которыми образуется капиллярная решетка. Последняя влияет на электрическое сопротивление следующим образом. Все имеющиеся в диафрагме капилляры можно разделить на две категории. К первой категории относятся главные капилляры, идущие от одной поверхности диафрагмы к другой в направлении электрического тока. Эти капилляры соответствуют в грубом приближении эффективному количеству электролита и, следовательно, электропроводности его. Ко второй категории относятся побочные капилляры, связанные с главными. Побочные капилляры, создавая контакт между главными, могут соединять участки главных капилляров эквипотенциальные и с разными потенциалами. В первом случае побочные капилляры совершенно не оказывают влияния на электрическое сопротивление, во втором случае они электрически активны, в результате чего электропроводность системы увеличивается, причем тем значительнее, чем выше разность потенциалов между соединенными точками. [c.43]

Отжиг в течение 30 мин при Т = 850°С в воздухе также уменьшает удельное сопротивление легированных пленок поликремния за счет перевода атомов легирующей примеси в электрически активное состояние. Скорость осаждения пленок поликремния легированных фосфором и мышьяком уменьшается с увеличением потоков РН и AsH , тогда как скорость осаждения пленок Si [B] повышается с увеличением потока [c.116]

В дальнейшем происходит адсорбция молекул и ионов и активное поступление их в цитоплазму, которое осуществляется путем обмена ионов Н+ и НСОз , выделяемых в процессе дыхания цитоплазмой, иа адсорбированные анионы и катионы, или перенесение адсорбированных ионов и молекул с помощью-переносчиков в глубоколежащие слои цитоплазмы, где они включаются в метаболизм. При этом анионы поглощаются рас- тениями против градиента электрохимического потенциала, что-требует определенной затраты энергии, а катионы поступают без сопротивления электрических сил. [c.307]

При регистрации электрической активности мозговой ткани измеряют изменения потенциалов между тонкопленочными электродами и большим электродом сравнения. Во время измерений ток необходимо минимизировать во избежание раздражешя ткани. Это означает, что кристаллизационные и химические процессы на электродных поверхностях можно исключить, и эквивалентная схема, представляющая границу раздела электрод - электролит, сводится к комбинации КС. Сопротивление К и емкость С этой цепи можно определить путем вольтамперометрических измерений. Чтобы полученные результаты можно было сравнивать с импедансом больших электродов [c.308]

Использование электродных аналогов двойного электрического слоя электрода под током, простейшие из которых представлены на рис. 14.1, позволило разработать методы экспериментального разделения общей поляризационной емкости на ее слагаемые. Методы эти, однако, являются ирибллженными, так как двойнослойная и псевдоемкость взаимосвязаны и изменение одной приводит к изменению другой. Тем не менее они нашли широкое применение и дали возможность получить ценную информацию о поведении границы раздела электрод — электролит в условиях электродной йоляризации. Наиболее часто используются мостовые и другие схемы на переменном токг, которые позволяют находить величину, называемую импедансом 2 и характеризующую полное сопротивление (активное — R и реактивное — С) электрической цепи переменному току. Для цепи, моделирующей электрод, импеданс определяется уравнением [c.289]

Количество энергии, затрачиваемой на выполнение полезной работы, определяют по экспериментально найденным зависимостям силы пли момента сил технологического сопротивления от линейного или углового перемещения. Количество энергии, потребляемой электродвигателем из электрической сети, определяют с помощью счетчика активной энергии, который гюдключают через трансформатор тока к линии, питающей привод машины. При расчете энергии, отданной электродвигателем маип1ие, необходимо результат изме-, рения энергии, потребленной от сети, умножить на КПД электродвигателя при данной нагрузке. [c.21]

Процесс сварки труб из центробежнолитых трубных заготовок отличается рядом особенностей вследствие специфических свойств аустенитных хромоникелевых сталей. Аустенитная сталь типа НК-40 характеризуется электрическим сопротивлением, примерно в 5 раз большим, чем обычных углеродистых сталей, и низкой теплопроводностью металла, что определяет выбор методов и режимов сварки. Химический состав хромоиикелевых сталей также оказывает влияние на происходящие металлургические процессы сварки. Высокое содержание хрома в сплаве делает его взаимодействие с кислородом и рядом оксидов (МпО п 5102) достаточно активным, что вызывает интенсивные марган-цево-кремневосстановительные процессы, сопровождающиеся окислением значительных количеств хрома. Другие элементы, входящие в жаропрочный сплав (Ре, N1, Мп, 51, 5, Р, N и др.), при сварке могут образовывать различные эвтектики, карбиды, нитриды, интерметаллиды. Образование в металле новых фаз вызывает появление структурных напряжений, особенно металлов центробежнолитых трубных заготовок с характерной анизотропной дендритной структурой. Наконец, при сварке в результате воздействия высоких температур происходит укрупнение зерен в структуре металла и его разупрочнение при комнатной температуре, что ухудшает эксплуатационные свойства труб. [c.33]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология