Рассеяние размеров деталей

Поскольку размеры деталей имеют рассеяние, а отклонения в размерах относятся к случайным величинам, в отношении первичных производственных ошибок можно пользоваться всеми правилами теории вероятностей. В теории вероятностей основными вероятностными характеристиками случайных величин приняты [c.17]

Метод фазового контраста применяют для наблюдения объектов или деталей, отличающихся от окружающей среды только показателем преломления. Фазы электромагнитных волн падающей и рассеянной на границе среды или неоднородности отличаются на л/2. Если добавить сдвиг фазы еще п/2, то незначительная разность фаз волн от объекта за счет перепада коэффициента преломления преобразуется в относительно большое приращение интенсивности вследствие интерференции падающего и рассеянного света. Необходимый дополнительный сдвиг фаз можно получить, помещая в задней фокальной плоскости объектива небольшую пластину, через которую будет проходить только прямой свет, а дифрагированным светом, прошедшим через нее, ввиду малости размеров можно пренебречь. [c.264]

В связи с тем, что практическое рассеяние размеров деталей отличается от нормального закона распределения, оно характеризуется коэффициентами относительного рассеяния Ki и относительной асимметрии а,. Их значения зависят от точности выполнения при изготовлении деталей таблеточной машины и должны быть определены для каждого завода-изгото-вителя индивидуально либо могут быть заимствованы [c.107]

РАССЕЯНИЕ РАЗМЕРОВ ДЕТАЛЕЙ [c.11]

А = 0,5 (ВО + НО). Характеристик б и Д совер-щенно недостаточно для определения характера рассеяния размеров деталей. В связи с этим вернемся к характеристикам МХг и Ох , дающим достаточно полную картину распределения отклонений размеров. [c.20]

На основании рис. 11 верхняя и нижняя границы мгновенного поля рассеяния размеров деталей соответственно [c.87]

Рис. 2. Поле рассеяния размеров партии деталей

Для определенных условий технологического процесса, например, при обработке партии деталей на станке рабочий, чтобы не допустить непоправимый брак, старается уменьшить вероятность выхода размера детали за нижнюю границу допуска. В этом случае кривая рассеяния размера получается в виде асимметричной кривой с центро.м группирования, смещенным в сторону нижней границы допуска на размер. [c.31]

В большинстве случаев причины возникновения погрешностей проявляются случайно. Отклонения являются следствием совокупности действия всех возможных причин. Поэтому отклонения представляют собой случайные величины и рассеяние действительных размеров деталей определяется законами теории вероятностей. [c.11]

При рассмотрении образца в обычном световом микроскопе рассеянный объектом свет фокусируется объективом, благодаря чему формируется увеличенное изображение (рис. 20.1). При рассеянии от образца световых волн они претерпевают фазовые изменения, и линзы объектива, фокусируя их, сохраняют полученное после рассеяния соотношение фаз. Благодаря этому при рекомбинации лучей формируется изображение объекта (рис. 20.2). Разрешение, т. е. минимальный размер деталей, воспроизводимых в таком изображении, ограничен длиной волны используемого света (обычно 600 нм). Более мелкие де- [c.530]

Поле рассеяния размеров выходит за обе границы поля допуска при этом q =0, 2 7 О и одна часть деталей идет в брак исправимый, другая часть — в неисправимый (рис. 5, ). [c.81]

Рис. 7. График точности обработки деталей при изменении уровня настройки по степенной зависимости и постоянному мгновенному рассеянию размеров

Повышение качества доведенных поверхностей достигается посредством предварительной селекции деталей интервал рассеяния размеров в партии одновременно обрабатываемых деталей (станко-партия) должен быть не более i/з припуска под доводку. [c.445]

Если обработать партию деталей на станке и измерить размер каждой детали или время на ее обработку, то нетрудно будет увидеть, что у всех они будут разными. Там, где у двух деталей окажется совпадение, например, по размеру, оно объясняется погрешностями измерения. Если же измерить с большей точностью, то удается уловить разницу между размерами. Описанное явление получило название явления рассеяния. [c.29]

Задача настройки системы СПИД - получение возможно большего числа годных деталей, обработанных до первой поднастройки системы СПИД. Для решения этой задачи необходимо, чтобы мгновенное поле рассеяния погрешности обработки партии деталей имело определенное положение относительно границ поля допуска (рис. 1.80, а). Размер, к достижению которого необходимо стремиться при настройке системы СПИД, получил название рабочего настроечного размера Ар (рис. 1.80, в). [c.127]

На практике в большинстве случаев можно пренебречь затуханием звука в нелегированных и низколегированных стальных отливках, если контроль проводится на частотах 1 и 2 МГц [386]. Для серого чугуна на рис. 27.8 показана зависимость коэффициента затухания звука в зависимости от частоты (при пластинчатом графите, шаровидном графите и ферритоперлитной структуре). Ввиду различных размеров графитовых включений при разных скоростях охлаждения получается представленная зависимость от толщины стенки. В общем можно -сказать, что для чугуна с пластинчатым графитом при высоких значениях временного сопротивления разрыву контроль вполне возможен благодаря более тонким графитовым включениям. Однако его возможности ограничиваются вследствие рассеяния и затухания на крупных и многочисленных графитовых пластинах. Для таких деталей, например станин станков, стоек и т. п., ультразвуковой контроль обычно и не требуется. [c.515]

В реальных условиях фактические кривые рассеяния, как правило, отличаются от кривой нормального распределения и нередко очень существенно. Объясняется это тем, что факторы, вызывающие отклонение выходного показателя, значительно отличаются один от другого по величине и степени воздействия. Рассмотрим некоторые характерные случаи (рис. 1.13). Из рис. 1.13 видно, что на участке а-а в результате действия многочисленных факторов рассеяние полученного размера подчиняется закону нормального распределения, а на участке а-б точечная диаграмма смещена на величину И, что обусловлено действием систематического фактора. Примером может служить процесс развертьшания отверстий в деталях, когда сломанную развертку заменяют новой, имеющей другой фактический дааметр. Если для выборки о-б построить кривую рассеяния, то она будет иметь двугорбый вид. На участке б-в наблюдается систематическое изменение размера, близкое к линейному. Примером является действие изнашивания шлифовального круга. Кривые рассеяния для выборки на участке б-в будут подчиняться закону равной вероятности. Для участка в-г характерно влияние доминирующего случайного фактора. Например, если среди заготовок оказалась партия заготовок, полученных на другом уже изношенном штампе, имеющем большие размеры, то эта партия заготовок будет иметь больший разброс припуска. [c.31]

Вторая важнейшая причина светорассеяния состоит в появлении нерегулярностей, вследствие роста и агрегирования кристаллитов непосредственно на поверхности пленки или вблизи от нее (см. рис. 1,6 и 1,г) волокнистость структуры пленки, связанная с кристаллизацией, видна на фотографии, сделанной при помощи электронного микроскопа (см. рис. 1,г). Эти кристаллиты искажают поверхность пленок. Количество и величина подобных дефектов, определяющих светорассеяние, зависит от плотности полиэтилена, размера частиц и скорости роста кристаллитов при охлаждении и вытяжке. На рост кристаллитов влияют такие показатели процесса шприцевания, как градиент температур при охлаждении пленки, расстояние от головки до линии затвердевания расплава и продолжительность охлаждения. Определенную роль играет также ориентация, а поэтому и степень раздува (отношение диаметра раздутого рукава к диаметру кольцевой щели головки), величина зазора в головке и т. д. Характер кристаллизации оказывает влияние не только на поверхностное, но и на внутреннее светорассеяние, происходящее на границах сферолитов (узкий угол рассеяния) и между кристаллитами (широкий угол рассеяния). Именно межкристаллитным светорассеянием объясняется полупрозрачность деталей в толстых сечениях (отливок). Однако коэффициент преломления на внутренних оптических неоднородностях изменяется незначительно. Поэтому в случае тонких пленок доля внутреннего светорассеяния в общей мутности обычно невелика. Это не всегда так в случае пленок, изготовленных из полиэтиленов высокой плотности. Соотношение между внутренним и общим светорассеянием иллюстрируется рис. 2. [c.257]

Рентгеновские лучи рассеиваются неоднородностями вещества точно так же, как видимый свет рассеивается порошком или парами воды. Если неоднородности имеют коллоидные размеры, рассеяние происходит в пределах очень малых углов по отношению к первичному пучку падающих рентгеновских лучей. Точная картина рассеяния зависит от размеров, формы и расположения неоднородностей коллоидных размеров, т. е. от морфологического строения системы. Таким образом, исследование деталей рассеяния под малыми углами от полимеров позволяет в какой-то степени выяснить морфологическое строение этих веществ. Однако следует различать абсолютную интенсивность рассеяния под малыми углами и угловое распределение интенсивности. Эти два показателя обусловлены совершенно различными свойствами, и их можно обсуждать раздельно, однако существуют некоторые структурные характеристики, которые можно получить только из комбинации этих данных. [c.195]

Технологический процесс обработки деталей изучен и известны функции распределения погрешностей размера и формы или же коэффициенты относительной асимметрии и относительного рассеяния погрешностей размера и формы (a ,, /Ср, аф, Кф). [c.115]

Для характеристики рассеяния размеров деталей разработаны, в основном советскими учеными, теоретические схемы законов распределения производственных погрешностей. Эти законы отражают главнейшие условия возникновения погрещностей. Дл1Я подробного ознакомления с данным вопросом рекомендуется обратиться к работам [9], [12] и [13]. Ниже приводятся лишь основные сведения о законах распределения погрешностей, заимствованные главным образом из работы [9]. [c.12]

Технологический допуск - это допуск, определяемый пределами рассеяния размеров деталей при их изготоштении с учетом экономически достижимой точности для данного материала и данного метода формования шш обработки деталей из пластмасс. Экономичное изготовление пластмассовых деталей возможно в тех случаях, когда назначаемый по ГОСТ 25349-88 конструкторский допуск не больше технологического. [c.466]

Диффузное рассеяние рентгеновских лучей растворами макромолекул дает прямую информацию о распределении рассеивающих объектов. Диффузное рассеяние есть суммарное рассеяние на беспорядочно расположенных отдельных макромолекулах, тем самым в нем усредняются интенсивности рассеянного света по всевозможным ориентациям макромолекулы. Чем больше углы рассеяния, тем меньше размеры деталей структуры, на которых происходит дифракция рентгеновских лучей. Под малыми углями рассеянии изучается общее строение макромолекул в растворе, а под средними и больпшыи — особенности их внутреннего строения. [c.136]

Условия стабильности кинематико-геометрической характеристики. Процесс генерации поверхности при обработке партии деталей нельзя провести с абсолютным совпадением многочисленных независимых параметров обработки для каждой детали из партии, поэтому при формообразовании ставится задача не получения абсолютной повторяемости качества, а создания качества в определенных допускаемых пределах рассеяния. Величина допуска при этом представляет собой допустимую величину поля рассеяния размера. Точность выполняемого размера зависит в конечном счете от точности прогнозирования действительного значения межэлектродного зазора. Форма связи зазора с основными параметрами обработки в виде [c.97]

В обычных условиях при большой напряженности поля и относительно малых размерах изделий чувствительность датчика будет меньше, чем при больших размерах деталей. Обычно магнитная индукция изделий непропорциональна напряженности магнитных полей. Можно добиться более высокой чувствительности датчиков, если их заключать в магнитный экран, что и сделано в приборах КТП-2М. При этом образуются концевые магнитные поля, служащие экранирующим полем датчиков. Чувствительность прибора КТП достигается наличием экрана, устраняющего рассеяние магнитного потока внутреннего стержня датчика. Схема прибора проста и не требует ни генераторов в. ч., ни усилителей низкой частоты требуется только стабилизация напряжения питания. В комплект прибора входят датчик, стабилизатор напряжения и измерительный блок с рукоятками управления. Габариты прибора 150Х150Х X150 жж вес прибора 2,6 кг. [c.224]

Из табл. 4.3 видно, что расчетные контактные давления в местах посадки бочек валков на оси значительно превышают 30...40 МПа и, следовательно, их изменения из-за рассеяния посадочных размеров деталей в пределах допусков не вызовут изменения уровней концентрации напряжений. Следует также принять во внимание, что ось длиннее бочки валка и выступающие части оси затрудняют ее деформирование, поэтому действительные давления по краям бочки будут больше приведенных табличных значений, вычисленных по формуле Ляме. [c.100]

Пределом разрешающей способности обычного светового микроскопа является диаметр частиц около 0,2 мк, но при этом размере уже нельзя разобрать деталей формы. В ультрафиолетовом микроскопе Брумберга нижний наблюдаемый размер, который, как известно, тем ниже, чем короче длина применяемых волн, может быть доведен до 0,1 мк. Однако для коллоидных частиц эти пределы слишком грубы. Используя явление тиндалевского рассеяния света, В. Зигмонди (1903) сконструировал ультрамикроскоп, в котором при наблюдении в темном поле могут быть обнаружены рассеивающие частицы размером всего до 17 ммк, но при этом изображение частиц представляется лишь в виде дифракционных пятен непосредственно определить форму и истинные размеры частиц этим путем невозможно. [c.62]

Метод механической маски. При использовании этого метода применяются металлические маски, изготовленные из нержавеющей стали или никеля, на которые напылен титан. Для получения требуемого рисунка катодным распылением необходима особо плотная посадка маски на подложку, поскольку при наличии щели между маской и подложкой диффузный поток атомов проникает в щель и, осаждаясь на подложке, дает размытый рисунок деталей микроэлементов. Это происходит из-за больших размеров источника распыления, а также в результате рассеяния некоторой части распыляемых атомов. [c.63]

Органическое стекло с рельефным рисунком используется главным образом для изготовления деталей светильников с хорошим рассеянием света. Чтобы получить приятное неослепляющее освещение, дающее возможно меньще резких теней, свет от нити лампы накаливания должен равномерно рассеиваться по всей поверхности колпака лампы. Колпаки светильников до недавнего времени обычно делали из молочно-опаловых стекол, в том числе и органических, характеризующихся малой плотностью и отличной формуемсстью. Они не обеспечивали, однако, нужного рассеяния света, и при небольших размерах светильников через них была видна нить накала. Коэффициент рассеяния света у органических стекол можно увеличить путем введения большего количества пигмента, но при этом существенно снижается светопроницаемость, играющая в данном случае особенно важную роль. [c.224]

Электронная микроскопия и рентгенография. Пределом разрешающей способности обычного светового микроскопа является диаметр частиц около 0,2 х, по при этом размере уже нельзя разобрать деталей формы. В ультрафиолетовом микроскопе Брумберга нижний наблюдаемый размер, который тем ниже, чем короче длина применяемых воли, может быть доведен до 0,1 [х. Однако для коллоидных частиц эти пределы являются слишком грубыми. Используя явление тиндалевского рассеяния света, Зигмонди (1903) разработал ультрамикроскоп, в котором при наблюдении в темном поле могут быть обнаружены рассеивающие частицы размером до 17 т и, по при этом изображение частиц представляется лишь в виде дифракционных пятен. Непосредственно определить форму и истинные размеры частиц этим путем невозможно. В последние годы основное значение для наблюдения размеров и формы коллоидных частиц и некоторых макромолекул получил электронный микроскоп, в котором применяются пучки электронов с длиной волны всего 0,02— 0,05 А. Ход электронного пучка в электронном микроскопе одинаков с ходом световых лучей в обычном микроскопе, но фокусировка пучка производится не оптическими, а магнитными или электростатическими линзами. Изображение рассматривается па флуоресцирующем экране или фотографируется на пластинке, причем снимок может быть затем увеличен. Разрешающая способность электронного микроскопа достигает 10—15 А, а полное увеличение превыпшет 100 ООО раз. Этим путем были изучены размеры и форма частиц многих лиофобных коллоидов, аэрозолей, молекул различных полимеров, вирусов и др. На рис. 78а приводится электроипомикроскоиический снимок молекул вируса табачной мозаики. [c.203]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология