Кадмия арсениде

Теллурид кадмия Арсенид галлия Фосфид индия Антимонид индия [c.210]

Замещая часть атомов мышьяка в арсениде галлия атомами селена или теллура, можно получить образцы с электронной проводимостью, а при замещении части атомов галлия цинком или кадмием получаются образцы с дырочной проводимостью р-типа (см. гл. IX). [c.142]

Арсенид и фосфид кадмия, Киш,, 1976. [c.230]

Аналогичный метод использован для определения кадмия в арсениде галлия [742]. [c.138]

Показано, что измельчение кристаллов увеличивает скорость сублимации хлористого натрия и арсенидов пинка и кадмия, а процессы сглаживания поверхности уменьшают скорость сублимации веществ. Несмеянов [66] приводит также случаи влияния на теплоту и скорость испарения размеров кристаллов, чистоты поверхности, испарения с различных граней монокристалла. Уменьшение скорости испарения может происходить в случае химических превращений или изменения межатомных расстояний, сопровождающих переход вещества в пар. [c.76]

ХИМИКО-СПЕКТРАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ МЕДИ, КАДМИЯ, ЦИНКА, СЕРЕБРА, СВИНЦА И ЗОЛОТА В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ [c.159]

Главным объектом электрохимии полупроводников до сих пор остается германий. Значительно менее подробно исследованы кремний, сульфид кадмия, окись цинка, арсенид галлия. В последние годы внимание исследователей привлекают окись никеля, фосфид галлия и некоторые другие материалы. [c.12]

Среди сравнительно новых объектов исследования электрохимии полупроводников можно назвать бинарные полупроводниковые материалы двуокись титана 477, 78], танталат калия [791, селенид и теллурид кадмия [80], окись никеля [81, 82]. Параллельно продолжалось дальнейшее исследование окиси цинка [83—86], сульфида кадмия [87, 88], арсенида и фосфида галлия [89, 90]. [c.19]

В заключение упомянем об изучении природы квазиравно-весной (т. е. не связанной с протеканием каких-либо электрохимических реакций) фото-э.д.с. на бинарных полупроводниках с широкой запрещенной зоной. Тягаем [921 на сульфиде кадмия, а затем Елецким [93, 94] на арсениде и фосфиде галлия было показано, что фототок связан с разделением инжектированных светом электронов и дырок в электрическом поле. Фото-э. д. с. можно представить как результат заряжения этим фототоком поверхностной емкости полупроводника. Таким образом, из фотоэлектрических измерений можно получить значения дифференциальной емкости и параллельного сопротивления электрода. [c.20]

Описаны методики определения серебра в солях щелочных и щелочноземельных металлов , свинца , тиомочевине в металлическом кадмии, свинце З 7 -79 олове, мышьяке, арсениде галлия , гальванических покрытиях . [c.45]

Химические соединения, такие как селенид кадмия и сульфид кадмия, арсенид индия и т.д., содержащие некоторые добавки (например, германий, иод), обычно в количестве порядка нескольких процентов, предназначенные для использования в электронике, независимо от того вьшолнены ли они в форме цилиндров, прутков и т.п. или разрезаны на диски, пластины или близкие к ним формы. [c.389]

Зонную плавку используют для удаления атомов примесей из кристаллов простых веществ (германий, кремний, теллур, металлы), а также соединений при условии, что они плавятся без разложения (например, антимонид сурьмы, хлористый натрий [13], тройные соединения [14]). Если соединения разлагаются с выделением летучего компонента, то их все же можно подвергать зонной плавке, если предотвратить разложение, поддерживая во всей системе соответствующее давление пара данного компонента. Для этого слиток помещают в запаянную кварцевую трубку [15]. Соединение начинает диссоциировать, но образующийся при этом пар препятствует дальнейшему течению процесса. Совершенно очевидно, что температура всей трубки должна быть достаточно высоко й, чтобы не происходило конденсации летучего компонента, т. е. выше те мпературы, при которой чистый компонент имеет давление пара, равное тому, которое поддерживается в системе. Указанный метод используется для проведения кристаллизации арсенида галлия, фосфида индия [15], хлористого и бромистого серебра [16]. В более сложной установке используется двухтемпературная печь при этом давление пара летучего компонента регулируется путел нагревания в одном из концов трубки некоторого количества этого компонента до температуры, соответствующей заданному давлению пара (рис. 1.8) [17]. Необходимо принять специальные меры, чтобы поддерживаемая температура чистого компонента была самой низкой температурой системы. Такую методику применяли, например, при кристаллизации сульфида свинца, теллурида кадмия, арсенида галлия [17]. Наконец, для поддер- [c.18]

Когда образуется твердый раствор на базе химического соединения, например арсенида галлия, атомы магния или кадмия замещают атомы галлия, но не мышьяка атомы фосфора, селена и теллура,наоборот, замещают атомы мышьяка, но не галлия. Возможность такого замещения сильно зависит от типа связи, от размеров и ЭО атомов заместителей и замещаемых. В решетках соединений типа А" Б связи между атомами ковалентные полярные, и неметаллические атомы замещают атомы В, а металлические атомы замещают атомы А. В этих решетках атомы А не замещаются атомами В и наоборот однако в решетках с металлическими связями между атомами подобные замещения возможны. Например, в, интерметаллическом соединении Al o возможно частичное замещение атомов алюминия (г = 1,43 А) атомами кобальта (г — 1,25 А) и наоборот. В результате образуются твердые растворы на базе этого соединения состава Ali t oi ) или [c.144]

О теллуридах ртути и кадмия говорилось в гл. XI, 6. Весьма интересным полупроводником является стибид цинка 2п5в. Он имеет дырочную проводимость и служит хорошим материалом для изготовления термоэлементов для термобатарей и термоэлектрогенераторов. Кроме ZhSb, известны и другие стибиды цинка, а также стибиды, арсениды и фосфиды цинка и кадмия, также являющиеся полупроводниковыми материалами. [c.365]

Методы инверсионной вольтамперометрии находят широкое применение для определения Sb в различных материалах, в том числе в чугунах, железе и сталях [1348, 1575], меди и медных сплавах [87, 116, 526, 569, 1348, 1575,1585], олове[221, 222, 224, 225, 242, 318, 526], алюминии [131, 132, 731, 1503], галлии и его солях [243, 245, 293, 303], арсениде галлия [243, 245, 246, 303, 586], кадмии и его солях [302, 318, 737], германии, тетрахлориде и тетрабромиде германия [105, 134], кремнии, двуокиси кремния, тетрахлориде и тетрабромиде кремния и трихлорсиланах [105, 133, 271, 310, 1503], цинке и цинковых сплавах [67, 737], серебре [605, 731J, свинце [833], теллуре [116], мышьяке [303], хроме и его солях [940], барии [125], ртути [528], висмуте [1348], никеле и никелевых сплавах [590], припоях [1348], полиметаллических рудах и продуктах цветной металлургии [116], растворах гидрометаллургического производства [138, 319, 1545], шламах [1175], ниобии и тантале и их соединениях [223, 2901, химических реактивах и препаратах [105], криолите [245, 586], материалах, используемых в злектронной [c.68]

При анализе тантала высокой чистоты используют метод распределительной хроматографии в системе 100%-ный ТБФ — 1М ПР + 1МНК0зна колонке пористого фторопласта-4 [107]. Электрохимическое отделение основы проводят при определении Сг и других примесей в металлической меди и ее соединениях [23]. Электрохимическое концентрирование Сг, Мп, РЬ, Ре, В1, Т1, Мо, 8п, V, С(1, Си, N1, Со, Ag на графитовом неподвижном катоде применяют при анализе природных вод [212]. Химико-спектральные методы определения Сг и других примесей используют также при анализе чистого мышьяка [808], гипса и ангидрита [683], серы высокой чистоты [379], кадмия и цинка высокой чистоты [450, 451], арсенида галлия [302], едких щелочей [227], винной кислоты [335]. [c.89]

Применение. Из рассеянных редких металлов меньше всего используется галлий. Вследствие низкой температуры плавления (29,8 °С)-и высокой температуры кипения (2230 °С) металл предложено использовать для изготовления высокотемпературных термометров. Легкоплавкие (<60°С) сплавы галлия с рядом металлов (висмутом, кадмием, свинцом, цинком, индием, таллием) могут быть использованьг в сигнальных устройствах. В последнее время галлий находит применение для получения полупроводниковых соединений — арсенида, фосфида, антимонида галлия. Галлиевые оптические стекла характеризуются высокой отражательной способностью. Сплавы, содержащие галлий, предложено применять в зубоврачебной практике. [c.212]

Соли кадмия также широко применяют в медицине, в стеклоделии, в фотографии, в производстве люминофоров и силиконовых каучуков, в качестве катализаторов в органическом синтезе, а также красок различных цветов (от цвета слоновой кости до малинового). Антимониды, арсениды, селениды, сульфиды и теллуриды кадмия (для синтеза используют 99,99999%-ный d) обладают полупроводниковыми свойствами и применяются в фотоэлектрических и электронно-оптических приборах, — в качестве материала для фототранзисторов и фотоэлементов [456, стр. 76]. [c.13]

I — руда (сульфид Цинка с содержанием германия 0,01—0,015 %) 2 — обжиг и спекание рудного концентрата 3 — ЗО, иа завод по производству серной кислоты 4 — оксид цинка Для дальнейшего производства 5 — дым 6 — вода, серная кислота 7 — сбор, выщелачивание и фильтрация кадмиево-германиевого раствора 8 — сульфат свинца на плавление 9 — отделение кадмиево-германиевого раствора 10 — точка отделения 11 — цинковая пыль 12 — осаждение германия (вместе с медью, мышьяком и другими примесями в небольших количествах) 13 фильтрация 14 — раствор кадмия в дальнейшее производство 15 — осадок (1 % Ое) 16 — серная кислота 17 — повторное растворение 18 — цинковая пыль 19 — осаждение 20 — бедный кадмием раствор в цикл получения кадмия 21 — фильтрация 22 — концентрат германия (10—15 %) 23 — высушивание и прокаливание 24 — концентрированная соляная кислота 25 — растворение 26 — тетрахлорид германия 27 — перегонка 28 — отработанный раствор 29 — неочищенный тетрахлорид германия (с примесями мышьяка и др. веществ) 30 — фракционная перегонка 31 — медь 32 — нагрев с вертикальным холодильником 33 — арсенид меди 34 — перегонка 35 — чистый тетрахлорид германия 36 — вода 37 — гидролиз Ое(ОН)4, фильтрование, вакуумная сушка 38 — чистый диоксид германия 39 — воДороД 40 — восстановление водородом в трубчатой печи 41 — порошок германия 42 — азот или аргон 43 — плавление и отливка в формы (1000 °С) 44 — стержни из германия 45 — повторная плавка и кристаллизация (зонная плавка) 46 — высокочн-стый германий для целей электроники ( <1 ррт примесей) [c.162]

АРСЕНИДЫ, соединения металлов с мышьяком. Кристаллич. высокоплавкие в-ва большой плотности. А. щел. металлов гидролизуются водой, А. щел.-зем. металлов водой разлаг. медленно, разбавл. к-тами — легко А. тяжелых металлов разлаг. только к-тами. С увеличением содержания Аз хим. стойкость возрастает. При действии окислителей А. превращ. в арсениты. Большинство А. обладает полупроводниковыми св-вами. Получ. сплавлением элементов в вакуу- 1е или инертной атмосфере. Полупроводниковые материалы в солиечяых батареях, ИК-детекторах, датчиках Холла, туннельных диодах, транзисторах, светодиодах, лазерах. ПДК в пересчете на Аз 0,5 мг/м . См., напр., Кадмия сескви-арсенид, Галлия арсенид, Железа арсенид, Кобальта арсенид. [c.56]

Поступление, распределение и выведение из организма. Поступление И. в организм может иметь место при процессах получения концентрированных растворов И., его цементации, переплавки, рафинирования и электролиза возможно воздействие на организм работающих паров солей И. в производствах, где И. используется в технологии получения металлокерамических изделий (Походзей). Возможно и воздействие растворов сульфата, хлорида и других соединений И. Например, при цементации индиевой губки из растворов солей, извлечении катода из электролита, очистке катода и анода и др., соединения И. могут загрязнять одежду, кожные покровы и слизистые. Загрязнение кожи рук, курение и прием пищи на рабочем месте могут приводить к попаданию этих веществ в пищеварительный тракт. Возможность ингаляционного воздействия соединений И. в условиях производства встречается реже, в основном при операциях получения и обработки солей (хлоридов, сульфатов, нитратов И.) и полупроводниковых сплавов металла (антимонид, арсенид, фосфид И.). Опасность ингаляционного воздействия незначительных примесей И. в составе смешанной пыли, образующейся при процессах пирометаллургического извлечения металла, относительно невелика, в этих случаях большее гигиеническое значение имеют основные компоненты этой пылевой смеси (цинк, свинец, кадмий). Возможность ингаляционного воздействия паров расплавленных металлов не очень значительна благодаря низкому давлению паров И. даже при температурах выше 1000 °С (а плавка его производится при более низких температурах и под слоем флюса). Частой формой возможного [c.234]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология