Кристалл первичный

Физика дифракционных методов 5.1. Основные определения и формулы (определения символов, формулы для рассеяния электронов, атомного мнг жителя рассеяния). 5,2. Интенсивность излучения, дифрагированного кристаллом (структурный мксжитель, температурный множитель, интегральное отражение, угловые множителн интенсивности, мнсшители Лоренца и поляризационный). 5,3, Поправки на поглощение (малый кристалл в узком пучке, большой кристалл или поликристаллический обра-еец, пересекающий узкий пучок отражение узкого пучка от плоскостей, параллельных вытянутой грани кристалла при отсутствии и наличии пропускания, отражение от кристаллических плоскостей, наклоненных к вытянутой грани поглощающего блока поглощение при перпендикулярном и наклонном расположении поверхности кристаллического блока по отношению к отражающим плоскостям поглощение в цилиндрическом кристалле, омываемом однородным пучком рентгеновских лучей, нормальным к оси кристалла, поглощение сферой, поглощение кристаллом произвольной формы, поправки на поглощение при исследовании преимущественней ориентировки в листовых образцах), 5.4, Мозаичная теория (различия между совершенным и идеально несовершенным кристаллом, первичная и вторичная экстинкция). 5,5. Сводка формул интегральной интенсивности, [c.323]

По мере выделения кадмия или висмута (первичная кристаллизация) при затвердевании сплава состав жидкой его части приближается к составу эвтектики. Одновременно температура плавления понижается, приближаясь к эвтектической температуре. Когда состав жидкой фазы достигнет состава эвтектики, а температура плавления — эвтектической температуры, произойдет одновременно затвердевание всей жидкой фазы в виде смеси мелких кристаллов обоих металлов. Поэтому все сплавы, имеющие состав, отличающийся от состава эвтектики, в твердом виде представляют собой сплошную массу эвтектики, в которую вкраплены более крупные кристаллы первично кристаллизующегося металла. [c.176]

Наиболее мелкопористые адсорбенты — синтетические цеолиты (молекулярные сита). Они представляют собой пористые кристаллы, алюмосиликатный каркас которых состоит из тетраэдров и АЮ . Отрицательный заряд в АЮ компенсируется катионами На и Са. Образуемая промежутками между структурными элементами кристаллов первичная пористая структура является неизменной характеристикой каждого типа цеолита. Для цеолита типа А характерно соединение четырех тетраэдров, типа X — соединение шести тетраэдров, которые связаны между собой через кислород. Размеры входных окон, образованных кислородными мостиками, определяют доступность внутренних полостей цеолитов для адсорбирующихся молекул. Таким образом, цеолиты обладают селективными свойствами. Заменой вида катионов можно изменять размеры окон. Поры цеолитов типов А и X представляют собой почти сферические полости диаметром соответственно 1,14-10 и 1,19-10- м с размерами входных окон около 0,5-10 и 9 10 м. Цеолиты, являясь из-за наличия атомов кислорода полярными адсорбентами, энергично адсорбируют электрически несимметричные молекулы (Н2О, С02)и молекулы органических веществ с кратными связями (этилен, ацетилен и т. д.) [4]. [c.172]

Рассмотрим несколько подробнее формованные цеолиты. Хорошо известно, что гранулы цеолитов, имеющие обычно размеры 1 - 5 мм, получаются путем формования кристаллических порошков синтетических цеолитов со связующими добавками. Помимо микропористой структуры кристаллов (первичная пористость), обусловливающей в большинстве случаев адсорбционные свойства цеолитов, в гранулах цеолита имеется также система транспортных пор, образованная зазорами между кристаллами цеолитов (вторичная пористость). [c.285]

Мы уже указывали, что наряду с одним из видов адсорбции в поверхностном слое кристалла (первичная потенциалобразующая адсорбция) может происходить адсорбция ионов в поверхностном слое раствора (вторичная адсорбция). Оба вида адсорбции по существу неразделимы, будучи составными частями одного и того же адсорбционного процесса. [c.110]

Согласно равновесным диаграммам, структура закристаллизованного расплава должна слагаться из более крупных и правильно развитых кристаллов первично выделяющейся фазы, окруженных мелкокристаллическими эвтектическими выделениями той же фазы в прорастаниях с вторичными фазами однако на практике схемы кристаллизации осложняются рядом побочных явлений, обусловливаемых, в первую очередь, склонностью силикатных систем к переохлаждению. [c.177]

В обычных кристаллах первичными структурными единицами в элементарной ячейке являются атомы или молекулы. В случае высокомолекулярных соединений только часть полимерной цепи входит в элементарную ячейку. Ее структура зависит от конформации и характера упаковки цепи. [c.151]

Наиболее грубым дефектом кинематической теории является пренебрежение законом сохранения энергии, так как энергия проходящей через кристалл первичной волны считается неизменной, несмотря на то, что часть ее сообщается рассеянным волнам. Впрочем, указанный недостаток получил разумное объяснение впоследствии, к чему мы еще вернемся. [c.6]

Системы простого эвтектического типа. Ниже солидуса эти системы состоят из конгломерата эвтектики и кристаллов первичного выделения одного из компонентов. По мере изменения состава системы физические свойства конгломерата (усредненные свойства) изменяются непрерывно и прямолинейно без изломов и перегибов (рис. 120). [c.288]

Наконец, эти результаты указывают на то, что вторичная фаза, кристаллизующаяся из изолированных маточных растворов, является более кремнеземной и ее образование является результатом изменения состава раствора после выпадения кристаллов первичной фазы. [c.98]

Жидкая фаза и выпадающие из нее первичные кристаллы нередко заметно различаются по удельному весу. Если удельный вес первичных кристаллов меньше удельного веса жидкой фазы, то они при достаточно медленном охлаждении всплывают и собираются в верхней части слитка. Если же удельный вес первичных кристаллов больше удельного веса жидкой фазы, то они опускаются на дно. Это явление, называемое ликвацией по удельному весу, бывает выражено тем резче, чем больше разность удельных весов кристаллов и жидкости, больше интервал кристаллизации и медленнее охлаждение. В результате ликвации слиток оказывается неоднородным по составу, так как его верх или низ обогащены кристаллами первично выделившейся фазы. [c.143]

Сопоставляя превращения в точках С и 5 рассматриваемой диаграммы, находим, что 1) выще точки С имеется жидкий раствор, а выше точки 5 — твердый раствор — аустенит 2) по линиям АС и СД сходящимся в точке С, можно судить о начале образования кристаллов первичной кристаллизации, а по линиям [c.169]

Исследователя интересует зависимость интенсивности дифракционных лучей от координат атомов в элементарной ячейке кристалла. Но понятно, что и лучи первичного пучка, и лучи, дифрагированные решеткой кристалла, меняют свою интенсивность при прохождении сквозь толщу кристаллического вещества под влиянием побочных или вторичных эффектов. К таковым относятся, во-первых, общая зависимость интенсивности рассеяния рентгеновских лучей от угла рассеяния (поляризационный фактор Р) во-вторых, зависимость интенсивности рассеяния от кинематической схемы прибора (фактор Лорентца Ь) в-третьих, поглощение рентгеновских лучей в кристалле (адсорбционный фактор Л) в-четвертых, зависимость интенсивности дифракционных лучей от степени совершенства кристалла (первичная и вторичная экстинкции). [c.74]

Прошедшее кристалл первичное излучение фокусируется во мнимом фокусе F, а испытавшее дифракцию — в действительном фокусе К. Фокусировка несовершенная. Ширина спектральной линии определяется из выражения [c.303]

Рентгенограмма на цилиндрической неподвижной пленке радиусом г с осью, параллельной оси вращения кристалла первичный пучок наклонен к экваториальной плоскости под углом При расположении кристалла на оси цилиндра координаты измеряются от точки, где первичный пучок пересекает пленку, координата х — по окружности пленки, у — параллельна оси [c.93]

Растворитель (или кристалл) Первичное растворенное вещество (концентрация, г/л) Вторичное растворенное вещество (концентрация, г/л) Относительная амплитуда импульсов [c.220]

В настоящее время существует метод для отличения пневматолитовых месторождений магматического и гидротермального генезиса. Когда кристаллы растут в какой-либо среде (газовой, жидкой или в расплаве) или подвергаются перекристаллизации, то вследствие различных дефектов роста они захватывают небольшие порции этой среды. Их изоляция происходит при росте соседних участков кристалла (первичные включения) или при более поздней перекристаллизации (вторичные включения). Таким образом, каждый этап формирования породы оставляет свой след на составе газо-жидкостных включений в минералах. [c.151]

Общую схему рентгеноструктурного анализа можно сравнить с работой обычного микроскопа. Роль объектива, разлагающего в спектр лучи, рассеянные предметом, играет рентгеновская камера (или дифрактометр) с исследуемым кристаллом первичный пучок лучей, создаваемый рентгеновским аппаратом, разлагается кристаллом в дифракционный спектр. Роль окуляра, собирающего лучи спектра в увеличенное изображение предмета, играет вычислительная машина путем математической обработки дифракционных характеристик —направлений и интенсивности дифракционных лучей, она воссоздает увеличенное изображетше распределения электронной плотности по элементарной ячейке кристалла позиции максимумов плотности отвечают размещению [c.47]

Исследователя интересует зависимость интенсивности дифракционных лучей от координат атомов в элементарной ячейке кристалла. Но интенсивность луча зависит и от целого ряда других факторов и вторичных эффектов. На нее влияет характер поляризации рентгеновской волны (поляризационный фактор Р), кинематическая схема прибора (фактор Лорентца Ь), степень поглощения рентгеновских лучей в кристалле (адсорбционный фактор Л), степень совершенства кристалла (первичная и вторичная экстинкции), величина термодиффузного рассеяния (фактор ТДР). [c.90]

Точкам, лежащим выше линии ЛЕВ, соответствует жидкое состояние сплава. Точки, лежащие между линиями ЛЕВ и КЕ, соответствуют двухфазному состоянию сплава. При этом в виде твердой фазы будет находиться кадмий, если физическое состояние сплава определяется частью диаграммы, ограниченной АЕК, и висмут — ограниченной ВЕЕ. Точкам, лежащим в области КСОЕ, соответствует твердое состояние сплава. При этом сплав, характеризуемый точкой, лежащей внутри области K NE, представляет собой эвтектическую смесь обоих металлов, в которую вкраплены более крупные кристаллы первично выделявшегося кадмия. [c.176]

Процессов, затрагивающих синглетные состояния, а также связанных с образованием других очень активных частиц, следует использовать наносекундную импульсную спектроскопию, в которой применяется рубиновый лазер (разд. 10.6.3). Схема faкoгo прибора показана на рис. 16.20. Световой импульс от рубинового лазера с модулированной добротностью (ванадилцианин) проходит через кристалл определенного типа, например кристалл первичного кислого фосфата аммония, в результате чего частота удваивается. Около 20% излучения при 694 нм, входящего в удвоитель частоты, выходит при длине волны 347 нм. Затем свет проходит [c.284]

Выращивание монокристаллов различных веществ берет свое начало с работ по синтезу минералов, которые были первоначально связаны с рещением вопросов природного минералообра-зования. К настоящему времени создана мощная индустрия синтеза кристаллов. Первичный синтез минералов вырос до промышленной технологии благодаря обогащению минералогической практики достижениями кристаллохимии, физикохимии, физики твердого тела, химической технологии и др. [c.3]

Как можно предвидеть па основании структурного анализа, кристаллы первичной валентности отличаются высокой мехагш-ческои прочностью и весьма высокими точками плавления и кипения, тогда как кристаллы вторичной валентности мягки, слабы и имеют очень низкие точки плавления и кипения. Полярные кристаллы занимают промежуточное положение. Другими словами, внутрикристаллические силы весьма велики в гомеополярных и гетерополярных кристаллах, ио очень слабы в веществах с В1орпчной валентной связью. [c.281]

Первичный пучок не должен попадать на стенки кассеты или корпуса это вызовет почернение пленки под действием рассеянных металлом лучей. Прошедшие через кристалл первичные лучи либо вьшус- [c.193]

При очень быстром охлаждении (закалке) шлаковые расплавы можно полностью перевести в стекло, а при недостаточно интенсивном охлаждении в их составе могут наблюдаться точечные включения кристаллов первично кристаллизующихся фаз —ольдга-мита aS, мелилита, геленита, анортита, волластонита, тридимита. При этом богатые известью шлаки кристаллизуются весьма интенсивно, а бедные известью высококремнеземистые, наоборот, замедленно. [c.433]

Ультразвуковые колебания, введенные в кристаллизующийся расплав, изменяют условия протекания процессов зарождения и роста кристаллов. Первичными факторами, которые характеризуют ультразвуковое поле, следует считать интенсивность подводимого к расплаву ультразвука и обусловленную свойствами среды эффективность поглощения его энергии на развитие кавитации, акустических потоков, радиационного давления и сил вязкого трения. В общем случае при кристаллизации следует учитывать действие ультразвука на жидкую фазу (расплав), на фронт кристаллизации и переходную (твердо-жидкую) область. Так, например, диспергирование кристаллов может происходить только на межфаз-ной поверхности расплав — кристалл, т. е. на фронте кристаллизации или на поверхности затвердевшей корочки расплава. Активиция примесей, развитие в расплаве акустических течений, изменение градиентов температуры в расплаве, напротив, возможно только в жидком металле вдали от фронта кристаллизации. [c.462]

Между поверхностью ликвидуса А е Р Е е А и линейчатой поверхностью, образуемой скольжением отрезка прямой одним концом по ребру треугольника А (точки а", а а ), а другим по линиям двунасыщения е Е Р е , располагается объем первичного выделения фазы А. В объеме между ликвидусом В Рi тп Ре В и линейчатой поверхностью, образованной скольжением отрезка прямой одним концом по ребру В треугольника (точки Ъ", Ъ , Ъд, Ь ), а другим но линиям двойных эвтектик е Pi m Р е , происходит первичное выделение кристаллов компонента В. Кристаллы первичного выделения компонента С образуются в объеме между ликвидусом Се Е Р е С и линейчатой поверхностью, образуемой скольжением одним концом прямой по ребру С (точки с, l, a, с"), а вторым — но линиям двойных эвтектик е/ E Pi e . В объеме между ликвидусом т Р Е Р тп и линейчатой поверхностью образуемой скольжением одним концом прямой по поверхности растворимости фазы S (точки S, к , к , к , S ), а вторым по ЛИНИЯЛ1 двойных эвтектик т Р Е Р т, располагается объем первичного выделения кристаллов тройного соединения S. [c.366]

Рис. 36. Гоометрические принципы съемки рентгенограмм иа цилиндрическую пленку в случае совпадения оси цилиндра и оси вращения кристалла. Первичный пучок составляет угол х с экваториальной плоскостью.

Всякое флуоресцирующее органическое соединение является потенциальным сцинтиллятором или компонентой сцинтилляционной системы. Его эффективность в качестве сцинтиллятора определяется такими молекулярными характеристиками, как спектры испускания и поглощения, квантовый выход флуоресценции, время затухания флуоресценции и т. д., и поэтому число эффективных сцинтилляционных соединений ограниченно. Общей чертой строения эффективных органических сцинтилляторов является то, что они содержат ненасыщенные плоские ароматические молекулы, обычно полициклические углеводороды и их производные, у которых имеются л-электронные системы, способные давать флуоресценцию и (или) осуществлять межмолекулярный перенос энергии. Этому требованию удовлетворяют все чистые кристаллы, первичные и вторичные растворенные вещества, используемые в практически осуществленных сцинтилляционных системах. Сказанное относится также к алкилбензолам и ароматическим виниловым полимерам, которые использунзтся в качестве растворителей в лучших сцинтилляторах с жидкими и пластическими растворами. [c.153]

Современные представления о силикатных структурах основаны на развитых Л. Полингом принципах, определяющих структуры сложных ионных кристаллов. Первичная единица в таких кристаллах — тетраэдрический комплекс, состоящий из небольшого катиона, такого, как Si , тетраэдрически координированного с четырьмя ионами кислорода. За- [c.10]

Микроструктура плавленых глиноземистых клинкеров в значительной степени обусловливается режимом охлаждения расплава. Расплав может кристаллизоваться по равновесной (эвтектической) схеме и путем одновременного выделения из него различных кристаллических фаз (одноприемная кристаллизация). При кристаллизации в равновесных условиях, т. е. при очень медленном охлаждении, вначале выделяются кристаллы соединения, в поле устойчивости которого находится химический состав расплава, а затем при понижении температуры одновременно выделяются два или три минерала. Кристаллы первичной фазы растут в благоприятных условиях и достигают больших размеров. Кристаллы минералов, выделяющихся во вторую и третью очередь, не имеют достаточного пространства для роста и заполняют промежутки между кристаллами первичной фазы. Поэтому они характеризуются небольшими размерами и неправильной формой. Одновременная кристаллизация нескольких минералов часто приводит к образованию тонкоструктурных прорастаний и дендритов. [c.523]

Первичные кристаллы сульфата и карбоната кальция, образуюцщеся в объеме раствора и осевшие на поверхность мембраны, сами по себе обладают малым гидравлическим сопротивлением [21]. Однако они являются теми центрами, вокруг которых происходит разрастание отложений. В конце концов кристаллы первичного и вторичного процессов образования отложений срастаются между собой, образуя едашый монолит. Гидравлическое сопротивление слоя таких отложений весьма значительно и может быть соизмеримо с гидравлическим сопротивлением по.г1упрою-шаемы- мембран. [c.71]