Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Маскирование эффект

    Активность маскирующего вещества и требуемое его количество зависят от свойств подлежащего маскированию катиона, его концентрации и pH водного раствора. С увеличением количества избыточного дитизона в растворе убывает активность маскирующего вещества. В табл. 15 приведены все при.менявшиеся до настоящего времени маскирующие вещества для различных ионов, области pH и достигаемый при этом эффект. [c.134]


    Кинетика экстракции. Если коэффициент распределения был определен для истинного равновесного состояния, то его значение не зависит от кинетических эффектов. На практике, однако, можно использовать так называемое кинетическое маскирование, которое осуществимо в том случае, когда скорость экстракции одних частиц намного выше скор ости извлечения других. Значения [c.199]

    Неприятным фактом является разложение органического растворителя. Продукты разложения могут вызывать нежелательные эффекты, например изменение валентного состояния металла тш маскирование. Простые эфиры склонны накапливать перекиси хлороформ при контакте со щелочными растворами образует муравьиную кислоту спирты дают перекись водорода, способную разрушать комплексы [210]. [c.74]

    Полученные данные представлены в табл. 1 и 2. Эффект маскирования обозначен знаком плюс, отсутствие его — знаком минус. [c.210]

    Под маскированием реакционной способности лиганда понимают затруднение или полную невозможность протекания характерных для лиганда реакций в результате координации. Мы уже отмечали, что координация препятствует реакциям осаждения га-логенид-ионов. Последствия координации в таких простых случаях можно предсказать заранее, зная ее влияние на растворимость продуктов. Для более сложных реакций предугадать эффект маскирования значительно труднее. [c.432]

    Ниже приведены возможные причины появления эффекта маскирования. [c.432]

    Если кроме ионов металла и лиганда, необходимого для реакции комплексообразования, в растворе находится также и маскирующий агент, протекание главной реакции тем благоприятнее, чем больше коэффициент избирательности, а эффект маскирующего реагента выражен тем сильнее, чем меньше значение коэффициента избирательности. Для наглядности Ченг [115] приводит значения коэффициентов избирательности и маскирования для ряда реакций комплексообразования (табл. 11 и 12). Значения этих коэффициентов, очевидно, зависят от концентраций реагентов и их соотношений, так как в принципе [c.39]

    Рие. Б.4. Схема, объясняющая эффект маскирования  [c.150]

    Протекание основной реакции тем благоприятнее, чем выше коэффициент избирательности и меньше коэффициент маскирования. Эффект маскирующего реагента выражен тем сильнее, чем больше коэффициент маскирования и меньите коэффициент избирательности. Некоторые примеры оценки эффективности маскирования с помощью таких коэффициентов приведены Бургером [29]. И. В. Пятницким [65] предложен графипсскгш способ количественной оценки маскирования элементов с помощью кривых зависимости рМ = ДрН), однако этот способ неудобен для оценки маскирующего эффекта при разных концентрациях маскирующего реагента и требует построения большого числа таких кривых. Согласно Рингбому [22, с. 67], реакцию образования бинарного осадка можно считать замаскированной, если для этого осадка Кз 1-10-2, т. е. если равновесная концентрация маскируемого иона, при которой начинается его осаждение, составляет не менее [c.97]


    ВИЯХ наиряженной тектоники обусловливают известную взаимозаменяемость воздействия глубины и орогенеза с другой стороны, развитие нарушений благоприятствует распространению процессов окисления на значительные глубин , что ведет к маскированию эффекта метаморфизма. Влияние тектоники на характер нефти вообш,е представляется сложным, и едва ли правильно предлагать для него простое цифровое выражение и, тем более, объединять с другими факторами в единый комплексный параметр. [c.249]

    Эффект маскирования тем лучше, чем меньше КИ, а протекание основной реакции тем благоприятнее, чем выше КИ. Маскирование возможно, если КМ>КИ. Наиболее распространенными маскирующими агентами являются ЭДТА, винная, лимонная, щавелевая, салициловая кислоты, фторид-ионы. [c.121]

    Устранение влияния мешающих компонентов. При анализе сложных смесей проведение реакций может быть осложнено присутствием других компонентов, которые дают тот же аналитический эффект, что и определяемый компонент, либо препятствуют появлению наружного аналитического эффекта (например, Вг осаждается вместе с С1 , а NH4OH препятствует осаждению Ag l). Устранение мешающего фактора может быть осуществлено либо маскированием соответствующих компонентов, либо их отделением. [c.247]

    Как можно было заметить из вышеприведенных примеров, строение литийорганических соединений не имеет большого значения для протекания реакций алкилирования. Арил- и виниллитие-вые реагенты удается алкилировать алкилиодидами и бромидами. Тем не менее делокализация отрицательного заряда карбаниона облегчает ход реакции. Этот эффект, в частности, наблюдается при использовании литийорганических производных 1,3-дитиана, стабилизация отрицательного заряда за счет атомов серы в котором отмечена выше. Такие соединения легко алкилируются, при этом после гидролиза появляется маскированная образованием дитио-ацеталя карбонильная группа. В целом открытие данной реакции позволило превращать доступный электрофильный синтон КС Н(ОН), соответствующий карбонильному соединению, в недоступный ранее нуклеофильный синтон, КС =0 (обращение полярности синтона). На этом основан общий метод синтеза альдегидов и кетонов путем алкилирования их простейших представителей  [c.247]

    Эффект маскирования можно оценить по тому, в какой степени он предотвращает мешающую реакцию. Полнота маскирования может быть количественно выражена через условную константу устойчивости. Например, маскирование данной реакции будет более эффектив1НЫ М, если она характеризуется повышенным значением условного произведения растворимости Для определения ПОЛНОТЫ маскирования металла М посредством образования комплекса с лигандом Ь Пер циент-маскирования См/ собой коэффициент ам(ь> [c.176]

    В работе [338] было показано, что иногда даже такие типично водорастворимые комплексы, как этипендиаминтетраацетаты, экстрагируются в виде ионных ассоциатов с присутствующими в системе крупными органическими катионами. Поэтому следует следить, чтобы подобные условия ее создавались, ибо в противном случае маскирование не будет эффектив-жым. [c.158]

    Определение кадмия в присутствии цинка проводят последовательным комплексонометрическим титрованием, причем лучший эффект достигается при замене этилендиаминтетрауксусной кислоты другими комплексонами — 1,2-циклогександиаминтетрауксусной [651], диэтилентриаминпентауксусной [652], триэтилентетрамингексауксусной [6531 ир,Р -диаминодиэтилгликолевый эфир-тетрауксусной кис.лотал1и [654—6561. Применяют также хроматографическое разделение [657] и избирательное маскирование комплексоном III [658—660]. [c.308]

    Низшие хелаты в водной фазе (гидроксокомплексы, эффекты маскирования и влияния аддуктов отсутствуют). Определенная часть ионов металла может существовать в водной фазе в виде низших комплексов, особенно для многовалентных металлов. Например, Ридберг [47] при изучении экстракции ацетилацетоната тория из воды бензолом установил, что необходимо учитывать все низшие комплексы ТЬЬГ, ТЬЬз),но не гидроксокомплекс, [c.485]

    В табл. П1.3—3 показан эффект маскирования различными лигандами при экстракционном извлечении дитизонатов. Так, из цианистого раствора при pH>9 в виде дитизонатов можно экстрагировать медь и свинец. В присутствии ЭДТА при pH >6 можно экстрагировать группу ионов Ag+, Hg2+, Р(12+, Л11З+. Регулирование рн и введение комплексантов позволяет осуществить систематический экстракционный анализ многих ионов. Система экстракционного анализа разработана Чалмерсом. В ней использовано много разнообразных [c.278]

    I) Изготовление оригинала рисунка. Изготовлению оригинала предшествует проведение инженерных расчетов принципиальной схемы в виде макета, Прежде всего необходимо иметь состав всех элементов схемы и соединительных дорожек в их нормальной форме и зaдaннo.v расположении. Обычно это осуществляется конструированием чертежа на чертежной бумаге с координатной сеткой. Размеры элементов и ширина линий должны быть установлены в соответствии с требованиями к рабочим электрическим характеристикам и имеющейся площадью макета. Те же самые факторы налагают ограничения на взаимное геометрическое расположение всех элементов схем. Это очень сложная задача, требующая учета целого ряда эмпирических фундаментальных правил. При этом необходимо снизить ло минимума размеры изображений элементов и расстояния между отдельными элементами, которые могут быть достигнуты только при ис-пользо.пании методов маскирования и травления и учете возможности взаи.мовлияния отдельных элементов и образования паразитных эффектов (см., л. 21). Эта проблема не может быть решена сразу, а до того как должен быть получен действующий макет, требует целого ряда проверочных операций, как технически, так и с точки зрения электрических характеристик. После этого. макет полной схемы необходимо разделить на макеты отдельных шаблонов. Каждый из макетов комплекта шаблонов содержит только те детали рисунка схемы, которые затем должны быть вытравлены на одной из отдельных операций в одном и том же слое пленки. После этого макеты шаблонов изготавливаются в виде изображений рисунков увеличенного размера. Чтобы обеспечить высокую точность размеров элементов, эти изображения увеличиваются обычно в 200—1000 ра.ч по сравнению с действительными размерами схемы. Поскольку начерченные тушью изображения имеют сравнительно низкую контрастность, при изготовлении рисунков в качестве основы применяется слоистый пластический материал. Такими материалами являются майлар или полиэфирные материалы, линейные размеры которых не меняются в зависимости от колебаний окружающей температуры и влажности. Основа состоит из чистого прозрачного слоя, покрытого пленкой красного фотозащитного материала. Заданный рисунок аккуратно вырезается в красном слое и подрезается по всему периметру [26]. Последнее может осуществляться вручную, каким-либо режущим инструментом. При этом достигается точность от 0,5 до 1 мм, или после 200-кратного уменьшения отклонение от заданного размера составляет 2—5 мкм, [c.572]


    Естественно, маскирование часто может быть нежелательным, например, когда присутствие щавелевой кислоты ухудшает осаждение сульфида молибдена или образование фосфоромолибдата. При выполнении капельных проб иногда наблюдаются неожиданные реакции маскирования — ионы металлов, в том числе меди и золота, сильно сорбируются целлюлозой бумаги и обработка соответствующим реагентом не приводит к ожидаемому эффекту. С другой стороны, в присутствии винной кислоты как маскирующего агента и при тщательном контроле pH из раствора, содержащего вольфрам, можно выделить МоОз или M0S3 (W находится в подгруппе периодической таблицы ниже Мо, поэтому образует с тартратами более устойчивые комплексы и, следовательно, труднее осаждается). Учитывая природу иона металла, характер атомов лигандов, с которыми он предпочтительно участвует в комплексообразовании, и число связей металл—лиганд, которые может образовать данный ион, часто можно предсказать, насколько вероятны такого рода помехи. Так, маскирование реакции роданида с Ре(П1)-ионами фторидом, фосфатом, [c.145]

    Маскирование может явиться следствием комбинации двух или более таких факторов, однако для объяснения этого эффекта в кажлом конкретном случае обычно ищут частные причины, которыми легче оперировать. [c.432]

    Таким образом, маскирование можно характеризовать количественно по снижению условной константы равновесия. Значения ос, используемые для вычисления условных констант равновесия, являются количественной мерой маскирования. На рис. 5 показан маскирующий эффект концентрации водородных ионов и концентрации аммиака при титровании ионов цинка раствором ЭДТА. На рисунке представлена зависимость условной константы устойчивости комплекса цинка с ЭДТА от pH среды в присутствии и отсутствие 1 М раствора аммиачного буфера. [c.38]

    Описан новый подход к ИФА с разделением компонентов реакционной смеси, основанный на применении ферментных конъюгатов, в состав которых помимо лиганда введены якорные молекулы. Нерастворимой фазой (сорбентом) при этом служит иммобилизованный на носителе рецептор, специфически связывающийся с этими якорными молекулами. Антитела, образующие комплекс как со свободным (тестируемым) лигандом, так и с лигандом в составе конъюгата, связываясь с конъюгатом, маскируют входящие в его состав якорные молекулы, В результате взаимодействия с антителами молекулы конъюгата утрачивают способность связываться с иммобилизованным рецептором. Доля конъюгата, связанного с сорбентом, пропорциональна количеству тестируемого лиганда в пробе. Такая система разделения, основанная на эффекте маскирования якорных молекул при связывании с антителами, была названа ИФАЯМ. [c.283]

    Устройство маски. Снять гипсовую маску с лица актера или части лица, где должна быть "посадка". В том месте, где будет заложен заряд - делается ниша в маске для его помещения и маскирования. По этой гипсовой маске - отливается, резиновая (латекс) копия маски, которая и будет на съемке. Если в нише осталось свободное место - его заполняют маскировочной пастой. Если ниша оказалась мала для заряда - осторожно ножницами ее увеличивают, но после этого обязательно все порезы промазать пастой, в противном случае ( е было ) малая доза "крови" в нашем заряде впитается маской и эффекта не получится. Маска на лице актера деформирует его лицо. Поэтому надо сразу оказать режиссеру, что план по метражу будет кохют-ким, что актер "крз ть" лицом не сможет при съемке. Гример д должен работать с маской осторожно, не нарушать положение электровоспламенителя в маске. [c.113]


Смотреть страницы где упоминается термин Маскирование эффект: [c.720]    [c.144]    [c.149]    [c.81]    [c.46]    [c.169]    [c.143]    [c.86]   
Современная аналитическая химия (1977) -- [ c.144 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Маскирование



© 2025 chem21.info Реклама на сайте