Литография

Оствальд В. Путеводные нити в химии. Семь общедоступных лекций по истории химии,— М. Типо-литография В. Рихтер, 1908, 207 с. (Второе издание на русском языке вышло под названием Эволюция основных проблем химии . М., 1909). [c.7]

Производство азотной кислоты Печь литографии на металле Производство октилфенола Производство фталевого ангидрида [c.190]

Воски находят разнообразное практическое применение. Из них де,лают свечи, восковые фигуры, мембраны, мастики для натирки полов воски применяются в литографии и гальванопластике, а таки е в качестве добавок к. мылам, пластырям, помадам и т. п. [c.265]

Требования к достижениям физики, созданию масок и схем, а следовательно, и к литографии [6]. [c.12]

Плотность размещения элементов схемы и размер интегральных схем на основе кремния ограничены физическими и литографическими факторами, из которых одни определяют нижнюю, а другие верхнюю, границу (табл. 1). Так как указанные физические пределы до сих пор еще не достигнуты в реальных устройствах, кремниевая технология может развиваться и далее в сторону микроминиатюризации. В оптоэлектронике размер объемных элементов структур может быть значительно меньше указанных и приближается к молекулярным их можно создавать также с помощью литографии. [c.12]

В современных промышленных устройствах для экспонирования используется свет с длиной волны 360—430 нм из-за его дифракции предел разрешения составляет около 1 мкм. Так как уменьшение размеров элементов приводит к росту информационной емкости схемы, то усилия исследователей направлены на повышение разрешающей способности литографии. Дифракция довольно существенно снижается с уменьшением длины волны света, поэтому в последние годы разрабатывается экспонирование УФ-светом с длиной волны до 210 нм [коротковолновая УФ-лито-графия (гл. VI)]. Далее используют двух- и трехслойные резист- [c.12]

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ, ПРИЕМЫ И ПРОЦЕССЫ ЛИТОГРАФИИ [c.15]

I. 3.2. Электронное излучение и электронная литография [c.33]

С точки зрения литографии электронное излучение интересно главным образом тем, что его длина волны на несколько порядков меньше, чем УФ-излучения, поэтому с помощью пучка электронов можно в принципе сформировать изображение на несколько порядков меньшее, чем с помощью света. Электронным пучком легко управлять, его можно сфокусировать в пятно диаметром менее 10 нм. Такая фокусировка необходима для формирования топологического рисунка с субмикронными размерами элементов. [c.33]

Рнс. I. 18. Схема технологического цикла электронной литографии. [c.37]

Рентгеновская литография — технология будущего. Для нее можно использовать квазиточечный источник мягкого (0,25— [c.40]

Рис. I. 22. Разрез маски для рентгеновской литографии

В то время как при оптической литографии пропускание для прозрачной и непрозрачной областей различается па несколько порядков, для масок рентгеновской литографии достаточно отношение пропусканий около 10. Для достижения хорошей контрастности абсорбционный материал — золото — наносится слоем толщиной 0,1—1,0 мкм. [c.41]

Ускоренные ионы, например Оа +, Ве "+, 1п +, 5п + и др. [63, 64], при прохождении через вещество могут вызвать химические реакции подобно ускоренным электронам. Однако, поскольку рассеяние ионов (с энергией 1—3 МэВ) существенно меньше рассеяния электронов, существует возможность при помощи ионной литографии достигать высоких степеней разрешения [65]. Фокусированный пучок ионов можно сканировать подобно потоку электронов, что может быть использовано для непосредственного образования структур с высокой плотностью элементов в разных полимерных материалах, например в ПММА [63]. Разрешение определяется рассеянием ионов и возникающих вторичных электронов. [c.43]

Оксид хрома щироко применяется для получения металлического хрома, полировочных составов, а также для изготовления масляных красок ( хромовая зелень ). Эти краски отличаются стойкостью по отношению к нагреванию и к атмосферным влияниям, а потому используются для окраски частей машин, металлических конструкций и т. д. СГдОз как зеленая краска используется в книгопечатании, литографии, для окраски фарфора и стекла. [c.322]

Новый диод представляет собой меза-структуру диаметром 5 мкм, изготовленную обычными методами литографии. Поверхность подложки из арсенида галлия вокруг меза-структуры покрывают слоем двуокиси кремния. При таком размере перехода наибольший диапазон изменения эффективного сопротивления диода составляет 100 1. Для обеспечения наиболее эффективной работы смесителя наибольший диапазон изменения сопротивления должен составлять 1000 1. Для этого достаточно уменьшить диаметр перехода до 2 мкм, [c.528]

ЛИТИЯ ГАЛЛ АТ, крист. растворяется в воде, сиирте. Получение гидролиз таннина с последующей экстракцией образовавшейся галловой к-ты LiOH изаимод. галловой к-ты с Li l. Пьезо-электрик в электронной промышленности, таннирующий агент при проп.з-ве бумаги и ч литографии, вяжущее ср-во в, медицине, [c.303]

Кршижановский В.Ю. Практическое руководство к систематическому анализу спиртов. — Тверь Типо-Литография Н.М.Родионова, 1907. — 201 с. [c.271]

Фотолитография включает след, стадии нанесение слоя фоторезиста на пленку 8Ю2, покрывающую кремниевую пластину экспонирование слоя фоторезиста через фотошаблон-стеклянную пластину с множеством одинаковых рисунков областей прибора проявление слоя фоторезиста получение оксидной маски травлением пленки 810 через окна в проявленном фоторезисте удаление фоторезиста. Используют фотолитографто контактную (фотошаблон контактирует со слоем фоторезиста) и проекщюнную, осуществляемую либо однократным проецированием фотошаблона с множеством структур на всю пов-сть пластины, либо пошаговым экспонированием, при к-ром на пластину с определенным сдвигом (шагом) многократно проецируют фотошаблон с изображением одной структуры. Кроме фотолитографии используют также рентгеновскую и электронную литографию. [c.557]

I3I0, 1314, 1316 3/1102, 1103 4/J52, 297, 421, 813 5/331, 742, 953. См. также Ианы, Масс-спектрометрия Ионные методы 1/916. См. также Ионизация дозиметрия 2/220 нитегрнроваине тока 2/1317 лазерная десорбция 5/742 литография 5/334 микроанализ 2/511, 512 3/431 отложение 2/1149, 1152 селективное детектирование 5/629 спектроскопия масс, см. Масс-спек-трометрия [c.615]

Годы, прошедшие с момента выхода предыдуш,его издания данной монографии (имеется перевод Практическая растровая электронная микроскопия.—М. Мир, 1978), ознаменовались бурным развитием принципов электронно- и ионно-зондовой аппаратуры и методов исследования. В первую очередь сюда следует отнести создание серийных растровых оже-электронных микроанализаторов, таких, как ЛАМР-10 (фирма ЛЕОЬ), установок электронно- и ионно-лучевой литографии, метрологических и технологических растровых электронных микроскопов и т. д. Существенно улучшились параметры приборов. Так, сейчас серийные растровые электронные микроскопы с обычным вольфрамовым термокатодом обладают гарантированным разрешением 50—60 А, модели высшего класса с наиболее высокими характеристиками имеют встроенную мини-ЭВМ, с помощью которой автоматически устанавливается оптимальный режим работы прибора, существенно облегчилось и стало более удобным обращение с прибором. В ряде случаев вместо обычных паромасляных диффузионных насосов для откачки используются турбомолекулярные и ионные насосы, создающие чистый вакуум вблизи образца, за счет чего снижается скорость роста пленки углеводородных загрязнений на объекте. [c.5]

Среди большого разнообразия материалов, используемых современной радиоэлектроникой и полиграфией, фото-, электроне- и рентгенорезисты занимают особое положение. Они предназначены для проведения литографии — создания под действием излучения на поверхности подложки в виде рельефного изображения топологии будущей радиоэлектронной схемы или полиграфической печатной формы. С этих технологических операций и начинается длинная цепь этапов производства радиоэлектронных, в том числе и микроминиатюрных, приборов. Если учесть, что размеры элементов современных радиоэлектронных схем составляют менее 1 мкм, то очевиден высокий уровень требований к совокупности свойств таких материалов. Без резистов была бы невозможна современная микроэлектроника. [c.6]

Термин литография (от греческого lithos — камень, grdpho — пишу) первоначально служил для обозначения способа печати, в котором в качестве печатной формы использовался шлифованный известняк. На его гидрофильную (смачиваемую водой) поверхность при помош,и жирового карандаша вручную наносили рисунок. Олеофильные места изображения смачивались гидрофобной печатной краской, в то время как свободная поверхность известняка, увлажненная водой, печатную краску не воспринимала. Печатная краска с литографического камня (первой формы плоской печати) с помощью прижима переносилась на бумагу. Перед каждым нанесением краски поверхность известняка снова смачивали водой. [c.8]

Повыщение требований к технологии литографии и фоторезистам произощло примерно 30 лет назад благодаря резким изменениям в технологии производства электротехнических устройств и гриборов. [c.10]

Дальнейшим шагом по пути уменьшения длины волны экспозиционного пучка (и предела разрешения) явился переход к электронной, рентгеновской и ионной литографии. Все виды литографии объединяют термином актинолитография. Прн экспонировании пучком электронов экспериментально достигнуто разрешение 0,1 мкм, а рентгеновским излучением — 0,02 мкм. Новые виды актинолитографии требуют создания, освоения и использования дорогостоящего оборудования, что приводит к большим капиталовложениям [7]. [c.13]

Создание и исследование резистов продолжается до сих пор с целью разработки материалов с оптимальными свойствами. Получены резисты для электроно- и рентгенолитографии, разрабатываются материалы для ионной литографии (гл. VH). Решающую роль в росте производительности литографии может сыграть повышение чувствительности резистов, поэтому с целью достижения большей светочувствительности в новых разрабатываемых позитивных резистах используется термическое усиление первичных процессов в результате каталитического действия продуктов фотолиза светочувствительного компонента на гидролиз пленкообразующего полимера. Разрабатываются новые типы резистов стойкие к ИХТ, для создания чувствительных к коротковолновому УФ-свету планаризационных слоев, для создания слоев и проявления без участия растворителей (сухие резисты) (гл. VI). Очевидно, для развития микроэлектроники необходимо создавать новые резисты, выдвигая и используя перспективные идеи. Особенно важно находить эффективные фотореакции и на этой основе получать рези . тные композиции. Так, относительно недавно была обнаружена и изучена высокая светочувствительность ониевых солей органических соединений элементов пятой и шестой групп использование полученных результатов в литографии позволило ввести в обиход в качестве полимерного компонента эпоксидные смолы (гл. III). Важным материалом для литографии оказались также полиолефинсульфоны. [c.14]

Настоящая глава посвящена физическим и физико-химическ им основам создания рельефных изображений в слое резиста с учетом возможностей техники литографии будущего, которая позволит получить в щироком масщтабе структуры субмикронных размеров. Достижение субмикронных размеров элементов необходимо прежде всего для использования литографии (в этом случае микролитографии) в микроэлектронике, в отличие от применяемой в полиграфии (макролитография), где требования к разрещающей способности существенно ниже [1]. [c.15]

Технологические процессы литографии включают как физические, так и химические обработки. Их взаимное влияние на образование конечного рельефа часто является решающим для определения допустимых отклонений размеров изобрал<аемых элементов. С у еньщением минимального размера элементов схемы снижается и абсолютное значение допустимого отклонения. Согласно эмпирическому правилу допустимое отклонение составляет 20 % размера минимального элемента. [c.15]

В ряде систем проекционной литографии принято Оопт = 0,7, что, с одной стороны, повышает крутизну пограничной кривой, дает при некоторых заданных пространственных частотах большие значения ОПФ (ЧКХ), а с другой стороны, еще не приводит к значительным осцилляциям интенсивности (что может, например, дать оконтуривание изображения — двойной край ), резонансным эффектам, характерным для когерентного освещения. Учет подобных эффектов, ограничивающих возможности фотолитографии, становится особенно важным при использовании лазеров в качестве источников излучения для формирования микроизображений [33]. При использовании лазеров в качестве мощных источников монохроматического излучения основной проблемой является именно уменьшение когерентности, существенно ухудшающей ( когерентный шум ) качество изображения и приводящей к резонансным эффектам в изображении, что особенно опасно при передаче сложной конфигурации. Снижение пространственной когерентности излучения может быть осуществлено различными способами—от временного усреднения путем вращения рассеивающих компонентов или сканирования по зрачку [33] объектива до создания специальных, например эксимерных, лазеров, дающих некогерентное излучение [21, 34]. [c.30]

Рис. I. 18 иллюстрирует главные элементы технологии электронной литографии и последовательность отдельных операций. Хотя большинство операций формально соответствует операциям при УФ-лнтографии, их необходимо осуществлять иа качестпенпо и количественно более высоком уровне. При использовании электронной литографии в технологическом процесссе необходнмо при- [c.36]

При изучении взаимной зависимости характеристик электрон ного луча и свойств резиста оказалось, что воспроизводимость профиля зависит от ошибок положения луча, его расфокусировки наклона луча, уровня шумов [52]. С целью увеличения произво дительности сканирующей ЭЛУ иссле,дованы возможности много лучевого сканирования в варианте с параллельной фокусировкой но с индивидуальным бланкированием лучей [39]. Некоторые практические аспекты электронной литографии отражены в [53] [c.39]

Наиболее узким местом всей системы рентгеновской литографии является маска [57]. Мембрана, имеющая рисунок микросхемы в виде слоя рентгеновского абсорбента, должна быть очень тонксй, сделанной из материала с низким атомным номером для сведения к минимуму абсорбции рентгеновского излучения, и одновременно должна обладать достаточной механической прочностью, чтобы сохранять все элементы рисунка. В большинстве случаев мембрана натянута на твердом ровном кольце, коэффициент термического расширения которого такой же, как и у кремния (см. рис. 1.22) Необходимо корректировать расстояние между маской и пластиной в зависимости от температуры, так как абсорбционный материал, образующий маску, и кремниевая пластина могут иметь разные коэффициенты термического расширения [58]. [c.41]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология