Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Формирующее напряжение

    При -> -1 получается практически прямоугольный сигнал, а при —> оо данная функция по форме становится близкой к дельта-функции Дирака. Вычисляя по (5.6.1) управляющий код для ЦАП, можно формировать напряжения требуемой формы, амплитуды и частоты, естественно с теми офаничениями, которые накладывает аппаратная реализация АИК. [c.271]

    Генератор напряжения формирует напряжение треугольной формы и импульсы определения начала прямого и обратного ходов перемагничивания. [c.369]


    Принципиальная схема моделирующей машины дана на рис. IX-6. Блок питания / подключен к электросети и формирует напряжение постоянного тока. Коммутационное поле 2 снабжено [c.204]

    Уплотненные оксиды, получаемые при анодировании алюминия, имеют высокую коррозионную стойкость, которая еще более возрастает при уплотнении в порах ионов бихромата, создающих ингибиторный эффект. Многое зависит оТ размеров пор, которые определяются используемым электролитом и формирующим напряжением, поскольку поры тем труднее полностью закупорить, чем они больше. Чем толще пленка, тем эффективнее обеспечиваемая защита. В табл. 11 представлены рекомендованные бри- [c.155]

    Для формирования корректирующего сигнала целесообразно использовать нелинейный комбинированный блок АВМ, на вход которого подается сигнал с датчика перемещений, пропорциональный перемещению обрабатывающего инструмента. На выходе комбинированного блока формируется напряжение t/кор согласно выражению (58). Достоинством такого способа получения корректирующего сигнала является отсутствие жестких требований к линейности статической характеристики датчика, так как его ошибки могут быть учтены и скомпенсированы при наборе на АВМ нелинейной функции. [c.148]

    Анодные пленки часто структурно несовершенны, содержат поры, трещины, границы зерен и т. д., и поэтому проницаемы для раствора. Такие дефекты могут присутствовать с самого начала, если исходная пленка состоит из ряда кристаллов, растущих из зародышей и только постепенно срастающихся. Они могут возникать как результат напряжений, развивающихся в растущей плотной пленке, если она не обладает достаточной механической прочностью. В любом случае по трещинам в пленке, расположенным перпендикулярно и параллельно металлической поверхности, раствор проникает значительно ближе к металлу, чем это соответствует макроскопической поверхности пленки. Таким образом, электрохимические процессы развертываются как бы внутри пленки и перенос через решетку необходим только на расстояния, значительно меньшие ее макроскопической толщины. Кроме того, ионная диффузия и миграция по внутренним поверхностям осуществляются, вероятно, намного легче, чем через решетку. Следовательно, рост несовершенных пленок обычно происходит легче, чем плотных, и при относительно небольших значениях формирующего напряжения в первом случае образуются значительно более толстые покрытия. [c.328]

    Пленки в большинстве случаев аморфны, но содержат, возможно, 7-АЬОз согласно Тейлору, Таккеру и Эдвардсу [216], некоторые данные указывают на то, что повышение формирующего напряжения или плотности тока способствует увеличению степени кристалличности. [c.337]

    Таким образом, локальное уменьшение толщины барьерного слоя является автокаталитическим процессом, ответственным за образование пор. Согласно рассмотренному выше механизму, на дне поры образуется новый барьерный слой растворение стенок пор незначительно, так как ток, идущий через них, мал и разогревания их почти не происходит. Эта общая картина не дает полного объяснения факту образования правильной системы пор, хотя можно думать, что факторы, связанные с макроскопическим распределением тока, должны приводить к плотной упаковке пор в двух измерениях. Неясны также причины локального уменьшения толщины первичных участков. Келлер, Хантер и Робинсон [221] получили электронные микрофотографии, свидетельствующие о том, что поры развиваются сначала вдоль границ зерен металла и, предположительно, вдоль границ зерен барьерного слоя возможно, что толчком к локальному растворению является местный разогрев — следствие устойчивого или временного повышения формирующего тока на этих до некоторой степени несовершенных участках барьерного слоя. Как уже было отмечено, повышение формирующего напряжения ведет к утолщению слоя основания пор и к увеличению расстояния между ними. Можно предположить, что локальное растворение, приводящее к образованию пор, не наступает, пока толщина барьерного слоя не приблизится к определенному значению, характерному для данного формирующего напряжения, и пока скорость образования слоя не упадет до низкой величины. На этой стадии любые изменения плотности тока по поверхности пленки приобретают большое значение, ибо остаточный ток может теперь проходить только через дефектные, пусть даже в небольшой степени, участки барьерного слоя. Возможно, такие участки расположены вдоль границ больших и малых зерен. Затем следует локальное нагревание и уменьшение толщины, как описано выше. То, что в начале (и в конце) расстояние между порами должно приблизительно вдвое превышать толщину слоя основания пор, интуитивно кажется разумным, исходя из обычных концепций протекания тока в негомогенных проводниках эта проблема требует математической обработки. [c.342]


    В любом случае нельзя ожидать, что конечная пленка будет служить столь же эффективным барьером для коррозии или переноса заряда, как, например, некоторые плотные анодные пленки, описанные выше. Кроме того, анодная поляризация алюминия и других металлов, покрытых химическими пленками, приводит к образованию рефракционных покрытий. Однако последние никогда не достигают толщины, характерной для высоковольтного оксидирования, ибо соответствующее формирующее напряжение, эквивалентное всего лишь понижению свободной энергии в результате протекания рассматриваемой химической реакции, относительно мало. [c.363]

    Ди.аметр пор и их плотность, т. е. количество пор, приходящихся на единицу поверхности, определяются условиями формирования пленки. Диаметр поры зависит от состава раствора в среднем, по измерениям Келлера, Хантера и Робинсона [221], он наибольший (330 А) в пленках, полученных в фосфорнокислых ваннах, и наименьший (120 А) в пленках, полученных в сернокислотных ваннах. Плотность пор понижается с увеличением йх диаметра и, для любой ванны, с ростом формирующего напряжения было найдено, что эти величины колеблются между 10 и 10 пор на 1 см . Расстояние между центрами пор, в первом приближении, пропорционально формирующему напряжению и приблизительно вдвое превышает толщину слоя основания пор. [c.338]

    На выходе усилителя № 4 моделируется экспериментальная зависимость x,э t) , интегратор Л 5 формирует напряжение временной развертки блока БН-10. Вычисление концентраций t) происходит на интеграторе № 6. Копстанта скорости кЦ) определяется методом неявных функций на усилителе № 2 без обратной [c.186]

    Для подачи случайных возмущений на вход модели был применен генератор случайных сигналов (ГСС), представляющий собой следящую систему. На выходе генератора формируется напряжение, изменяемое во времени пропорционально отклонению исходной кривой. На рис. 3 (кривые 2—4) приведены графики процессов регулирования для ПИ-, ПИД- и ПД-регуляторов при введенном в машину случайном возмущении по и в этом случае ПД-регулятор также обеспечивает лучшее качество регулирования по максимальному динамическому отклонению, хотя и имеет некоторое остаточное отклонение регулируемой величины. ПИД-регулятор дает большее динамическое отклонение ПИ-регулятор, как и ранее, при возмущении типа скачок показал наихудшие результаты. Испытания, проведенные на опытной печи, подтвердили правильность сделанных выводов. [c.144]

    С другой стороны, коэффициент усадки создает значительные внутренние силы. Например, в цилиндрическом изделии, склеенном как снаружи, так и изнутри с металлическим барабаном (рис, 18,12), резина физически не может дать усадку ни внутрь, ни наружу поэтому внутри резиновой детали формируются напряжения, и поэтому связующее вещество находится в некотором напряжении. [c.359]

    Диэлектрический слой образуется первым при высоком напряжении, и его толщина изменяется прямо пропорционально формирующему напряжению и обратно пропорционально скорости растворения (т. е. растворимости) окисла в электролите. В промышленных методах анодирования, когда скорость растворения довольно высока, диэлектрический слой очень тонок. В электролите из борной кислоты скорость растворения пленки очень низкая, и пленка на всю толщину бывает в виде диэлектрического слоя. Средняя величина толщины диэлектрического слоя для современных нормальных методов анодирования равна примерно 0,03—0,05 мк. [c.143]

    На рис. 37 показана зависимость между напряжением, плотностью тока и температурой в процессе анодирования в растворе дерной кислоты. Повышение температуры снижает минимальное напряжение, при котором плотность тока резко повышается с возрастанием формирующего напряжения. Однако плотность тока оказывает небольшое влияние на толщину барьерного слоя. [c.146]

    Более подробные исследования, о которых будет сказано ниже, показывают, что число пор и их объем большей частью зависят от формирующего напряжения. Методы определения пористости подробно рассматриваются в гл. IX. [c.150]

    Временные диаграммы напряжения и токов для рассматриваемого метода изображены схематически на рис. 151. На ячейку накладывается импульс поляризующего напряжения в виде ступенек (а). При этом через ячейку протекает ток, форма импульсов которого приведена на рис. 151, б. На графике видны характерные выбросы емкостного и диффузионного токов, соответствующие моменту окачка поляризующего напряжения. Измерение тока производится периодически в конце каждой ступени, когда емкостный ток практически отсутствует. Из получающихся при этом импульсов преобразователь формирует напряжение, имеющее вид дифференциальной кривой (рис. 151, в). [c.217]

    Такой же результат получается, если напряжение i/ - onst на входе включено постоянно, а параллельно конденсатору установлен ключ, который в замкнутом состоянии замыкает накоротко инвертирующий вход и выход операционного усилителя, так что в исходном состоянии i/вых 0. При размыкании ключа на выходе формируется напряжение, соответствующее равенству (1.58). При [c.41]

    Толщина окисной пленки, колеблющаяся в пределах 1 — ЮОжж/с, зависит от формирующего напряжения, не зависит от характера электролита и его концентрации, а также от платности тока и стремитсй к воспроизводимому конечному значению. Электролит и металл образуют конденсатор, причем окисная пленка играет роль диэлектрика. Толщину окисной пленки можно определить, зная выход по току при формировании (определение остаточного количества кислорода, поглощенного электролитом) [76], [c.455]


    Исследованнные Хубером [116] анодные пленки, образующиеся на магнии, цинке и кадмии в щелочном растворе, обычно структурно несовершенны относительно толстые пленки с дискретной кристаллической структурой можно получить при очень низких формирующих напряжениях. Очень похожи на них и также структурно несовершенны пленки, образованные на магнии в смешанных растворах, содержащих силикат, хромат или фтористое соединение [186, 187], и в некоторых смесях. Тем не менее эти пленки использовались для защиты металла и его сплавов от коррозии. [c.331]

    Рост пленки, сопровождающийся частичным ее растворением в электролите, исследован лучше всего на примере анодирования алюминия, что связано с промышленной важностью этого процесса тем не менее механизм этого сложного процесса выяснен не до конца. При анодной поляризации алюминия в растворах хромовой, серной, щавелевой или фосфорной кислот можно получить значительно более толстые окисные пленки при значительно меньшем формирующем напряжении, чем в растворах бората и тартрата, дающих, как указано выше, плотные пленки. Эти более толстые пленки обладают большой пористостью, как впервые было установлено по их способности окрашиваться протравным красителем, по их относительно низкому кажущемуся электрическому сопротивлению и по их способности закупориваться после анодирования в результате ряда процессов, что препятствует последующему окрашиванию пленки и сильно повышает ее кажущееся сопротивление. Уэрник и Пиннер [205] приводят сводку данных по технологии этих пленок и обсуждают существующие теории их образования здесь мы остановимся только на результатах последних фундаментальных исследований. [c.336]

    Если оксидируемый кремний р-типа выдержать нека-торое время при напряжении 300 в, то образование окисной пленки может быть продолжено вплоть до напряжения 560 в, которое является максимальным формирующим напряжением. При этом напряжении на [c.104]

    Катод тиратрона Лг через конденсаторы СеСт соединен с цепями, в которых формируется напряжение, питающее и фазирующее задающий генератор. Величина этого напряжения обусловливается током тиратрона Лг, а последний в свою очередь (при выбранных емкостях конденсаторов и сопротивлениях резисторов) зависит от фазовых соотношений между импульсами синхронизации и импульсами развертки, которые определяют величину заряда и разряд конденсатора Се через тиратрон Лг п через конденсатор Ст. [c.68]

    Формирующее напряжение при больших плотностях т ка изменяется от 12 до 32 В в зависимосги от состава и температуры электролита. С ростом температуры вжяние состава становится более существенным, тогда как три низких температурах оно менее значитель-108 [c.108]

    При ыалых скоростях Формирования покрытий также удается получить их высокую коррозионную стойкость, готя они имеют сравнительно небольшую толщину. Как свидетельствуют рис. 2а и 26, условия, обеспечивающие получение покрытий с максимальной коррозионной стойкостью, в этом случае иные, чем в случае утолщенных пленок. Хотя при 15 °С влияние состава на защитную способность покрытий описывается теми же закономерностями, что и при высоких плотностях тока, уровень коррозионной стойкости их ниже. В то же время при 35 °С удается получить покрытия, на которых отсутствуют признаки коррозионного поражения основного металла. Они Формируются при максимальном содержании кислот. Покрытия, получаемые в этих условиях, имеют толщину 20-25 мкм, достаточно большую пористость (15-17,5 / ), но минимальное количество трещин. Вос толщины барьерного слоя покрытий (формирующего напряжения) коррели-руется с увеличением защитной способности сравнительно тонких покрытий, но не является определяющим ( актором. Описанные покрытия отличаются, таким образом, малой дефектностью, кошактностью, и именно такая структура обеспечивает снижение скорости коррозии покрытий. [c.122]

    Исходные уравнения анализа срыва слежения за сигналом можно получить, рассматривая основные черты работы системы АПЧ. На рис. 5.1 приведена структурная схема системы АПЧ. Сигнал поступает в дискриминатор — устройство, которое сравнивает частоту сигнала iis с частотой гетеродина iig, близкой к несущей частоте iio. Дискриминатор в зависимости от расстройки по частоте x=iis-iig формирует напряжение F(x). Затем это напряжение через фильтр подается на управляющую сетку лампы генератора. Последний в зависимости от величины и знака напряжения F(x) стремится уменьшить или увеличить свою частоту так, чтобы приблизить ее к частоте сигнала. Опять происходит сравнение частоты сигнала и генератора и т.д. В искриминатор поступает также помеха, которая на его выходе преоб-азуется в случайное напряжение , где через обозначена [c.212]

    Диэлектрический слой не имеет пор и проводит электричество только потому, что он очень тонкий и имеет дефекты в структуре. Верхний же слой пленки имеет микропористость и столбчатую структуру [15]. Толщина барьерного слоя, таким образом, является функцией формирующего напряжения и, к к показал Гусс [271, пока не происходит растворения в электролите, этот слой образуется [c.143]


Смотреть страницы где упоминается термин Формирующее напряжение: [c.131]    [c.547]    [c.248]    [c.77]    [c.138]    [c.303]    [c.320]    [c.327]    [c.303]    [c.320]    [c.327]    [c.547]    [c.118]    [c.152]    [c.70]   
Новые проблемы современной электрохимии (1962) -- [ c.320 ]

Новые проблемы современной электрохимии (1962) -- [ c.320 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Сущность процесса анодирования. Виды процессов анодирования. Область применения анодирования. Адгезия органических покрытий. Анодная оксидная пленка. Диэлектрический или барьерный слой. Влияние режима анодирования на барьерный слой Пористость анодных покрытий. Формирующее напряжение и пробивное напряжение. Механизм роста пленки. Размеры ячеек. Вторичные реакции ЗАЩИТНО-ДЕКОРАТИВНОЕ АНОДИРОВАНИЕ



© 2025 chem21.info Реклама на сайте