Полюс грани

В кристалле, откуда проведены нормали. Точки выхода нормалей на сфере называются полюсами граней. Для изображения положения граней на чертежах сферическую проекцию проектируют на плоскость и получают стереографическую проекцию . И в том, и в другом случае для обозначения грани достаточно указать ее широту и долготу. [c.10]

Что такое стереографическая проекция Точка зрения Полюс грани [c.114]

Для построения стереографической проекции кристалла восстановим в точке О перпендикуляр к данной грани (рис. 23) и продолжим его до пересечения с поверхностью шара в точке Р, именуемой полюсом грани. Для определения положения точки Р на шаре достаточно знать полярные координаты в градусах (О—360°) долготы и (О—90°) широты. [c.44]

Зная проекции полюсов граней и других направлений в кристалле, надо уметь решать и обратную задачу, т. е. построить кристалл, найти углы [c.45]

В основе первого направления лежит использование МГД-течений в электропроводных жидкостях. Соответствующие устройства подразделяют на кондукционные и индукционные. В кондукционных устройствах электропроводная жидкость (или суспензия) протекает по каналу, располагаемому между полюсами электромагнита. В боковых гранях канала размещены электроды, к которым подводится напряжение от внешнего источника. Возникающие электродинамические силы служат для перемешивания жидких сред. В индукционных устройствах используют переменное магнитное поле, создаваемое обмоткой статора, а жидкость внутри его служит подобием ротора асинхронного двигателя. В результате электромагнитной индукции создается ток и обеспечивается вращательное движение жидкости. Вследствие низкого к. п. д. и больших энергозатрат рассмотренные устройства пока не нашли широкого применения. [c.112]

Рентгенограмму текстур можно рассматривать как срез сферы проекций плоскостью по определенному направлению. Построим нормали к граням кристалликов в образце. Точки пересечения этих нормалей со сферой назовем полюсами. Проекции полюсов на экваториальную плоскость сферы образуют полюсную фигуру. Полюсную фигуру строят лишь для граней с одинаковыми индексами. Кольцо нормалей ЬЬ, образованное пересечением конуса ЬОЬ со сферой ее, представляет собой срез полюсной фигуры, характеризующей ориентировку кристалликов. Направим на кристаллик к пучок рентгеновских лучей о. Отраженный луч образует конус аОй с углом при вершине 40. Пересечение этого конуса с плоскостью фотопластинки Ф образует дифракционное кольцо аа, которое является подобным отображением среза ЬЬ. Максимумы на дифракционном кольце (пятна 1, 2, 3, 4) соответствуют максимумам полюсной фигуры. [c.366]

На вал ротора двигателя насажены с натягом втулки остова с двумя фланцами, подпятника и нижнего подшипника. Остов имеет сварную конструкцию и выполнен в виде двух стальных рам круглой формы с приваренными поперечными стержнями и вертикальными ребрами. Остов прикрепляется к фланцам центральной втулки посредством пригнанных конусных шпилек. На остов насажен с натягом обод многогранной формы с числом граней, равным числу полюсов ротора. На каждой грани имеется паз Т-образной формы. Полюсы состоят из штампованных листов, уложенных в монолитные пакеты, стягиваемые с помощью стальных щек и шпилек. Крепление полюсов к остову ротора производится Т-образными хвостовиками и парными тангенциальными клиньями или болтами. [c.49]

Схема рис. 10.10,6 иллюстрирует эффект Эттингсхаузена в матерка-лах с одинаковой электронной и дырочной проводимостью. Под действием магнитного поля движение электронов и дырок происходит не вдоль бруска, а по диагоналям, ка-правленным у электронов, и у дырок снизу вверх (если полюс N магнита расположен над плоскостью чертежа, а полюс 5 —под ней). В результате одновременно с движением зарядов вдоль бруска возникает движение в поперечном направлении— снизу вверх. Возникновение пары электрон — дырка,, образующейся у нижней границы, с поглощением энергии сопровождается рекомбинацией на верхней грани с выделением энергии. Первый эффект компенсируется подводом тепла Ро от охлаждаемого тела при Т о, второй — отводом тепла к теплоприемнику с температурой Т. [c.292]

Переход режима во второй класс фракционировки означает исчезновение третьего компонента из дистиллята (г/зд =0) или первого — из остатка (Х / = 0), либо одновременный переход и дистиллята и остатка в бинарные продукты. Такой переходный режим соответствует позициям полюсов А и 7 в на координатных плоскостях — гранях призмы. Указанная фиксация [c.25]

В установках этого типа имеются два искательных устройства соответственно для правой и левой рельсовых нитей. Каждое из них состоит из трех феррозондов два устанавливают на поверхности катания рельса между полюсами магнита, а третий крепят к раме тележки дефектоскопа со стороны внутренней грани контролируемого рельса. [c.358]

Нагревание образца осуществляется путем прямого омического нагрева, бомбардировкой электронами, высокочастотным (индукционным) нагревом или действием интенсивного светового пучка. Если применяется прямой омический нагрев, поперечное сечение образца не должно превышать 1—2 мм , чтобы ток накала не достигал трудноконтролируемого значения. Следует использовать переменный ток, поскольку постоянный ток вызывает, как известно, фасетирование поверхности (в частности, вольфрамовой проволоки) [11, 16]. Этот процесс, наблюдаемый только нри температурах ниже 2200 К, происходит, вероятно, из-за поверхностной миграции ионов вольфрама к отрицательному полюсу проволоки и вследствие преимущественной диффузии сопровождается образованием граней 110 ив меньшем количестве граней 112 и 111 . [c.124]

Метод исследования Кюри заключался в следующем из кристалла в определенном направлении вырезалась пластинка, грани которой снабжались станиолевыми и серебряными обкладками для образования абсолютного конденсатора Томсона с охранным кольцом, гарантирующим однородность поля (рис. 6). Одна из обкладок К сообщалась с высоковольтной батареей, другой полюс которой был отведен к земле охранное кольцо Ь отводилось к земле, а изолированная центральная часть обкладки М соединялась с электрометром. Охранное кольцо при этом предохраняло центральную обкладку от проникновения зарядов, перешедших по более или менее проводящей поверхности пластинки. Электрометр постепенно заряжался зная емкость системы и замечая показания электрометра, изолированного от земли на определенный промежуток времени, можно определить количество прошедшего за это время электричества, а следовательно, силу тока и, наконец, электропроводность (или сопротивление) вместо того чтобы заряжать электрометр, Кюри компенсировал его заряд электричеством, освобождаемым пьезоэлектрической пластинкой. [c.82]

Эти же цепи при определенных условиях можно использовать для установления температуры аллотропического превращения. Если повысить температуру до значения, когда а-модификация переходит в -модификацию, то оба электрода окажутся в одной и той же модификации и э. д. с. системы будет равна или близка нулю. Э. д. с. системы может отличаться от нуля потому, что свободная энергия двух электродов, изготовленных из одной и той же модификации металла, не обязательно должна быть одинаковой. Это наблюдается, например, в том случае, когда электроды различаются по размерам образующих их зерен или находятся под различным внутренним напряжением. Электрод, образованный более мелкими кристаллами или находящийся под избыточным механическим напряжением, играет роль отрицательного полюса элемента. Он растворяется, а на другом электроде происходит осаждение металла. Более того, э. д. с. может возникать даже в том случае, когда в качестве электродов использованы различные грани монокристалла одного и того же металла, поскольку они обладают разным запасом свободной энергии. Электрод, образованный гранью с повышенным запасом поверхностной энергии, будет растворяться, а ионы металла — выделяться на грани с меньшей поверхностной энергией. Измеряя э. д. с., можно установить различие в поверхностной энергии отдельных граней монокристалла данного металла. [c.185]

Эти же цепи при определенных условиях можно использовать для установления температуры аллотропического превращения. Если повысить температуру до значения, при котором а-модификация переходит в р-модификацию, то оба -)лектрода окажутся в одной и той же модификации и э.д.с. системы будет равна (или близка) нулю. Э.д.с. системы может отличаться от нуля потому, что свободная энергия двух электродов, изготовленных из металла одной и той же модификации, не обязательно должна быть одинаковой. Это наблюдается, например, в том случае, когда электроды различаются по размерам образующих их зерен или находятся под различным внутренним напряжением. Электрод, образованный более мелкими кристаллами или находящийся под избыточным механическим напряжением, играет роль отрицательного полюса элемента. Он растворяется, а на другом электроде происходит осаждение металла. Более того, разность потенциалов может возникать даже, если в качестве электродов использоЕ1аны разные грани монокристалла одного и того же металла, поскольку они обладают разным запасом свободной энергии. Электрод, образованный гранью с по-выщенным запасом поверхностной энергии, будет растворяться, а ионы металла — выделяться на грани с меньшей поверхностной энергией. Следует, однако, подчеркнуть, что во многих из этих случаев разность потенциалов, существующая между двумя различными образцами одного и того же металла, не должна отождествляться с обратимой э.д.с., поскольку она отвечает не равновесному, а стационарному состоянию элект[)0Д0в. Разности потенциалов, возникающие в рассмотренных случая , обычно малы, тем не менее в некоторых электрохимических процессах, в частности в процессах коррозии, их необходимо принимать во внимание. [c.195]

Зная координаты (фщ и рщ) единичной, грани и трех пинакоидов (100), (010), (001), путем развития поясов всегда можно найти координаты ф. и р любой кристаллографической прямой, которую мы хотим вывести на ось вращения. Для этого нужно задаться двумя плоскостями, проходящими через искомое направление, и определить их положение на стереографической проекции путем развития поясов. Меридиан, проведенный через точки выхода нормалей к этим двум плоскостям, является геометрическим местом, выходов нормалей и ко всем остальным плоскостям, проходящим через искомую прямую (последняя является осью зоны этих плоскостей). Полюс к проведенному меридиану является выходом искомой прямой. Остается лишь определить его координаты Ф и р, пользуясь сеткой Вульфа, и повернуть соответствующим образом головку в камере. [c.246]

Решение этой задачи дает возможность переходить от гномостереографической проекции к стереографической и обратно. Если заданная дуга является стереографической проекцией грани, то найденный полюс является стереографической проекцией нормали к грани, т. е. гномостереографической проекцией грани. Если заданная дуга есть гномостереографическая проекция ребра, то найденный полюс — гномостереографическая проекция грани, нормальной к этому ребру, или стереографическая проекция этого ребра. [c.29]

Если заданный полюс является стереографической проекцией ребра, то найденная дуга — стереографическая проекция грани, нормальной к этому ребру, или гномостереографическая проекция самого ребра. Если же заданный полюс — это гномостереографическая проекция грани, то найденная дуга является гномостереографической проекцией ребра, нормального к данной грани, или стереографической проекцией данной грани. [c.29]

I С ,, — тт — ромбо-пирамидальный (М), дигирно-планальный (Ф), ромбическая гемиморфная гемиэдрия (1Т) На проекции возникают ещё 2 полюса граней (т. е. возникает плоскость симметрии). [c.63]

Другой причиной коррозии является неоднородное строение поверхности практически используемых металлов, что связано с присутствием примесей, неодинаковыми свойствами кристаллических граней находящихся на поверхности микрокристалликов металла и т. п. При наличии жидкостной электропроводящей пленки, играющей роль раствора электролита, образуется множество короткозамкнутых электрохимических элементов, полюсами которых являются небольщие участки поверхности, обладающие неодинаковыми свойствами. Например вкрапления железа, серебра или свинца в цинк выполняют роль положительных полюсов таких микроэлементов, а участки самого цинка служат отрицательными полюсами и подвергаются окислению. С этим согласуются экспериментальные факты, указывающие на боль-щую коррозионную устойчивость чистых металлов по сравнению с металлами, имеющими примеси. [c.337]

Между полюсами N и 8 магнига расположен брусок полупроводникового материала, имеющий форму призмы. К торцам бруска подводится постоянная разность пэтеи-циалов, в результате чего в нем появляется ток, направление которого перпендикулярно направлению магнитного поля. При этом в материале полупроводника возникает градиент температур АТ— Т—То в папр.1в/,е-нии, перпендикулярном направ.п -нию как тока, так и магнитного поля (эффект Эттингсхаузена). При расположении полюсов магнита и направлении тока, показанпь х ла рис. 10.10, верхняя грань бруска будет нагреваться, а нижняя охла к-даться. в стационарных услсвиях при отводе и подводе соответствующих количеств тепла Q п возникнет некоторый тепловой поток от 292 [c.292]

В термомагнитном охладителе эта задача решается проще, чем в термоэлектрическом, так как электрической изоляции между каскадами не требуется (во всех ступенях подводится один и тот же электрический потенциал). Поэтому система изготовляется из одного куска материала путем простого увеличения сечения полупроводниковой призмы в направлении теплового потока. Образующие боковых граней бруска, обращенные к полюсам магнита, должны иметь форму, близкую к эксионеициальиой. Форма сечения такого бруска показана на рис. 10.10,в. [c.293]

Для каждого пакета, насаживаемого на вал, выбирают разные в ступенчатой последовательности посадочные диаметры, причем наибольший диаметр посадки берут для диска, который первым насаживают на вал. Прессовая посадка на вал отдельных пакетов с уменьшающимися диаметрами осевых отверсти11 значительно облегчает эту операцию, так как для первого пакета посадочной поверхностью вала будет поверхность только его крайней последней ступени, для второго — предпоследней ступени и т. д. После сборки всего остова-обода окончательно обрабатывают его грани и Т-образные пазы для крепления полюсов. [c.35]

При установке полюса с Т-образным хвостом на роторе его хвост входит в соответствующий паз обода ротора и расклинивается двумя парами встречных клиньев прямоугольного сечения, изготовленных нз шпоночной стали и имеющих уклон соприкасающихся граней 1 100 (рис. 1.42). В гидрогенераторах, в которых механические напряжения от центробежных сил велики при угонной частоте вращения, сердеч- [c.46]

Пакеты остова ротора насаживают на вал горячей посадкой. Для облегчения условий посадки каждый пакет имеет свой посадочньп диаметр. Пакеты, которые насаживают на вал первыми, имеют большие внутренние посадочные диаметры, а пакеты, насаживаемые последними — меньшие. Наружная поверхность остова многогранной формы с числом граней, равным числу полюсов ротора. На каждой грани имеются пазы для крепления полюсов. [c.122]

Фигуративные точки компонентов называются иногда полюсами соответствующих полей. Термин этот, однако, сравнительно малоупотребителен, и иногда ему придают несколько иной смысл (см. ниже). Легко видеть, что эти поля имеют самые высокие точки на ребрах призмы, т. е. в точках плавления компонентов, и идут, понижаясь к средним частям поверхности ликвидуса. В самом деле, рассмотрим детально, например, поле компонента А. Системы, при охлаждении которых этот компонент начинает выделяться первым, можно считать растворами двух других компонентов В и С в А. Чем богаче наш раствор компонентами В и С, тем при более низкой температуре должна начинаться кристаллизация А и, с другой стороны, тем дальше лежит его фигуративная точка от ребра призмы АА. Отсюда следует, что поверхность его первичного выделения имеет наивысшую точку на ребре А А — это точка плавления чистого А чем дальше точки поверхности находятся от этого ребра, тем они расположены ниже. Ясно, что то же самое можно сказать и о нолях соединений В и С. На рис. XVII.1 изображены эти три поля А е Е е — поле А В е Е е — поле В и Се Е е — поле С. Кроме того, поля должны пересекаться попарно. Линии этих пересечений отвечают вторичным выделениям. На рис. XVII.1 эти линии обозначены следующим образом Е — линия вторичного выделения А В е Е — А + С е Е — В + С. Линии вторичных выделений начинаются на гранях призмы в эвтектических точках двойных систем и, понижаясь, отходят от них внутрь призмы. [c.184]

Кроме ортогональной, применяется еще иногда перспективная проекция, называемая иначе центральной, конической или, наконец, полярной. Плоское изображение по этому способу получают, проектируя точки при помощи лучей, т. е. прямых, выходящих из одной точки, называемой центром, или полюсом проекций. За такой центр принимают одну из вершин тетраэдра. На рис. ХХГП.7 указаны операции, которые следует выполнять при построении такой проекции, причем за центр проекций принята вершина а проектируется точка Р па грань тетраэдра АВС (плоскость, на которую производится проектирование, называется картинной плоскостью, или плоскостью проекций). Точка Р соединена с вершиной тетраэдра/) прямой — лучом [c.314]

Приведенный на рисунке снимок сделан с области между полюсами (111) и (211) серебрянного монокри-сталнческого шара, вырашенного электролитически. Полосы граней (111) и (211) чередуются. На полосах (111) декорированы моноатомные ступени роста высо- [c.356]

Чтобы построить гномостереографические проекции нормалей, пересекающих шар в нижней полусфере, переносят точку зрения в северный полюс сферы N (рис. 29), иначе нормали спроек-тировались бы вне круга проекций. Проекции граней, расположенных выше плоскости проекции, обозначают кружками, а нижних — крестиками. [c.25]

Большой круг, центром которого является центр круга проекций, является геометрическим местом полюсов всех вертикальных граней, а нормали к ним лежат в горизонтальной плоскости (а именно в плоскости большого круга). Комплекс граней, нормали к которым лежат в одной плоскости, образует зону, т. е.совокупность граней, параллельных одному ребру — так называемой оси зоны. Проекции граней, принадлежащих одной зоне (таутозональ-ные грани), располагаются на одной дуге большого круга. [c.25]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология