Германий поликристаллический

Повторяя перемещение расплавленной зоны снизу вверх, очищают кремний от примесей, для которых К < 1. Эти примеси собираются в верхней части стержня. Если снизу под поликристаллическим образцом кремния поместить монокристаллическую затравку, то перемещением зоны плавления от затравки вдоль всего стержня можно превратить весь образец в монокристалл подобно тому, как это описано для германия в 1. Однако бор не удаляется и этим методом. В таких случаях большое значение приобретают методы очистки вещества в виде какого-либо из его соединений. [c.263]

После окончания восстановления (при толщине слоя 4,5 см на это требуется около 3 ч) температуру поднимают до 1000—1100° для сплавления получившегося порошка. На этой стадии рекомендуется заменить водород каким-нибудь нейтральным газом, например азотом, так как водород заметно растворяется в расплавленном германии. После сплавления температуру медленно снижают. Иногда расплавленный германий подвергают направленной кристаллизации. Таким путем получают слитки поликристаллического германия, содержащие электрически активные примеси (т. е. влияющие на электрофизические свойства) порядка 10 %. [c.197]

Фактически электрохимия алмаза началась с работы [11], в которой впервые была получена вольт-амперная характеристика и измерена дифференциальная емкость на границе раздела поликристаллический алмаз/раствор электролита также была обнаружена фоточувствительность алмазных электродов, которая была сопоставлена с полупроводниковыми свойствами алмаза. За исследованиями российских авторов вскоре последовали работы электрохимиков из Японии, Израиля, Франции, США, Швейцарии, Германии и других стран. Если в самых первых работах использовались алмазные пленки, хотя и с совершенной кристаллической структурой, но не легированные (их проводимость приписывали [И] неким не идентифицированным примесям или точечным дефектам, введенным специальным тепловым режимом при выращивании пленок), то, начиная с работы [12], в электрохимических исследованиях применялся алмаз, легированный бором. Переход на специально легированные электроды придал дополнительный импульс исследованиям в этой сфере. В последние годы число лабораторий, занятых исследованиями алмазных электродов, и число публикаций по электрохимии алмаза неуклонно возрастает. [c.8]

При помощи первого источника исследовались образцы трех типов, а именно поликристаллическое серебро, монокристалл германия и сплав [c.167]

Удельное электрическое сопротивление р и удельная электрическая проводимость а поликристаллического германия при различных температурах [c.215]

В атмосфере сухого воздуха германий покрывается тонким слоем оксидов толщиной около 2 им, но ие изменяет прн этом своего цвета. Во влажном воздухе германий, особенно поликристаллический, постепенно тускнеет. Заметное окисление начинается при 500 °С, [c.220]

Отношение электросопротивления R,/R для чистого германия (99,9%, поликристаллический) при низких температура.ч [7,1937 г.] [c.45]

Линейная скорость окисления не зависит от кристаллографической ориентации металлической поверхности [208], хотя, как оказалось, монокристаллы окисляются медленнее, чем поликристаллический металл [813 . Причиной неодинаковой скорости окисления может быть более высокая степень чистоты монокристаллов, поскольку, как установлено, чем чище германий, тем медленнее он окисляется [813]. [c.359]

Структура слоев германия, полученных при конденсации в вакууме на изотропных подложках, исследовалась в работах [119— 122]. В качестве подложек обычно использовались пластины стекла, кварца, алунда и других материалов. Установлено, что при температурах ниже 380—400° С образуется аморфный осадок, а при более высоких — поликристаллический с раз.мером зерен 0,1 — 1 мк. Длительный отжиг мелкокристаллических конденсатов Ое при температурах ниже 900° С не приводит к существенному увеличению размеров кристаллов, температура рекристал-398 [c.398]

Метод ионной бомбардировки в одинаковой степени пригоден и для монокристаллов, и для поликристаллических поверхностей. Фарнсуорт с сотрудниками [34] показали, что такая обработка оказывается эффективной для различных металлов и для полупроводника германия, который использовали в виде монокристалла для измерения работы выхода [35]. Бомбардировка положительными ионами аргона удаляет загрязнения из приповерхностного слоя толщиной до нескольких сотен атомных слоев в зависимости от времени и интенсивности обработки, но при этом все же остаются захваченные поверхностью положительные ионы. Кроме того, поверхность содержит некоторое количество дефектов, образовавшихся в результате смещения атомов металла нз их равновесных положений в решетке. Поэтому для освобождения от дефектов решетки и от захваченного аргона необходим отжиг при повышенной температуре. Вследствие значительной опасности загрязнения в процессе отжига необходимо поддерживать в системе давление ниже 10 ° мм рт. ст. [36]. Истинное состояние поверхности определяют методом дифракции медленных электронов. Однако вполне справедливо отмечено [37], что воспроизводимые дифракционные максимумы, получаемые после ионной бомбардировки и отжига, не обязательно доказывают чистоту поверхности, даже если они и соответствуют дифракционным максимумам поверхностной решетки металла упорядоченно загрязненная поверхность также может дать воспроизводимую картину, которую можно принять за результат ориентированной поверхности. [c.95]

Для промышленного изготовления различных полупроводниковых приборов и устройств используется около десяти различных материалов. Однако полный технологический комплекс для промышленного производства монокристаллов с контролируемыми свойствами разработан только для германия и кремния. Использование других материалов — полупроводниковых соединений пока незначительно, и технология их изготовления может рассматриваться только как экспериментальная. Это объясняется тем, что еще не установлены те условия, соблюдение которых позволяет управлять свойствами материалов. Кроме того, все большее значение придается использованию материалов в виде монокристаллических, а иногда и поликристаллических пленок, технология изготовления которых очень сильно отличается от технологии изготовления крупных, объемных монокристаллов. В настоящее время основное внимание уделяется выбору оптимального технологического метода, позволяющего соблюдать химическую чистоту и управлять степенью дефектности материалов. [c.404]

Какие реакции применяют для получения особо чистых поликристаллических кремния и германия [c.259]

Полученный тем или инь м способом поликристаллический германий дальше поступает на выращивание монокристалла и окончательную очистку. При этом чаще других применяется зонная плавка. [c.94]

В атмосфере сухого воздуха германий не изменяется внешне, хотя покрывается тонким слоем окислов. Толщина окисной пленки на монокристаллах составляет около 20 А. Во влажном воздухе германий постепенно тускнеет, особенно поликристаллический. Германий начинает заметно окисляться при 500°С. [c.95]

Следующий этап изготовления полупроводника состоит в получении монокристалла из поликристаллического слитка германия, прошедшего зонную очистку. Этот этап, как отмечалось, можно совместить с зонным плавлением. [c.179]

Долгое время не удавалось вырастить ленточные монокристаллы германия без малоугловых границ с плотностью дислокаций, меньшей 10 -гЮ см [165]. Аналогично, ленточные и трубчатые монокристаллы кремния, выращиваемые из расплава с применением смачиваемых формообразователей, также содержат высокую плотность дислокаций, двойниковые и малоугловые границы и имеют обычно поликристаллическое строение [53]. При этом оказывается, что с уменьшением толщины стенки выращиваемых кристаллов их структурные свойства существенно ухудшаются. [c.86]

Способ Степанова в настоящее время стал основным направлением в решении проблемы получения профилированных монокристаллов. Он находит широкое применение в СССР и за рубежом при выращивании профилированных кристаллов германия и сапфира для полупроводниковой техники, оптики, светотехники и при получении кремния для создания солнечных элементов. Показаны перспективность способа для выращивания профилированных монокристаллов многих других материалов и возможность расширения сфер применения их. Однако для этого следует расширить поиск новых материалов для формообразователей, не взаимодействующих с расплавом. Необходимы работы по внедрению способа в производство изделий из металлов и сплавов поликристаллической структуры. Организация производства изделий способом Степанова в случае легких металлов и сплавов наиболее рациональна при получении тонкостенных профилей, профилей сложных, замкнутых форм, которые трудно или невозможно получить деформационными и традиционными литейными приемами. Целесообразно применение способа также для получения изделий из тугоплавких, труднообрабатываемых металлов и сплавов, а также из композиционных материалов. [c.256]

Приборы, посуда и реактивы установка для выращивания кристаллов чашка Петри, пинцет кремний или германий, блочный или поликристаллический, марки КП (ГП) монокристалл кремния или германия 0,5 г (затравка), 3%-ный раствор Н2О2, раствор NaOH. [c.60]

Используемый в качестве источника германий п-типа приготавливают из моно- или поликристаллического материала в виде зерен размером 1—3 мм. Перед загрузкой в ампулу его также рекомендуется обработать в кипящей HNO3, промыть дистиллиро- [c.146]

Для кремния применяется бестигельный способ выращивания из расплава по схеме рис. 85. По мере вытягивания монокристалла В из расплава поликристаллический материал А поднимается вверх к нагревателю В для пополнения расплава. Так можно получить монокристаллы до 2 сл в диаметре с малым числом дислокаций. По Чох-ральскому, можно получить слитки монокристаллического германия длиной больше 20 см и диаметром несколько сантиметров. Так получают [c.266]

В Германии имеется, по-видимому, наилучшим образом скоординированная и наиболее эффективная на Западе программа развития и автоматизации средств неразрушающей диагностики. Практически все исследования по акустоупругости сосредоточены в ведущем центре из) е-ния проблем неразрушающего контроля -в институте Фраунгофера (г. Саарбрюк-кен). Здесь под руководством Е. Шнейдера и К. Геббельса изучается влияние микроструктуры вещества на характер типичных зависимостей акустоупругости. Большое внимание уделяется исследованию частотной зависимости скорости распространения и поглощения ультразвука в деформированных поликристаллических материалах [195, 218, 286, 322 - 325]. Некоторые прикладные и смежные с акустоупру-гостью проблемы решаются в лабораториях известной приборостроительной фирмы Крауткремера, однако, публикации носят скорее рекламный, чем научный характер. Возможности акустических методов диагностики напряжений в сравнении с другими методами рассматриваются в работах [c.26]

Условия поставки и хранения монокристаллов германия такие же, как и для зониоочищриного поликристаллического германия. [c.214]

В расплавленной Na20a уменьшение массы поликристаллического германия составляет 15 26,6 и 54,2 мг-см соответственно через 5 [c.22]

Температура подложки. Некоторыми исследователями сообщалось С сильной зависимости скорости нанесения пле1юк от температуры подложки для ряда распыляемых материалов, в частности, для ЗЮг [64], ар-сенида галлия [25] и германия [24]. Во всех случаях наблюдалось заметное уменьшение скорости нанесения с увеличением температуры подложки. Крикориан и Снид [24] провели прямое сравнение температурных зависимостей пленок германия, полученных как ионным распылением, так и ваку-у.. гным испарением, и пришли к заключению, что оба механизма одинаковы. Например, для поликристаллических пленок, полученных двумя различными методами, была найдена энергия активации, равная 0,12 эВ неза- [c.428]

Взаимная эпитаксия кристаллов Ge и Si из газовой фазы при восстановлении их солей водородом изучали Кокориш и Шефталь [108, 109]. В качестве затравок использовались. монокристаллы, вырезанные по плоскостям (100), (ПО) и (111). При температурах ниже 800° С германий не осаждается на кремнии, а при 800° С образуется поликристаллический слой. Ориентированные кристаллы Ge на плоскости (111) Si образуются при 840° С. Однако получить непрерывный монокристаллический слой Ge, полностью покрывающий поверхность кремниевого монокристалла, не удается. Кроме того, сцепление эпитаксиального слоя осадка с подложкой очень плохое. [c.404]

Из табл. 53 видно, что в системе сурьма—германий- селен электропроводность при комнатной температуре изменяется в пределах 10 —10 ом см.- . Энергия активации электропроводности— от 1,5 до 2,2 эв. Таким образом, при замене мышьяка на сурьму в трехкомпонентной системе, содержащей германий и селен, вследствие нарастания металлизации химических связей в ряду Аз->-8Ь->В1 проводимость повышается на один-два порядка. В бинарных поликристаллических сплавах АзаЗез и ЗЬгЗез собственные проводимости различаются примерно на 8 порядков [42, 58]. Следовательно, в трехкомпонентной системе с более сложным характером взаимодействия между атомами влияние металлизации химических связей при замене мышьяка на сурьму проявляется значительно меньше, чем в соответствующих бинарных кристаллических системах. [c.148]

Измерения поверхностной проводимости можно осуществить несколькими способами. 1) Одним из таких способов является измерение общей проводимости в монокристаллах или поликристаллических образцах, состоящих из небольших зерен. Толщина слоя пространственного заряда в этих зернах относительно велика (СиаО) [17] . 2) В тех случаях, когда проводимость поверхностного слоя значительно больше, чем в объеме, т. е. если в объеме кристалл является фактически изолятором (СигО), то можно использовать кристаллы обычных размеров [18]. 3) Использование электрического поля между кристаллом и металлическим плоским электродом, помещенным вблизи поверхности кристалла, изменяет свойства поверхностного слоя как в области пространственного заряда, так и в адсорбционном слое. Исследуя влияние электрических полей различных частот (постоянный или переменный ток от 0,01 гц до высоких частот) на проводимость, можно обнаружить особые состояния — ловушки с большими и малыми временами релаксации (так называемые медленные и быстрые состояния). Теория низкочастотных измерений изложена в работе Моррисона [19], теория высокочастотных эффектов приведена в работе Гаррета [20[ и Верца [21]. Измерения такого типа были проведены для Ое [22, 23], Те [24] и РЬ5[251. 4) В тех случаях когда поверхностный слой кристалла обладает проводимостью л-типа, а проводимость его в объеме характеризуется р-типом или наоборот ( каналы ) [261, ток, идущий от поверхностного слоя к объему, можно запереть с помощью наложения разности потенциалов между поверхностным слоем и объемом кристалла, так что р-п-переход смещается в направлении запирания. При таких условиях возникающий в поверхностном слое ток не проникает в объем кристалла и поверхностная проводимость может быть измерена, даже если объемная проводимость велика. В последнее время оказалось возможным измерить не только проводимость, но и постоянную Холла Р) поверхностного слоя и таким образом определить подвижность носителей р, = [27[. Измерения поверхностной проводимости германия показали, что, если предпринять особые меры для очистки поверхности (ионная бомбардировка, травление путем испарения в высоком вакууме), [c.556]

В последнее время появились работы [81—83], показывающие возможность использования МОС для получения элементарных полупроводников эпитаксиальных структур германия и кремния. Эпитаксиальные слои германия [83] были получены термическим разложением тетраэтилгермания при 820° С. Ток газа-носителя (смесь аргона с водородом в соотношении 1 1) пропускали через испаритель при температуре 0—20° С со скоростью 35—150 M J/MUJI. Получены поликристаллические пленки на вольфраме и эпитаксиальные слои, ориентированные в плоскости (111), на германиевых подложках. По данным электронной микроскопии, углерод как в поликристаллических пленках, так и в эпитаксиальных слоях практически не обнаруживается и его количество в пленках не выше, чем в германиевой подложке. [c.415]

Случаи, соответствующие условиям Л и 5 на рис. 1, являются типичными при выращивании поликристаллических изделий из алюминия и его сплавов, профилированных кристаллов алюминия, германия и других материалов, не смачивающих формообра-зователь. Они широко использовались А. В. Степановым с сотрудниками и другими исследователями, например, в работах [4, 23, 35—37]. Поднятие расплава по наружной стенке формообразователя, не смачиваемого расплавом, использовалось для получения трубок из германия [38], стержней и трубок из высокоуглеродных сплавов железа [39]. Вариант способа С рассмотрен в работе [40]. Вариант D при подъеме расплава за счет капиллярных сил при смачивании формообразователя соответствует схеме выращивания EFG- и AST-способами. [c.15]

Германий — светло-серый металл с уд. весом 5,32 и температурой плавления 936° С. Его атомный вес 72,6 и электрохимический эквивалент 0,67 г а-ч. Растворяется в крепкой серной и в азотной кислотах и в царской водке. Поликристаллический зоноочищенный германий поставляется по ЦМТУ 05-6—66. Гальваническое осаждение германия, являющегося полупроводником, может применяться в радиоэлектронной промышленности. По исследованиям В. В. Остроумова [27], осаждение германия производится нз неводного электролита, состоящего из 5-процентного раствора четыреххлористого германия ОеСЦ в этиленгликоле, нри температуре 50—60° С и катодной плотности тока 20 а дм . В качестве анодов используют графитовые пластины. При указанном режиме германий осаждается в виде темно-серого покрытия с выходом но току около 2%. Скорость осаждения составляет [c.107]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология