Кристаллические пластины

Анализируя все многообразие надмолекулярных структур кристаллических полимеров, в конечном счете можно сделать вывод о том, что все они собраны из складчатых кристаллических пластин или из фибрилл, фактически также представляющих собой длинные пластины, т. е., по существу, из одних и тех же конструкционных элементов. Тем не менее размеры этих элементов, их взаимное расположение и структура пограничных между ними областей в существенной степени определяют физические, в первую очередь механические свойства кристаллических полимеров. [c.177]

Аналогом кластерной модели в случае исследования поверхностей твердых тел, в известном смысле, является модель кристаллической пластины, в которой рассматривается не полубесконечная решетка, а лишь несколько атомных слоев. Недавно такая модель с успехом была применена для изз ения плотности состояний в валентной зоне вблизи (111) поверхностей кремния и германия [13]. В этой работе методом сильной связи была рассчитана зонная структура пластины, содержащей 20 атомных слоев, причем учитывалась поверхностная релаксация атомов. Рассчитанная приповерхностная плотность состояний в кремнии и экспериментальный спектр приведены на рис. III.5. [c.58]

Если кристаллические пластины мысленно уложить в стопку, оставив между ними достаточно широкие зазоры, то поверхностные состояния можно исследовать, применяя для таких трехмерных систем классические методы теории энергетической зонной структуры. Так, в расчетах электронной структуры (001) поверхности лития [28] и (Ш) поверхности алюминия [29] для этих целей был применен метод псевдопотенциала. Во втором из названных расчетов в качестве модели рассматривались стопки пластин, состоящие из 12 атомных слоев каждая. Вакуумный зазор между пластинами равнялся толщине трех атомных слоев. [c.59]

Методы изготовления кристаллов, использованных для посадки на оптический контакт на цилиндрическую поверхность кристаллодержателя, мало отличались от тех, которые используются при изготовлении кристаллов малых размеров (см. след, параграф). Необходимость внесения некоторых изменений в технологию изготовления ориентированных кристаллических пластин в рассматриваемом случае вызывалась главным образом уменьшением толщины пластин, которая была доведена до 0,1 мм. В связи с этим полировка одной из поверхностей кристалла и доведение его толщины до указанной величины проводились после посадки кристалла на оптический контакт на плоско-параллельное стекло. Следует заметить, что малая толщина кристаллических пластин несколько затрудняет их изготовление и изгиб на изогнутой поверхности кристаллодержателя. Однако в спектрографах, работающих на прохождение , это окупается дополнительным выигрышем в интенсивности спектральных линий, к которому приводит уменьшение толщины отражающего кристалла. [c.72]

Рис. 22. Чистый изгиб кристаллической пластины на четырех опорах (схема).

Точно так же ведет себя и пластина из кварца, что видно из табл. 2. С законом Ома согласуется также и зависимость величины тока от толщины О пластины и площади ее сечения 8, если кристаллическая пластина однородна, что, конечно, не всегда бывает в действительности. Для проверки этой зависимости достаточно показать наличие пропорциональности между величиной тока и количеством электричества, наведенного на обкладках при различных значениях 8 ж О, поскольку известно, что определяющая этот процесс диэлектрическая постоянная является подлинной константой для материала сечение и толщина входят в выражение для наведенного количества электричества таким же образом, как и для величины тока. И действительно, во многих случаях (когда не предполагалось, что подобная однородность имеет место) подтверждение этому требованию соблюдалось лишь с точностью до 1—2%. Даже если эти факты и подтверждают справедливость закона Ома для первых моментов времени после приложения напряжения, то открытым остается важнейший вопрос, сколь до-чго в течение всего процесса прохождения тока можно говорить об определенном значении сопротивления. Приложенная разность потенциалов V к различным моментам времени меняется на величину АУ, чем определяется соответствующее изменение тока А/. Измерение показало, что в любой момент отношение= Л является [c.156]

Свойства белые или серые кристаллические пластины [c.89]

Слоистые силикаты имеют пластинчатое строение, плоскости спайности расположены параллельно слоям. Кристаллические пластины, сколотые по плоскости спайности, часто эластичны ввиду значительных сил связей, действующих в слое. Примерами силикатов и алюмосиликатов с такой структурой являются слюды (см. рис. 7.24 и 7.28), тальк (см. рис. 7.27), хлориты (см. рис. 7.29) и ряд глинистых минералов (см. стр. 320). [c.288]

Домены могут играть роль зародышей кристаллизации, о которых шла речь выше. При этом сам процесс кристаллизации осуществляется таким образом, что домен непосредственно образует кристаллическую пластину и на ее поверхности происходит дальнейшее складывание цепей. [c.98]

Рис. 35. Контактный потенциал между поли кристаллическими пластинами разнородны) металлов.

Площади кристаллических пластин, облучаемые при образовании рентгеновского муара, определяются геометрией освещения и могут быть увеличены сканированием. В опубликованных работах эти площади имеют поперечники порядка 1—5 мм ж более. Периоды муара меняются в пределах от немногих микрон до миллиметров, откуда следует, что этим методом можно изучать относительные деформации Ай/й в пределах от 10 до 10 и повороты отдельных участков кристалла на величины от одной до десятых долей угловой секунды. Интерпретация подобных деформаций в настоящее время представляется неясной. [c.289]

Г идроксид бария (Ва(0Н)2) может представлять собой кристаллические пластины белого или белесого цвета, а также водный раствор (бариевая вода). Используется при производстве стекла, непроницаемого для рентгеновского излучения, изготовлении керамики, очистке воды, производстве гидроксида калия и различных соединений бария. [c.58]

Пленки фторопласта-4 (тефлона) толщиной 5—20 (,1 прозрачны до 12,5 р. Их можно использовать в качестве защитных слоев окошек кювет при заполнении их различными водными растворами, кислотами и другими веществами, которые разрушают кристаллические пластин-кн галоидных солей щелочных металлов. [c.241]

Приставка ГП-6 для исследования в режиме двойного кристалл-спектрометра. Приставка устанавливается на гониометрах серии ГУР. Она предназначена для исследования кристаллов в режиме двойного кристалл-спектрометра в сочетании с монохроматором с плоским кристаллом. Кристалло-держатель приставки позволяет закреплять кристаллические пластины с предельными размерами 30 X 20 X 5 мм. Приставка обеспечивает поворот образца относительно оси гониометра на угол до 2° с точностью 0,001°, вращение образца в своей плоскости на 360° со снятием отсчета по шкале и с возможностью закрепления образца в выбранном положении. Новая модификация приставки для работы в режиме двойного кристалл-спектрометра выпускается под названием ГПД. Разработана также приставка для съемки по Бонзе с многократным отражением рентгеновских лучей. [c.17]

Для того чтобы понять, почему при наличии кристаллического вещества между скрещенными николями свет пройдет через анализатор, рассмотрим оптические явления, наблюдаемые в кристаллической пластинке при вращении ее между скрещенными николями. На фиг. 136 пунктиром изображены направления колебаний лучей, пропускаемых поляризатором Р—Р и анализатором А—А. Между поляризатором и анализатором (на вращающемся столике микроскопа) помещена оптически анизотропная кристаллическая пластин- [c.110]

В настоящее время в качестве исходного материала используется почти исключительно монокристаллический кремний, получаемый вышеописанным способом. Вначале кристалл на шлифовально-резальном станке с помощью тонких стальных пластин с внедренными в них алмазами разрезают на множество полосок толщиной около 0,3 мм. Чтобы выделить на кристаллической пластине определенные зоны для изготавливаемой схемы, всю ее предварительно делят на ряд прямоугольных или квадратных участков со стороной около 1-3 мм. Однако окончательное разделение последует только после завершения всех технологических операций (рис. 44). [c.69]

Кристаллические пластины, образованные выпрямленными цепями [c.48]

Рис. 14.3-9. Устройство интерфейса для микроколоночной ЖХ-ФПИК типа буферной памяти. 1 — азот для удаления растворителя 2 — ЖХ-элюат из микроколонки 3 — капилляр из нержавеющей стали 4 — кристаллическая пластина из КВг 5 — подложка пластины [14.3-81.

Первые попытки осуществить в кристаллодержателе спектрографа совершенный изгиб кристаллов больших размеров и практически использовать некоторые из рекомендаций, следовавших из работ по изучению механизма изгиба кристаллических пластин в кристаллодержателях обычной конструкции, были предприняты в 1945—1946 гг. автором совместно с К. И. Нарбуттом. Первоначально было решено отказаться от использования обычных конструкций кристаллодержателя и осуществлять изгиб кристаллов лишь на выпуклой его половине. Для этого соответствующий шаблон в нагретом состоянии покрывали равномерным слоем воск-канифольной замазки, на которую осторожно опускали кристаллическую кварцевую пластину. Последняя приклеивалась к шаблону и приобретала нужную изогнутую форму. Залогом удачи этой операции являлась равномерность слоя пасты и подходящая его толщина. При помощи этого приема удавалось получить кристаллодержатель с весьма удачно [c.69]

Чистый изгиб прямоугольной пластины был впервые использован Е. С. Федоровым [57] при создании линейки для черчения пологих дуг, носящей с тех пор его имя. Однако мысль о возможности применить аналогичный прием для изгиба кристаллических пластин в светосильных фокусирующих спектрографах возникла относительно недавно. Она была высказана почти одновременно в работах различных исследователей [58, 59, 60], предложивших несколько основанных на этом принципе и весьма близких по конструкции кристаллодержателей. Наиболее полно, однако, этот вопрос был рассмотрен в работе А. Б. Гильварга, который предложил три схемы кристаллодержателей, основанных на принципе чистого изгиба и в большей или меньшей мере пригодных для использования в фокусирующих рентгеновских спектрографах. [c.74]

Рис. 23. Одна из конструкций кристаллодержателя для чистого изгиба кристаллических пластин (по А. Б. Гильваргу).

Наиболее удобным материалом для изготовления кристаллов, необходимых для ремтгеиохимических работ, является кварц. Это объясняется, во-первых, тем, что кварц представляет собой один из наиболее совершенных кристаллов, в котором имеется целая серия плоскостей, удобных для отражения рентгеновских лучей (что позволяет изготовлять из этого кристалла пластины с различными между-атомными расстояниями) во-вторых, удобством обработки этого кристалла и сравнительной его доступностью в-третьих, тем, что вследствие отсутствия совершенной спайности и большой упругости кварцевых пластин их можно легко изгибать без риска вызвать в кристалле остаточные деформации, и, наконец, тем, что поверхность кварцевых пластин практически остается неизменной при изменении температуры и влажности воздуха. Это делает изготовленные из кварца пластины очень стабильными и удобными в эксплуатации. Высокие требования, предъявляемые практикой в отношении точности ориентировки и плоскопараллельно-сти кварцевых пластин, сделали необходимой разработку специальной методики их изготовления и объективного контроля за их качеством [64]. Систематическая работа по налаживанию производства ориентированных кристаллических пластин, пригодных для использования фокусирующих рентгеновских спектрографов с изогнутым кристаллом, у нас в СССР проводилась начиная с 1935 г. в Институте кристаллографии АН СССР А. Б. Гильваргом. [c.79]

Прохождение электрических токов через кристаллы-изоля-торы характеризуется своеобразными особенностями, которые до настоящего времени не разъяснены. Шведлер истолковывал эти явления даже не как проводимость, а как диэлектрические аномалии. Если к кристаллической пластине, с обеих сторон покрытой слоем металла, приложить постоянную разность потенциалов, то возникнет ток, спадающий со временем, величина которого иногда даже не приближается к конечному пределу. Если теперь снять напряжение и подключить обе обкладки к гальванометру, то будет зафиксирован противоположно направленный ток, который постепенно ослабевает и стремится к нулю. [c.153]

Гильварг А. Б. Применение чистого изгиба кристаллических пластин в кристалло-держателях для фокусирующих рентгеновских спектрографов. ДАН СССР, 1950, [c.79]

Высказанные выше соображения основываются на все более широко принимаемом допущении о том, что холодное течение представляет собой скольжение по кристаллографическим плоскостям . Однако Хорио предложил другой механизм холодного течения, который состоит в том, что цепи полиэтилена распрямляются и отделяются от кристаллических пластин, образуя фибриллярную структуру, ориентированную в направлении растяжения. Тем не менее довольно трудно представить себе, как может проявляться при таком механизме деформации влияние времени. Более того, этот механизм [c.397]

Из расплава, номеш енного в графитовый тигель, выращивали монокристаллы высокочистого серебра, подвергали их электролитической полировке, промывке кислотой и затем бомбардировали положительными ионами аргона при низком давлении [50]. Напряжение при разряде варьировали от 14 до 4000 в. После ионной бомбардировки образцы переносили в реакционный сосуд, где их отжигали в вакууме при 250° в течение 18 час, пренеде чем начать измерения скорости [51, 52] разлол епия паров муравьиной кислоты. Сосповскнй использовал три типа кристаллических пластин, в которых параллельно их поверхностям располагались кристаллографические плоскости (111), (100) и (110) соответственно для каждой из этих плоскостей была измерена зависимость каталитической активности от энергии бомбардирующих ионов. [c.229]

Структурные исследования в сочетании с данными по деформационнопрочностным характеристикам приводят к вьшоду о том, что волокна состоят из кристаллических пластин, объединенных в пачки, подобные тем, которые наблюдаются при кристаллизации ПЭ под давлением. Эти пластины способны упруго деформироваться (вероятно, изгибаться), поэтому их агрегаты могут подвергаться большим обратимым упругим деформациям, предопределяя деформацию волокна в целом. [c.59]

На основе упрощенного анализа явления можно ожидать, что в результате деформации при растяжении даже полимера, характеризующегося высоким содержанием пластинчатых структур (например, полиэтилена), большинство его цепей развернется и перейдет в выпрямленное состояние. При такой ориентации всегда наблюдается значительное уменьшение интенсивности дискретного рассеяния под малыми углами [53 ]. Предполагают, что слабую дифракцию от больших периодов, которую еще удается наблюдать, порождают оставшиеся нераспрямленными складки [54]. Если теперь к системе подвести тепло, чтобы обеспечить достаточную подвижность сегментов цепей, то при этом вновь образуются складки. Как следует из характера дискретного рассеяния под малыми углами, чем выше температура, тем больше количество складок и тем больше их период [12, 45]. Для того чтобы объяснить физические свойства полимеров, часто связанные с рекристаллизацией, следует предположить, что новообразование складок происходит совершенно случайно и в этом процессе должны принимать участие отдельные цепи или только малые группы цепей. Несомненно, что образование пластин не обусловлено процессами новообразования складок и рекристаллизации при температурах, обычно используемых на практике при термической обработке, так как следовало бы ожидать, что наличие таких кристаллических пластин должно оказывать вредное влияние на прочность ориентированного волокна. В самом деле, хрупкость полимера, часто вызванная слишком высокой температурой термической обработки, может быть обусловлена образованием пластин. Такие пластины, расположенные поперек оси волокна, наблюдал Кобаяши в отожженных волокнах линейного полиэтилена [55]. [c.225]

На одну сторону протравленной и отполированной пластинки наносят методом эпитаксии монокристаллический слой кремния толщиной 5-30 мкм. Ориентация кристаллов в нем совпадает с ориентацией в основном кристалле, который при введении небольших количеств фосфора или сурьмы становится донором электронов. Отныне кристаллическая пластина содержит первый p-n-переход между самим кристаллом и эпитаксйальным слоем. На следующей стадии пластину нагревают в кварцевой трубе при температуре свыше 1000°С и в атмосфере кислорода, после чего она покрывается слоем оксида толщиной около 1 мкм. Этот слой обеспечивает химическую защиту (пассивацию) и электрическую изоляцию полупроводникового материала. На каждом предварительно выделенном участке должны быть теперь созданы сотни и даже тысячи изолированных друг от друга зон, каждая из которых будет выполнять функции определенного элемента электронной схемы. Для реализации такого очень тонкого, но необходимого структурирования служит специальная технология. Поверхность кристалла покрывают специальным синтетическим лаком, который при сильном освещении затвердевает, а в неосвещенных местах остается растворимым. Путем оптического уменьшения соответствующего черно-белого шаблона достаточно мощным проектором в слое лака создается картина желаемой структуры, например сеть узких полос для разграничения зон. Если после этого пластину обработать травильным составом, содержащим плавиковую кислоту, то при аккуратном проведении процесса вдоль полос будет снята пленка оксида и опять появится слой полупроводника.- [c.69]

Гедриты представляют собой полиэдрические структуры. Такие образования характеризуются наличием определенных граней, поэтому полагают, что им свойственны по крайней мере некоторые особенности монокристаллов. Подробное рассмотрение их структуры не является предметом данной книги достаточно отметить, что они состоят из нескольких наложенных друг на друга кристаллических пластин и толщина таких образований может превышать 1 мк. Существенно то, что они могут образовываться не только при кристаллизации полимера из раствора, но также и при кристаллизации из расплава. Это было показано Гейлом и сотр. на примере полиоксиэтилена [c.47]

Вязкости полимерных расплавов исключительно высоки, поэтому в процессе кристаллизации нельзя было бы ожидать значительного перемещения полимерных молекул, необходимого для соответствующей упаковки их в твердом состоянии. Тем более удивительно, что в условиях медленной кристаллизации макромолекулы полиэтилена молекулярного веса более 10000 способны перестраиваться с последующим образованием структур, в которых полимерные цепи не только полностью выпрямлены, но, кроме того, их концы располагаются в одной плоскости. При этом образуются кристаллические пластины, подобные тем, которые обнаруживаются в низкомолекулярных парафинах. Пример кристаллов такого типа приведен на рис. 16, где показаны структуры, обнаруживаемые на сколах полимера при низкой температуре. Андерсон показал, что в условиях более быстрой кристаллизации образуются пластины меньших размеров, и в этих пластинах цепи сложены на себя. Однако существенно, что при некоторых условиях в пластинах может происходить значительная переупаковка макромолекул, которая должна предполагать заметное перемещение цепей. Имеются также некоторые данные, свидетельствующие о том, что в процессе кристаллизации осуществляется фракционирование полимера по молекулярным весам. В результате этого образуются кристаллические структуры различных типов. В теории Кейта и Паддена, описывающей рост [c.48]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология