Нарушение периодичности

Она характеризует нарушения периодичности пространственного расположения атомов углеродных материалов, микроискажения, дефектность структуры. Величина среднеквадратичных смещений атомов определяется либо тонким исследованием профилей различных дифракционных отражений [ 1-3 J, либо привлечением функции радиального распределения атомной плотности (р.р.а) [ 4 ]. [c.96]

Значительные нарушения периодичности расположения углеродных атомов в кристаллоподобных структурах асфальтенов обусловлены тем, что атомы углерода, формирующие плоскости (002), находятся не только но и в р -гибридном состоянии. ТАБЛИЦА 99, Рентгеноструктурные характеристики асфальтенов [c.281]

Изменение условий дифрак ционного контраста вследствие нарушений периодичности кристаллической решетки кристалла [c.158]

Дефекты кристаллической решетки — это нарушения периодичности строения кристалла, т. е. нарушение периодичности пространственного расположения атомов в зоне дефекта. Эти дефекты на электронно-микроскопическом изображении видны в результате явления дифракционного контраста. Различная дифракция электронов ка дефектном и недефектном участках кристалла (более сильная или менее сильная) приводит к разной освещенности соответствующих его зон и, как следствие этого, к появлению контраста. Характер контраста зависит не только от природы дефек- [c.156]

Нарушения периодичности структуры проявляются в особенностях картины рассеяния (сателлиты, диффузный фон и др.). Анализ этих особенностей позволяет определить как динамические нарушения, обусловленные тепловым движением частиц кристалла, так и тип и распределение статических дефектов кристаллической структуры (точечные дефекты, дислокации и т. д.). Динамические и статические нарушения структуры влияют на все физические свойства твердых тел, в наибольшей мере сказываясь на транспортных свойствах кристаллов, связанных с переносом электричества, тепла или массы, включая пластичность и прочность. Так, коэффициент диффузии в одном и том же веществе может меняться на 10 порядков. [c.15]

Конечность размеров кристалла является одним из видов нарушений периодичности и проявляется в расширении узлов обратной решетки. В соответствии со свойствами фурье-преобразования ширина главного максимума ДЛ (1.326) вдоль оси обратной решетки X обратно пропорциональна числу ячеек кристалла МI вдоль оси кристалла Хг. Интенсивность главного максимума 1>(Н) сосредоточена вокруг узла в области, форма и размеры которой определяются формой и размерами кристалла, а распределение интенсивности — интенсивностью спектра плотности кристалла (1.316). Область, заполняемая главным максимумом интенсивности, описывается векторным соотношением [c.35]

Дефектом строения кристаллов считается любое нарушение периодичности расположения частиц решетки, нарушение стехиометриче-ского состава, примеси, отсутствие частиц в отдельных узлах решетки (вакансии), смещение их из узловых положений в междоузлия, трещины, поры и т. д. Дефекты возникают в зависимости от условий образования кристалла, а также под влиянием тепловых, механических, оптических и других воздействий на кристалл. [c.135]

Нарушение периодичности (дефекты) [c.69]

Выше (см. 1) мы утверждали, что малые возбужденные состояния идеально организованной системы частиц можно рассматривать как газ совершенно невзаимодействующих квазичастиц (см. также 3 и 4). В этом случае энергия и характер движения любого элементарного возбуждения совершенно не зависят от того, имеются ли в системе другие возбуждения того же или какого-либо иного типа. Довольно очевидно, что в таком приближении нельзя рассматривать практически важные явления переноса (теплопроводность, электропроводность и др.), так как только взаимодействие между квазичастицами, их столкновение с различными нарушениями периодичности поля решетки могут обеспечить конечность кинетических коэффициентов (X, о и др.), наблюдаемых на опыте. [c.95]

Нарушения периодичности строения кристаллов можно условно разделить на две группы макро- и микродефекты, между которыми существуют непрерывные переходы. [c.24]

Поверхность кристалла также входит в двумерные дефекты. Отнесения ее к числу дефектов требуют и формальные соображения (нарушение периодичности расположения элементов структуры), и искажение в расположении частиц вблизи поверхности раздела по сравнению с их расположением вдали от нее. Например, для грани куба галоидов щелочных металлов установлено [Де Бур Я. X., 1959 г.], что плоскость, проходящая через центры анионов, на 0,2 А выше плоскости, проходящей через центры катионов. На глубине кристалла эти плоскости совпадают. Расстояния анион — катион в молекулах газа [Кондратьев В. Н., 1959 г.] на 20% меньше соответствующих расстояний в кристалле, из чего следует, что в поверхностном слое кристалл должен быть уплотнен. [c.11]

Нарушения правил технической эксплуатации резервуаров, т.е. опорожнение или заполнение резервуара нефтепродуктом со скоростью, превышающей максимальную пропускную способность дыхательных клапанов, или наполнение резервуара нефтью с большим содержанием газа и легких фракций бензина, переполнение резервуаров и нарушение периодичности осмотра днища резервуаров с очисткой от отложений. [c.13]

Нарушения периодичности расположения молекул при сохранении параллельности их осей можно охарактеризовать [c.85]

Нарушения периодичности строения кристаллов можно условно разделить на две группы макродефекты и микродефекты, между которыми существуют непрерывные переходы. Макродефекты представляют собой нарушения однородности строения кристалла, границы раздела между ними имеют размер более половины длины волны видимой части спектра. Поэтому границы и блоки в макродефектах обнаруживаются оптическими методами исследования вещества. Среди кристаллов кварца и других минералов выделяются два типа строения блочного и однородного. Например, в кристаллах горного хрусталя блочного строения можно заметить довольно однородные фрагменты, имеющие форму трехгранных призм, которые соединяются в осевой части кристалла в однородную массу. В срезе таких кристаллов перпендикулярно Ьз иногда можно заметить границы блоков, которые веером расходятся из центральной части кристалла. Кристаллы кварца блочного строения при растворении в НР мутнеют, кислота по границам блоков проникает внутрь кристалла, и растворение их идет с поверхности и из внутренней части. В оптическом отношении такие кристаллы обнаруживают явление свилей . Кристаллы однородного строения равномерно, постепенно, только с поверхности растворяются в НР и обладают полной оптической однородностью. В каждой кварцевой жиле встречаются кристаллы только одного типа — однородного или блочного строения. [c.18]

Для условий пятого эксплуатационного периода (см. табл. 8.8) предполагаемый расход энергии, подсчитанный из этого уравнения, составляет 2,24 квт-н/м обессоленной воды. Разница между этой величиной и фактически установленной, а именно 2,73, по-видимому, обусловливается более высоким сопротивлением аппарата. Увеличение расхода энергии в установке за шестой период объясняется нарушением периодичности промывок электродиализаторов, что приводило к общему увеличению электрического сопротивления установки. Хотя существующий расход энергии на 1 л обессоленной воды может показаться удовлетворительным, тем не менее надо иметь в виду следующие моменты. [c.320]

ЛИТ (см. рис. 13) имеет кубическую решетку, а Р-тридимит (рис. 35) — гексагональную. Между этими структурами такая же разница, как между сфалеритом и вюртцитом. Наиболее плотная модификация SiOa (стишовит) характеризуется необычной для кислородных соединений кремния координацией атомов. Здесь каждый атом кремния окружен не четырьмя, а шестью атомами кислорода. Поэтому структура стишовита образована сочетанием кремиекислородных октаэдров I SiO, ]. Для атомов кислорода в стишовите координационное число 2 сохраняется. В структуре кварцевого стекла, получаемого при охлаждении расплава SiO-2, сохраняются те7раэдриче-ские группировки, характерные для кристаллов (рис. 36, а), ио они соединены беспорядочно с нарушением периодичности (рис. [c.203]

Линейные дефекты — одномерные, т. е. протяженные в одном измерении нарушения периодичности в одном измерении простираются на расстояния, сравнимые с размером кристалла, а в двух других измерениях не превышают нескольких параметров решетки. [c.308]

Нарушения периодичностей с оо1 ЮЛ и 7Л удалось наблюдать непосредственно с помощью электронного микроскопа высокого разрешения. Термогравиметрические эксперименты показали, что поверхностные молекулы воды удерживаются примерно так же прочно, как гидроксилы в тальковом и серпентиновом слоях. [c.211]

Любое воздействие на металл, приводящее к увеличению в нем дефектов кристаллического строения (нарушения периодичности решетки), при-вод гг к увеличению электрического сопротивления. Наряду с деформацией такими воздействиями являются закалка от высоких температур, облучение частицами высоких энергий. Отжиг деформированного, закаленного или облученного металла приводит к снижению электросопротивления вследствие частичного устранения дефектов решетки. Как правило, при температурах отжига, соответствующих температуре рекристаллизации, электросопротивление становится приблизительно равным исходному. Падение избыточного сопротивления, обусловленного наличием в металле дефектов решетки, начинается уже при низких температурах. Характерно, что падение сопротивления происходит неравномерно, при некоторых температурах оно идет быстрее. Различные стадии возврата электросопротивления соответствуют исчезновению вследствие миграции дефектов различных типов. Измерение кривых возврата электросопротивления является хорошим средством изучения дефеюгов кристаллического строения и их поведения - миграции, аннигшгяции, образования комплексов и скоплений дефектов. [c.58]

В графитированных углеродах расположение атомов соответствует гексагональной сингонйи. Зародыши кристаллов гексагональной структуры появляются при графитации легко графитирующихся углеродных веществ, начиная с 1500 °С. Естественно, при формировании кристаллитов имеются отклонения от правильного пространственного распределения. Нарушения периодичности пространственной структуры возникают не только в процессе ее формирования, они могут быть созданы искусственно - при закалке, механических воздействиях и т.д. Но какова бы ни была природа атомных дефектов углеродных материалов, все они приводят к деформации пространственного расположения атомов, к изменению межатомных расстояний в различных направлениях, к искажению геомётрии кристаллической решетки. [c.15]

I 3 е л ь д о n и ч Я. Б,, К о м п а н е е ц А, С,, Теория детонации, М., 19,55 Юхансон К., Персон П., Детонация взрывчатых леществ, пер. с англ,, М,, 1973. В. Э. Анников. ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ, подразделяют на микродефекты (нарушения периодичности в расположении атомов, ионов или молекул в кристаллич. структуре) и макродефекты (трещины, включения газов и маточного р-ра и т. п.). Образуются при росте кристаллов вследствие неравновес-ности условий роста и наличия примесей, а также под влиянием мех. и тепловых воздействий, злектрич. и магн. полей, при действии на кристалл ионизирующих излучений. [c.152]

Простейшие геометрические расчеты показывают, что при спинодальном разложении в системах симметричного состава периодически расположенные микрообласти с преимущественным содержанием одного из компонентов контактируют друг с другом. При достижении сравнительно высоких степеней сегрегации и сохранении подвижности в системе становится возможным слияние контактирующих однотипных фейзонов. Этому способствует уменьшение свободной поверхностной энергии системы, сопровождающее процесс слияния микрообластей. Данное явление в большой степени облегчается при существенно несимметричных составах. В таком случае фейзоны на основе компонента, находящегося в большинстве, при слиянии образуют сплошную матрицу. При этом сохраняется периодическое расположение микрообластей на основе компонента, находящегося в меньшинстве. Поскольку для составов, близких к симметричным, оказывается возможным слияние фейзонов как одного так и другого типа, в результате образуется система полидисперсных агрегатов со значительными нарушениями периодичности. [c.187]

ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ. подразделяют на микродефекты (нарушения периодичности в расположении атомов, ионов или молекул в кристаллич. структуре) и макродефекты (трещины, включения газов и маточного р-ра и т. п.). Образуются при росте кристаллов вследствие неравновес-ности условий роста и наличия примесей, а также под влиянием мех, и тепловых воздействий, электрич, и магн, полей, при действии на кристалл ионизирующих излучений. [c.152]

Относительные концентрации электронов и дырок в окисле можно изменить путем облучения в области основного поглощения твердого тела. Используя зонную схему, можно представить, что поглощенный квант возбуждает электрон валентной зоны, который перескакивает через запрещенный участок, отделяющий ее от зоны проводимости наличие свободного электрона в зоне проводимости и дырки, свободно передвигающейся в валентной зоне, проявляется в случае приложения электрического поля как фотопроводимость. Если электрон и дырка образуют возбужденное состояние, оставаясь связанными вместе в виде экситона, то фотопроводимости не наблюдается, пока какое-нибудь дополнительное воздействие не приведет к диссоциации экситона. Поскольку электроны и дырки возникают в результате поглощения света или у-лучей, то можно ожидать — при условии правильности идей о роли электронов и дырок как реагентов при адсорбции и катализе, — что облучение будет стимулировать фотоадсорбцию , фотодесорбцию и фотокатализ точно так же, как оно вызывает фотопроводимость. Ввиду того что после прекращения возбуждающего облучения фотопроводимость очень быстро исчезает из-за рекомбинации электронов и дырок, можно полагать, что фотоадсорбция и родственные явления будут наблюдаться только в процессе облучения. Донорные или акцепторные центры в окисле, обусловленные, например, несте-хиометричностью, должны играть важную роль в определении природы и величины поверхностных фотоэффектов вследствие их способности избирательно захватывать электроны или дырки, а также из-за того, что вызываемое ими нарушение периодичности решетки может привести к поглощению за пределами области основного поглощения. [c.353]

Наряду с точечными дефектами в макромолекулярных кристаллах могут существовать и линейные — дислокации, которые чаще всего возникают из-за наличия в кристалле лишней полуплоскости (краевые дислокации) или из-за смещения одной части кристалла относительно другой (винтовые дислокации) (рис. 1.9). Дислокации характеризуют вектором Бюр-герса . Винтовые дислокации с вектором Бюргерса, равным молекулярной складке, возникают при росте кристалла во время кристаллизации и легко могут быть обнаружены на ЭМ снимках реплик с кристаллов. Дислокации в макромолекулярных кристаллах, имеющие вектора Бюргерса, сравнимые с периодом идентичности, можно обнаружить уже только по нарушению периодичности муаровых картин, возникающих при прохождении электронного пучка через пару наложенных друг на друга кристаллических ламелей. [c.39]

Статистическая природа макромолекул, имеющих более или менее выраженные нарушения периодичности строения, многообразие пространственных конформч-ций, которые принимает макромолекула под влиянием внутри- и межмолекуляр-ных взаимодействий, приводят к неоднозначной зависимости между И К спектром полимера и его структурой. В установлении взаимосвязи структура — свойство большую роль играют структурно-чувствительные полосы ИК спектров полимеров. К ним относятся полосы кристалличности, регулярности, конформационно-чувствительные полосы, а также полосы, обусловленные образованием складок в кристаллитах полимеров. [c.14]

Работа Шуита интересна для нас и тем, что показывает ценность исследования периодических кривых даже в тех случаях, когда имеется качественное изменение явления, становящееся причиной нарушения периодичности свойств. [c.13]

Нами найдена более несовершенная кристаллоподобна организация, чем турбостратная [107, 109]. На рентгенограммах удалось идентифицировать только дифракционные линии первого порядка. Поэтому оценить вклад таких факторов, как концентрация микродефектов в кристаллических структурах и дисперсность размеров облаёти когерентного рассеивания, оказалось фактически невозможным. Из-за этого величины Ьа и с, определенные рентгенографически, имеют заниженные зна-ченйя. Значительные нарушения периодичности расположения углеродных атомов в кристаллоподобных структурах асфаль-тёНов обусловлены тем, что атомы углерода, формирующие плоскости (002), находятся не только в но и в р -гибрид-ном состоянии. Аналогичные выводы были сделаны Спайтом [89]. [c.41]

Поверхностные свойства твердых тел, так же как и объемные, во многом определяются их электронной структурой. Электронная теория поверхности впервые была рассмотрена Таммом [5, 6] и Шокли [7]. И в той и в другой работе свойства поверхности определены через поверхностные состояния электронов. Причиной образования поверхностных уровней Тамма является нарушение периодичности кристаллического поля на поверхности, а уровней Шокли — наличие нескомненсированных валентных связей. На каждом поверхностном энергетическом уровне на-ходится только один электрон, в силу чего эти уровни можно рассматривать как свободные валентности. Однако в отличие от свободной ва.лентности стабилизированного радикала электроны поверхностных уровней делокали- [c.408]

В реальных кристаллах многие свойства существенно зависят не только от типа равновесной кристаллической структуры, но и от дефектов этой структуры — нарушений периодичности и равновесия. Структурно-чувствительными свойствами кристаллов являются ионная и полупроводниковая электропроводность, фотопроводи- [c.306]

Точечные (нулъ-мерные) дефекты — нарушения периодичности в изолированных друг от друга точках решетки во всех трех измерениях они не превышают одного или нескольких междуатомных расстояний (параметров решетки). Точечные дефекты — это вакансии, атомы в междуузлиях, атомы в узлах чужой подрешетки, примесные атомы в узлах или междуузлиях. [c.308]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология