Концентрация ловушек

Отсюда следует, что даже в совершенно чистой (т. е. без примесных ионов) гидратированной окисной пленке существует заметная концентрация ловушек, которые могут быть центрами рекомбинации. При глубокой осушке окисной пленки происходит частичное отщепление химически связанной воды, а следовательно, возрастают степень ионизации окисла и концентрация указанных ловушек. [c.211]

Если же концентрация ловушек мала, а контакты омические (т. е. уровень Ферми в контактном материале очень близко подходит к зоне проводимости диэлектрика, так что обеспечено неограниченное введение электронов проводимости), то прохождение тока должно зависеть главным образом от пространственного заряда. [c.494]

При графитации под действием тепловых колебаний происходит разрыв связей между атомами углерода и примесными атомами. В момент разрыва связей валентные электроны атомов углерода могут иметь нескомпенсированные спины. Компенсация спинов возможна путем перехода пи-электронов на свободные энергетические уровни. Вследствие этого пи-зо-на оказывается заполненной лишь частично. С повышением температуры обработки в результате роста сеток концентрация ловушек пи-электронов уменьшается и степень заполнения зоны увеличивается [1]. [c.50]

Следует подчеркнуть, что в КМз исключительно присутствие или отсутствие этого типа экситонов определяет то, что фоторазложение достигает плато на кривой II или же проходит целиком по кривой I. Таким образом, вопрос о том, расположено ли плато выше или ниже начальной скорости, зависит просто от величины отношения интенсивностей 1849/2537 А и начальной концентрации ловушек. Мы утверждаем, что в действительности решающее значение имеют два первых процесса, а так называемый третий процесс представляет собою смещение условий, определяющих стационарность процесса, под действием излучения 1849 А. [c.167]

Как и в других опытах с улавливанием, вначале нужно было убедиться, что ловушки не способны реагировать с исходным веществом (ср. раздел 5.2). Затем проводили реакцию в присутствии таких количеств ловушек 50 и 52, которые значительно превосходили количества образующихся продуктов 51 и 53, так что в процессе реакции концентрация ловушек существенно не меняется. Поскольку при этом выполняется условие уравнения (2) (см. выше), после определения соотношения содержания продуктов можно было бы непосредственно вычислить константу конкуренции. Однако обычно проводят несколько определений с возрастающим соотношением содержания ловушек и убеждаются таким образом, справедливо ли вообще уравнение (1). Результатом в этом случае должна явиться линейная зависимость соотношения содержания продуктов от соотношения содержания ловушек, как это представлено для рассматриваемой реакции на рис. 51. Константа конкуренции вычисляется в этом случае из наклона получающейся прямой. [c.186]

Изучение инжекционных электронных токов в диэлектриках и полупроводниках позволяет на основе теории [13] определить такие важные характеристики, как подвижность носителей, концентрацию ловушек, время жизни и др. В работе [14] рассмотрены условия инжекции ионов в диэлектрик. [c.15]

Затем, зная х, с помощью формул (9а) и (96) из одной точки нелинейного участка найти порознь значения Уд и Ут 1Т]. После такого определения параметров все экспериментальные точки хорошо ложатся на теоретическую кривую. Более того, как и следовало ожидать, истинная концентрация ловушек и их реакционный объем не зависят от природы и концентрации вводимых комплексов и определяются лишь свойствами матрицы. Так, для всех растворов (10 М КаОН) при 77° К было получено одно и то же значение Ут[Т] = 0,25. [c.76]

Таким образом, выполненные в ИХФ АН СССР в последнее время эксперименты показали, что туннельный эффект существенно сказывается в реакциях переноса электрона. Это открывает богатые перспективы поисков целого ряда новых кинетических явлений. Так, нанример, при низкотемпературном радиолизе твердых органических веществ при увеличении концентрации ловушек сверх предельных концентраций ионов ([Т] [1]цр) должно наблюдаться уменьшение вероятности стабилизации электрона, так как, если расстояние между ловушками меньше расстояния эффективного туннельного переноса, электрон, туннелируя из одной ловушки в другую, будет скатываться к катиону В" . Другой — более химический — эффект связан с тем, что перемещение реагентов в твердофазных реакциях обычно происходит с весьма малыми частотами (v — 1 сек ), поэтому частицы с разноименными зарядами (А", Б ) будут взаимно нейтрализоваться, благодаря туннельному переходу электрона, прежде, чем они встретятся в реакционной клетке Удв, т. е. пока между ними еще находится несколько слоев нейтральных молекул матрицы М [c.77]

В формулах (9)—(12) п и р — концентрации свободных электронов и дырок п п р — концентрации электронов и дырок, локализованных на ловушках и Л г — соответственно концентрации ловушек для электронов и дырок и — константы скорости захвата электронов и дырок ловушками аг и Ра — константы скорости их высвобождения. [c.125]

Изучение инжекционных электронных токов в диэлектриках и полупроводниках позволяет определить такие важные характеристики, как подвижность носителей, концентрация ловушек, время жизни и др. [c.15]

Заметим, что акцепторы электронов при концентрации 10 М успешно конкурируют за захват электрона с ловушками стекла. Отсюда можно сделать вывод, что концентрация ловушек в стеклах — величина порядка 10 М (в углеводородных стеклах концентрация ловушек возможно меньше). [c.46]

Допустим, что имеется один тип ловушек, обменивающихся электронами только с зоной проводимости. В таком случае концентрация электронов в зоне проводимости при затухании определяется уже не только рекомбинацией, т. е. уравнением (1.11), но и захватом. На основании тех же соображений, какие привели к уравнениям (1.11) и (1.19), можно принять что число актов захвата электрона ловушкой в единицу времени определяется произведением ази Уз—Пз)п, где Оз —эффективное сечение захвата, зависящее от природы центра Vз — общая концентрация ловушек Пэ—концентрация захваченных электронов. С другой стороны число актов освобождения электронов из ловушек, протекающего как мономоле-кулярный процесс, равно шпз. Поэтому можно записать следующее выражение для скорости изменения числа захва- [c.22]

С помощью термодеполяризации определяют энергию активации, глубину захвата и концентрацию ловушек с разной глубиной захвата. [c.128]

В. работе [10] изучали также изменение емкости при воздействии постоянного напряжения. (Измерения проводили при частоте нескольких кГц.) Поскольку изменения емкости не наблюдалось, авторы приняли, что в электретном эффекте большая часть заряда обусловлена смещением в поле сравнительно на небольшие расстояния ионов, которые застревают в ловушках и образуют заряд, не сказывающийся на диэлектрической проницаемости. В работе [209] полагают, что для обеспечения наблюдаемых величин заряда электретов за счет микросмещения ионов достаточно концентрации ловушек 1011 в 1 смз. [c.135]

В химически сенсибилизированных кристаллах наряду с ограниченным числом электронных ловушек имеется высокая поверхностная концентрация ловушек для дырок. На первых стадиях освещения некоторое число электронов захватывается внутри кристалла и возникающий в результате этого объемный заряд препятствует дальнейшему захвату электронов до его нейтрализации подвижными ионами серебра. [c.43]

Поскольку концентрация ловушек избыточного электрона [c.71]

Для каждого полимера характерна вполне определенная концентрация ловушек, на которых стабилизируются заряды. В начале радиолиза происходит заполнение ловушек до некоторой равновесной концентрации ионов. Для многих полимеров равновесная концентрация зарядов достигается уже при дозах, меньших 10 Гр (1 Мрад). Изменения спектров ЭПР во время радиолиза также показывают, что накопление ионов прекращается или резко замедляг ется при дозах 1—3 Мрад. Поэтому почти для всех полимеров (полиэтилена, полипропилена, политетрафторэтилена, полиметилметакрилата и различных эластомеров) интенсивность РТЛ растет с дозой только до 1—5 Мрад. Дальнейшее увеличение дозы облучения или меняет площадь под кривой высвечивания, или в некоторых случаях даже снижает ее. [c.237]

Концентрация ловушек позитрония, как следует из неизменности величины /ц, не зависит от времени выдержки в исследованном интервале времен. [c.67]

Принщшиально иной способ придания электропроводности аморфному алмазоподобному углероду — это введение в него азота. Такие a- H N пленки осаждаются из плазмы Nj СН [269, 270]. Их проводимость, как отмечалось выше, обусловлена перескоками электронов между локализованными точечными дефектами-ловушками. С ростом отношения N2/ H4 в реакционной газовой смеси как удельное сопротггвление р, так и оптическая ширина запрещенной зоны материала уменьшаются (в работах [269, 270], соответственно, с 3 Ю до 5 10 Ом см и с 1,3 до 0,6 эВ). Одновременно возрастает концентрация ловушек (измеренная релаксационным методом, с наложением возмущающего электрического сигнала) и облегчается протекание электродных реакций в системе Fe( N)g . Последний эффект иллюстрируется рис. 45, на котором отложена зависимость разности потенциалов AEj, пиков тока восстановления Fe( N) и окисления Fe( N)g на циклической вольтамперограмме от логарифма удельного сопротивления пленок р. Как отмечалось выше, чем более необратима реакция, тем больше величина (для обратимой реакции АЕ = 56 мВ). [c.76]

Керамика состава ОдзОазОп со структурой фаната, допированная ионами В1 проявляет люминесцентные свойства [359]. Возбужденный рентгеновскими лучами сцинтиллятор обнаруживает послесвечение, которое используется в медицинской радиодиагностике. Измерения термолюминесценции в интервале температур от 50 до 600 К позволяют определить концентрацию ловушек в этих материалах. По всей вероятности, ловушки связаны с дефектами решетки, обусловленными дефицитом кислорода. Термолюминесценция при более высокой температуре обнаруживает глубокие ловушки, которые определяют послесвечение в этих люминесцентных материалах. [c.299]

Для материала с температурой обработки 1690° концентрация ловушек, а следовательно и дырок, велика. Пи-зона в них может оказаться незаполненной настолько, что становится возможной электронная проводимость, а не дырочная, как это имеет место в почти заполненной зоне. Вследствие, этого термосила материала имеет отрицательный знак (pnq. 1). [c.51]

Нп/княя граница концентрации ловушек, пригодных для стабилизации электронов, может быть оценена из предельной концентрации стабилизированных электронов. Концентрация ловушек может быть оценена также из зависимости выхода стабилизированных электронов от количества акцептора. Концентрация акцептора, необходимая для того, чтобы уменьшить выход стабилизированных электронов до нуля, в случае эффективных акцепторов составляет 10 н-10 и, как правило, меньше в неполярных матрицах [111]. Эта величина может рассматриваться как верхняя граница концентрации ловушек. Меньшую предельную концентрацию стабилизированных электронов в облученных углеводородах, чем в полярных соединениях, можно объяснить тем, что энергия электростатического взаимодействия электрона с катионом уменьшается с увеличением полярности матрицы. [c.105]

Возникает вопрос, почему процессы (4) и (5) не происходят непосредственно при облучении, до попадания электронов в ловушки. Из данных об импульсном радиолпзе спиртов [153] известно, что константы скорости реакции (4) [или (5)1 довольно малы (10 — 10 л/молъ сек). По-видимому, в аморфных образцах из-за большой концентрации ловушек стабилизация электронов более эффективна, чем реакция с молекулой спирта. [c.221]

В полярных стеклах концентрация ловушек составляет 10 i -i- 10"-. чолъ л [90, 154]. [c.221]

В работах [21, 22] отклонение от линейности формально объяснилось уменьшением концентрации ловушек при увеличении концентрации акцептора. Однако физической модели, позволяющей понять природу такого воздействия акцептора на выход е г, в этих работах предложено не было. Между тем, наблюдаемые зависи-лаости С от [А] можно объяснить, предположив, что акцепторы мо- [c.74]

В работе [37] исследовалась зависимость силы тока от интенсивности облучения для полиэтилена и парафина СгвНбв- По известному значению а была определена концентрация ловушек Пл В полимере, которая оказалась и для парафина СгвНзв, и для полиэтилена примерно равной 10 ° см- . Установлено, что коэффициенты рекомбинации для этих веществ также близки и равны 8-10- см с для полиэтилена и 13-10 см с для парафина. Все это позволило Мак-Куббину считать, что ловушки электронов в полиэтилене и парафине не могут быть связаны с примесями низкомолекулярных веществ и дефектами строения молекул, а имеют одну природу и связаны с дефектами физической структуры этих веществ. Об этом свидетельствует существенное влияние условий кристаллизации образцов на величину Пд. [c.55]

Константа скорости Ks пропорциональна концентрации ловущек, следовательно, согласно последним соотношениям, вероятность повторной встречи или возврата реагентов характерным образом зависит от концентрации ловушек. Этот факт используется для подтверждения правильности изложенной теории. [c.15]

Возвращение электрона в зону проводимости (переход 8) происходит за счет тепловых флуктуаций или внешнего воздействия (например, облучения инфракрасным светом). Положения уровней прилипания (глубина ловушек) в значительной мере определяют длительность послесвечения фосфора, а концентрация ловушек, наряду с их глубиной, величину запасенной светосуммы, т. е. энергии, накопленной в фосфоре при его возбуждении. [c.9]

МОЖНО определить содер>кание каждой из них. Однако энергии активации примесей меняются в зависимости от материала основы и их нельзя точно измерить, если пики терморезонансного тока перекрываются. Таким образом, метод терморезонансного тока в общем не является избирательным, и мы рассмотрим здесь лишь методы измерения концентрации ловушек, а не энергий активации. [c.388]

Р и с. 8. Зависимость силы тока от температуры кристалла с напряжением 100 в. I — темновой ток и темновой ток плюс терморезопапспый ток II — пики терморезонансного тока, полученные после вычитания значений темпового тока. Цифры у пиков соответствуют энергиям активации Е и концентрации ловушек в п-10" ат.%. а — темновой ток б — темновой ток плюс терморезонансный ток. [c.389]

Вероятность туннелирования (и, следовательно, автоионизации деформированной связи) была оценена в работе [120] она близка к единице, когда расстояние переноса электрона составляет г 9 А. Отсюда можно оценить минимальную концентрацию ловушек или акцепторов N 1 , при которой будет осуществляться только ионизационный распад макромолекул она определяется из условия /зтиг ш1п 1, откуда см . [c.303]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология