Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Теория комплексообразования

    Принцип жестких и мягких кислот и оснований. Качественные и полуколичественные теории комплексообразования, основанные на обобщении большого экспериментального материала, обычно излагают в понятиях теории кислот и оснований Льюиса и принципа жестких и мягких кислот и оснований Пирсона (ЖМКО). [c.40]


    Автор книги, ранее принимавший активное участие в разработке так называемой электронной теории катализа, теперь, как он сам пишет, пытается объединить химический и физический аспекты катализа . Экстраполируя от гомогенного к гетерогенному катализу , он интерпретирует механизм гетерогенного катализа с позиций теории комплексообразования, поскольку работы последних лет показали, что между гетерогенным и гомогенным катализом нельзя провести четкую границу, как это считалось ранее в обоих случаях найдены сходные элементарные механизмы и активные формы. Убедительным примером может служить сопоставление окислительно-восстановитель-ного катализа на переходных металлах и их твердых неорганических соединениях с катализом неорганическими комплексными соединениями переходных металлов в растворах. [c.5]

    Теория комплексообразования, а также строение и типы комплексных соединений были рассмотрены в разд. 6.52, 33.3 и 35.6. [c.13]

    Механизм действия коллоидов и поверхностно-активных веществ полностью еще не выяснен. Для объяснения действия таких добавок предложены теория комплексообразования и адсорбционная теория. [c.132]

    Согласно теории комплексообразования, коллоидные соединения образуют комплексы с катионами металлов. Вследствие прочной адсорбционной связи между органическими коллоидами и катионами металлов процесс разряда комплексных ионов замедляется, поэтому разряд металла на катоде в присутствии коллоидной добавки протекает при повышенной поляризации. Поверхностноактивные вещества могут адсорбироваться либо всей поверхностью катода, либо отдельными участками его поверхности. В первом случае разряд катионов осуществляется через сплошную пленку адсорбированного вещества, во втором — разряд катионов и осаждение металла происходят только на свободных участках поверхности катода. [c.132]

    При практическом применении реакций комплексообразования ионов металлов с этилендиаминтетрауксусной кислотой и ее соединениями (комплексонами) большое значение приобретают кинетика и механизм соответствуюш,их процессов, составляющие весьма сложную область химии растворов. Поскольку далеко не все проблемы теории комплексообразования решены, ниже будут рассмотрены лишь наиболее обш,ие качественные теоретические положения. В общем случае четкой и однозначной связи между термодинамической устойчивостью комплексов, характеризуемой константами устойчивости, и кинетикой комплексообразования не установлено. [c.330]


    В настоящее время нет единой теории, объясняющей механизм действия поверхностно активных веществ на структуру электролитических осадков. Согласно теории комплексообразования, добавки образуют в объеме раствора с разряжающимися ионами металла своеобразные адсорбционные комплексы. При этом катодная поляризация повыщается в результате замедленности образования в прикатодном слое разряжающихся ионов из комплекса. По-видимому, эта точка зрения справедлива лишь в тех случаях, когда добавки вводят Б электролит в больших количествах, однако, как правило, поверхностно активные вещества применяют в малых концентрациях. Согласно адсорбционной теории действия добавок, поверхностно активные вещества, адсорбируясь на отдельных активных участках, способствуют равномерному росту осадка. Поскольку при этом активная часть поверхности катода сокращается, повыщается плотность тока (катодная поляризация), что благоприятствует формированию мелкокристаллических осадков. При этом в ходе электролиза возможно перераспределение участков адсорбции и десорбции добавок. [c.248]

    В теории комплексообразования Д. Льюиса и Сиджвика (1927) допущена возможность существования донорно-акцепторной связи (координативной). По этим представлениям атомы, обладающие свободными электронными парами, имеют тенденцию использовать их для связи с другими частицами. Атомы, не обладающие законченной электронной конфигурацией, имеют тенденцию пополнять свой внешний электронный слой за счет использования чужих электронных пар. Атомы первого типа носят названия доноров, второго — акцепторов. Если обе тенденции выражены достаточно сильно, то между атомами возникает связь за счет электронной пары донора. Например, образование иона NH/ происходит за счет свободной электронной пары азота. [c.135]

    Качественные теории комплексообразования позволяют ориентироваться в большом экспериментальном материале по химии комплексообразования. Как и отмечалось выше, количественных теоретически обоснованных подходов, которые позволяли бы априори оценивать константы устойчивости комплексов металлов, пока не существует. Задача создания таких методов очень сложна и далека от своего решения. В то же время накоплен большой массив данных по константам равновесий реакций комплексообразования. Анализ этих [c.43]

    Знание состава и свойств комплексных ионов важно для решения практических задач (таких, как нахождение оптимальных условий разделения при ионном обмене, экстракции и др.) и для теории комплексообразования (изучение характера химических связей в комплексных соединениях, определение координационных чисел и т. д.). [c.267]

    Механизм действия коллоидов и поверхностно активных веществ при катодном осаждении сплавов так же, как и при осаждении отдельных металлов, полностью еще не выяснен. Для объяснения действия таких добавок предложены теория комплексообразования и адсорбционная теория. [c.45]

    В основе современной теории комплексообразования лежат поляризационные представления, сущность которых заключается [c.153]

    Следует отметить, что довольно часто величина V пропорциональна не [М], а [М1 (л >1). Это можно объяснить, основываясь на теории комплексообразования и теории [c.22]

    На лекции по теории комплексообразования можно продемонстрировать разнообразные опыты. Ниже дано описание лишь некоторых опытов можно использовать также опыты из других разделов (см. опыты 10, 30, 31, 36,38,50,67,68,98—102). [c.185]

    Эта теория впервые привлекла к объяснению взаимодействия атомов электрические силы она классифицировала элементы на электроположительные и электроотрицательные (синонимы металлов и неметаллов) — понятия, применяемые и поныне она рассматривала молекулы веществ как в принципе недонасыщенные и тем самым объяснила образование сложных молекул из простых (предвосхитила теорию комплексообразования). Но она не могла объяснить причины преобладания у атомов различных элементов того или иного полюса соединения между собой одинаковых атомов (например, атомов С в органических соединениях) того, что атом элемента (например, С) [c.233]

    Влияние концентрации кислоты на скорость более удовлетворительно, чем на основании теории комплексообразования, можно объяснить на основании теории столкновений, но имеющиеся опытные данные не вполне точно описываются простыми формулами теории столкновений [уравнение (4.20) Штерна — Фольмера]. Это несоответствие можно частично устранить введением коэффициента [и02+]/([и02" ]-Ь[кислота]), учитывающего дезактивацию возбужденных ионов иОз" " за счет столкновений с невозбужденными ионами уранила. [c.284]

    Таким образом, осаждение и комплексообразование взаимосвязаны и поэтому рассматриваются одновременно. Более подробно теория комплексообразования рассмотрена при изложении качественного анализа (см. Книга I, Качественный анализ, гл. I, 39—44). [c.229]


    Другой подход к теории комплексообразования был намечен Льюисом и особенно развит Сиджвиком (1927 г.). В основе этого подхода лежит допущение возможности существования донорно-акцепторной (иначе, координативной) связи. По этим представлениям, обладающие свободными электронными парами атомы имеют тенденцию использовать их для связи с другими частицами. Вместе с тем не обладающие законченной электронной конфигурацией атомы имеют тенденцию пополнить свой внешний электронный слой за счет использования чужих электронных пар. Атомы первого типа носят название доноров, второго — акцепторов. Если обе тенденции выражены достаточно сильно, то между атомами возникает связь за счет электронной пары донора. Например, образование иона NH происходит за счет свободной электронной пары атома N и имеет место потому, что азот аммиака является лучшим донором, чем ион хлора. [c.402]

    На основании современных теорий комплексообразования можно предсказать изменение важных свойств комплексов (устойчивость, растворимость, окраску), что щИроко используется в качественном и количественном анализе. [c.74]

    Несомненно, что кроме характеристик s-состояний большое значение имеют также особенности d- и /-состояний и вообще вся сложная проблема химических явлений постепенного усложнения набора вторых квантовых чисел по мере снижения в системе — проблема, влекущая за собою быстро развивающуюся современную теорию комплексообразования, координационных чисел и симметрии гибридных орбиталей, содержащих d- и /-состояния, теорию расщепления орбиталей в кристаллических и молекулярных полях. [c.51]

    Книга является итогом многолетней работы лекционного кабинета кафедры неорганической химии химического факультета МГУ. В ней подробно описываются демонстрационные опыты, их подготовка и выполнение на. лекциях (свыше 350 экспериментов), Соде )-жание опытов охватывает основные теоретические н практические вопросы курса химические свойства свободных элементов н их сор днненин, скорость химических реакций, теория электролитической лиссоциации. химическое равиовесие, теория комплексообразования. [c.2]

    На основании этих противоречий можно предложить для ряда случаев иную трактовку механизма действия полупроводниковых, или точнее неметаллических, катализаторов. Она исходит из современных представлений теорий комплексообразования (теории поля лигандов и теории кристаллического поля) и механизма электропроводности путем перезарядки ионов в кристалле. Последний предложен Вервейем [18] для обратных шпинелей , а затем Мориным [19] — для окислов металлов с незаполненными 3<а -уровнями электронов. Можно предполагать, что подобного рода механизм электропроводности возможен не только для окислов (в том числе тройных систем окислов [20]), но и для широкого круга полупроводниковых соединений переходных металлов. Возникновение в таких соединениях электропроводности связано с присутствием в них ионов одного и того же металла в различных валентных состояниях и в эквивалентных позициях кристаллической решетки. Концентрация носителей заряда в подобных полупроводниках может приближаться к величинам, характерным для металлов, однако энергия активации электропроводности может достигать у них значительной величины, что вызывает резко выраженную зависимость электропроводности от температуры. Относительно высокие значения энергии активации проводимости валентных полупроводников обусловлены подвижностью носителей тока, а не их концентрацией, которая практически не зависит от температуры. Если механизм электропроводности связан с перезаряд- [c.36]

    Маллпкен [16] разработал теорию комплексообразования, которая включает образование слабых комплексов, где взаимодействие между донорами и акцепторами может рассматриваться как включающее резонанс между структурами с семиполярной связью и без связи . Первый тип структур вносит лишь незначительный вклад, тогда как второй — основной вклад в структуру основного состояния слабых комплексов. [c.297]

    А. Изгарышев и др. [26, 27], исследовавшие влияние гуммиарабика и желатины на осаждение меди и цинка из сернокислых растворов, впервые выдвинули теорию комплексообразования. Позднее Г. С. Воздвиженский и Ф. Файзулин [30], основываясь на результатах работы по осаждению никеля из растворов с добавкой продукта щелочного гидролиза альбумина яичного белка, обработанного лимонной или винной кислотой ( смесь Пааля ), также высказались [c.45]

    Обсуждая сравнительные достоинства теории комплексообразования (Буши) и теории кинетических столкновений. Пирс склонялся в сторону первой, также опираясь на данные по электропроводности (Диттрих) и результаты спектроскопических исследований (Генри и Ландау Гхош и Миттер). Он согласился с тем, что наблюдаемая степень насыщения по щавелевой кислоте (см. табл. 4.9) подтверждает теорию комплексообразования и противоречит теории столкновений, если не допустить очень большого времени жизни иО + . [Однако время жизни в действительности великопорядка 10- сек. Расчеты показывают, что для такой длительности вероятность соударения с реагентом, концентрация которого составляет более [c.268]

    Эти результаты можно интерпретировать на основе теории комплексообразования с использованием константы комплексообразования (/С=80), данной Гхошем и Миттером. Практическое равенство скоростей при [U0 +]=0,025 М и 0,01 М для 0,05 М кислоты вполне объяснимо, поскольку в первом случае комплексообразование проходило на 87%, а во втором случае—на 83%, в то время как в обоих случаях поглощение было практически полным. Влияние увеличения концентрации кислоты можно также объяснить усилением комплексообразования. Например, при концентрации малоновой кислоты, равной 0,0046, степень комплексообразования (при /(=80) должна составить 34% и при концентрации малоновой кислоты, равной 0,046 М, около 95%. [c.285]

    Для комплексных ионов в растворах характерно наличие не только равновесий процессов образования (диссоциации), но и сольватаци-онных равновесий реакций комплексных ионов с молекулами растворителя (образование аквакомплексов). Последнее делает расчеты более громоздкими. Качественные теории комплексообразования основаны на экспериментальном материале по константам устойчивости комплексов (зависимости констант от различных параметров, характеризующих свойства комплексообразователя, лиганда или среды). [c.74]


Смотреть страницы где упоминается термин Теория комплексообразования: [c.48]    [c.46]    [c.22]    [c.269]    [c.617]    [c.343]    [c.22]   
Аналитическая химия (1994) -- [ c.135 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Комплексообразование

Комплексообразованне



© 2024 chem21.info Реклама на сайте