Лиганд сильное

У никеля (II) плоско-квадратное строение имеет диамагнитный ион [Ni(0N)4l ", что также объясняется высоким значением А, создаваемым на этот раз лигандом сильного поля 0N . [c.648]

У никеля (II) плоскоквадратное строение имеет диамагнитный ион М1(СК)4) ", что также объясняется высоким значением Д, создаваемым на этот р.чз лигандом сильного поля СМ . [c.611]

Лиганды, находящиеся в левой части спектрохимического ряда, называются лигандами слабого поля или просто слабыми лигандами. Те лиганды, которые находятся в правой части спектрохимического ряда, называются лигандами сильного поля или сильными лигандами. На рис. 23.27 схематически показано, что происходит с энергией расщепления кристаллическим полем при изменении лигандов в ряду нескольких комплексов хрома(Ш). (Здесь уместно напомнить, что при последовательной ионизации атома переходного металла первыми отрываются валентные -электроны. Поэтому атом хрома имеет электронную конфигурацию [Аг] 45 3 , а ион Сг имеет конфигурацию [Аг] 3 .) Отметим, что с усилением поля, действующего на ион металла со стороны шести окружающих лигандов, расщепление энергетических уровней -орбита-лей металла усиливается. Поскольку спектр поглощения связан с этим энергетическим расщеплением, окраска комплексов неодинакова. [c.394]

Какой из указанных ниже ионов следует в первую очередь отнести к лигандам сильного поля [c.598]

Одно из наиболее общих непосредственных следствий спектрохимического ряда состоит в том, что для удобства выделяют два предельных случая лигандов лиганды слабого поля (малое расщепление) и лиганды сильного поля (большое расщепление). [c.213]

При большом значении А октаэдрические комплексы невыгодны также для атомов и ионов с конфигурацией так как при этом один электрон заселяет сильно разрыхляющую молекулярную а Р-орби-таль. В этом случае (например, с лигандами сильного поля СЫ" или СО) более типичны димерные комплексы с сг-связями металл — металл (см, стр, 328) [c.131]

Для o (II), как и для других атомов и ионов с конфигурацией d с лигандами сильного поля типа N более характерны димерные комплексы со связью металл — металл [c.638]

Во-вторых, Гг -орбитали лежат тем выше, чем больше на них-электронов многоэлектронное отталкивание повышает энергию), поэтому рассмотренные комплексы возникают главным образом у переходных металлов в низших степенях окисления. Стабилизации таких комплексов благоприятствует включение вместе с N2 лигандов сильного поля, способствующих большему расщеплению eg—hg подуровней -электронов, таких, как Н , NH3 и др. [38]. [c.252]

Как и у других -элементов, нулевая (а также отрицательная) степень окисления у никеля и его аналогов проявляется в соединениях с лигандами л-акцепторного типа СО, РРз, СЫ . При этом при электронной конфигурации центрального атома строение комплексов с лигандами сильного поля чаще всего отвечает структуре тетраэдра (рис. 255). В рамках метода валентных связей это соответствует 5р -гибридизации валентных орбиталей центрального атома [c.647]

Мы уже указывали, что способность иона металла координировать вокруг себя лиганды, например молекулы воды, можно объяснить возникающим при этом льюисовым кислотно-основным взаимодействием (см. разд. 15.10). При таком подходе основание, т. е. лиганд, можно рассматривать как донор пары электронов. Эти электроны принимает вакантная гибридная орбиталь иона металла, играющего роль акцептора (рис. 23.21). Однако можно предположить, что притяжение между ионом металла и окружающими лигандами обусловлено главным образом электростатическими силами притяжения между положительным зарядом на ионе металла и отрицательными зарядами на лигандах. При наличии ионных лигандов, например I или S N, электростатическое взаимодействие осуществляется между положительным зарядом на металлическом центре и отрицательным зарядом на каждом лиганде. Если же лигандами являются нейтральные молекулы, например HjO или NH3, отрицательные концы этих полярных молекул, где находятся неподеленные электронные пары, оказываются направленными в сторону металлического центра. В этом случае притяжение обусловливается силами ион-дипольного взаимодействия (см. разд. 11.5). Но в любом случае результат одинаков лиганды сильно связываются с металличе- [c.390]

Объяснять причину спинового спаривания электронов в комплексах с лигандами сильного поля, т.е. в низкоспиновых комплексах. [c.401]

Запишите электронные конфигурации атома и трехзарядного катиона каждого из указанных ниже металлов, приведите диаграмму расщепления энергетических уровней кристаллическим полем лигандов в октаэдрическом комплексе и укажите, как размещаются электроны по -орбиталям в каждом случае, исходя из предположения, что комплексы образуются с участием лигандов сильного поля а) Сг [c.404]

Допустим, что ион переходного металла расположен в кристаллической решетке, где он контактирует только с двумя соседними анионами, расположенными на одной оси с катионом по обе стороны от него. Постройте диаграмму расщепления энергетических уровней -орбиталей в кристаллическом поле с такой структурой. Укажите, сколько неспаренных электронов должно быть у иона металла с шестью -электронами, если рассматриваемые лиганды относятся к лигандам сильного поля. [c.405]

Учитывая спин-орбитальное взаимодействие, изобразите диаграмму уровней энергии иона Сг в октаэдрическом кристаллическом поле, создаваемом а) лигандами сильного поля б) лигандами слабого поля. [c.58]

Поэтому радиусы ионов уменьшаются. Ион Ni + имеет конфигурацию при которой орбитали dx,/, dxz и заполнены парами электронов. У иоиов Си и спаривание электронов происходит на орбиталях dzi и dx . y лиганды сильнее выталкиваются из межъядерного пространства и радиусы ионов Си и возрастают. [c.208]

Для лигандов сильного поля (правая часть спектрохимического ряда) V для лигандов слабого поля [c.217]

Мы показали, что магнитные свойства и окраска комплексов переходных металлов зависят от природы лигандов и металла, которая влияет на энергию расщепления кристаллическим полем, А . Тем самым получен ответ на два вопроса из числа поставленных в начале данного раздела. Можно также объяснить необычную устойчивость 3 - и -конфигураций в комплексах с лигандами сильного поля. Эти конфигурации соответствуют полузаполненному и полностью заполненному Г2 ,-уровням. Они обладают повышенной устойчивостью при большом расщеплении уровней по той же причине, по которой устойчивы конфигурации 3 и 3 °, когда все пять -орбиталей имеют одинаковую энергию. Устойчивость 3 - и -конфигураций более заметна в комплексах с лигандами слабого поля, где расщепление кристаллическим полем невелико. [c.237]

Сравнение обоих выводов для атомов с электронными конфигурациями показывает, что в слабом октаэдрическом поле лигандов число неспаренных электронов всегда больше, чем в сильном. Например, атом / -элемента в слабом поле имеет пять неспаренных электронов, а в сильном — только один. Поэтому комплексы с лигандами, создающими слабое октаэдрическое поле, называют высокоспиновыми, а комплексы с лигандами сильного октаэдрического поля — низкоспиновыми. [c.194]

Объем электронной пары, участвующей в образовании связи, уменьшается с увеличением электроотрицательности лиганда. Более электроотрицательный лиганд сильнее притягивает общее электронное облако связывающей пары, что можно представить как дополнительное сжатие этого облака. Данная электронная пара будет более удалена от центрального атома и испытывает меньшее отталкивание со стороны других соседних электронных пар. Все это поведет к тому, что валентные углы, составляемые связями центрального атома с наиболее электроотрицательными лигандами, должны иметь наименьшие значения. [c.154]

См. условие задачи 11.23 (поле лигандов— сильное) [c.199]

Комплексообразование лигандами сильного поля сдвигает равновесие Ti(III) Ti(IV) вправо, но в случае лигандов, стабилизирующих низшие степени окисления [2], состояние Ti(III) может быть закреплено. [c.106]

Соединения кобальта удобны для получения и изучения различных комплексов не только потому, что они всегда окрашены, но и потому, что среди них есть кинетически инертные соединения. Это относится прежде всего к низкоспиновым комплексам Со (III) с лигандами сильного поля. Здесь преобладает ковалентная составляющая в химической связи металл—лиганд, что делает комплексы кинетически инертными в отличие от низкоспиновых комплексов, существующих главным образом за счет ионной связи, для которой характерна кинетическая лабильность. [c.142]

Более электроотрицательный лиганд сильнее притягивает общее [c.400]

Наряду с несомненными достоинствами ТКП имеет и очевидные слабости. Например, из сопоставления дипольных моментов Н2О ( 11р= 1,84 )) и ЫНз ( Ир = 1,46 0) можно ожидать, что молекулы Н2О как лиганды сильнее расщепляют энергетические уровни иона-комплексообразователя, чем молекулы ЫНз, т. е. Н2О — более. .. лиганд, чем ЫНз. В действительности наблюдают обратное. [c.204]

Лиганды, расположенные в начале спектрохимиче-гкого ряда [лиганды сильного поля), вызывают значительное расщеплепие -подуровня. При этом энергия расщепления превышает энергию межэлектрон-ного отталкивания спаренных э [ектронов. Поэтому сначала заполняются е-орбитали — сперва одиночными, а затем спаренными электронами, после чего происходит заполнение у-орбиталей. [c.207]

Прн образовании же иона [Со(СН)б] - вследствие влияния лиганда сильного поля (ион СК ) энергия расщепления <<-под-уровия будет столь значительна, что превысит энергию межэлек-тронного отталкивания спаренных электронов. В этом случае энергетически наиболее выгодно размещение нсех шести -электронов на е-подуровне в соответстпин со схемой [c.207]

ПЛОТНОСТИ я-орбитали находится между атомами С и N. а не в направлении к атому металла. Гораздо сильнее взаимодействует с уровнем 2д металла разрыхляющая я -орбиталь (рис. 20-16,6). Однако в этом случае эффект обратен тому, который наблюдался для лиганда С1 . Электроны на Сзд-орбиталях металла получают возможность частично делокализоваться и переместиться на я -орбиталь лиганда. Такая делокализагшя стабилизирует 2д-орбиталь, т. е. понижает ее энергию. В результате возрастает энергия расщепления, Д . Этот эффект представляет собой я-взаимодействие металла с лигандом, или М - Ь-я-взаимодействие нередко его пазы вают еще дативным я-взаимодействием. Лиганды, повышающие расщепле ние уровней указанным образом (СО, СЫ , N0 ), пользуясь терминоло гией теории кристаллического поля, называют лигандами сильного поля Одноатомные лиганды с несколькими неподеленными парами электронов как, например, галогенидные ионы, являются лигандами слабого поля, по тому что они играют роль доноров электронов. Связанные группы атомов наподобие СО скорее относятся к лигандам сильного поля, потому что их связывающие я-орбитали сконцентрированы между парами атомов и удалены от металла, тогда как пустые разрыхляющие молекулярные орбитали простираются ближе к металлу. [c.237]

Обычно, когда проводигся исследование ионов переходных металлов, мы имеем дело не с индивидуальными ионами, а ионами, входящими в состав комплексов. Для определения влияния лигандов, входящих в комплексы ионов переходных металлов, на энергии -орбиталей пользуются двумя приближениями кристаллического поля. Электроны иона металла в комплексе отталкиваются друг от друга, отталкиваются они и от электронной плотности основания Льюиса (лиганда). Если отталкивание между электронами металла и электронной плотностью лигандов мало по сравнению с межэлектронным отталкиванием, применяют так называемое приближение слабого поля. Если лиганды — сильные основания Льюиса, отталкивание между электронами металла и электронами лигандов превыщает по величине межэлектронное отталкивание, в этом случае используется приближение сильного поля. [c.71]

В спектрах октаэдрических комплексов Со с лигандами слабого поля (Dq/B = 0,7) наблюдаются три хорошо разрешенные полосы. Проведите каче-ствеппое отнесение этих полос, используя диаграммы Танабе — Сугано, и выпишите их в порядке снижения частот. Каким будет спектр октаэдрического комплекса Со с лигандами сильного поля [c.125]

Возможны лн для октаэдрически коордииированного иона различия в расположении орбиталей в случаях лигандов сильного или слабого поля [c.615]

Электроны, заселяющие -орбитали с пониженной кристаллическим полем энергией, стабилизированы относительно средней (невозмущенной) энергии -орбиталей на величину, называемую энергией стабилизации кристаллическим полем. В комплексах с лигандами сильного поля расщепление энергетических уровней -орбиталей настолько велико, что превосходит энергию спинового спаривания, и для -электронов выгодно спиновое спаривание на орбиталях нижнего энергетического уровня. В результате образуются низкоспиновые комплексы. В комплексах с лигандами слабого поля после заселения нижних по энергии орбиталей электроны начинают заселять -орбитали верхнего энергетического уровня, так как это выгоднее, чем спиновое спаривание на орбиталях нижнего уровня, и в результате возникают высо-коспииовые комплексы. [c.401]

Таким образом, качественный вариант метода Е1С позволяет сделать некоторые предсказания относительно геометрической конфигурации и магнитных свойств комплексов. Так, он указывает на парамагнетизм комплексов [Ni l4] и [N (N [3)6] + и диамагнетизм комплекса [Ы1(СЫ)4]2", что подтверждается экспериментом. Этот метод позволяет предсказать, что реакции замещения лигандов проходят быстро у внешнеорбитальных комплексов. Некоторые обобш,ения, полученные с помощью метода ВС, имеют довольно широкий характер и успешно подтверждаются. К их числу относится, например, предсказание квадратной структуры комплексов -катионов с лигандами сильного поля. Проверенное на [c.66]

Аналогом иона СЫ" является также ацетилид-анион, Н—С = С комплексы которого исследованы Р. Настом. Почти все они, кроме высокоспинового Ко[Мп(С9Н)4], низкоспинового Ыа4[Со(С2Ме)б] и некоторых других, в смысле структуры и магнитных свойств копируют соответствующие цианиды. Однако ацетилид является гораздо худшим п-акцептором в результате длина связи М—С соответствует ординарной ацетилидные комплексы переходных катионов, как правило, взрываются от удара. Более устойчивы комплексы (1 - и °-катионов. Если в комплекс кроме ацетили-дов входят и другие лиганды сильного поля (СО, фосфины, циклопентадиенид и т. д.), это также оказывает стабилизирующее действие. [c.104]

Для центральных атомов Си" и Ag" извести плоскоквадратные комплексы [Си(ру)д] и [AgF4] " (поле лигандов — сильное). Составьте энергетическую диаграмму образования связей в этих комплексах (см. указание в задаче 11.43). [c.201]

На приведенной схеме крестиками обозначены электроны лиганда сильного поля, например, с точки зрения МВС, такое строение имеют гексацианиды и гексааммиакаты Ре (II) и Ре (1П). Эти комплексы должны быть низкоспиновыми, для Ре (II)—диамагнитными. [c.127]

Окращенные в зеленый и синий цвет комплексы N1 (II), как правило, имеют октаэдрическую конфигурацию. В подавляющем большинстве случаев это высокоспиновые парамагнитные комплексы лигандов слабого поля. Лиганды среднего поля склонны к образованию с ионом комплексов, имеющих тетраэдрически искаженную октаэдрическую симметрию, а лиганды сильного поля — квадратную симметрию. Здесь играет роль эффект Яна-Теллера [2] при Зс -электронной конфигурации N1 + распределение валентных электронов может быть выражено формулой При этом октаэдрическая симметрия кри- [c.147]

Число элежт- ровов Центральный ион Слабое поле лигандов Сильное поле лигандов [c.426]

Однако для -, -, -электронных конфигураций возможен выбор между двумя способами размещения. Они отличаются тем, что в первом случае низший t2g-ypoвeнь заселяется настолько полно, насколько это допускает общее число электронов. Во втором варианте определяющим служит требование наибольшего числа неспаренных электронов. Ясно, что выбор между этими двумя возможностями заполнения электронной оболочки центрального иона будет в основном зависеть от величины расщепления t2g- и ед-уров-ней, т. е. от параметра 100<7. Если эта величина большая, как для лигандов, находящихся в правой части спектрохимического ряда, то центральный ион сформирует электронную оболочку с наибольшим числом электронов на нижнем t2g-ypoвнe. Этот вариант соответствует сильному электростатическому полю лигандов, сами лиганды, создающие такое поле, называют лигандами сильного поля, а комплексы — низкоспиновыми. [c.180]

Для катионов с недостроенной 18-электронной оболочкой в меньшей степени применимы простые электростатические представления, основанные на законе Кулона. Такие электронные оболочки при действии электроотрицательных лигандов деформируются значительно больше, чем 8-электронные оболочки катионов, и доля ковалентности химической связи металл — лиганд сильно возрастает. Изменение устойчивости комплексов элементов четвертого периода можно объяснить с позиций усовершенствованной электростатической теории, которая принимает во внимание не только чисто кулоновское взаимодействие между частицами, но и форму орбиталей -электронов. Речь идет о теории кристаллического поля, созданной в 30-х годах этого столетия физиками Г. Бете и Ван-Флеком и позже примененной химиками для объяснения спектров поглощения и магнитных свойств комплексов переходных металлов. [c.250]