Рекомбинация электрона и иона металла

В 1905 г. И. Тафель провел определение скорости электрохимической реакции ввделения водорода на различных металлах и установил линейное соотношение между потенциалом электрода и логарифмом скорости процесса. Формула Тафеля явилась первым законом электрохимической кинетики. Н. И. Кобозев и Н. И. Некрасов (1930) указали на роль энергии адсорбции атома водорода в кинетике разряда ионов водорода на электродах. Эти работы, однако, не привели к выделению электрохимической кинетики в самостоятельный раздел науки, так как в кинетике электродных реакций авторы не увидели ничего специфически электрохимического. Предполагалось, что скорость выделения водорода определяется не электрохимической стадией перехода электрона от металла к иону гидроксония, а некоторой химической стадией, которая входит как звено в суммарный процесс. В качестве такой стадии И. Тафель рассматривал рекомбинацию атомов водорода в молекулу водорода, а Н. И. Кобозев и Н. И. Некрасов — сочетание различных стадий удаления адсорбированных атомов водорода. [c.10]

Атом водорода является простейшим и очень активным радикалом. Радикал И стремится присоединить электрон, что может сопровождаться как образованием молекулы Нг (рекомбинация Н + Н = Нг), так и иона Н , в общем аналогичного иону галогена. В виде гидридного иона водород входит в состав гидридов металлов главных подгрупп I и II групп. Известны и комплексные соединения, содержащие гидридный ион. В ряде реакций, из которых отдельные имеют биологическое значение, доказан перенос водорода в форме гидридного иона (гидридный перенос). [c.149]

В предложенных моделях стадией обрыва цепи является рекомбинация электрон дырочных пар на локальных центрах, концентрация которых в ходе инициирования не изменяется. Это связано с очень коротким временем развития процесса взрыва (менее 1 мкс), в течении которого протекание ионных стадий роста центров рекомбинации не будет сказываться. Проведенное нами исследование кинетики фотопроцессов в азиде серебра показало, что при освещении кристаллов АС светом с определенной интенсивностью и длиной волны в кристалле эффективно образуются малые кластеры металла, являющиеся ЦР носителей заряда [5]. Если полагать, что реакция рекомбинации электрон-дырочных пар является реакцией обрыва цепи и природа ЦР в фото и взрывном разложении одинакова, то в ATM появляется уникальная возможность путем предварительного освещения образца обратимо изменять концентрацию ингибитора реакции и направленно регулировать чувствительность ATM к внешним воздействиям различной природы. [c.90]

РЕКОМБИНАЦИЯ ЭЛЕКТРОНА И ИОНА МЕТАЛЛА [c.264]

Величина отношения Q Qn равна примерно 10 и, по-видимому, характерна для рассматриваемых процессов. Таким образом, тримолекулярный процесс достаточно хорошо объясняет электронно-ионную рекомбинацию для большинства изученных элементов. Значительно большие скорости рекомбинации получены для всех переходных металлов, что, вероятно, связано с особенностью строения их электронных оболочек. Не исключена также возможность, что, как и в случае щелочноземельных элементов, большая скорость обусловлена образованием в реагирующей системе гидроокиси металла. [c.267]

Таким образом, механизм дуги можно представить себе следующим. Из катода в результате высокой степени его разогрева (термоэлектронная эмиссия) или наличия около его поверхности больших напряженностей электрического поля (10 —10 в см — автоэлектронная эмиссия) вырывается поток электронов. Первый случай имеет место для материалов катода с высокой температурой плавления и испарения металла (уголь, графит, вольфрам, молибден), благодаря чему температура на их поверхности может достигать в катодных пятнах значений 2 500—3 000° С и выше, когда начинается заметная термоэлектронная эмиссия. Второй случай соответствует материалам с низкой температурой кипения и испарения (ртуть, титан, медь). В области катодного падения поток электронов разгоняется настолько, что за ее пределами происходит интенсивная ионизация частиц газа в дуговом промежутке, причем здесь, по-видимому, весьма существенна роль ступенчатой ионизации. Образовавшиеся положительные ионы под действием поля направляются к катоду и разогревают его вторичные и первичные электроны направляются через столб дуги в направлении анода. На их пути происходят новые соударения (главным образом термическая ионизация) и образование новых заряженных частиц, что компенсирует их исчезновение в более холодных частях столба путем рекомбинации и диффузии. При попадании на анод отрицательные частицы нейтрализуются, выбивая из него некоторое количество положительных ионов, устремляющихся через столб дуги к катоду. Плазма столба в целом нейтральна, т. е. концентрация положительных и отрицательных частиц одинакова, но из-за того, что подвижность электронов по [c.29]

Рекомбинация ионов, образовавшихся на стадиях 4 и 5 с медленными электронами, образовавшимися из щелочного металла на стадии (2), ORG++e- —>- ORG идет с большей вероятностью, чем обратная реакция стадии (2) (т. е. рекомбинация ионов металла), и приводит к уменьшению тока ионизации. Этот эффект обратно пропорционален напряжению по- [c.415]

При записи уравнений реакций на границах раздела не принималась во внимание возможность диссоциации диффундирующих частиц или комплексов в объеме, за исключением зоны, непосредственно прилегающей к поверхности раздела. Чтобы учесть диссоциацию, потребовалось бы введение в систему дополнительных уравнений, учитывающих взаимные потоки ионов металла и электронов, а также уравнения скорости стадии диссоциации — рекомбинации на всех уровнях. В результате система уравнений превра- [c.331]

С изменением механизма рекомбинации. В пламени с присадками металлов наряду с электрон-ионной диссоциативной рекомбинацией должна иметь место рекомбинация тройным столкновением. [c.172]

АНИОН-РАДИКАЛЫ, отрицательно заряж. частицы с одним неспаренным электроном R. Образуются, напр., при действии щел. металлов на кетоны, сложные эфиры, олефины, ацетилены, аром, углеводороды в жидком NH3, простых эфирах или орг. аминах. Окисл. до исходных орг. соед., восст. до дианионов, вступают в р-ции рекомбинации с катион-радикалами, диспропорционирования и др. АНИОНЫ, см. Ионы. [c.48]

Расчет, сделанный в первом порядке теории возмущений по заряд--квадрупольному взаимодействию,показывает, что вероятность релаксации не зависит от колебательного кванта молекулы, слаб о зависит от типа металла А где Я - расстояние адсорбированной молекулы от поверхности. По порядку величины рассчитанные коэффициенты аккомодации совпали с экспериментальными. Некоторым доказательством передачи энергии в электронное возбуждение твердого тела является обнаруженное нами свечение 3 - линии натрия при рекомбинации атомов дейтерия на поверхности ионного кристалла п/а [1/ , [c.208]

В реальных окислах преобладающим типом дефектности являются дефекты нестехиометрии анионные, катионные вакансии и атомы в междоузлиях. В ионных кристаллах, к которым относится большинство окислов металлов, очень часто преобладающая роль в процессах рекомбинации принадлежит F-или К)-центрам [17, 18], т. е. нейтральным анионным и катионным вакансиям, обладающим свойствами соответственно доноров и акцепторов электронов. Будем считать, что сечение захвата электрона нейтральной катионной вакансией (акцептором электронов) 5 больше сечения захвата дырки этим же центром, а сечение захвата дырки нейтральной анионной вакансией (донором электронов) 5р больше сечения захвата электрона 8п этим же центром [17]. Примем также, что 15р = 15 . Тогда, учитывая соотношения (7) и (8), можем записать [c.39]

На участке, примыкающем к отрицательному электроду дуги постоянного тока, наибольшей интенсивностью обладают линии металлов, ионы которых заряжены положительно. Этот эффект прикатодного усиления объясняется [94] миграцией положительных ионов в электрическом поле и образованием вблизи катода пространства, обогащенного положительными ионами, создающими после рекомбинации с электронами повышенную концентрацию нейтральных атомов соответствующих элементов. Указанный фактор, а также различная температура анода и катода приводят к тому, что в дуге постоянного тока обнаруживается влияние полярности электрода, в который помещается проба, на интенсивность спектральных линий. [c.140]

Существование связи механизма электрохимического восстановления органических веществ с механизмом выделения водорода впервые было отмечено Антроповым [8, 11, 43]. По значению и природе перенапряжения водорода металлы были разделены им на две группы. К первой группе относятся платина, никель, железо, вольфрам и другие металлы, имеющие низкое перенапряжение водорода и отличающиеся тем, что в процессе выделения водорода замедленной является стадия рекомбинации атомов водорода. Это переходные элементы, наличие неспаренных -электронов в электронных оболочках которых способствует разряду ионов водорода. Возникающая связь между х-электроном водорода и свободной д,-орбиталью металла затрудняет рекомбинацию атомов, создавая слой [c.24]

При установлении между окисной пленкой и объемом кристалла электронного равновесия в рассматриваемой системе образуется общий уровень электрохимического потенциала электронов, который не может проходить выше зоны проводимости и ниже валентной зоны. Поэтому энергетические уровни окисной пленки, оказывающие наибольшее влияние на величину коэффициента поверхностной рекомбинации, должны находиться вблизи уровня на расстоянии, не превышающем ширины запрещенной зоны для данного кристалла (см. рис. 53 и 58). Считая, что гидратированная окисная пленка вместе с адсорбированными в ней частицами подобна водному раствору, и обращаясь к рис. 53, мы приходим к выводу, что наиболее эффективными центрами рекомбинации в окисной пленке являются атомы или ионы элементов, располагающихся в правой части ряда напряжений металлов или металлоидов (см. стр. 192). Такими элементами являются водород, медь, серебро, золото, а также кислород и сера. Напомним, что именно для ионов этих элементов характерна высокая скорость электронного обмена при контакте металла или полупроводника с электролитом. Поэтому дe aнный [c.210]

Видоизменением метода химического удаления пленок инертного материала является катодное травление. В противоположность устройствам, применяемым для катодного распыления (см. разд. 4), в данном случае подложка и пленка составляют часть мишени разрядного контура тлеющего разряда. Любой материал со всех участков поверхностей, подвергающихся экспонированию, удаляется за счет бомбардировки положительно заряженными ионами, обычно аргона, с энергией порядка всего 1 кэВ. Для того, чтобы использовать этот метод для формирования рисунка, необходимо замаскировать определенные участки поверхности от бомбардирования их ионами. Более того, положительно заряженные ионы, ударяющиеся о поверхность, должны иметь возможность рекомбинировать с электронами, для того чтобы накапливающийся заряд не отталкивал вновь поступающие ионы и в связи с этим не прервался процесс удаления материала. Были разработаны способы для обеспечения удовлетворения этих требований при катодном травлении как на постоянном токе, так и в высокочастотном разряде. Было установлено, что метод катодного травления в высокочастотном разряде является более универсальным, поскольку для облегчения процесса рекомбинации он основан на обязательном наличии поверхностей. металла, и, кроме того, более контролируемым. [c.626]

Однако на практике наблюдается обратная картина. Такое положение объясняется тем, что металлы второй группы периодической таблицы обладают благоприятной для ступенчатой ионизации схемой энергетических состояний атома [12]. Поскольку в дуговом разряде наблюдается ступенчатая ионизация, то, вероятно, можно ожидать, что нейтрализация (рекомбинация) ионов также может происходить ступенчато, т. е. электрон в атоме кадмия может попадать не в нормальное синглетное состояние, а в одно из триплетных состояний. О влиянии- структуры электронной оболочки ионов на кинетическую эмиссию электронов из вольфрама указывают авторы работы [131. [c.26]

Присутствие в пламени солей металлов оказывает существенное влияние на скорость рекомбинационных процессов. Ньюстабб [156] показал, что свинец в водородном пламени фактически ионизирован, но тогда очевидно, что он должен обладать такой же способностью образовывать электрон, как и натрий в ацетиленовом пламени. Он объясняет этот экспериментальный факт двояко во-первых, собственная ионизация в зоне реакции ацетиленовых пламен, безусловно, много больше, чем при горении смеси водорода с кислородом во-вторых, возможен процесс, в котором свинец непосредственно передает свой электрон положительному иону, возникающему в пламени. Такой процесс эффективнее, чем тримолекулярная рекомбинация электрона с атомом свинца, поэтому ионы свинца можно наблюдать на некотором расстоянии от зоны реакции. [c.260]

Реакции обмена зарядом, рассмотренные в предыдущем разделе, приводят к накоплению в реагирующей системе нонов металла, концентрация которых в дальнейшем достигает равновесной величины в результате электронно-ионной рекомбинации. Для элементов с низким потенциалом ионизации, таких, как щелочные металлы, скорость процесса обмена зарядом мала по сравнению со скоростью термической ионизации, поэтому эта реакция дает незначительный вклад в общий процесс. Ситуация изменяется, если атомы имеют большой потенциал ионизации. Скорость термической ионизации таких атомов настолько мала, что ионы появляются в основном только в процессе обмена зарядом с другим ионом. Такое предположение высказано Ньюстаббом и Сагденом [156] для объяснения высокого уровня ионизации свинца в ацетиленовом пламени по сравнению при прочих равных условиях с уровнем ионизации в водородном пламени. Ион металла и электрон могут рекомбинировать как с последующим излучением избытка внутренней энергии атома, так и в тримолекулярном процессе. Как правило, скорость этих процессов много меньше скорости диссоциативной рекомбинации многоатомного иона НзО . [c.264]

В последнее время стали применять в качестве полупроводников также и химические соединения, в первую очередь между элементами третьей ж пятой групп (полупроводники типа В ). Особенно ценными свойствами обладают сурьмянистый индии 1п8Ь, чувствительный к инфракрасному свету с очень большой длиной волны и ьшшьяковистый галлий ОаАз, в котором рекомбинация электронов и дырок дает интенсивное световое излучение (квантовый генератор света или полупроводниковый лазер, превращающий энергию электрического тока непосредственно в световую). Полупроводниковыми свойствами обладают и многие окислы. Так, окись цинка является электронным полупроводником роль доноров играют при этом избыточные атомы или однозарядные ионы цинка. Окись меди(1) является дырочным полупроводником роль акцепторов играют избыточные атомы кислорода. Однако подвижность носителей тока (электронов или дырок) в окисных полупроводниках низка, так что для радиотехники они менее ценны. Для выпрямления сильных токов используют тонкий слой окиси меди(1), нанесенный окислительным процессом на поверхность металлической меди (купроксный выпрямитель). Это — простейший аналог полупроводникового диода, в котором, однако, роль электронного проводника играет обычный металл. Свойства окисных полупроводников сильно зависят от состояния их поверхности. Так, электропроводность окиси цинка понижается в атмосфере кислорода, который адсорбируется поверхностью и захватывает свободные электроны. Способность окислов ускорять (катализировать) газовые реакции связана с полупроводниковыми свойствами, т. е. с наличием свободных электронов.— Доп. ред. [c.457]

Кристаллические лазеры —это люминофоры, обладающие особыми свойствами. Квант света, излучаемый одним возбужденным центром, вызывает излучение центров в той же фазе, что и первый. Процесс возбуждения центров идет независимо (для этого часто используют обычный дневной свет), вследствие чего поддерживается постоянной населенность высших электронных состояний. Правильный выбор формы кристалла и высокая степень когерентности излучения позволяют получить полностью монохроматическое и острофоку-сированное излучение. Различают две группы кристаллических лазеров. В кристаллах первой группы активны лишь ионы примеси редкоземельных или переходных металлов, сам же кристалл служит лишь инертной матрицей (например, в рубине это ион Сг + в матрице А12О3). Вторую группу составляют полупроводники, такие, как ОаЛз, в которых происходит излучение вследствие рекомбинации электронов и дырок на примесных центрах, если концентрация электронов и дырок намного превышает равновесную. [c.80]

Второй вопрос касается плотности тока на аноде. Что означает размер анодного пятна, и почему плоптадь пятна при более высоких давлениях не равна площади сечения положительного столба Одной из главных причин является то, что площадь сечения положительного столба определяется главным образом процессами радиальной диффузии и рекомбинации электронов и ионов в плотной внешней зоне газа, тогда как площадь пятна определяется теплопроводностью металла электрода и испарением. Потенциалы ионизации и возбуждения паров электрода обычно меньше, чем соответствующие величины для газов, и плотность пара вблизи пятна больше, чем плотность газа. Расслютрим положительный столб постоянного диаметра, простирающийся вправо от поверхности анода, которая находится вначале при комнатной температуре. Электроны бу- [c.292]

Как показала М. М. Глейзер, повышенной восприимчивостью к действию ингибиторов коррозии обладают металлы, относящиеся по природе водородного перенапряжения к группе, характеризующейся либо замедленной рекомбинацией водородных атомов, либо соизмеримым торможением рекомбинации и разряда водородных ионов (Ре, N1, Т ). Адсорбция ингибиторов коррозии на поверхности металлов этой группы происходит за счет как электростатических, так и специфических сил. Металлы этой группы, обладая неукомплектованными электронами внутренними Зй -подоболочками, склонны также к повышенной хемосорбции ингибиторов на своей поверхности. [c.348]

Ионы (НдО ), приближающиеся к поверхности электрода, отталкиваются друг от друга как частицы, имеющие заряды одного знака. Это препятствует одновременному разряду двух таких ионов в непосредственном соседстве на поверхности металла. Поэтому на первой стадии процесса разряда выделяются нейтральные атомы водорода, а не молекулы. Таким образом, после этой стадии происходит вторичный процесс рекомбинации адсорбированных атомов водорода в молекулы (с последующим выделением газаввиде пузырьков). Стадия I, заключающаяся в соединении Н+, входящего в НзО , и электронов, представляет собой собственно электрохимический процесс, а стадия II — обычную химическую реакцию. [c.398]

Влияние деформации на катодную поляризационную кривую выделения водорода для стали 1Х18Н9Т аналогично отмеченному выше для стали 20 деформация на стадии деформационного упрочнения ускоряет катодную реакцию (на стадии динамического возврата наблюдалось ослабление этого влияния, как и в случае анодной поляризации). Объясняется это, по-видимому, зависимостью скорости разряда ионов водорода и рекомбинации адсорбированных атомов от работы выхода электрона и адсорбционных свойств поверхности металла в связи с влиянием деформации электрода на эти свойства. Однако возможно, что наблюдаемое изменение катодной поляризации связано с пространственным перераспределением анодных и катодных реакций вследствие стремления к локализации анодного растворения пластически деформированного электрода, как это рассмотрено в гл. IV. [c.86]

С генерацией ионов в раствор. Отрицательно заряженная поверхность металла путем двух последовательных туннельных переходов заряжает и молекулу углеводорода, которая может находиться па расстоянии нескольких ангстремов от поверхности. Рекомбинация ионов с отрицательно заряженными молекулами приводит к гидрированию. Можно представить себе и цепное продолжение процессов с использованием однозаряженных или моногидрировапных молекул. Механизмы гетерогенного катализа, начинающиеся с электронных переходов, и образование ион-радикалов доказаны для ферментативного катализа и успешно используются в трактовке ферментативных реакций. В этих реакциях, происходящих в организме на сложных каталитических системах, широко представлено электрохимическое регулирование и корреляция донорных и акцепторных связей, осуществляющихся в разных частях этих систем путем далеких электрохимических переходов электронов. [c.510]

Собирание электронов анодом должно соответствовать эмиссии электронов из катода, так как ток непрерывно течет во внешней цепи. Однако катод не способен эмитировать электроны спонтанно, поскольку его температура ниже (<1200°) и термоэмиссия ничтожна (для Р1 < 10 а/сж2). Таким образом, единственным способом, каким электрон может реализовать работу выхода из металла, является рекомбинация с положительными ионами на поверхности. В связи с тем что ток, проходящий через ячейку, обусловлен этой вынужденной рекомбина- [c.19]

Энергия активации для кд не равна нулю однако в результате притяжения, обусловливаемого кулоповским полем, она меньше энергии, требуемой для возбуждения электрона из валентной зоны на уровень Ферми массивного металла. Обратный процесс, определяемый к , вероятно, не требует активации. Для бимолекулярной рекомбинации радикалов азида с превращением в азот необходимо образование комплекса типа Ag NзNз . Это может произойти двумя путями в результате возбуждения иона на поверхности раздела [c.189]

Диоксид — полупроводник п-типа, обладающий электронной проводимостью, близкой к проводимости металлов. Получение а- и р-модификаций, их физические и электрохимические свойства приведены в обзорах [19, 20]. На дву-окисносвинцовых анодах кислород выделяется с большим перенапряжением. По данным [20], наклон г—ф-кривых в кислых растворах составляет 120—140 мВ, а в щелочных при низких плотностях тока 79 мВ и 230 мВ — при высоких. Выделение кислорода идет через замедленный разряд молекул воды или ОН-ионов с образованием радикалов ОН, рекомбинация которых также протекает с конечной скоростью [21]. Присутствие на сильноразвитой поверхности диоксида свинца активных частиц -ОНадс придает этому аноду особые каталитические свойства, позволяющие проводить многие реакции электрохимического синтеза. [c.16]

Балаухин и сотр. [5а] полагают, что в основе действия термоионного фосфорного детектора лежит химическая ионизация в пламени, содержащем нары щелочного металла, в результате поступления фосфорорганических соединений. По мнению исследователей, основную роль играет не электронное поле, а процесс рекомбинации ионов. [c.79]

I) Катодное травление на постоянном токе. В методе катодного травления на постоянном токе для рекомбинации положительно заряженных ионов необходимо, чтобы подложка, которая подвергается бомбардированию потоком частиц, была проводящей. Это условие выполняется только в том случае, если пленка, которая подвергается травлению и маскирующее покрытие — металлические. На практике такое положение встречается довольно редко, и потому этот метод имеет весьма ограниченное применение. В этом случае формирование рисунка в пленке почти любого металла легко осуществляется методами обычной фотолитографии. Больший практический интерес представляет катодное травление окисных пленок. В этом случае обеспечение рекомбинации зав.чсит от характера и материала. маскирующего покрытия. Один из вариантов такого метода был применен Ва-леттом [133]. Из тонкой металлической фольги была изготовлена маска, которая располагалась в тесном контакте с поверхностью кремниевой подложки и с изолирующим (окисным) слоем. Потенциал катода, подававшийся на маску, составлял 1,5—2 кВ. Рисунок, который должен был быть вытравлен в изоляционном слое, состоял из маленьких отверстий (0,06 мм диаметром). Бомбардирование этих участков достигалось за счет того, что при прохождении по направлению к маске ионы аргона ускорялись по прямой линии и далее через отверстия в металлической фольге. Положительные заряды, накапливавшиеся на поверхности изолятора, притягивались частично вторичными электронами испускавшимися маской и поэтому нейтрализовались. Этот процесс эффективен только в случае очень малых расстояний, потому что в этом случае электрическое поле вдоль ионной оболочки сильное и, как правило, оттягивает вторичные электроны от поверхности. Скорости удаления при этом составляют от 150 до 300 А мин для пленок различного состава стекла и двуокиси кремния. Некоторые рассеянные ионы попадают под края отверстий з маске, так что стенки растравленных отверстий имеют наклонную форму, с коэффициентом растравливания с(/Д/, равным примерно 0,4 (см. рис. 16). [c.626]

Ионные кристаллы. С давних пор по традиции физики зани-.маются получением электронно-избыточных или электроиио-недо-статочных дефектных центров в кристаллах галогенидов щелочных. металлов (F- или V-центры), вводя ионы, которые могут действовать как источники или как ловушки электронов. При радиолизе кристалла вторичные электроны захватываются такими ловушками, в результате чего усиливается образование электронно-дефектных центров. Если примесный ион служит источником электронов, а дырки способны мигрировать по всему кристаллу, то последние могут исчезать при рекомбинации с электронами или за счет процесса переноса электрона. Например, введенные в кристаллы ионы Ag" и РЬ + усиливают образование V-центров, так как они легко переходят соответственно в Ag и РЬ +. При повышенных температурах суммарным результатом иногда является диспропорционирование ионов [c.53]

Опыты по окислению тиоэфиров различного строения показывают, что скорость реакции уменьшается при замене алифатического радикала ароматическим. Реакционная способность тиоэфира зависит от индуктивного влияния радикалов, связанных с атомом серы (рис. 123). Теоретическое рассмотрение, сделанное В. И. Авдеевым, показывает, что при взаимодействии ванадила с тиоэфиром возможно достаточно эффективное перекрывание -орбитали металла с 3/7-орбиталью серы, на которой находится неопределенная пара электронов. Совокупность полученных данных подтверждает, что реакция окисления тиоэфиров в присутствии комплексов ванадила, по-видимому, идет по радикальноцепному механизму. Инициирование заключается в донорно-акцепторном взаимодействии иона ванадила с неподеленной парой электронов атома серы тиоэфира, что приводит к гомолитическому распаду исходного соединения по С—5 связи с образованием алкильного и тиильного радикалов. Развитие цепи происходит за счет перекисных радикалов, а обрыв— вследствие рекомбинации радикалов. [c.261]

Отметим, что возбужденные светом ион-радикалы 0 обладают даже более высокой реакционной способностью, чем полученные при реокис-лепии восстановленных окислов, поскольку успевают прореагировать с различными молекулами даже при температуре жидкого азота за времена 10 —10 сек. Что же касается малых величин времени жизни этих частиц по сравнению с радикалами 0 , полученными адсорбцией, то они объясняются одновременным присутствием в комплексах с переносом заряда положительно заряженных дырок и электронов и быстрой рекомбинацией этих разноименно заряженных частиц друг с другом. При адсорбции кислорода на предварительно восстановленпых нанесенных окислах дело обстоит по-другому, поскольку для рекомбинации зарядов необходим перенос электрона по решетке носителя-изо-лятора с соседнего восстановленного иона переходного металла. Поэтому в этих системах адсорбированные радикалы 0 гораздо устойчивее. [c.239]