Кристаллы сетка, определение

Под кристаллической сеткой подразумевается пространственная сетка, состоящая из соединенных между собой или переплетающихся кристаллов, пронизывающая маточный раствор кристаллической решеткой именуется сочетание молекул вещества, расположенных в строго определенном для данного вещества повторяющемся порядке и образующее монокристалл этого вещества. [c.68]

Определение линейных размеров. Размеры кристаллов, зерен, пор, трещин и т. п. определяют с помощью окуляр-микрометра. Последний представляет собой стеклянную пластинку, на которой нанесена линейная шкала или сетка, вкладываемую в окуляр микроскопа (рис. 53). Цена деления окуляр-микрометра определяется отдельно для каждого объектива. Для этого на столик микроскопа помещают объект-микрометр (стеклянную пластинку, на которой выгравирован 1 мм, разделенный на 100 частей, т. е. цена деления 0,01 мм) и устанавливают его шкалу параллельно шкале окуляр-микрометра. Определяют визуально число делений объект-микрометра, приходящихся на 10 или 100 делений окуляр-микрометра. Так как цена делений объект-микрометра известна (0,01 мм), то мол<но вычислить цену деления окуляр-микрометра. [c.115]

Приведенная на рис. Х-61 схема структуры натрий-силикатного стекла дает представление о размещении в решетке металлических ионов они без какой-либо четкой последовательности располагаются в пустотах силикатной сетки. Так как в этой сетке нет строго закономерного повторения структурных элементов, отдельные ее связи характеризуются неодинаковой прочностью. Поэтому стекло, в противоположность кристаллу, не обладает определенной температурой плавления, а в процессе нагревания размягчается постепенно. По неорганическим стеклообразующим системам имеется монография . [c.598]

С ростом содержания ПАВ, т. е. концентрации мицелл в растворе, происходит на определенной стадии их сцепление, образуется объемная пространственная сетка — гель, который при дальнейшем удалении дисперсионной среды (воды) переходит в твердую фазу — кристалл (кристаллогидрат) мыла. Все эти переходы обратимы, что и дало название лиофильным коллоидным системам как обратимым коллоидам. [c.263]

Указанное построение может служить опытным подтверждением сетчатой структуры грани кристалла, так как при всей произвольности сделанного построения все линии пучка обязательно будут проходить через узлы сетки. Из изложенного легко видеть, что определение формы петли сетки по форме грани возможно лишь в том случае, если грань имеет по меньшей мере три ребра, среди которых нет параллельных друг другу. [c.57]

В кристаллической решетке можно выделить бесконечно большое число плоских сеток. Через любые три узла решетки, не лежащие на одной прямой, можно провести плоскость, и эта плоскость (плоская сетка) будет возможной гранью кристалла. Число различных плоских сеток в кристалле бесконечно велико, а число реально существующих граней всегда весьма ограниченно. Разные серии сеток будут отличаться друг от друга ретикулярной плотностью, т. е. числом узлов, приходящихся на единицу площади. Бравэ предположил, что грани кристалла являются сетками с наибольшей ретикулярной плотностью. Эта гипотеза обычно известна под названием правила, или закона Бравэ. Однако Бравэ не предложил способа определения типа решетки в реальных случаях. Гипотеза продолжала оставаться лишь догадкой. Она была в известной мере решена Е. С, Федоровым при создании кристаллохимического анализа. Е. С. Федоров разработал стройную систему, по которой можно было, опираясь на гипотезу Бравэ, определить структуру кристалла, т. е. найти тип решетки Бравэ у кристаллов того или иного вещества. Для этого прежде всего изучалась внешняя форма кристаллов исследуемого вещества. На основании этого изучения составлялся список граней вначале выписывались грани, встречающиеся на каждом кристалле, затем — грани, обычно наблюдающиеся, затем — грани, встречающиеся все реже и реже. Для каждого типа решетки были составлены таблицы сеток, начиная от сеток с максимальной ретикулярной плотностью и далее со все уменьшающейся плотностью. Сопоставляя список символов граней, найденных на кристаллах определяемых веществ, со списком теоретических плотностей, можно сделать вывод о типе решетки Бравэ у кристаллов конкретных веществ. [c.60]

Кристаллы меди принадлежат к кубической сингонии. Для определения структуры кубического кристалла необходимо найти расстояния d между плоскими сетками куба 100 , ромбического додекаэдра 110 и октаэдра 111 . Этих трех величин вполне достаточно, чтобы однозначно определить тип решетки Бравэ. [c.107]

В случае кристалла с алмазной решеткой неприменим метод определения удельной краевой энергии по отрыву участка поверхностной сетки, имеющего форму параллелограмма, поскольку образующиеся при таком отрыве края неравноценны в смысле прочности их связи с кристаллом. Вероятно для того, чтобы обойти трудности при определении удельной краевой энергии, равновесную форму зародыша обычно находят из рассмотрения последовательности присоединения частиц к плотноупакованной грани (111) [c.28]

Принцип действия. В настоящее время наиболее признанным механизмом потери подвижности нефтепродуктов при низкой температуре является кристаллизация растворенных в них парафинов. Кристаллы парафинов имеют форму лент или волокон. При достижении определенных размеров они начинают сращиваться друг с другом. Это приводит к формированию в растворе пространственной сетки (каркаса). Углеводороды других классов, присутствующие в нефтепродукте, остаются при этом в жидкой фазе, однако они теряют подвижность, так как оказываются запертыми внутри каркаса и могут перемещаться только внутри собственной ячейки. [c.968]

В соответствии с представлениями П. А. Ребиндера [250—252], для образования коагуляционной структуры в дисперсной системе необходимо определенное минимальное количество структурных элементов (частиц), чтобы они могли образовать структурный каркас (сетку), причем критическая концентрация тем ниже, чем выше дисперсность. Это требование совпадает с требованием достижения критической концентрации кристаллов для создания изогидрических условий при массовой кристаллизации веществ из растворов. [c.54]

На рис. 9 по данным [275] в логарифмических координатах построен график зависимости наибольшей предельной вязкости неразрушенной структуры (т]о) от объемного содержания маточного раствора (100 — ф). Как видно из рисунка, все экспериментальные данные удовлетворительно укладываются на прямые, которые при их продлении не совпадают с вязкостью маточного раствора т], а отсекают на оси абсцисс определенный отрезок. Последний равен в каждом случае той минимальной концентрации кристаллов, которой достаточно для создания структурной сетки и превращения сахарной суспензии в структурированную жидкость. Из рис. 9 видно, что эта минимальная концентрация (7 — 16%) одного порядка с критической концентрацией кристаллов суспензии, необходимой для создания изогидрических условий [255]. [c.54]

Необходимо разработать методику по экспериментальному определению влияния размера кристаллов на их скорость роста и растворения в условиях дисперсной системы. Мы уже имеем опыт по исследованию фазовых превращений в кристаллизующихся растворах [314], однако в настоящем исследовании трудность заключалась в том, что для определения изменения веса либо размера каждого кристалла в отдельности за время растворения или кристаллизации необходимо взвешивать либо измерять каждый кристалл в начале и в конце опыта. Пометить же кристалл практически невозможно. Поэтому был разработан метод маркировки кристаллов, который заключается в следующем в диске из органического стекла диаметром 158 и толщиной 8 мм высверливали 250 отверстий диаметром 7 и шагом 8,8 мм в шахматном порядке. Нижнюю полость диска закрывали капроновым ситом с отверстиями диаметром 0,1 мм. В образовавшиеся ячейки помещали кристаллы, предварительно взвешенные каждый в отдельности на аналитических или микроаналитических весах. На верхней плоскости диска возле каждой ячейки проставляли ее номер. После заполнения ячеек кристаллами диск прикрывали капроновой сеткой и вторым диском, отверстия которого совпадали с отверстиями нижнего диска. [c.80]

Методика проведения опытов была такова. Отбирали несколько сотен кристаллов определенной фракции и взвешивали каждый в отдельности на аналитических и микроаналитических весах. Кан дый кристалл помещали в ячейку с фиксированным номером. После заполнения всех ячеек кристаллами диск покрывали капроновой сеткой и сверху прикрывали верхним диском и скрепляли с нижним диском крепежным винтом. В таком готовом состоянии диск с кристаллами взвешивали на технических весах и помещали в эмалированный металлический сосуд емкостью 1 л. Сверху сосуд покрывали пористой резиновой прокладкой, потом прижимным диском, а затем скрепляли при помощи натяжного приспособления. Сосуд с ячейками и герметизирующим приспособлением взвешивали на технических весах и прикрепляли к диску, вращающемуся в вертикальной плоскости. Вращающийся диск с прикрепленным к нему сосудом опускали в термостатный бак термостата размером 400 X 400 X 800 мм (рис. 24). [c.81]

Ход определения. Масло, нагретое до температуры около 40° С (до полного растворения кристаллов), фильтруют для удаления механических примесей через частую металлическую сетку и наливают в пробирку слоем высотой около 30 мм. Пробирку со вставленным в нее термометром помещают в стакан с водой так, чтобы уровень воды в нем был больше уровня масла в пробирке на 8—10 мм. [c.397]

Правильная форма образующихся кристаллов свидетельствует о том, что структурные элементы, которыми могут быть атомы или Молекулы, расположены в определенном порядке. Упорядоченное расположение точек называется точечной решеткой. Интерференционные явления должны возникать, как это следует из волновой теории, при прохождении света через такую точечную решетку или при отражении от густо усеянных точками плоскостей решетки или плоскостной сетки в том случае, если константа решетки или в данном случае расстояние между соседними плоскостями решетки находятся в определенном соотношении с длиной волн проходящего света. Нетрудно показать, что при прохождения обычного света через кристаллы не происходит дифракционных явлений. Используя число Авогадро Na, можно определить число атомов, содержащихся в одном кубическом сантиметре вещества с известной плотностью. На основании этого можно определить и константу решетки. [c.231]

Таким образом, можно считать доказанной слабую диссоциацию в кристаллах но это утверждение потеряет значительную часть своей ценности, если мы вспомним, что диссоциация относится не к самому кристаллу, а только к тем случайным примесям, которые, не имея строго определенного, соответствующего их свойствам места в кристаллической решетке, легко подпадают под действие электрических сил. Снова возникает вопрос возможна ли частичная тепловая диссоциация ионов самой кристаллической сетки. Нам такое представление кажется вероятным можно себе представить, что некоторые ионы удаляются из своего положения равновесия настолько, что электромагнитное поле в кристалле не имеет более тенденции вернуть их в прежнее положение такой ион получает возможность двигаться между элементами кристаллической решетки, либо сохраняя свою индивидуальность, либо же замещая по пути один из однозначных с ним ионов сетки, который сам переходит на положение странствующего свободного иона. [c.130]

Часто смектические жидкие кристаллы ориентируются в определенном направлении на плоскостях спайности некоторых кристаллов (эпитаксия). Но это происходит лищь в том случае, когда между периодом решетки кристалла и периодом слоев смектического жидкого кристалла имеется определенное соответствие. Расстояние между смектическими плоскостями должно быть приблизительно равно одному из параметров сетки, имеющейся на сколе твердого кристалла. Например, ориентация возможна при плавлении этилового эфира [c.28]

Согласно наиболее распространенной гипотезе, кристаллизация твердых углеводородов из масла, приводящая к его застуднева-Пию, рассматривается как образование в системе парафин — масло пространственной сетки (или каркаса), которая, иммобилизуя жидкую фазу, препятствует ее движению. Сцепление частиц дисперсной фазы происходит по ребрам монокристаллов, где наблюдается разрыв пленок дисперсионной среды образовавшийся гель обладает определенной механической прочностью. Другая гипотеза связывает застудневание с возникновением сольватных оболочек жидкой фазы вокруг кристаллов парафина. Дисперсионная среда, иммобилизированная вокруг дисперсных частиц, значительно увеличивает их объем, что повышает внутреннее трение всей системы и понижает ее текучесть. Предполагают, что при сдвиге, обусловленном механическим воздействием, толщина сольватных оболочек уменьшается и гель может превращаться в золь. При понижении температуры масел развитие процесса ассоциации приводит к образованию мицелл, вызывающих застудневание системы независимо от того, выделяется твердая фаза или нет. Добавление депрессоров значительно снижает как статическое, так и динамическое предельное напряжение сдвига депрессоры задерживают появление аномальной вязкости, сдвигая начало образования структуры в область более низких температур. [c.151]

Значительный интерес в последнее время приобретают комбинированные депрессоры, включающие поверхностно-активный и полимерный компоненты. Предлагается следующий вариант теоретического обоснования действия комбинированых депрессорных присадок. При понижении температуры наличие молекул поверхностно-активного вещества способствует двум взаимно независимым процессам. Во-первых, возможно образование новых центров кристаллизации, которые активно связывают молекулы кристаллизующихся твердых углеводородов, уменьшая их локальную концентрацию и нарушая налаживание прочных связей между ними. Во-вторых, молекулы поверхностно-активного вещества могут сорбироваться на поверхности растущего кристалла, что приводит к образованию в системе более рыхлых пространственных структур дендритного вида. При отсутствии в системе второго компонента на полимерной основе образующиеся в присутствии поверхностно-активного вещества структуры в определенных нефтях тем не менее склонны к интенсивным взаимодействиям посредством связей кристалл-кристалл, кристалл-ПАВ-кристалл, кристалл-ПАВ-П( В-кристалл. Крупные молекулы полимера создают стерические затруднения для подобных взаимодействий, во всяком случае сдвигают их в область более низких температур, при достижении структурными образованиями в системе размеров, соизмеримых с сосуществующими полимерными молекулами. Введение в рассматриваемые системы только присадок на полимерной основе оказывает некоторое депрессорное действие, однако высокая концентрация частиц кристаллизующейся фазы способствует их интенсивному взаимодействию и росту с образованием прочной структурной сетки, окклюдирующей в некоторой степени молекулы полимера и купирующей тем самым его депрессорное действие. [c.243]

НОСТЬ ямок —это их число на единице поверхности кристалла, подсчитываемое методом сетки. Ямки подсчитывают на возможно большем числе участков образца (50—100) для того, чтобы точность определения составляла 3—7%- Плотность ямок у твердых растворов различного состава равнялась 30—60 мкм- . Ориентация ямок на поверхности твердых растворов СгЗ сЗСаО-РзОб при малых концентрациях (до 6%) линейная преимущественно на линиях скольжения, а при больших концентрациях (более 14%) — хаотическая. [c.159]

Электронно-микроскопические исследования выявили очень дефектную структуру кристаллов алита в клинкерах и твердых растворах 3S. Блочность кристаллов проявляется в виде ручьевых узоров со средним размером ячеек 200—400 нм, что вызвано пересечением трещинами скола системы винтовых дислокаций, ориентация которых одинакова. Распространение трещины происходит по определенным кристаллографическим плоскостям. Таким образом, зная расстояние между дислокационными линиями, можно определить плотность дислокаций в минерале. Движение сетки дислокаций в процессе излома кристалла и скопления их на границах раздела блоков вызывает образование характерной ячеистой структуры минерала. Другим компонентом дефектной структуры является образование ямок травления в местах выхода дислокаций. Ямки травления на кристаллах исследуемых образцов имеют форму пирамиды, а их размеры увеличиваются пропорционально длительности травления. Этот факт свидетельствует в пользу того, что ямки травления дислокационные, поскольку ямки травления недислокационного происхождения, как правило, имеют форму усеченной пирамиды и исчезают при продолжительном травлении. [c.237]

Реплика скола гидратированного САз характеризуется через 1 сут наличием мелкозернистой массы неопределенного морфологического вида, отнесенной к гелевой фазе, количество которой к 7 и 28 сут гидратации увеличивается. В образцах 7-суточного твердения хорошо видны удлиненные стержневидные кристаллы, наряду с которыми появляются прямоугольные пластинки. По истечении 28 сут на сколе образца видна сетка из игольчатых кристаллов и плотно упакованных гексагональных пластин, промежутки между которыми заняты мелкозернистой массой. Образцы характеризуются большой плотностью. Состав продуктов САз характеризуется наличием САНю и А1(0Н)з во все сроки твердения (до 28 сут). В образцах 7-суточного возраста наряду с САНю имеется СзАНе. При дальнейшем твердении вплоть до 28 сут состав продуктов гидратации представлен гидроалюминатами кальция САНю, СгАНа и гидроксидом алюминия. Степень гидратации САз, определенная химическим и рентгенографическим методами, составляет через 1 сут 20%. затем постепенно увеличивается и к 28 т достигает 66%. [c.327]

Снижение пористости металлических покрытий — важный резерв повышения защитных свойств. Для каждого способа нанесения существуют определенные технологические приемы, обеспечивающие снижение кол 1чества пор. Тип пор зависит от метода формирования покрытий и, следовательно, от структуры осажденного слоя. Микропоры характерны для структуры покрытий, полученных электролитическим методом, и степень пористости определяется режимом электролиза, влияющим на скорость роста кристаллов, предварительной обработкой поверхности, включением различных чужеродных частиц. Наличие механических загрязнений, облегчающих разряд водородд и затрудняющих разряд осаждаемого иона, способствует возникновению макропор в покрытии. Возникновение пор канального типа связано в основном с внутренними напряжениями, величина которых превосходит временное сопротивление разрушению покрытия и приводит к растрескиванию и образованию сетки трещин. [c.67]

Температуру плавления раствора и чистого растворителя определяют в приборе для определения температуры плавления. Для ускорения работы к одному термометру следует прикрепить сразу два капилляра — с раствором и с чистым растворителем (наиболее удобен термометр со шкалой 140—230° С). Раствор расплавляется не сразу, так как концентрация его в процессе плавления меняется. Сначала образуется 5кидкость, в которой видна мелкая сетка кристаллов, количество их постепенно уменьшается. За температуру плавления принимается та, при которой исчезают последние кристаллы на дне капилляра. Определение делается несколько раз, причем, после каждого расплавления термометр с капиллярами необходимо вынимать пз прибора и, наклоняя его, добиваться персмешпвания не успевшего еще замерзнуть раствора. Расхождение последовательных определений не должно превышать 0,5 град. [c.79]

А. А. Берлин при изучении трехмерных полимеров олигоэфира,крилатов отметил [135], что механическая прочность реальных густосшитых олигомерных сеток на несколько порядков ниже расчетных значений, определенных на основе представлений об однородных непрерывных сетках. Анализируя этот факт, он указал, что трехмерная полимеризация олигоэфиров (ОЭА) уже на ранних стадиях не является гомогенным процессом и характеризуется различными скоростями в локальных структурных областях и усредненном объеме. К числу фактов, которые не укладываются в рамки традиционных представлений о гомогенной радикальной полимеризации виниловых мономеров, относятся аномально высокие константы скорости роста цепи для тетрафункциональных ОЗА и зависимость константы скорости роста от молекулярной массы олигомера, возрастание начальной скорости полимеризации ОЭА при введении в состав молекул олигомера ароматических ядер или полярных групп и т. д. 135]. Эти наблюдения находят объяснение при учете ассоциативных образований, существующих в олигомерных жидкостях и подобных надмолекулярным образованиям типа жидких кристаллов. Если время жизни (продолжительность структурной релаксации) ассоциата Ха больше, чем продолжительность существования активного центра при полимеризации т, то ближний порядок жидкости при этом фиксируется в твердом полимере. Экспериментально показано, что Ха —10- с , а х л 10 , с [135], т. е. что Та Т. [c.69]

Известно, что смолисто-асфальтеновые вещества сорбируются в определенной мере на парафинах. Смолистые вещества нефтей обладают депрессорным действием по отношению к температуре застьшания парафинистых нефтепродуктов, смолы, адсорбируясь на кристаллах парафина, препятствуют их росту и дальнейшему срастанию в структурную сетку [103], Установлено, что парафин адсорбирует смолы тем больше, чем выше его молекулярная масса [104]. В работе [105] адсорбцией смол на твердом парафине обьясняется изменение формы кристаллов парафина и образование высокодисперсных его суспензий в парафинистых нефтепродуктах при их охлаждении. [c.68]

Описанные аппараты работают следующим образом. Исходную смесь (обычно в несколько перегретом виде) загрул<ают в подогретый аппарат, где она охлаждается прн определенном режиме до полной кристаллизации. Затем кристаллическую массу нагревают до заданной температуры, лежащей в интервале между точками ликвидуса и солидуса исходной смеси. Образовавшийся маточник, свободно стекая, отделяется от кристаллической фазы. Для предотвращения частичного уноса кристаллической фазы потоком стекающего маточника (что существенно снижает эффективность разделения) в нижней части аппарата л елательно установить опорную решетку, а на ней поместить фильтрующую ткань или мелкоячеечную сетку с малым гидравлическим сопротивлением. Под опорную решетку рекомендуется залить инертную л<идкость, не смешивающуюся с расплавом и имеющую более высокую плотность, чем разделяемая смесь. Это позволяет снизить потери разделяемых веществ, а также облегчает отделение маточника от кристаллов. Инертная л<ид-кость может быть слита в конце стадии кристаллизации или после стадии плавления вместе с образующимся маточником. [c.233]

Н-связи влияют на механизм проводимости и в других системах. Поллок и Уббелоде [1655] отметили две особенности в поведении твердых органических кислот. Кристаллы, содержащие Н-связи, объединенные в большие группы, имеют высокую электропроводность, которая почти в сто раз больше, чем в кристаллах с замкнутыми парами Н-связей. Отсюда был сделан вывод, что миграция протонов легче всего происходит вдоль цепи Н-связей. Предварительные результаты работы с некоторыми солями (КН504, NaHS04 и др.) показывают, что аналогичные факторы могут действовать и в этом случае [1739]. Обсуждение теории явления дано в разд. 8.3.6. Уонг [2136, 2137] установил с помощью метода меченых атомов на нескольких изотопных модификациях воды, что диффузия представляет собой молекулярный процесс, в котором, в отличие от механизма электропроводности, перенос вдоль сетки Н-связей не играет роли. Освобождение молекулы требует разрыва Н-связей, однако в целом процесс подобен вязкому течению. Чэнг и Уилки [365] изучили ряд других систем с Н-связями и предложили эмпирическую формулу для определения коэффициента диффузии. Основное влияние Н-связи состоит в повышении температурного коэффициента диффузии. [c.36]

Работа Крика [461 ] иллюстрирует большое сходство между различными моделями спиралей. Он показал, что л-спираль [1262] переходит в а-спираль, если при построении модели не предусмотреть образования одной из Н-связей. Крик полагает, что эта необразовавшаяся связь может перемещаться вдоль цепи подобно тому, как двигаются дырки в кристалле. В полипептидной цепи наиболее стабильная из всех возможных конфигураций, по-видимому, достигается за счет такого перемещения . В белках наличие сшивок и взаимодействий между боковыми цепями может обусловить стабильное существование в данной молекуле больше, чем одного типа спиралей. Линдлей [1236], пользуясь моделями и постулировав определенный гюрядок расположения остатков, показал, что включение пролина может повести к изгибу а-спирали на 180° или к изменению направления вращения. Некоторые важные Н-связи при этом не образуются, но включение групп боковой цепи в сетку Н-связей должно, по-видимому, сохранить стабильность конфигурации. Эти идеи, будучи проверены и развиты, могли бы быть полезными и для других структурных моделей. [c.268]

Описание конкретных структур заменяется в кристаллохимий описанием структурных типов, поскольку конкретные структуры, принадлежащие одному типу, отличаются друг от друга лишь линейными размерами осевых трансляций решетки и величинами тех осевых углов, которые заданы в определении кристаллической системы как скользящие. В основу описания структурного типа положены координационное число и координационный полиэдр как основные характеристики пространственной организации структуры, а также типичная плоская сетка с наивысшей ретикулярной плотностью заполнения Lhhi как основная энергетическая характеристика структуры. Потенциал взаимодействия такой сетки составляет более 90 % потенциала взаимодействия решетки, описываемого константой Маделунга. Размерный фактор привлекается к этому описанию как определяющий характер замещения пор в укладках основных (больших) частиц структуры. В кристаллах металлической связи при описании структурного типа указывают электронную концентрацию в качестве характеристики взаимодействия электронного газа с остовами атомов решетки. В стандартном описании структурного типа указывают также пространственную группу, число занятых в элементарной ячейке узлов и базис. Каждому структурному типу присваивается символ. [c.109]

КРИСТАЛЛ (греч. хриотаХЛое — горный хрусталь) — твердое тело со строго закономерным расположением атомов, ионов или молекул, образующих кристаллическую решетку. Отличается однородностью, анизотропией св-в и способностью при благоприятных условиях приобретать форму многогранников определенного типа. Элементы ограничения К.— грани, ребра и вершины, к-рые связаны между собой зависимостью сумма граней - - сумма вершин равна сумме ребер -f- два. Граням в кристаллической решетке соответствуют ее плоские сетки, ребрам — ряды, вершинам — отдельные узлы. У каждого кристаллического вещества — своеобразное расположение слагающих его материальных частиц, своя кристаллическая структура, поэтому величина углов между соответствующими гранями у К. одного и того ше вещества — величина постоянная (закон постоянства углов). К.— симметричные тела. Симметрия кристаллических многогранников, как конечных фигур, описывается элементами симметрии — центром инверсии (1), плоскостями симметрии (т), поворотными (2, 3, 4 и 6) п инверсионными (4 и 6) осями симметрии, сочетание к-рых обусловливается [c.654]

Температура застывания,. Этим определением по существу должен фиксироваться момент потери подвижности нефтепродуктов. при его охлаждении. В случаях определения этой константы применительно к тяжелым смолистым продуктам, содержащим ничтожные количества парафина, истинная потер подвижности совпадает с определенной т-рой застывания в лабораторных условиях. Для парафинистых нефтепродуктов момент застывания характеризуется выпадением из раствора достаточного количества парафина, образующего во всем объеме испытуемого масла прочную кристаллическую сетку, удерживающую жидкую часть, в силу капиллярных явлений, в неподвижном состоянии. При нарушении целосг-ностй сетки (размешивание палочкой и т. д.) подвижность нефте-npoji KTa возвращается, и остается до того момента, когда количество кристаллов парафина станет настолько большим и вязкость жидкой среды настолько повысится, что наступит истинный момент пот и подвижности. Это обстоятельство является причиной того чт1 лабораторные определения т-ры застывания парафинистых продуктов всегда выше тех температур, при которых на практике они те от свою подвижность, и лучшим методом, наиболее приближающимся к действительности, является определение застывания при перемешивании. [c.103]

В аппарате 4 (см. рис. 64) происходит полное разложение цинката натрия Zn(0Na)2 при сильном разбавлении реакционной массы горячей водой. Отделение гидразобензола от гидроокиси цинка проводится по оригинальному методу, разработанному А. Н. Шебуевкм °о. Его метод основан на том, что при соблюдении определенных условий восстановления нитросоединений на второй стадии (точная дозировка воды) гидразобензол выпадает в виде крупных кристаллов, в то время как 1 идроокись цинка состоит из мелких частиц. Реакционная масса попадает в барабан-сепаратор 5, внутри которого медленно вращается цилиндрический каркас, обтянутый сеткой из нержавеющей стали. Эта сетка подобрана таким образом, что через нее проходит суспензия гидроокиси цинка и не проходят < Ь и ста л л ы гидразобензола. [c.223]

Мы используем термин субграница для границ между двумя частями одного и того же кристалла, отличающихся лишь слегка по ориентировке. Если эти две решетки совершенны, то, очевидно, будет иметь место эффект двухмерного нониуса или муарового шелка у поверхности их встречи. Вокруг определенных точек в обширном регулярном узоре атомные положения отвечают почти точно непрерывному переходу решетки от одной части к другой вдоль определенных линий между этими точками узоры совершенно не совпадают друг с другом. Так как межатомные силы, несомненно, стремятся сохранять регулярный узор решетки, эта конфигурация, которая могла бы существовать только в отсутствие сил, действующих на границе, будет преобразована в результате малых атомных смещений таким образом, что области с почти совершенным схождением решеток увеличатся в размерах, а ширина областей несхождения, где плотность энергии сравнительно велика, сократится. Дальнейшее уменьшение энергии могло бы происходить в результате поворота обеих решеток до полной параллельности, но этому могут воспрепятствовать натяжения на других поверхностях этих двух частей кристалла кроме того, если ось относительного поворота не является нормальной к поверхности их встречи, то поворот включает диффузионный перенос атомов на значительные расстояния и будет медленным. Узкие полосы не-схождепия решеток являются дислокациями, как это можно пока к-)ть. используя данное выше определение вектора Бургерса. Это приближение приводит к той же картине, как альтернативное, которое рассматривает квазиравновесные системы дислокаций, стянутых в поверхностные сетки в результате их упругих взаимодействий. Можно дать точное выражение для поверхностной плотности дислокаций на субгранице (определенной надлежащим путем) в терминах угла относительного поворота двух решеток и направления оси поворота [16]. Достаточно сказать здесь, что дислокации мощности Ь при расстоянии с1 между ними вызывают относительный поворот 6 порядка Ь/с1 радиан и что ось поворота, лежащая параллельно граничной поверхности, приводит к параллельным сеткам краевых дислокаций, тогда как компоненты вращения около оси, [c.24]

Происхождение дислокаций еще далеко не полностью объяснено и главным образом по той причине, что в этой области проводилось мало экспериментов. Энергия дислокаций не столь велика, чтобы нельзя было допустить их образование при тепловых возмущениях в достаточно малых кристаллических зародышах. Кроме того, кристаллы часто растут вначале в виде дендритов при высоком пересыщении, которое необходимо для зарождения (если исключить присутствие посторонних частиц, от которых они могут наследовать дислокации) затем, когда пространство между ветвями заполняется, любое легкое искажение ветвей приводит к дезориентациям, которые вызывают образование дислокаций в твердом кристалле. Теория роста кристалла объясняет естественный отбор кристаллов, содерн<ащих некоторое число дислокаций. Однако при этом объясняется наличие только небольшого числа дислокаций, в общем не обязательно большего чем одна дислокация, выходящая на каждой растущей габитусной грани кристалла. Наблюдения Форти и Фрэнка [30] в опытах над малыми сублимированными кристаллами серебра действительно указывают на число их, немногим больше, чем названо. Но содержание дислокаций, определенное различными непрямыми способами для металлических образцов больших размеров, полученных более обычными методами, значительно больше и редко оценивается величиной, меньшей чем 10 /слг или 10 см1см , что, по существу, одно и то же. Содержание дислокаций уменьшается при отжиге, но в пределе, по-видимому, достигает величины указанного порядка. Автор полагает, что это не имеет существенного значения и должно быть приписано содержанию примесей в доступных сортах металлов (обычно металл с концентрацией в 10" н. спектроскопически обнаруживаемых примесей считают сверхчистым ) выделившиеся частицы представляют опорные точки для дислокационной сетки, и наличием адсорбированных вдоль дислокациснных линий атомов растворенного вещества, понижающих как их линейное натяжение, так и их подвижность, можно, по-видимому, объяснить данные наблюдения. [c.33]

Как же тогда определить кристаллический порядок Рассмотрим схему искаженного кристалла на рис. 45, который мы использовали для пояснения влияния деформации кристаллической решетки на спектр фононов. Изображенная на этом рисунке система атомов не обладает пространственной периодичностью, и элементарные ячейки в разных ее участках отличаются размером и формой однако она все же воспринимается как изображение испорченного кристалла. Мы упорядочиваем эту систему, вводя некоторую криволинейную сетку, описываюп ую в каждой точке пространства вполне определенную кристаллическую структуру. Следуя вдоль такой сетки, всегда можно установить связь локального ближнего порядка с таковым в любой части кристалла. Точечные дефекть не нарушают об-ш,ей структуры сетки. [c.268]

Электроны как причина рассеяпяя рентгеновских лучей ионные решетки. Установленная Брэггом зависимость (см. стр. 236) интенсивности рентгеновских лучей, отраженных от плоскостей сетки, занятой одинаковыми атомами, выражающаяся в пропорциональности квадрату их атомного веса, имеет силу только для небольших углов отблеска, да и то лишь приближенно. Эта зависимость находится также в противоречии с установленной ранее Баркла закономерностью, в соответствии с которой интенсивность испускаемого каким-нибудь веществом рентгеновского излучения прямо пропорциональна атомному весу. Это противоречие было устранено Дебаем (1918), показавшим, что дифракция рентгеновских лучей при прохождении их через кристаллы или при отражении от плоскостей решетки кристаллов основана — совершенно так же, как и преломление или отражение обычного света,— на том, что свет, как видимый, так и рентгеновский, попадая на очень мелкую частичку, испытывает рассеяние. При этом такая частичка, на которую падает свет, ведет себя как точка, обладающая собственным свечением, от которой исходит сферическая световая волна. Поэтому ясно, что отражение рентгеновских лучей от-какой-нибудь заполненной определенным количеством материальных точек плоскости решетки будет тем сильнее, чем значительнее рассеивающая способность отдельных частичек. Дебай, опираясь на принципы классической электродинамики, установил, что интенсивность рассеяния, а вместе с тем, следовательно, и отражения рентгеновских лучей должна быть пропорциональна количеству рассеивающих электронов. Именно электроны и обусловливают в действительности рассеяние рентгеновских лучей. Поэтому распределение интенсивностей рассеянного излучения и дает нам непосредственную меру количества и расположения электронов. Но так как в нейтральных атомах число электронов равно порядковому номеру и так как ему же приблизительно пропорционален и атомный вес , то отсюда и следует в общем случае приблизительная пропорциональность между интенсивностью рассеянного излучения и атомным весом, т. е., другими словами, справедливость закона Баркла. Однако, как прказал Дебай, для малых углов отблеска, согласно теории, получается пропорциональность интенсивности квадрату количества электронов, что подтверждает и приближенный закон Брэгга. [c.241]

Элемент симметрии — геометрический образ, воздействие которого на периодически повторяющуюся систему точек приводит к совмещению этой системы точек со своим первоначальным положением в пространстве. Если правильная периодичная повторяемость системы точек про 1вляется в том, что в ней можно найти такую плоскость, которая делит систему точек на две зеркально равные части, одна из которых является зеркальным отражением другой, то система точек считается имеющей плоскость симметрии /п (рис. 2.1, а). Если система точек имеет такую плоскость, то тогда, принимая ее за координатную плоскость хОу, можно утверждать, что для каждой плоской узловой сетки [hkl) найдется симметричная ей сетка hkl). При изменении положения плоскости симметрии в пространстве кристалла изменяются и индексы связанных ее присутствием плоских узловых сеток, но не изменится факт их взаимосвязи. Из заданной плоской узловой сетки hkl) плоскость симметрии т формирует вторую. Кратность такой узловой сетки плоскость симметрии удваивает, если под кратностью сетки понимать их число, возникшее после реализации той или иной операции симметрии. Кратности плоских сеток, связанных определенным пучком элементов симметрии, приведены в приложении 2. Они определяются пучком элементов симметрии и положением плоской узловой сетки по отношению к элементам симметрии пучка. Так, элемент симметрии кратно размножает плоскую узловую сетку, если гномостереографическая проекция этой сетки не располагается на стереографической про- [c.41]

Из построений, приведенных на рис. 2.3, очевидно, что независимыми инверси онными осями являются только оси 1 я 4. Из них ось 1 связана не столько с направлением в кристалле, сколько с определенной точкой, отчего и называется центром инверсии (рис. 2.1, г). Б присутствии центра инверсии каждая плоская узловая сетка (Лй/) приобретает идентичную сетку (ккТ), параллельную ей и расположенную по другую сторону от начала координат. Присутствие оси 4 сказывается в появлении для каждой сетки (кк1) симметрично связанных с ней сеток кМ), (кЫ) и (кЫ) (рис. 2.1, в). [c.44]

Численное значение коэффициентов, обусловливающих прочность кристаллов, зависит от направления, что ярко проявляется в спайности. Спайностью называется способность М Инералов раскалываться по определенным кристаллографическим направлениям с образованием плоских зеркальных поверхностей, например, при ударе, мнгновенном термическом сжатии или расширении. Плоскости спайности обычно перпендикулярны направлениям наименьшего значения сцепления в кристаллической решетке. В одних случаях они соответствуют плоским сеткам, которые сложены ионами одного знака, даже если эти сетки не находятся на наибольших возможных расстояниях в данной кристаллической решетке (например, сфалерит). В других — плоскости спайности совпадают с направлением наиболее удаленных друг от друга пложих сеток, которые имеют наибольшую ретикулярную плотность (например, алмаз, графит). [c.71]

В последние годы структура стекла широко изучалась разносторонними методами исследования [2725—2763, 3045— 3084]. Так, Тарасов [2725, 2726], используя разработанный им метод определения низкотемпературной теплоемкости, показал, что особенность структуры силикатных и других неорганических стекол кроется в том, что они обладают полимерным анионом и мономерным катионом. Гросс и Колесова [2727], на основании изучения спектров комбинационного рассеяния многих стекол, показали на примере щелочносиликатных стекол, что в них имеет место постепенный переход от структуры стеклообразного кремнезема к структуре стеклообразного метасиликата щелочного металла, подобно тому, как это наблюдается для случая смешанных кристаллов. Флоринская и Печенкина [2728, 2729], основываясь на результатах, полученных методом инфракрасной спектроскопии, рассматривают стекла как сложные и неоднородные соединения, содержащие зоны с упорядоченным строением — кристаллиты. Расположение атомов в них такое же, как в кристаллах силикатов или кремнезема. Существует постепенный переход от наиболее упорядоченной части этих зон к беспорядку и обратно — к порядку в соседних кристаллитах. Формирование группировок, из которых в дальнейшем образуются кристаллиты, начинается очень рано, еще в расплаве стекла выше температуры ликвидуса. В пользу кристаллитной теории строения стекла приводятся и другие соображения [2730—2747]. Однако в отдельных работах утверждается, что некоторые виды стекол имеют структуру беспорядочной сетки [2748]. Как показал Порай-Кошиц [2749],пользуясь рентгеноструктурным методом, невозможно сделать окончательные выводы о правильности той или иной гипотезы о строении стекла. Полученные с помощью этого метода данные подтверждают обе гипотезы — как о кристаллитной структуре, так и о структуре беспорядочной сетки. По мнению автора, получения окончательного ответа на вопрос о размерах упорядоченных областей в однокомпонентных телах можно ожидать в результате их исследования электронномикроскопическим методом. [c.460]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология