Кадмий фосфид

Арсенид и фосфид кадмия, Киш,, 1976. [c.230]

Прямое определение Sb в сочетании с рядом других элементов производится в самых разнообразных материалах, в том числе в алюминии [54, 55, 1134, бериллии и его соединениях [305, 1297], боре [778, 11171 и фосфиде бора [26], ванадии и его окислах [234, 491, 1117], висмуте [809, 909, 1134], вольфраме и его соединениях [195, 739, 795, 1265], вольфрамовых рудах [1480], германии и его соединениях [559, 634, 905], горных породах [386, 730, 1182, 1240, 1336, 1443, 1599], графите и углероде [235, 397, 612], жаропрочных и тугоплавких сплавах [176, 177, 379, 1278, 1593], железе [425, 1134, 14411, железных рудах и минералах [198, 386, 636, 971, 1336], сталях [176, 546, 1278, 1441, 1593] и чугуне [61, 274, 546, 1250], золоте [404, 754, 909, 1095] и его сплавах [196, 389,390, 1167], индии [1168, 1308] и сплавах на его основе [814, 815, 1267], иттрии и его окислах [234, 272], алюмоиттриевом гранате [82], кадмии [598, 599, 1134] и кадмиевых сплавах [819], кобальте [60, 153, 1134], кремнии [252, 1619], кварце [154], карбиде кремния 109, 110, 288, 789, 790, 1353], кремниево-медных сплавах 594], силикатах [1586], технических стеклах [612, 1579], меди 129, 482, 964, 997, 1176, 1599, 1609, 1645, 1654], медных сплавах 96, 482, 1048, 1188, 1457,1463, 1566], окиси меди [199], продуктах медеплавильного производства [3601 и медных электролитах [1298, 1600], молибдене и его соединениях [104, 237, 308, 795, 1325, 1347, 1443], мышьяке [472, 1134], никеле и никелевых сплавах [486], ниобии и его окислах [49, 972], олове [582, 744, 782, 812, 900, 1684] и его сплавах [1210, 1494, 1495], полупроводниковых материалах [668, 678, 806, 1298, 16841, припоях [210, 1101], свинце [481, 534, 908, 1154, 1155,1193, 1543,1655], свинцовых сплавах [126, 871], рудах [53, 667, 806, 1143] и пылях [811], РЗЭ и их окислах [234, 353], селене [154, 155, 499, 747, 818, 1134], селениде ртути [715], сере [189, 1134], серебре [388, 390, 391, 909, 1598], хло- иде серебра [1362], стеклоуглероде [397], сульфидных рудах 638], тантале [237], теллуре [156, 591, 592, 1134, 1613], теллуровом баббите [1656] и теллуриде свинца [342], типографских сплавах [323], титане и двуокиси титана [288, 306, 1262], тории и его окислах [272], уране [1447], окислах урана [878, 1182, 1240] и урановых рудах [1443], ферросплавах [792, 793], фосфоритах [879], хроме [555, 729, 792] и его окислах [54, 55, 571], цинке [976] и цинковых рудах и минералах [1142], цирконии [679] и двуокиси циркония [1368], производственных растворах [205, 882, 1290, 1323, 1324, 1483], сточных и природных водах [429], азотной, серной, соляной, уксусной, фтористоводородной и бромистоводородной кислотах [111, 121, 407, 552, 574, 10081, воздушной пыли [121. [c.81]

Теллурид кадмия Арсенид галлия Фосфид индия Антимонид индия [c.210]

Метод дуги переменного тока использован для определения галлия в солях редких щелочных металлов [502], фосфиде бора [22], свинце [161], сере [505, 507], в рудах и концентратах алюминия, цинка, свинца и меди [125, 185, 1362], бокситах [185], золе углей [185], силикатах [130, 872, 873] и других горных породах 1333], в сернистых (материалах [1333], глинах [1272, 1334], угольном порошке [1286], в олове высокой чистоты [558], металлическом индии [909], г( рючих сланцах [942], двуокиси кремния и кварце [206], селене [506, 508] и в кадмии высокой чистоты (156 [c.159]

В настоящее время в СССР и за рубежом в различных областях техники для нагревания изделий из стекла широко используются прозрачные электропроводящие пленки. В качестве токопроводящих покрытий используют в основном окислы, сульфиды, селе-ниды и фосфиды металлов, различающиеся электрическими, химическими и оптическими характеристиками. Эти пленки получают преимущественно гидролизом растворов или пиролизом соответствующих соединений при температуре 500—600 °С, а также окислением тонких слоев металла. В последние годы получает распространение метод нанесения окисных пленок катодным распылением. Этим методом получают пленки окислов олова, индия, кадмия, титана, молибдена, вольфрама, ванадия, моноокиси кремния с примесью золота или серебра и другие. [c.163]

ХИМИКО-СПЕКТРАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЖЕЛЕЗА, КАДМИЯ, МАРГАНЦА, МЕДИ, НИКЕЛЯ, СВИНЦА И ЦИНКА В ФОСФИДЕ ГАЛЛИЯ 1 [c.166]

Главным объектом электрохимии полупроводников до сих пор остается германий. Значительно менее подробно исследованы кремний, сульфид кадмия, окись цинка, арсенид галлия. В последние годы внимание исследователей привлекают окись никеля, фосфид галлия и некоторые другие материалы. [c.12]

Среди сравнительно новых объектов исследования электрохимии полупроводников можно назвать бинарные полупроводниковые материалы двуокись титана 477, 78], танталат калия [791, селенид и теллурид кадмия [80], окись никеля [81, 82]. Параллельно продолжалось дальнейшее исследование окиси цинка [83—86], сульфида кадмия [87, 88], арсенида и фосфида галлия [89, 90]. [c.19]

В заключение упомянем об изучении природы квазиравно-весной (т. е. не связанной с протеканием каких-либо электрохимических реакций) фото-э.д.с. на бинарных полупроводниках с широкой запрещенной зоной. Тягаем [921 на сульфиде кадмия, а затем Елецким [93, 94] на арсениде и фосфиде галлия было показано, что фототок связан с разделением инжектированных светом электронов и дырок в электрическом поле. Фото-э. д. с. можно представить как результат заряжения этим фототоком поверхностной емкости полупроводника. Таким образом, из фотоэлектрических измерений можно получить значения дифференциальной емкости и параллельного сопротивления электрода. [c.20]

Антимонид индия. Синтез антимонидов не представляет таких трудностей, как синтез арсенидов и фосфидов. Так как компоненты антимонидов малолетучи и температура плавления относительно невысока, эти соединения могут быть получены простым сплавлением компонентов. В качестве материала тигля (лодочки) обычно применяют графит, графитизированный кварц или корунд. Сплавление проводится в защитной нейтральной атмосфере аргона или водорода. Иногда ведут синтез в вакууме. При этом теряется часть сурьмы из-за ее большой летучести. Но с этим мирятся ради удаления некоторых летучих примесей, таких, как цинк и кадмий. Нарушение стехиометрии не опасно, так как избыточный компонент удаляется при кристаллофизической очистке [ 137, 138]. [c.206]

Выращивание из расплава явилось, например, основным путем для производства монокристаллов германия и кремния. Выращивание из раствора в А1, Оа или 1п — для получения фосфидов, арсенидов и антимонидов этих металлов наряду с выращиванием из пара и т. п. Синтез из пара — для производства монокристаллов сульфида или селенида кадмия и др. [c.442]

При действии разбавленной кислоты на фосфиды кадмия образуется фосфористый водород, загорающийся (при соприкосновении с воздухом. [c.188]

Ширина запрещенной зоны AIP при 0°К равна 3,0 эв. С ростом температуры она падает и при комнатной температуре составляет 2,42 эв. Сера и селен создают донорные, а цинк и кадмий — акцепторные уровни в А1Р. Максимум фотопроводимости наблюдается при длине волны падающего света 5000—5150 A. Обнаружены выпрямление, электро- и фотолюминесценция на фосфиде алюминия. [c.144]

Очень интересен метод выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений из газов в условиях транспортных реакций, о которых писалось в гл. I, 23 и гл. IX, 3. Так получают Si взаимодействием толуола с Si li и с водородом в качестве транспортирующего газа, фосфид бора из B I3 и фосфора с НС1 в качестве газа-носителя, оксид цинка из паров цинка в токе воздуха, сульфиды цинка и кадмия из паров этих металлов в токе водорода и сероводорода и т. д. [c.266]

О теллуридах ртути и кадмия говорилось в гл. XI, 6. Весьма интересным полупроводником является стибид цинка 2п5в. Он имеет дырочную проводимость и служит хорошим материалом для изготовления термоэлементов для термобатарей и термоэлектрогенераторов. Кроме ZhSb, известны и другие стибиды цинка, а также стибиды, арсениды и фосфиды цинка и кадмия, также являющиеся полупроводниковыми материалами. [c.365]

Применение. Из рассеянных редких металлов меньше всего используется галлий. Вследствие низкой температуры плавления (29,8 °С)-и высокой температуры кипения (2230 °С) металл предложено использовать для изготовления высокотемпературных термометров. Легкоплавкие (<60°С) сплавы галлия с рядом металлов (висмутом, кадмием, свинцом, цинком, индием, таллием) могут быть использованьг в сигнальных устройствах. В последнее время галлий находит применение для получения полупроводниковых соединений — арсенида, фосфида, антимонида галлия. Галлиевые оптические стекла характеризуются высокой отражательной способностью. Сплавы, содержащие галлий, предложено применять в зубоврачебной практике. [c.212]

Фосфор образует большое количество гетероцепных полимеров. К их числу относятся окислы фосфора, полифосфорные кислоты, полифосфаты, полифосфонитрилхлорид и другие соединения фосфора с азотом, фосфиды некоторых металлов и фосфпнборипы. Фосфиды различных металлов представляют собой полимерные соединения. Так, было установлено, что структура фос( )пда кадмия состоит из каркаса ковалентно связанных между собой атомов кадмия и фосфора [290] для фосфида свинца показано, что вдоль оси С расположены нитеобразные молекулы, связанные между собой Ван-дер-Ваальсовыми силами [291], получены также фосфиды цинка, ртути и свинца. [c.352]

Поступление, распределение и выведение из организма. Поступление И. в организм может иметь место при процессах получения концентрированных растворов И., его цементации, переплавки, рафинирования и электролиза возможно воздействие на организм работающих паров солей И. в производствах, где И. используется в технологии получения металлокерамических изделий (Походзей). Возможно и воздействие растворов сульфата, хлорида и других соединений И. Например, при цементации индиевой губки из растворов солей, извлечении катода из электролита, очистке катода и анода и др., соединения И. могут загрязнять одежду, кожные покровы и слизистые. Загрязнение кожи рук, курение и прием пищи на рабочем месте могут приводить к попаданию этих веществ в пищеварительный тракт. Возможность ингаляционного воздействия соединений И. в условиях производства встречается реже, в основном при операциях получения и обработки солей (хлоридов, сульфатов, нитратов И.) и полупроводниковых сплавов металла (антимонид, арсенид, фосфид И.). Опасность ингаляционного воздействия незначительных примесей И. в составе смешанной пыли, образующейся при процессах пирометаллургического извлечения металла, относительно невелика, в этих случаях большее гигиеническое значение имеют основные компоненты этой пылевой смеси (цинк, свинец, кадмий). Возможность ингаляционного воздействия паров расплавленных металлов не очень значительна благодаря низкому давлению паров И. даже при температурах выше 1000 °С (а плавка его производится при более низких температурах и под слоем флюса). Частой формой возможного [c.234]

По хемосорбционному механизму соосаждаются Аз, Те, Зе. Пере-осаждением уменьшают массу осадка до 5л<г и определяют 12—18 примесей в цинке и кадмии с относительными пределами обнаружения около Ы0- %. Выделение сульфидов Ад, Аи, Сё, Си, РЬ и 2п при анализе фосфида индия на 20 мг [пгЗз, осажденного рассчитанным количеством сероводорода, может служить характерным [c.307]

Сабатье и Сандерен [114] в качестве катализатора предложили металлическую медь. Из более новых катализаторов следует упомянуть сульфиды, фосфиды и селениды цинка, кадмия, кобальта, железа и алюминия [115]. Металлические сплавы, например медно-цинковый [116], были рекомендованы в качестве устойчивых катализаторов, подавляющих побочные процессы (в частности, образование олефинов). По данным Тейлора и Лэзиера [117], хорошим дегидрирующим катализатором является [c.336]

В настоящее время резко возрос интерес химиков к определению малых количеств примесей в чистых веществах. Это связано с организацией и развитием атомной промышленности, которой необходимы сверхчистые уран, торий, бериллий, цирконий, ниобий и др. металлы. Еще более чистые вещества потребовались в электронике и электротехнике (германий и кремний, селен и селени-ды, арсенид галлия, антимонид сурьмы, фосфиды индия и галлия). Для изготовления лазеров нужны чистый рубидий и редкоземельные элементы. Новая техника нуждается также в высокочистых хлориде и бромиде кадмия, фторидах лития и кальция, иодиде калия, бромиде и иодиде индия, цезии высокой чистоты, гидриде цезия и др. Стали существенно более чистыми материалы, с которыми работают в промышленности химических реактивов, в черной и цветной металлургии при производстве жаропрочных и химически стойких сплавов и т. д. [c.9]

Полупроводниками называют кристаллические вещества, электропроводность которых характеризуется следующими особенностями 1) при повышении температуры проводимость их возрастает 2) для каждого полупроводника существует некоторый высший предел температуры, ниже которого величина его проводимости зависит от присутствия в нем примесей и различного рода нарушений периодичности его решетки. Полупроводниками являются некоторые элементы и многочисленные соединения. Наиболее изученные и распространенные материалы среди получивших промышленное применение — германий и кремний. Весьма перспективными для производства новых видов приборов являются арсепиды галлия и индия, фосфиды галлия и индия, сульфиды, селениды и теллуриды кадмия и некоторые другие. Известно несколько сотен полупроводников. [c.7]

Прозрачные пленки из токопроводящей двуокиси олова применяют в качестве нагревательных элементов в различной химической аппаратуре (ректификационные колонки, фарфоровые котлы и ванны), в виде теплоотражающих покрытий, фильтров или экранов в гелиотехнике, как электроды гальванических ванн с целью осаждения особо чистых слоев металлов или в виде прозрачных электродов в электроконденсаторных устройствах [49—52]. Прозрачные полупроводниковые слои применяют также в электролю-минесцентных панелях, служащих для освещения контрольно-из-мерительных установок, и в транспортных сигнальных устройствах. Полупроводниковые пленки используют для снятия электрических статических зарядов со стеклянных стенок различных приборов и для выравнивания градиента напряжения изоляторов. В качестве пленкообразующего материала токопроводящих пленок, помимо частично восстановленной двуокиси олова, используют и такие соединения, как окислы кадмия, индия, цинка, вольфрама, молибдена, ванадия, моноокись кремния с добавками серебра или золота, сульфиды кадмия и меди, селениды и фосфиды меди [53—55]. [c.8]

Важнейшая задач химии полупроводников заключается в создании новых полупроводниковых материалов. Еще в 60-х годах в радиоэлектронике применялись только германий и кремний. А в настоящее время в промышленной электронике и радиотехнике помимо кремния и германия нашли широкое применение полупроводниковые соединения антимонид индия, арсенид галлия, фосфиды индия и галлия, халькогениды цинка, кадмия, ртути, свинца, висмута, сурьмы, а также карбид кремния и др. Число сложных полупроводниковых фаз (соединений и твердых растворов), перспектавных для их практического применения, неуклонно растет из года в год. [c.6]

Велькер в первых работах, посвященных фосфиду индия, описал возможность приготовления диодов и триодов на его основе. Поверхностно-диффузионный транзистор, впервые изготовленный из фосфида индия, дойазал возможность создания на его основе прибора, усиливающего электрическую мощность. Эффективность InP как материала для солнечных батарей выше э4х )ективности кремния, антимонида алюминия и сульфида кадмия. Предпринимались попытки измерения интенсивности нейтронных потоков при помощи фосфида индия. Кроме того, InP перспективен как материал для квантовых генераторов. [c.149]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология