Осаждение металлов из газовой фазы

К), 6,6-10 (293 К), 16-10 (600 К), 32-10 (1000 К) температурный коэфф. р 6,6-10 К (273-373 К) т-ра перехода в сверхпроводящее состояние для компактного металла 0,026 К, для тонких пленок, полученных осаждением из газовой фазы, 5,0-8,2 К диамагнитен, магн. восприимчивость —1 -10 (293 К) стандартный электродный потенциал (Ве/Ве " ) —1,7 В у жидкого 1,444 Дж/м (1560 К). [c.280]

Изделия из порошков Б. изготавливают спеканием предварительно спрессованных заготовок или горячим прессованием. Покрытия из Б. иа разл. подложках получают методом осаждения из газовой фазы при взаимод. галогенидов металлов и бора, плазменного напыления порошков и др. [c.304]

Отметим, что с помощью импульсного способа удалось наращивать алмаз под каплями расплавленных металлов. Преимущества импульсного способа, способствующие росту метастабильной формы углерода из газовой фазы, вероятно, не ограничиваются системой алмаз—графит. Имеются основания ожидать, что применение периодического импульсного пересыщения может оказать существенное влияние на кристаллизацию двух конкурирующих фаз вообще, а также на получение метастабильных текстур при осаждении из газовой фазы, расплавов и растворов. [c.105]

С. широко распространены в природе (ок. 75% массы земной коры), они составляют примерно треть всех известных минералов (полевые шпаты, глинистые минералы, слюды и т. п.). Синтетич. С. получ. нагреванием смесей, содержащих оксиды кремния и соответствующих металлов гидротермальным синтезом осаждением из р-ров осаждением из газовой фазы кристаллизацией расплавов и стекол. [c.525]

Например, радиоактивный висмут испаряется с золота при более низкой температуре, чем с палладия радиоактивный висмут, осажденный из газовой фазы, испаряется при более низкой температуре, чем висмут, осажденный электролитически радиоактивный висмут легче испаряется с поверхности в атмосфере водорода, чем кислорода или воздуха. Это объясняется тем, что в атмосфере водорода элемент восстановлен до металла, атомы которого связаны с поверхностью более прочно. Используя эти свойства висмута, можно отделить его от свинца и полония. Путем испарения разделяют смесь радиоактивных кадмия, мышьяка, фосфора и др. [c.156]

Осаждение из газовой фазы нри взаимодействии галогенидов металлов или карбонилов металлов в водороде [c.19]

Осаждение из газовой фазы при взаимодействии галогенидов металлов в N2 — На [c.19]

Возможность получения осаждением из газовой фазы практически любых металлов, сплавов и химических соединений предопределяет широкое применение этого метода в машиностроении и других отраслях техники. Некоторые примеры использования процессов осаждения из газовой фазы приведены в табл. 5. [c.187]

Известно несколько методов получения Б. 1) синтез из элементов спеканием смесей порошков металла и бора в атмосфере аргона при 1300—2000° 2) осаждение из газовой фазы при восстановлении летучих галогенных соединепий бора и металла водородом [c.228]

Наносить на поверхность тугоплавкие покрытия можно различными методами. Метод осаждения из газовой фазы-один из них, наиболее распространенный. Он относительно прост и технологичен. Сущность процесса в следующем к нагретой поверхности, подлежащей покрытию, поступают пары легколетучего соединения того металла, который хотят нанести на изделие. В результате химической реакции соединение восстанавливается до металла, который и образует на поверхности защитную пленку. [c.186]

Первый метод (синтез из элементов) наиболее прост, но не может быть рекомендован для промышленного использования вследствие недостаточной доступности чистых металлов и особенно элементарного бора. Осаждением из газовой фазы удается получить лишь небольшие количества боридов при ничтожных выходах. [c.108]

Ко второй группе методов химико-термической обработки можно отнести так называемую кристаллизацию (или осаждение) из газовой фазы с участием (или использованием) химической реакции [51]. Эти методы ван Аркеля и де Бура, нашедшие широкое промышленное распространение в 30-х годах XX в для получения особо чистых циркония, гафния и титана, сравнительно недавно начали применять для создания защитных покрытий на металлах и сплавах. [c.4]

Химические транспортные реакции нашли широкое применение для получения многих металлов и других соединений в состоянии очень высокой чистоты [7, 8]. Их использование для получения материалов и покрытий обещает существенные технологические преимущества по отношению к процессу получения материалов методом осаждения в условиях газового потока. Общие теоретические и экспериментальные основы химических транспортных реакций изложены в работе [7] и других исследованиях [9]. Однако в этих работах анализ выполнен без учета кинетических факторов процесса на поверхности осаждения и исходного вещества. Рассмотрим осаждение из газовой фазы в условиях химических транспортных реакций с учетом кинетических факторов процесса. [c.120]

Осаждение из газовой фазы. Перспективным является метод образования покрытий в результате реакций между газообразными составляющими. При реакциях взаимодействия паров хлористых солей алюминия, кремния, циркония с углекислым газом и водородом образуются окислы АЬОз, 5102, г02. Окислы, отлагаясь на поверхности металла, могут служить средством защиты его от коррозии. Окислы осаждаются также в результате разложения металлоорганических соединений. Возможно отложение нитридов и других соединений. Некоторые реакции образования покрытий путем осаждения из газовой фазы приведены в табл. 37. [c.324]

Осаждение из газовой фазы при восстановлении летучих галоидных соединений бора и металла водородом. [c.174]

Тончайшие защитные пленки на поверхности разных материалов (металлов, керамики и др.) могут быть получены осаждением из газовой фазы при облучении этилена потоком электронов. [c.248]

Фосфиды получают синтезом из компонентов, взаимодействием оксидов металлов с фосфппом, восстановлением фосфатов металлов водородом, осаждением из газовой фазы и другими методами. [c.281]

С), 100 (341 °С). Раств. в спиртах, эфирах, бензоле, Sj и I4. Получают хлорированием W при 500-800 °С, в лаборатории - взаимод. I4 с WO3 при 300-400 °С. Используют его для получения порошка W, а также для нанесения покрытий из W на металлы, графит и др. материалы хим. осаждением из газовой фазы с помощью Н . Пентафторид WFj диспропорционирует выше 50 °С на WF4 и WF . [c.420]

Получают WF взаимод. W (реже WO3) с Fj при 300 50 °С. Применяют для ианесения покрытий из W на графит, Sl и металлы, в произ-ве карбидов W, порошкообразного W, изделий из W и его сплавов с Мо, Re и др. металлами хим осаждением из газовой фазы, для разделения изотопов W [c.420]

Перспективно применение Д для нанесения металлич. и оксидных покрытий на разл. подложки для разделения, очистки и анализа смесей разл. металлов (в виде их Д.) методами экстракции, газовой и жидкостной хроматографии, фракционной сублимации, зонной плавки н кристаллизации для легирования разл. материалов методом осаждения из газовой фазы в качестве катализаторов полимеризации и окисления, сдвигающих реагентов в спектроскопии ЯМР. Соед. дипивалоилметана и Се(1У) предложено использовать в качестве антидетонаторов моторного топлива. Наиб, доступные и дешевые-ацетилацетонаты металлов. [c.59]

Поверхностное Л осуществляют в слое до 1-2 мм и используют для создания особых св-в на пов-сти изделия В основе большинства процессов (в сочетании с термич обработкой) лежит диффузионное насыщение из газовой или жидкой (напр, цементация) фазы, химическое осаждение из газовой фазы К таким процессам относят алитирование (насыщающий элемент А1), науглероживание (С), цианирование (СН), азотирование (Н), борирование (В) и т д По твердофазному методу на пов-сть металла наносят легирующий элемент или сплав в виде слоя нужной толщины, далее к -л источником энергии (лазерное облучение, плазменная горелка, ТВЧ и др) пов-сть оплавляется и на ней образуется новый сплав Общее назв перечисл процессов -химико-термич обработка [c.581]

NaF) с Fj при 300—450 °С. Применяют для ианесения молибденовых покрытий на графит. Si, металлы и оксиды методом хим. осаждения из газовой фазы, как компонент катализатора гидрирования нефтепродуктов, при разделении изотопов Мо. [c.127]

Реже используют методы хим. осаждения из газовой фазы-восстановление смеси хлоридов (или бромидов) 81 и металла водородом или 81На14 над порошком металла или нагретой проволокой. Для синтеза С., а также выращивания небольших монокристаллов и пленок используют хим. транспортные р-ции с С12, Вг2 или 12 в качестве транспортного агента. (Объемные монокристаллы вьфащивают направленной кристаллизацией и вытягиванием по Чохральскому. [c.347]

С. получают взаимод. простых в-в в вакууме или инертной атмосфере, р-вд ей HjS с металлами, их оксидами, гидроксидами или солями, восстановлением сульфатов углем, Hj, прир. газом, термич. разложением высших С. или их восстановлением Hj. Монокристаллы выращивают направленной кристаллизащ1ей из расплава, осаждением из паровой фазы, хнм. транспортными р-щ ями, методом Фрерихса (взаимод. паров металла с HjS), зонной плавкой. Пленки получают осаждением из паровой фазы, методом мол.-лучевой эпитаксии, хим. осаждением из газовой фазы, осаждением нз водных р-ров. [c.460]

Получают Ц.к. взаимод. Zr или его оксидов с углеродом, покрытия - хим. осаждением из газовой фазы (восстановлением галогенидов 7х смесью Н2 и углеводородов). Компактные изделия из ТхС м. 6. получены методами порошковой металлургии. Ц. к.- компонент эвтектич., жаропрочных сплавов, керамики, покрытий на металлах. Ю. В. Левинский. [c.387]

Тонкие пленки BI4TI3O12 на 81(100)-подложке были приготовлены химическим осаждением из газовой фазы (МО VD) при 400—750 °С в [198]. Здесь же приведены сведения о кристаллизации аморфных пленок и их вольт-амперных характеристиках. Ферроэлектрический материал, полученный из алкоксидов, содержащих щелочноземельные металлы, а также Та или Nb при соотношении 1 2 соответственно в виде пленок, химически осажденных из газовой фазы, представляет интерес при создании запоминающих устройств [199]. [c.269]

Наряду со спеканием компактный вольфрам высокой плотности получают также методами осаждения из газовой фазы, электрохимическим и плазменным осаждением, дуговой, в том числе гарннссажной, и электронно-лучевой плавками, выращиванием монокристаллов в специальных кристаллизационных аппаратах с использованием электронного и плазменного нагревов (электронно-лучевая зонная плавка, плазменно-дуговая плавка). Плавка вольфрама в дуговых и электронио-лучевых печах обеспечивает эффективную очистку от примесей и получение крупных заготовок массой до 3000 кг, предназначенных для изготовления листов, профилей, труб и других изделий методами фасонного литья, прессования, прокатки. Для измельчения зерна с целью повышения технологической пластичности применяют модификаторы и раскислителя (например, карбиды циркония, ниобия и т. д.), а также гарниссажную плавку с разливкой металла в изложницу. Для снижения содержания примесей и одновременно создания более мелкозернистой структуры используют дуплекс-процесс электронно-лучевая плавка+электродуговая плавка Наиболее глубокая очистка от примесей реализуется при выращивании монокристаллов вольфрама. При этом у вольфрама появляются особые свойства, присущие только монокристаллическому состоянию, в частности анизотропия свойств, более высокая по сравнению с поликристаллами эрозионная стойкость, высокая устойчивость к расплавам и парам щелочных металлов, к термоциклированию, облучению, лучшая совместимость со многими неорганическими, в том числе металлическими, материалами и т. д. [c.398]

Диборид гафния HfBj образуется при горячем прессовании смесей порошков гидрида гафния и бора с последующим гомогенизирующим обжигом при 1550° С в атмосфере аргона или в вакууме при 1250° С [78]. Он может быть получен из исходных компонентов процессе горячего прессования [14] или при нагревании смесей стехиометрических количеств порошков металла гафния и бора в вакуумной печи при 1800° К [79]. Моерс [13] и Кэмпбелл [591 получали диборид гафния методом осаждения из газовой фазы (Hf l -j- [c.322]

Поскольку в каталитической реакции участвует непосредственно поверхностный слой твердого тела, возникла необходимость в методах, позволяющих исследовать геометрическое строение и электронное состояние только поверхностного слоя, а не более глубоких слоев. Для того чтобы приблизиться к этим условиям, уже давно было предложено проводить исследования на объектах с высокой степенью дисперсности, например, на тонких металлических пленках, осажденных из газовой фазы в вакууме. Успехи в этой области зависели от развития высоковакуумной техни1си и стали возможными только в последние десятилетия. Для примера можно привести исследования электрического сопротивления тонких металлических пленок во время адсорбции различных газов, а также определение работы выхода электронов с поверхности каталитически активных металлов, проведенные Зурманом и сотр. [57, 581. Позже, однако, оказалось 452], что результаты этих работ были ошибочны, так как ввиду недостаточно высокого вакуума (10мм рт. ст.) полученные тонкие пленки металлов содержали загрязнения. Дальнейшие работы в этом направлении проводились с применением более высокого вакуума и это позволяло допускать, что исходные пленки металлов были достаточно чисты [45, 46, 52, 53, 59]. Изменения работы выхода электронов и электропроводности металлов при адсорбции газа на металлической поверхности связано с изменением положения уровня Ферми вследствие взаимодействия между адсорбентом и адсорбированным веществом. [c.138]

Смотреть страницы где упоминается термин Осаждение металлов из газовой фазы: [c.128] [c.558] [c.581] [c.479] [c.127] [c.252] [c.256] [c.128] [c.558] [c.142] [c.191] [c.211] [c.477] [c.575] [c.576] [c.9] [c.76] [c.663] [c.685] [c.398]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология