Центры окраски центры

Когда кристалл окрашен, мы говорим, что в нем имеются центры окраски. Центр окраски — это дефект решетки, который поглощает свет. Различают два типа центров -центр и У-центр. Обычно Р -центры создают нагреванием кристалла в избыточных парах щелочного металла или путем облучения, а У-центры — в парах галогена или также облучением. [c.423]

Парамагнитные вещества обнаруживают интенсивное резонансное поглощение высокочастотной энергии при строго определенных значениях напряженности постоянного магнитного поля (при перпендикулярной ориентации переменного и постоянного магнитных полей). Это явление получило название электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). Электронным парамагнетизмом обладают атомы с нечетным числом электронов, свободные радикалы органических веществ, центры окраски в виде электронов или дырок, локализованных в различных местах кристаллической решетки, металлы или полупроводники, имеющие свободные электроны, ионы переходных металлов и некоторые другие ионы. [c.160]

Электронным парамагнитным поглощением обладают вещества, имеющие неспаренные электроны. К ним относятся 1) ионы с частично заполненной внутренней электронной оболочкой, например ионы переходных элементов Ы-, 4й-, 5(1-, 4/-, 5/-) 2) органические и неорганические свободные радикалы, среди них многие неорганические радикалы, образующиеся при облучении (РОз , АзО з , N03 , 50з ), а также ряд неорганических молекул (СЬО, СЮг, СЮз, N0 и др.) с нечетным числом электронов 3) атомы с нечетным числом электронов (галогены, водород) 4) центры окраски, которые представляют собой электроны или дырки, захваченные в различных местах кристаллической решетки 5) металлы и полупроводники вследствие наличия в них свободных электронов. [c.204]

К точечным дефектам относятся уже обсуждавшиеся выше дефекты в кристаллах простых веществ чужеродные (примес-ные) атомы, или ионы, которые замещают в кристаллической решетке частицы основного вещества или внедряются в междоузлия (окраска рубина, изумруда, алмаза вызвана примесными атомами) комбинации вакансий с электронами (центры окраски) и др. [c.178]

При нагревании окиси цинка на воздухе окраска кристаллов из белой становится желтой. В этом случае центрами окраски являются внедренные атомы цинка, возникающие в решетке окиси благодаря частичной потере кислорода по реакции. ... [c.304]

Микродефектами являются всевозможные элементарные возбуждения (см. гл. II), домены (области спонтанной электризации или намагничения), изотопы, инородные атомы, отдельные атомы (или группы), занимающие нерегулярные положения в решетке (вакансии, внедренные атомы, центры окраски, дефекты упаковки, домены , дислокации и т. д.). [c.69]

Радиальная ТСХ позволяет имитировать (с целью выбора хроматографической системы) процесс жидкостной колоночной хроматографии (ЖКХ). По центральному капилляру на пустую пластинку подают небольшую порцию элюента, так что близ центра пластинки образуется область равновесия неподвижной и подвижной жидких фаз. Потом в тот же капилляр с помощ,ью специального шприца вручную впрыскивают препарат и продолжают подачу элюента из основного шприца (5). Препарат сорбируется в центре пластинки в тех же условиях, как при ЖКХ, а затем элюируется оттуда равномерно по всем направлениям, так что хроматографические фракции (после окраски) имеют вид концентрических колец. [c.477]

Заполнение (частичное или полное) катионных и анионных вакансий ионных кристаллов ведет к появлению в результате облучения центров окраски. Интересно и важно в практическом отношении явление возникновения окраски стекол при облучении, обнаруженное еще первыми исследователями радиоактивности. Появление окраски обусловлено окислительно-восстановительными процессами, протекающими в стекле при облучении. Так, процесс — -Мп " " + е приводит к появлению пурпурного окрашивания, процесс На + е -> Ыа — к образованию необычайно красивой голубой окраски. [c.216]

Взаимодействие светового потока, представляющего собой переменное электромагнитное поле, с электромагнитным полем кристалла описывается методами квантовой механики. Сущность явления взаимодействия сводится к тому, что световая волна в кристаллическом пространстве индуцирует электродвижущую силу, численное значение которой пропорционально величине металлической связи и количеству всевозможных дефектов, так называемых центров окраски. Под влиянием световой волны возникает разупорядочение электромагнитного поля кристалла, что вызывает селективное или полное поглощение лучистой энергии. Поэтому кристаллы-проводники или полу- [c.86]

Как уже отмечалось, аметистовая окраска является ано-мально-плеохроичной, что связано с неравномерным заселением центров окраски (Fe +) кристаллографически эквивалентных кремниевых тетраэдров. [c.66]

Уже в первом исследовании было замечено, что в процессе термохимической обработки, наряду с вхождением протонов в кварц и нейтрализацией центров окраски, практически не наблюдается выноса щелочных ионов из кристалла. Поскольку диффузия протонов в кристалл означает внесение соответствующего количества положительных зарядов, а зарядовая нейтральность системы не должна нарушаться, должен обязательно иметь место вынос положительных зарядов из кристалла. При этом возможно вхождение отрицательных зарядов. Однако спектрохимический анализ и ИК-спектры показали отсутствие хлора и гидроксила (единственно возможных в данном случае анионов). Приведенные экспериментальные факты позволяют предположить, что баланс заряда в основном осуществляется за счет выноса примесных катионов железа. [c.146]

В синтетическом кварце наблюдаются два типа центров окраски, различающихся строением и способом их образования. К первому типу относятся центры окраски, связанные с точечными дефектами и проявляемые в кристалле под воздействием ионизирующего облучения. Этот тип окраски характерен также для природного кварца. Ко второму типу относятся центры, связанные с примесями ионов-хромофоров, преимущественно железа и Кобальта. [c.175]

Синтез кварца с радиационными центрами окраски [c.180]

Для температурной области кристаллизации 300—400 °С отмечается обратная температурная зависимость коэффициента захвата примеси структурного алюминия от скорости роста. При более высоких температурах, вероятно, вследствие увеличения растворимости шихтового кварца и соответственно увеличения содержания алюминия в гидротермальном растворе с одновременным уменьшением концентрации коллоидальных комплексов интенсивность захвата алюминия в структурные позиции кристаллической решетки кварца возрастает. Кристаллы с заданной интенсивностью радиационной дымчатой окраски могут быть выращены на затравках, параллельных плоскости отрицательного ромбоэдра, при температурах 350—370 °С со скоростью 0,4— 0,6 мм/сут из растворов гидроокиси и карбоната натрия. Для проявления потенциальных центров окраски достаточно облучения от источника Со дозами порядка 1—3-10 . Для выращивания морионов необходимо вводить примесь алюминия в исходный шихтовый материал. [c.181]

Центры окраски различаются по длине волны собственного поглощения и положению их собственного уровня в запрещенной зоне электронные центры дают уровни выше середины запрещенной зоны, дырочные центры — ниже середины запрещенной зоны. Электронные центры могут отдавать избыточный электрон, т. е. они являются донорами, дырочные центры могут захватывать электрон и являются акцепторами. Энергия образования центра окраски оценивается по положению и интенсивности полосы поглощения. Если полоса поглощения попадает в область видимого света, меняется видимая окраска кристалла. Так, в результате нагревания щелочногалоидного кристалла в парах щелочного металла заметно меняется его окраска например, бесцветные кристаллы Na l, K l в парах Na приобретают ярко-синюю окраску. Появляющиеся спектральные полосы поглощения характерны для кристалла и не зависят от того, какой щелочной металл использован для испарения.Этим подтверждается предположение, что центр окраски создается при взаимодействии собственного точечного дефекта кристалла с электроном или дыркой, поставляемыми из щелочных паров. [c.312]

Радиационные дефекты в ионных кристаллах образуются преимущественно за счет электронного возбуждения. Для интересующего нас случая щелочно-галоидных кристаллов при малых и средних дозах облучения до 10 °—10" эрг-см самыми массовыми радиационными дефектами являются различные центры окраски . Подобные, созданные радиацией точечные дефекты вызывают избирательное поглощение света, обусловливая появление полос поглощения в области спектра, заключенного между краями собственного поглощения в ультрафиолетовом и инфракрасном диапазонах. Наиболее интенсивная Р-полоса соответствует центрам окраски, представляющим собой электрон, захваченный вакантным галоидным узлом (модель Де-Бура). Р-центры Могут образовывать агрегаты (М-, К-, Ы-центры). Конечным продуктом коагуляции Р-центров являются коллоидные частицы. О дырочных центрах (У-центры и др.) мы специально говорить не будем, отметим лишь то, что их можно трактовать с квазихимической точки зрения как некие квазимолекулы или квазиионы типа Х , локализованные в двух соседних анионных узлах (Ук-центр) или в узле и междоузлии. В последнем случае мы говорим об Н-центре. О более сложных образованиях можно прочесть хотя бы в [2]. Основная часть поглощенной энергии излучения запасается на Р-центрах и образующихся из них агрегатов. [c.163]

В качестве примера применения развитых выше представлений к реальным системам рассмотрим интерпретацию свойств металл-аммиачных растворов на основе теории локальных состояний [9, 10]. Такой анализ является дальнейшим развитием гипотезы Давыдова, который впервые указал на возможность применения теории полярона для объяснения оптических свойств этих систем. В последующих работах, однако, было проведено более детальное и последовательное сопоставление предсказаний теории со всем комплексом наших сведений о свойствах рассматриваемых растворов, а также было представлено количественное доказательство того, что для концентраций, при которых лроводились оптические измерения, именно поляроны доминируют в растворе. Последнее особенно существенно потому, что наряду с поляронами свет могут поглощать и недиссоциированные атомы металла, причем значения параметров соответствующей полосы поглощения не будут зависеть от природы растворенного металла, в полном согласии с экспериментом. Это обусловлено тем, что электроны недисоциированных атомов также поляризуют диэлектрическую среду, в результате чего их радиусы состояний увеличиваются [5, 6]. Особенно велик радиус состояния у валентных электронов, в связи с чем их взаимодействие с атомным остатком можно рассматривать как взаимодействие с положительным точечным зарядом, помещенным в диэлектрик. В результате характер взаимодействия должен мало зависеть от природы металла, т. е. мы приходим к модели центра окраски (/ -центра) в ионных кристаллах. Наряду с этим при низких температурах и больших концентрациях / -центров имеется значительная вероятность образования путем их ассоциации двойных центров окраски — центров. Для общности, очевидно, рассмотрение должно/"а-включать все три оптически активные образования. [c.32]

Такого рода группировки наблюдаются и на поверхности необлучен-ных кристаллов Na l (и LiF), но в существенно меньшем количестве. Форма и строение группировок из декорирующих частиц золота отражают строение соответствующих сложных центров окраски, состоящих, возможно, из нейтральных и заряженных точечных дефектов. При декорировании окрашенных кристаллов Na l наблюдается увеличение плотности декорирующих кристаллов золота до 8,5 10 по сравнению с необлу-ченными образцами, у которых эта плотность составляет 2,5-10 см . Наблюдается также существенное улучшение степени ориентации кристаллов золота на поверхности облученных образцов. Эти результаты находятся в соответствии с данными работ [25—27] о влиянии центров окраски на эпитаксию. [c.253]

Например, в кристаллах щелочных галогенидов более дефектна обычно анионная подрешетка. Основной тип дефектов — вакансии, так как размеры катионов и анионов в этом случае близки. Галоген из решетки удаляется в виде нейтральных молекул, а остающиеся электроны захпатываются катионами, расположенными вблизи анионных вакансий. При этом в щелочных галоге-нидах возникают F-центры или центры окраски. С химической точки зрения F-центр является как бы атомом металла, внедренным в решетку галогенида вблизи анионной вакансии. Однако избыточный электрон принадлежит не одному определенному катиону, а всем катионам, окружающим анионную вакансию. Дефектность решетки и ее нестехиометричность связаны между собой, но не тождественны. Кристаллы Na l или КС1 содержат сравнительно большое количество вакансий в обоих подрешетках, но отклонения от стериохимии очень невелики. В оксиде титана TiO эти величины примерно одинаковы. [c.279]

Если кристалл Na l нагревать в атмосфере хлора, то он, поглощая избыток хлора, приобретает желто-зеленую окраску. Запишите квазихимическую реакцию внедрения избыточного хлора, учитывая, что центрами окраски являются вакансии в металлической подрешетке. [c.302]

Необходимым условиям ВРЛС удовлетворяют лазеры со следующими активными средами стекло, активированное неодимом растворы органических красителей щелочно-галоге-нидные кристаллы с центрами окраски кристаллы типа Т1 сапфир и др. Применяют лазеры, работающие как в импульсном, так и в непрерывном режимах. При работе в импульсном режиме удобно пользоваться ламповой накачкой, которая обеспечивает большое время генерации. Непрерывная генерация лазеров на красителях осуществляется с применением для накачки ионных аргоновых и криптоновых лазеров. Типичная схема установки показана на рис. 5.2. Наиболее часто метод ВРЛС применяют для исследований в статическом реакторе в сочетании с импульсным фотолизом. Характеристики ВРЛС даны в табл. 5.2. [c.119]

Показано, что под действием излучения с А, = 185 нм протекают процессы и в безактиваторной основе люминофора, ириводяпще к появлению центров окраски. [c.83]

Ba illus pumilus N T 8241 Среда № 1, Т°(36 1)°С. 18—20 ч Мелкие серовато-голу-бого цвета колонии с зазубренными краями и приподнятым центром МПБ, pH, 7,2— 7,4, 18-20 ч Равномерное помутнение бульона без образования пленки и осадка Тонкие, мелкие палочки с закругленными концами, располагающиеся отдельно или короткими цепочками, с хорошо выраженной грамположительной окраской [c.212]

Слабокислый анализируемый раствор объемом 2—8 мкл наносят при помощи капилляра на фильтровальную бумагу синяя лента , нагревают 5 мин под ртутной лампой без фильтра и помещают на 5—6 мин под источник ультрафиолетового излучения на расстоянии 25—30 см от источника. В центр пятна наносят из пипетки 0,5—1 каплю 30%-ной Н2О2 и высушивают 4—6 мин под ультрафиолетовым светом. Эту операцию выполняет еще раз а в присутствии рутения дважды. В присутствии золота в центре пятна появляется лилово-красная или фиолетовая окраска. [c.67]

Аномальная симметрия поглощения света, не соответствующая истинной симметрии кристалла, была достаточно давно обсуждена и описана для одной из окрашенных разновидностей кварца— аметиста. Аналогичное явление резко аномального плеохроизма, не соответствующего оптической индикатрисе, было, в частности, отмечено Г. Г. Леммлейном в 1944 г. у кристаллов из пегматитовой жилы на Волыни. Хотя вопрос о возможной природе этого явления неоднократно обсуждался в минералогической и кристаллографической литературе, почти полное отсутствие данных о структуре соответствующих центров окраски не позволяло надеяться на отыскание какого-либо разумного решения. [c.70]

Таким образом, элементы структуры (в данном случае кислородные тетраэдры), эквивалентные в объеме кристалла, становятся неэквивалентными, располагаясь на поверхности грани, собственная симметрия которой в общем случае ниже симметрии кристалла. Сказанное в равной мере относится к любому месту в структуре, в том числе и к междуузлиям — структурным пустотам. Не исключено, что неравномерность заселенности тетраэдров определяется не только различием коэффициентов захвата примеси алюминия в них, но и различием этих коэффициентов для ионов-компенсаторов в междуузлиях. Вхождение этих ионов, как известно, должно сопровождать микроизоморфное замещение четырехвалентного кремния трехвалентным алюминием в кварце. Наличие выделенных положений центров окраски неизбежно 74 [c.74]

Аналогичный результат был получен для спектров ЭПР аномально плеохроических кристаллов аметиста, причем как для спектров ионов Р +, так и для центров окраски, образованных облучением. Установлено, что для природных кристаллов заселенность одного из трех положений кремния ионами Ре + примерно на порядок больше заселенности двух других," тогда как для синтетических аметистов она несколько меньше. [c.75]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология