собственного атомного

Все атомы с одинаковым числом протонов и, следовательно, с одинаковым атомным номером рассматриваются как атомы одного элемента и обозначаются одно- или двухбуквенным символом. Атомы одного элемента с различным числом нейтронов называются изотопами данного элемента. Для обозначения изотопов слева от символа элемента при помощи верхнего индекса указывают массовое число (например, С1). Иногда слева от символа элемента нижним индексом указывают также атомный номер, или, как чаще говорят, порядковый номер элемента (например, С ), хотя это вовсе не обязательно, поскольку название элемента и его порядковый номер полностью определяются символом элемента. Каждый изотоп элемента имеет собственную атомную массу, а естественная атомная масса представляет собой средневзвешенное значение из этих изотопных масс усреднение производится в соответствии с естественным содержанием каждого изотопа в природе. [c.52]

СЯ из собственно атомной абсорбции А и неселективного поглощения Ан. Таким образом, система регистрации должна обеспечивать выделение чистого сигнала атомной абсорбции A = Aj. — A . Устранение неселективного поглощения просто за счет оптимизации температурной программы атомизатора, как это показано на рис. 3.40, возможно лишь в редких слу чаях. Обычно таким путем можно лишь понизить уровень не-селективного поглощения до значения Ли < 0,5. [c.156]

Неселективное поглощение. Одним из важных узлов атомно-абсорбционного спектрофотометра является система коррекции сигнала на неселективное поглощение. Под неселективным понимается поглощение, наблюдаемое в значительно более широком спектральном интервале, чем атомное, и обусловленное такими эффектами, как рассеяние света, молекулярная абсорбция и т. п. В присутствии неселективного поглощения измеряемый сигнал складывается из собственно атомной абсорбции А и неселективного поглощения Л . Таким образом, система должна обеспечивать выделение чистого сигнала светопоглощения А = 45 - Л Устранение неселективного поглощения просто за счет температурной программы атомизатора (см. ниже) возможно лишь в редких случаях. [c.829]

Хотя. электроны сильно притягиваются собственным атомным ядром, они могут взаимодействовать и с другими ядрами, расположенными в непосредственной близости. Одновременное взаимодействие электронов с двумя и более ядрами ответственно за возникновение химической связи. [c.100]

Собственное атомное (ионное) разупорядочение ферритов. [c.107]

Однако надо иметь в виду, что смысл (и обозначения) величин Нц, Аг/ и Е уравнения (8) в методе молекулярных орбит иной, чем в методе валентных связей (стр. 205). В методе молекулярных орбит Е — энергия электрона, находящегося на данной молекулярной орбите (1) эта энергия обозначается буквой (у Уэланда) или е (у Коулсона). Величина Я,-у называется резонансным интегралом, выражает, по Хюккелю, энергию сопряжения (стр. 303) и обозначается, как правило, символом р. Однако когда I = /, тогда Нц выражает энергию электрона, занимающего данную атомную орбиту фг, и поэтому Нц называется кулоновским интегралом и обозначается через а (у Уэланда — через д). Наконец, отвечающие формуле (10) на стр. 168 интегралы перекрывания обозначаются через 5 /.Так как собственные атомные функции электронов нормированы, то 8ц = 1. [c.290]

Если молекулярная орбита уже занята двумя электронами, то приближение третьего электрона с такой же собственной атомной функцией ведет к отталкиванию. Это — причина насыщения валентности. [c.102]

Метод МО дает приближенные рещения, так как для упрощения расчета не учитывается возмущение собственных атомных функций под влиянием других атомов. [c.102]

Рассмотрим более подробно последнюю категорию собственно атомных дефектов. [c.264]

Рис. 1.3. Амплитудные функции (собственные атомные функции) и плотности вероятности.

Рис. 1.5. Наложение собственных атомных функций в молекуле водорода. По абсциссе Л — расстояние между ядрами по ординате ф или 11) .

Примесные нестехиометрические соединения имеют, как правило, несколько локальных донорных или акцепторных уровней в запрещенной зоне, из которых одни связаны с собственными атомными дефектами — междуузельными атомами или вакансиями, а другие — с примесными центрами, рассмотренными в предыдущем разделе. [c.44]

Уравнение (4.2) аналогично уравнениям (3.12), (3.16) и (3.20), полученным в предыдущей главе для реакции собственного атомного разупорядочения, и является основным соотношением, определяющим концентрации электронных дефектов в собственных полупроводниках. [c.103]

Из соотношения (4.6) вытекает физический смысл константы собственной ионизации Кг. это есть равновесная концентрация электронных дефектов в собственном полупроводнике, аналогично тому как константа Шоттки есть равновесная концентрация дефектов Шоттки в кристалле с атомной разупорядоченностью. Формула (4.7) показывает, что концентрация электронных дефектов экспоненциально растет с температурой аналогично концентрациям собственных атомных дефектов, рассмотренных в предыдущей главе. [c.103]

Независимо от характера электронной разупорядоченности в любом полупроводниковом кристалле с неионной химической связью всегда имеется собственная атомная разупорядоченность, включающая один или несколько сортов нейтральных атомных дефектов их равновесные концентрации определяются соотношениями, выведенными в гл. 3. Однако общая картина атомной разупорядоченности в полупроводниках обычно значительно сложнее, чем в металлических кристаллах, поскольку атомные дефекты в результате взаимодействия с электронами проводимости или дырками могут переходить в заряженное состояние. При значительных концентрациях заряженных атомных дефектов их следует учитывать в условии электронейтральности и, таким образом, нужно рассматривать комбинированную атомно-электронную собственную разупорядоченность. [c.111]

В рассмотренных предельных случаях II и III электроны проводимости и дырки образуются в результате реакции ионизации собственных атомных дефектов — вакансий. Поэтому кристаллы, в которых такой механизм является доминирующим, называют собственно-дефектными полупроводниками. [c.113]

Тип собственной атомной разупорядоченности Решение Условие электронейтральности т [c.128]

Б. Зависящие от тем пер а ту р ы концентрации дефектов, участвующих в переносе. Такая ситуация типична для кристаллов простых веществ, а также для стехиометрических соединений в области собственной атомной (ионной) разупорядоченности, когда концентрации дефектов определяются константами равновесия реакций разупорядочения и экспоненциально растут с температурой [c.219]

СОБСТВЕННОЕ АТОМНОЕ (ИОННОЕ) РАЗУПОРЯДОЧЕНИЕ ФЕРРИТОВ [c.261]

Упомянутые исследования помимо их принципиальной важности имеют весьма характерную методологическую особенность факт нестабильности собственно атомных ядер при больших значениях Z не принимается во внимание. Иными словами, оценка критического значения Z, которое должно соответствовать верхней границе существования атомных структур материи, проводится лишь на основе анализа стабильности электронных конфигураций, учитывающего представления о конечных размерах ядер. Разумеется, при отсутствии каких-либо теоретических идей (не говоря уже об экспериментальных результатах) о реальности существования (даже весьма кратковременном) сверхтяжелых ядер все оценки верхней границы носили чисто абстрактный характер и представляли интерес только для разработки законченной квантовой теории электронов, позитронов и электромагнитного поля. Поэтому те исследователи, которые подходили к проблеме верхней границы с практических позиций, совершенно справедливо видели пути ее решения в изучении ядерных закономерностей, в оценке степени стабильности (точнее сказать — нестабильности) ядер с большими Z. [c.12]

Для оценки энергии собственного атомного разупорядочения в различных кристаллах можно использовать приближения, в частности эмпирически найденное [25] соотношение между энергией разупорядочения по Шоттки и температурой плавления кристалла [c.93]

Атомная концентрация характеризует число атомов в одном литре смеси. (В своих работах И. И. Заславский применяет не собственно атомную концентрацию, а лишь множитель при числе Авогадро, что несомненно удобнее). [c.59]

Если молекулярная орбита уже занята двумя электронами, то приближение третьего электрона с такой же собственной атомной функцией ведет к отталкиванию. Это является причиной насыщения валентности — свойства, типичного для атомной связи. [c.26]

При изучении ионных кристаллов было обнаружено, что дислокации взаимодействуют с заряженными собственными атомными дефектами. Дислокации приобретают таким образом заряд, который компенсируется ионной атмосферой по Дебаю и Хюккелю, состоящей из дефектов, имеющих заряд противоположного знака см. гл. XIX. [c.233]

Х.1. СОБСТВЕННЫЕ АТОМНЫЕ ДЕФЕКТЫ [c.237]

Собственные атомные дефекты 239 [c.239]

Когда собственный атомный дефект или примесный атом способен связывать или отдавать больше одного электрона, состояние полного равновесия можно описать, только учитывая дополнительные реакции ионизации. Мы уже встречались с дважды ионизированными вакансиями в германии в разделе Х1.2. В настоящем разделе показано, что двукратная ионизация может вызывать новый интересный эффект — изменение механизма внедрения примесных атомов при изменении их концентрации . [c.264]

Для простоты будем считать, что примесные атомы внедряются только с образованием электронов и дырок, пренебрегая возникающими при этом собственными атомными дефектами (вакансии, атомы в междоузлиях). Учесть образование вакансий и атомов в междоузлиях несложно. [c.274]

Шесть типов собственного атомного разупорядочения 307 [c.307]

Помехи в атомно-ионизационном методе. В пламенном варианте метода возможно проявление всех видов помех, наблюдаемых в методах пламенной атомно-эмиссионной и атомно-абсорбционной спектрометрии. Специфические помехи собственно атомно-иони-зационного метода связаны с параллельно протекающей ионизацией атомов элементов матрицы аннализи-руемой пробы. Образование посторонних ионов происходит двумя путями. Первый обусловлен процессами в атомизаторе (тепловые ионы, ионнь й фон пламени или лазерной плазмы и т. п.), а второй — взаимодействием лазерного излучения с атомным пучком (многофотонная нерезонансная лазерная фотоионизация посторонних атомов и молекул, а также ионизация нежелательных частиц за счет поглощения лазерного излучения вследствие частичного перекрывания линий поглощения определяемого и сопутствующего элементов). Оба вида помех в той или иной степени проявляются практически во всех видах атомизаторов. Для устранения этих помех применяют различные способы дискриминации возникающего ионного тока, основанные, главным образом, на разделении во времени или в пространстве определяемых и матричных ионов. [c.858]

В заключение отметим, что собственное атомное разупорядочение существенным образом влияет на магнитные свойства ферритов и это обстоятельство надо учитывать, когда надо получить материал со строго повторяющимися параметрами. В качестве технологического приема, стабилизирующего магнитную индукцию и квадратность термостабильной петли гистерезиса, иногда рекомендуют дополнительные к основной термообработке отжиги при температурах 700—800°С в течение времени, достаточном для равновесного перераспределения ионов по подрешеткам (продолжительность отжига зависит от природы феррита [2]). Примером значительного влияния собственно атомного разупорядочения на магнитные свойства является поведение феррита никеля, резко закаленного с высоких температур и обладающего определенной концентрацией ионов N1 + в Л-узлах решетки (при 1300°С в формуле Ре " [Ы1 Ре2111л ]04 д = 0,9955). Как показали измерения [142], появление N1 + в тетраэдрических узлах шпинельной структуры приводит к изменению анизотропии кристалла и ширины линии ферромагнитного резонанса. [c.116]

Сведения о возникновении атомной концепции носят противоречивый характер. Некоторые исследователи утверждают, что свое начало атомистика ведет от истоков китайской цивилизации, однако точно не установлено, было ли знакомо китайцам собственно атомное учение. И тем не менее весьма вероятно, что в обоснование своих представлений о сущности мира они разработали учение об элементах. Согласно Мабильо попытки обнаружить начало атомистики в Китае, Финикии, Персии и в том же Египте не представляют никакого интереса, поскольку у этих народов не было в полном смысле слова самостоятельных философских систем. [c.22]

Большинство простых металлов кристаллизуется в плотно-упакованные решетки, в которых размеры междуузлий значительно меньше размеров атомов. Поэтому внедрение атомов в междуузлия для них требует больших затрат энергии. Кроме того, энергия реакции перехода атомов в междуузлия с поверхности кристалла Wшi содержит дополнительное слагаемое — теплоту сублимации В результате значения энергии реакции оказываются слишком большими по сравнению с энергией тепловых колебаний, и концентрация междуузельных атомов в большинстве металлов ничтожно мала даже при самых высоких температурах. Так, если в меди при 1000 С доля вакантных узлов составляет л 10 , то доля междуузельных атомов я 10 . Поэтому собственные атомы в междуузлиях металлических кристаллов не играют сколько-нибудь существенной роли, и в решетках чистых металлов вакансии можно считать единственным типом собственных атомных дефектов. [c.75]

Такой анализ применим, когда с ростом температуры концентрация дефектов, лимитирующих твердофазное взаимодействие, возрастает за счет собственного атомного разупорядочения или изменения нестехкометрии реагентов или продуктов. Уравнение (3.105) можно преобразовать следующим образом [c.203]

Количество галоида, вошедшего в органическую частицу, подобно количеству водяных остатков, разумеется условливает то, какое число раз может повториться определенное обменное разложение, или — как вообще выражаются — атомность вещества. Под этим выражением можно разуметь собственно атомность остатка, соединенного с галоидом,— атомность, очевидно находящуюся в прямой связи с количеством галоида, присутствующего в частице или способного присоединиться к ней. Кроме этого значения, присутствующий галоид влияет иа химические отношения других элементарных составных частей тела. Влияние это походит на влияние кислорода с увеличением количества галоида характер частицы приипмает оттенок более и более кислотшзи . [c.439]

Если дефекты в кристалле распределяются хаотически, то имеется определенная вероятность того, что они займут соседние места решетки, т. е. образуют ассоциаты (пары, триплеты и т. д.). Когда дефекты взаимодействуют друг с другом, концентрация ассоциатов зависит от характера взаимодействия при взаимном притяжении дефектов она будет больше, чем при хаотическом распределении, а при взаимном отталкивании — меньше. Как показано в гл. XIII, концентрацию ассоциатов собственных атомных дефектов можно вычислить непосредственно, не обращаясь к свойствам простых дефектов. Однако, если в ассоциации участвуют примесные структурные элементы, образование ассоциатов лучше рассматривать, исходя из простых дефектов. Такой же подход можно применить и к ассоциатам собственных дефектов. [c.195]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология