Энергия отталкивания электронов

Более перспективным методом в настоящее время является метод МО. Отличие его от метода ВС заключается в том, что он исходит из волновой функции отдельного электрона, а не пары электронов, рассматривая каждую молекулу как самостоятельное целое, а не как простую совокупность атомных орбиталей. Основные положения метода МО заключаются в следующем. Природа электронов в молекулах, а также их взаимодействия между собой и с ядрами та же, что и в атомах. Каждый электрон принадлежит молекуле в целом и движется в поле всех ее ядер и электронов. Состояние электрона описывается одноэлектронной волновой функцией Г,. Эта функция называется молекулярной орбиталью. В отличие от одноцентровой атомной орбитали МО многоцентровая, так как число ядер в молекуле не менее двух. Как и для электронов в атоме, Ч определяет плотность электронного облака. Каждой МО соответствует определенная энергия равная сумме кинетической энергии электрона, потенциальной энергии притяжения электрона ко всем ядрам и потенциальной энергии отталкивания электрона на МО от всех остальных электронов. Каждый электрон занимает в молекуле свободную орбиталь с наименьшей энергией. На одной МО не может находиться более двух электронов, при этом спины электронов должны быть антипараллельны. Следовательно, для описания электронной конфигурации состояния молекулы с 2п электронами требуется п МО. Вырожденные орбитали заполняются в соответствии с правилом Гунда. Волновую функцию Ч , характеризующую движение всех электронов в молекуле, можно получить, взяв произведение волновых функций отдельных электронов [c.233]

В многоэлектронных молекулах согласно орбитальному приближению (см. 19) полная электронная энергия = (сумма орбитальных энергий) — (усредненная энергия отталкивания электронов) + + (энергия отталкивания ядер). Можно принять (Хюккель, 1931), что последние два члена компенсируют друг друга. В таком приближении полная электронная энергия равна сумме орбитальных энергий. Орбитальная энергия о15-М0 согласно (21.19а) выражается соотношением [c.76]

У Низко- и высокоспиновые комплексы. Теория кристаллического поля достаточно просто и наглядно объясняет магнитные свойства комплексов, их спектры и ряд других свойств. Для понимания этих свойств необходимо знать характер распределения электронов по -орбиталям иона, находящегося в поле лигандов. Последнее зависит от соотношения величины энергии расщепления А и энергии отталкивания электронов друг от друга. [c.507]

Рассчитано, что энергия отталкивания электронов одной и той же орбитали для иона Со равна 251 кДж/моль, энергия расщепления его З -орбиталей в октаэдрическом поле ионов Р составляет 156 кДж/моль, а в поле молекул НзМ — 265 кДж/моль. [c.508]

Каждой МО соответствует определенная энергия Е1. Приближенно эта энергия равна потенциалу ионизации с данной орбитали (теорема Купманса). Орбитальная энергия слагается из кинетической энергии электрона, потенциальной энергии притяжения электрона ко всем ядрам и усредненной потенциальной энергии отталкивания электрона на МО от всех остальных электронов. [c.59]

Этот постулат предполагает, что в формуле орбитального приближения (19.2) для полной электронной энергии молекулы последние два члена (поправка на усредненную энергию отталкивания электронов и энергия отталкивания ядер) компенсируются. В этом же приближении электронная энергия атомов равна сумме орбитальных энергий в атомах или 2па. Отсюда энергия диссоциации молекулы или сумма энергий связей равна [c.111]

Триплетное состояние имеет более низкую энергию, чем синглетное (примерно на 10 ккал/моль из- а большей энергии отталкивания электронов в синглетном состоянии). [c.197]

Энергия отталкивания электронных оболочек молекул (четвертая составляющая сил ММВ) часто описывается степенной функцией вида [c.154]

Энергия отталкивания электронных оболочек i/g ( борновское отталкивание ) быстро уменьшается с расстоянием между частицами, поэтому при ее вычислении можно ограничиться рассмотрением взаи- [c.266]

Первые два слагаемых в этом выражении представляют кинетическую энергию обоих электронов четыре последующих члена — потенциальную энергию притяжения электронов и ядер, последний член определяет энергию отталкивания электронов (рис. [c.123]

Энергия отталкивания электронов, находящихся на расстоянии 1 А, равна около 14 эВ, что в расчете на моль составляет 1300 кДж. Для сравнения энергия связи Н—Н в молекуле Нг равна 430 кДж/моль. [c.63]

Отметим без доказательства, что функции (8.20) удовлетво ряют критерию локализации, т. е. что полная энергия отталкивания электронов на разных эквивалентных орбиталях минимальна. Для молекул, обладающих меньшей симметрией, чем СН4, условия эквивалентности, вообще говоря, недостаточно для определен я оптимальных локализованных орбиталей. [c.173]

Под активными молекулами понимают в настоящее время не особую химическую модификацию, а частицы, обладающие избыточным запасом энергии, достаточным для преодоления энергетического барьера реакции, т. е. обладающие энергией, достаточной для преодоления энергии отталкивания электронных облаков сталкивающихся молекул. [c.38]

Теоретическое рассмотрение показывает, что бимолекулярное замещение (Sn2) должно всегда сопровождаться обращением конфигурации, так как переходное состояние I, приводящее к обращению, должно обладать, значительно меньшей энергией, чем переходное состояние II, образования, которого следовало бы ожидать при сохранении конфигурации (когда должна быть преодолена значительная энергия отталкивания электронов связей С—X и С—Z)-.j [c.83]

Такое рассмотрение, однако, строго говоря, нельзя считать обоснованным, так как механизм замещения и отщепления у ненасыщенных соединений отличен от таковых у насыщенных соединений. И здесь переходное состояние (I), соответствующее транс-отщеплению, должно обладать меньшей энергией (за счет меньшей энергии отталкивания электронных пар), а следовательно, элементы НХ будут отщепляться из транс-положений. [c.133]

Причины того, почему в реакции Чугаева и при пиролизе сложных эфиров карбоновых кислот происходит цис-отщепление, неясны. Возможное объяснение заключается в том, что в этих случаях образование слабых водородных связей за счет цис-водородных атомов сопровождается выделением энергии, превышающей разность энергий отталкивания электронных пар при цис- и соответственно транс-отщеплении. [c.137]

Хотя это и не очень используется, все же можно записать волновую функцию как сумму двух или трех однодетерминантных волновых функций. Эта операция называется операцией включения конфигурационного взаимодействия и является способом уменьшить энергию отталкивания электронов. Следует упомянуть, что для молекул с открытой оболочкой в любом случае часто необходимо заменить функцию (26) суммой двух или большего числа детерминантов. [c.37]

Энергии активации, необходимые для достижения переходных состояний I и II, неодинаковы. Эта энергия меньше в случае переходного состояния I, так как в этом случае будет меньше энергия отталкивания электронных пар связей Н—С и С—X (расположенных дальше друг от друга сравнительно с переходным состоянием II). Вследствие этого будет преимущественно осуществляться переходное состояние I, и бимолекулярная реакция отщепления будет реакцией транс-отщепления. Как мы установили ранее (стр. 142), аналогичная картина наблюдается в случае бимолекулярного нуклеофильного замещения, где из двух возможных переходных состояний [c.217]

Энергией активации реакции называется минимальная энергия (в расчете на 1 г-моль), которой должны обладать реагирующие частицы, чтобы столкновение между ними привело к реакции. Частицы, энергия которых больиге или равна , называются активными. Эта энергия необходима для преодоления энергетического барьера реакции, т. е. по современным представлениям, для преодоления энергии отталкивания электронных облаков сталкивающихся молекул. Столкновение будет эффективным, если суммарная величина энергии сталкивающихся частиц равна или больше энергии активации Е, характерной для данной реакции. Если реакция сложная (протекает в несколько стадий), то параметр Е в уравнении Аррениуса не имеет простого физического смысла и представляет некоторую функцию энергий активации отдельных стадий или вообще эмпирическую величину. Одиако и нри этом [c.339]

Модель свободных, электронов. Она основывается на представлении о том, что валентные электроны в металлических кристаллах обобщаются (делокализируются). При этом, образуется ионный остов из катионов, помещенный в так.,называемую электронную жидкость . Энергия сцепления частиц в рамках этой модели определяется преобладанием энергии кулоновского взаимодействия между катионами и электронами над энергией отталкивания электронов за счет их кинетической энергии и катионов за счет ионного взаимод.ействия, причем последний вклад невелик. Эта теория достаточно хорошо описывает свойства щелочных металлов, качественно объясняет проводимость металлов и другие свойства. [c.129]

Однако если отщепление заканчивается раньше, чем отдисеоциирс-вавшаяся группа X удалится достаточно далеко и катион примет плоскую конфигурацию, то преимущественно должно происходить транс-отщепление в силу той же причины, что и для бимолекулярного отщепления (меньшая энергия отталкивания электронных пар в переходном состоянии) [c.133]

Облако л-электронов в молекуле, согласно Багдасарьяну, моделируется как совокупность соприкасающихся шаров. Центры шаров расположены на серединях з-связей, а диаметры равны межатомным расстояниям. Плотность электронов внутри шаров считается одинаковой. Число электронов в отдельных шарах равно сумме всех л-электронов. Эти числа электронов входят в уравнения, выражающие 1) электростатическую энергию отталкивания электронных шаров друг от друга 2) электростатическую энергию притяжения л-электронных шаров положительно заряженными остовами и 3) кинетическую энергию л-электронов. Расчет ведется в трех предположениях относительно взаимного отталкивания л-электронов внутри шаров это отталкивание равно 1) нулю, 2) половине электростатической энергии отталкивания и 3) последней с некоторыми поправками. [c.398]

Как было показано выше, магнитные энергии для легких атомов весьма малы. Для тяжелых атомов они могут быть очень большими из-за сильной зависимости от заряда ядра, как видно из уравнения (9). В конце концов они становятся такими же большими, как и энергии отталкивания электронов, и мы должны скорее пользоваться схемой / — /-связи, а не схемой связи Рассела — Саундерса. Это также говорит о высоких скоростях интеркомбинационной конверсии. Например, комплексы железа(П) ГеЬе [c.505]

На одноэлектронпом уровне все эти четыре состояния имеют в точке пересечения одинаковую энергию. На самом деле энергия отталкивания электронов приводит к их расщеплению, но разница в энергиях невелика. Триплетное состояние, как показано на рис. [c.512]

Сера обладает значительно большей склонностью к гетероли-тическому расщеплению, чем кислород. Во-первых, энергия связи —S—S— намного больше, чем энергия связи —0—0—, и, следовательно, спонтанная диссоциация дисульфидов менее вероятна во-вторых, производные двухвалентной серы являются мягкими кислотами [3] (стр. 134), и, следовательно, при взаимодействии с мягким основанием дают непрочные продукты присоединения вследствие малой энергии отталкивания электронов. [c.196]

Интеграл С (т. н. кулоновский интеграл) представляет собой сумму следующих членов энергии отталкивания протонов энергии отталкивания электрона, движущегося у ядра а, от другого электрона, движущегося у ядра Ь энергии иритяжения электрона, движущегося у ядра а, к ядру й энергни притяжения электрона, движущегося у ядра Ь, к ядру а. Интеграл А (т. н. обменный интеграл) не имеет такого наглядного толкования. Его возникновение в выражении для энергии обязано тождественности электронов. При расстояниях Л, близких к равновесному междуядерному расстоянию Лц в Н. , имеет место С + Л < 0 С — Л > 0 < гЕ , Ё> 2 о- Последние два неравенства означают, что система из двух атомов И, электронные спины к-рых антина- [c.264]

Энергия отталкивания электронных оболочек С/б ( борнов-ское отталкивание ) быстро уменьшается с расстоянием между частицами, 1поэтому при ее вычислении можно ограничиться рассмотрением взаимодействия иона только с ближайшими соседями, которые находятся на расстоянии г. Поэтому можно написать [c.272]