Электронные конфигурации и электронные состояния

Af алогично молекуле СО построен изоэлектронный ей цианид-ион N см. табл. 40). Электронную конфигурацию невозбужденного состояния иона N [c.407]

Запишите электронные конфигурации основного состояния для с.тедую-щих атомов или ионов а) А.-> б) Со в) Си г) 8 - д) Кг е) С [c.410]

Почему молекула О2 обладает парамагнитными свойствами в отличие от молекулы N3 Дайте ответ, основываясь на рассмотрении электронных конфигураций основного состояния этих молекул. [c.546]

Постройте энергетическую диаграмму орбиталей и приведите электронные конфигурации основного состояния молекулы азота и молекулярных ионов и NT. [c.60]

Запишите орбитальные электронные конфигурации основного состояния С1 , С1 и С1 , а также их валентные электронные конфигурации. [c.400]

Ниже перечислены электронные конфигурации десяти различных атомов. В каждом случае укажите, относится ли указанная конфигурация к нейтральному атому, его положительному иону (катиону) или отрицательному иону (аниону). Кроме того, укажите, соответствует ли записанная конфигурация основному, возбужденному или запрещенному состоянию. [c.411]

Определите термы, соответствующие электронной конфигурации основного состояния атома углерода, используя группы пространственной и перестановочной симметрии. [c.33]

Запишите электронную конфигурацию основного состояния для следующих частиц Р , Ма , Ме, и М . Что можно сказать об относительных размерах этих частиц [c.412]

Анализ энергетических затрат на гибридизацию орбиталей углерода дает возможность понять особенности его химического поведения. Выше мы приводили электронную конфигурацию основного состояния атома углерода. Его переход в активное состояние требует затраты энергии на перевод одного из 25 -электронов в состояние 2рг. Далее расходуется энергия на гибридизацию орбита-лей и переориентировку спинов в состояние, благоприятное для реакции. В конкретном случае (например, для образования метана) играет роль также тип исходной системы. Если это графит, то [c.163]

Запишите электронные конфигурации основного состояния атомов Ь1, Ьи, Ьа и Ьг, а также ионов Ь1, Ьи и Ьг . [c.412]

Электронная конфигурация основного состояния этих частиц одинакова 15 25 2 относительные размеры частиц убывают в последовательности N3 > 0 > Р > Ые > На". [c.512]

Известно очень немного спектров ЭПР для " -электронной конфигурации. Основное состояние этой системы в слабом кристаллическом поле 0 не имеет орбитального углового момента, поэтому S—хорошее квантовое число. Расщепление в нулевом поле уровней +2, + 1 и О приводит к четырем переходам, если расщепление мало, как это показано на рис. 13,14, и ни к одному, если расщепление велико. Ожидаемые ян-теллеровские искажения и сопровождающие их большие расщепления в нулевом поле часто делают невозможной регистрацию спектров. [c.236]

Совокупность МО молекулы, занятых электронами, будем называть ее электронной конфигурацией. Электронная конфигурация молекулы, так же как и для атома, строится на основе двух фундаментальных положений — принципа наименьшей энергии (электрон занимает в молекуле свободную орбиталь с наименьшей энергией) и принципа Паули (на одной МО не может находиться более двух электронов, при этом спины электронов должны быть антипараллельны). Следовательно, для описания электронной конфигурации основного состояния молекулы с 2п электронами (или 2п —1) требуется п молекулярных орбиталей. Вырожденные орбитали заполняются в соответствии с первым правилом Гунда (см. 10). Электронные оболочки молекул, в которых на каждой заселенной орбитали [c.59]

Определите термы молекулы, возникающие при электронной конфигурации основного состояния а) КН б) ВеН в) ОН г) PH д) СО е) Кег+. [c.41]

Химические, оптические, электрофизические, механические свойства вещества зависят от его электронной конфигурации. Носителями этих свойств являются валентные электроны. Поглощение и эмиссия излучения обусловлены переходами валентных электронов из одних энергетических состояний в другие. Твердость вещества — свойство, которое нас в данном случае особенно интересует,— обусловлена сопротивлением электронных облаков сжатию, что в твердом веществе сопровождается увеличением энергии электронов. [c.4]

Электронные конфигурации. Атомные состояния. [c.51]

Элементы этой группы имеют электронную конфигурацию (п — )d ns , и от них можно ожидать степени окисления +П. Однако в соответствии с величинами ионизационных потенциалов, приведенных в табл. 4-7, вполне возможно и состояние +1. Но и в этом случае состояние +-I не наблюдается, по-видимому, по тем же причинам, как и в группе П /1. У ртути образуется необычный ион Hg-2 , в котором ей можно было бы приписать степень окисления +1, нов соединениях ртути со степенью окисления + 1 твердо установлена связь металл — металл. [c.128]

Молекула Нез- В основном состоянии с конфигурацией (а 1 ) (й 1-0 эта молекула существовать не может. Число разрыхляющих электронов здесь равно числу связывающих, и связь не образуется — связывающий электрон укрепляет связь меньше, чем ослабляет ее электрон на разрыхляющей МО. Однако молекула Нсз может существовать в возбужденном состоянии. Определены ее параметры (Не ) = 1,08](Г " м (1,08 А), (Не ) = 1617 см Ч Электронная конфигурация этого состояния Не [(а 15) (а 1. )(а 25)]. Схему заполнения МО молекул Щ, Нз, Щ, Не и Не см. на рис. 38. [c.117]

Молекула Бег с электронной конфигурацией основного состояния КК (а (а 25) не имеет избытка связывающих электронов. Эта молекула экспериментально не обнаружена. Возбужденные состояния этой молекулы могут наблюдаться спектроскопически. Молекула Вз. Конфигурация основного состояния КК (а ЪУ (а [c.144]

Функция из (3.57), для которой средняя энергия атома углерода, вычисленная согласно (1.35), имеет наименьшее значение, определяет электронную конфигурацию основного состояния. Расчеты такого типа достаточно трудоемки, однако они выполнены в настоя- [c.68]

Электронная конфигурация основного состояния атома углерода (Ij) (2i) (2р) - Не полностью заполнен уровень 2р, содержащий только два электрона. Этой системе соответствует группа перестановок 5 (2) спиновая функция, связанная с представлением [2], соответствует триплетному состоянию, а связанная с представлением [1 — синглетному. [c.143]

Электронная конфигурация возбужденного состояния углерода ls 2s 2p , однако, не позволяет объяснить эквивалентность четырех связей углерода. Действительно, область вероятности нахождения одного из электронов связи (25 -электрона) имеет сферическую симметрию, в то время как плотности электронных облаков трех других электронов (2р -электроны) ориентированы вдоль трех взаимно перпендикулярных направлений. Полинг показал, что на самом деле орбитали являются не чистыми s- и р-орбиталями, а комбинацией из S- и трех /)-орбиталей, дающей четыре эквивалентные орбитали, промежуточные между орбиталями аир (эти орбитали назы- [c.66]

Особенно существенна ситуация, когда с учетом взаимодействия между электронами в предельных случаях слабого и сильного полей лигандов меняется электронная конфигурация основного состояния. Поясним эту ситуацию на примере октаэдрического комплекса с четырьмя -электронами на центральном ионе. Первые три электрона из этих четырех, в соответствии с правилом Гунда, очевидно займут три ггорбитали с параллельными спинами, так что их суммарный спин будет 5 = 7г. Четвертый электрон может занять одну из этих орбиталей с противоположным направлением спина, и тогда электронная конфигурация комплекса станет [М] t2g ) t2g ) со спином 5 = 1 (основное состояние 7 ). Однако четвертый электрон можно поместить на следующую— по энергии (расположенную выше на расстоянии А, см. рис. V. 3, а) — е - орбиталь с образованием электронной конфигурации 2а) е1У (основное состояние Ед). При этом потеря в энергии, равная А, если она не очень велика, может быть скомпенсирована уменьшением электронного отталкивания на разных орбиталях и увеличением отрицательной обменной поправки (отличной от нуля только для электронов с параллельными спинами). [c.138]

Таким образом, без учета взаимодействия между электронами конфигурация в случае сильного поля лигандов образует три электронные конфигурации — (I2g) ( 2g) (е ) и (eg) расположенные последовательно на энергетическом расстоянии Д друг от друга (рис. II. 7, в). В каждой из этих конфигураций электроны взаимодействуют между собой, давая начало нескольким энергетическим термам (аналогично образованию термов конфигурации d свободного атома, стр. 219). Метод расчета взаимного расположения этих термов на примере основной конфигурации (4g) дается в разделе VIII. 3 (стр. 239), а результаты иллюстрируются формулами (VIII. 81) и рис. II. 7. Мы видим, что в этом случае, как и в случае слабого поля, основным будет состояние Tig. Однако последовательность расположения возбужденного состояния в этих двух предельных случаях существенно различна. [c.45]

Электронные конфигурации основных состояний спин-свободных комплексов dld и dldy указывают, что разрыхляющая у Орбиталь вырождена и электрон может находиться либо на dx -y -, либо на г2-орбитали. Однако, согласно теореме Яна — Теллера, если основному состоянию системы соответствует несколько эквивалентных вырожденных энергетических уровней, искажение системы должно снять вырождение и понизить один из энергетических уровней системы. Если, как в рассматриваемом случае, есть два вырожденных уровня, энергия одного из них повышается, а энергия другого на столько же понижается. Мы знаем сейчас, по крайней мере для комплексов Си , что искажение сводится к приближению четырех лигандов в плоскости ху к иону меди и удалению двух лигандов, расположенных на оси z в г анс-положении. Таким, [c.281]

Учет межэлектронных взаимодействий показывает, что электронная энергия атома определяется не только электронной конфигурацией, но также квантовым числом ив значительно меньшей степени квантовым числом /. Оно характеризует относительно малое расщепление энергетического уровня, определяемого квантовым числом , на 25+1 (или 2 -l) близких уровней, называемое мультиплетным расщеплением. Поэтому электронное состояние атома помимо электронной конфигурации определяют значениями квантовых чисел и 5 и соответствующий ему уровень энергии называют термом. Состояния электронной оболочки, соответствующие значениям квантового числа , равным О, 1, 2, 3,. .., обычно обозначают буквами 5, Р, О, Р,. .., к которым в виде [c.206]

В paaubix возможных электронных, колебательных и вращательных состояниях >4олекула согласно квантовой механике ха-рактертгзуется различными значениями параметров, связанных с ее геометрической конфигурацией. В некотором электронном состоянии и состояниях, соответствующих сравнительно небольщим коле-бательно-вращательным возбуждениям, значения таких параметров, как связанных с функцией плотности вероятности для геометрической конфигурации ядер молекулы в соответствующем состоянии, как правило, не сильно отличаются от значений параметров Rie для равновесных положений ядер. Поэтому в этом разделе мы в ряде случаев не будем делать различия между параметрами (Ri) т или аналогичными (часто называемыми определенными средними значениями для состояния, описываемого волновой функцией F), и значениями Rie (г — 1,2,. ..,л) параметров Ri для равновесной конфигурации ядер в рассматриваемом электронном состоянии. Однако из сказанного выше следует, что ни так называемые средние значения Ri) = (Ri) , ни другие подобные средние значения, ни значения Rie (t = 1, 2,..,,/г) для равновесной конфигурации не дают полного квантовомеханического описания геометрической конфигурации молекул в каком-либо электронно-колебательно-вращательном состоянии. В любом электронно-колебательно-вращательном состоянии, возможном согласно квантовой механике, молекула может иметь с определенной вероятностью разные геометрические конфигурации ядер. Только плотность этой вероятности, т. е. функция рн(/ ь...,[или Pq( i, , i n) и совокупность значений R]e,. .., е]. и дает полное описание возможной геометрии ядер в рассматриваемом состоянии молекулы. [c.163]

Простые вещества. Имея один электрон, водород образует лишь двухатомные молекулы с электронной конфигурацией невозбужденного состояния При этом возможны молекулы легкого водорода — протия И 2, тяжелого водорода — дейтерия Ог, трития Тг, протодейтерия HD, прототрития НТ, дейтеротрития DT. [c.273]

Рис. 13-39. Связывающие и разрыхляющие молекулярные орбитали в этилене, С2Н4. л-Электронная конфигурация основного состояния этиле-

Для нелинейной трехатомной и более сложной молекулы равновесная конфигурация и уровень электронной энергии определяются положением минимума на потенциальной поверхности в многомерном пространстве. Например, для молекулы НСО — это равновесные расстояния (Н—С), г (С—О) и угол -НСО либо гДН—С), гДС—О) и гДН -О). Таким образом, многоатомная молекула — это устойчивая динамическая система из ядер и электронов, равновесная конфигурация которой определяется координатами минимума ее потенциальной поверхности. Глубина минимума определяет энергию Д1яссоциации молекулы Д. Подобно двухатомной молекуле, для многоатомной возможно множество электронных состояний, каждое из ко1 орых описывается своей потенциальной поверхностью и соответственно своим набором равновесньхх параметров, если поверхность имеет минимум. Если поверхность потенциальной энергии имеет два (или более) минимума, для молекулы возможны два (или более) изомера, отличающихся параметрами равновесной конфигурации. Если минимума на потенциальной поверхности нет, электронное состояние системы нестабильно. Низшее по энергии из стабильных электронных состояний называется основным, все остальные — возбужденными состояниями. Энергия основного состояния принимается за нуль отсчета при сравнении электронных термов молекул. [c.171]

Как видно из электронной конфигурации атома марганца, у него недостроена /-орбиталь. Наличие 4з-элек-тронов и З -электронов на внешних уровнях указывает прежде всего на металлические свойства марганца и обусловливает существование характерных свойств у соединений марганца. В возбужденном состоянии максимальное число электронов, участвующих в образовании химической связи, доходит до семи. [c.379]

Галлий, индий, таллий расположены в П1 группе периодической системы элементов Менделеева и составляют побочную подгруппу (с. 50). Электронная конфигурация атомов представлена в табл. Г17. В отличие от В и А1 электронам валентносги у Оа, 1п, Т1 предшествует оболочка из 18ё, что приводит к немонотонному нзмененню ряда свойств элементов в подгруппе с ростом порядкового номера (см. табл. 1.17). В связи с электронной конфигурацией пз пр они проявляют степень окисления, равную +3 и +1. Устойчивость трехвалектного состояния уменьшается от Оа к Т1 (а устойчивость одновалентного состояния растет), что связано с ростом поляризующего действия трехвалентных ионов по мере увеличения их радиуса и появлением у Т1 эффекта дополнительной поляризации. Так, если для Са наиболее характерна степень окисления, равная +3, то для Т1 равная +1. [c.167]

Вернемся опять к молекуле метана СН4. Хорошо известно, что эта молекула имеет тетраэдрическую структуру, все четыре связи С—И в ней равноценны, а атом углерода проявляет валентносгь, равную четырем. Для этого необходимо, во-первых, перрйти от электронной конфигурации основного состояния [c.142]

Из уравнения (1) задачи 10.29 следует, что й =созо /(со8С(-1 Тогда электронная конфигурация валентного состояния атома А имеет вид (см. также задачу 10 17) [c.183]

Для определения полного квантового выхода химической реакции необходимо измерить число прореагировавших исходных молекул или молекул, образовавшихся в результате реакции, и количество поглощенных квантов излучения. Если в первом случае требуется лишь привлечение подходящего аналитического метода, то в последнем необходим метод измерения абсолютного числа фотонов. Экспериментальные способы проведения таких абсолютных измерений описаны в гл. 7. При определении первичного квантового выхода необходимо прежде всего исключить или оценить вклад вторичных реакций и определить абсолютные эффективности излучательных и безыз-лучательных потерь энергии. Однако не всегда возможно даже установить, какой именно процесс является первичным, так что полное описание первичных процессов в терминах квантовых выходов может быть сделано лишь в особо благоприятных случаях. Тем не менее некоторые соображения могут быть использованы при определении первичного процесса. Так, при рассмотрении спектра поглощения можно предположить электронную конфигурацию возбужденного состояния и, следовательно, возможные механизмы распада. Детектируя промежуточные частицы (возбужденные состояния или атомы и ради- [c.19]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология