Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Случайное поле релаксация

    Уникальные свойства многоквантовой релаксации можно использовать для исследования корреляции внешних случайных полей, действующих на ядра со спином / = 1/2, индуцированных, например, парамагнитными частицами [5.25]. [c.333]

    Вероятности переходов соответствуют одноквантовым переходам и определяются спектральными плотностями мощности отдельных случайных полей [см. выражения (2.3.4) и (2.3.5)]. Последний адиабатический член в выражении (5.4.4) зависит только от поля Вв (/). Какой-либо информации о корреляции двух случайных полей Ва(0 и Вв(0 из скорости 1/72 одноквантовой релаксации получить нельзя. Аналогично продольные скорости релаксации одноквантовых переходов также не дают сведений такого типа. [c.333]


Таблица 5.4.1. Релаксация двух неэквивалентных протонов в частично коррелированных случайных полях в приближении предельного сужения [5.25] Таблица 5.4.1. Релаксация <a href="/info/1696521">двух</a> <a href="/info/634991">неэквивалентных протонов</a> в частично <a href="/info/1559166">коррелированных случайных полях</a> в <a href="/info/602990">приближении предельного</a> сужения [5.25]
    Если, однако, рассмотреть релаксацию только за счет внешнего случайного поля [9.6], то скорости релаксации можно записать в [c.595]

    Однако в недавние годы для описания флуктуаций в разнообразных физических системах использовали точно такие или аналогичные им уравнения, хотя источник шума в них был внутренним и физических оснований для разделения уравнения на механическую часть и случайный член с известными свойствами не было. В качестве примеров можно привести электронные устройства , процессы релаксации , гидродинамику , диффузию , электромагнитное поле в веществе , уравнение Больцмана , лазеры (см. 11.9), динамику вблизи критической точки и гравитационное поле во Вселенной .  [c.229]

    В рамках полу классического описания релаксации можно выделить два основных класса случайных гамильтонианов Ж(/), в которых взаимодействия или линейны, или билинейны по операторам спиновой системы. [c.81]

    Если стационарный спектр описывается функцией /( ), то релаксация намагниченности после кратковременного возбуждения, т. е. сигнал свободной индукции, будет описываться функцией git). Поэтому функцию g(p) можно называть функцией релаксации, но параметр р имеет смысл времени только в тех случаях, когда рассматривается функция распределения по частотам если стационарный спектр рассматривается в зависимости от магнитного поля, то p=yt. Кроме того, функцию g(p) иногда называют характеристической, или корреляционной, функцией по аналогии с терминами, принятыми в теории случайных процессов. [c.26]

    Релаксационный спектр композиционных материалов отличается от суммарного спектра его компонентов, рассчитанного в соответствии с принципом суперпозиции. Причиной этого может быть упругое взаимодействие между элементами структуры. С другой стороны, в неоднородных материалах возникают дополнительные релаксационные процессы, обусловленные непосредственно пространственной флюктуацией их физических свойств. Примерами могут быть межзеренная тепловая релаксация и восходящая диффузия. Действительно, при колебаниях неоднородного образца возникает случайная составляющая объемной деформации с пространственным масштабом корреляции порядка размеров зерна. Это приводит к неоднородности поля температуры и химического потенциала и возникновению межзеренных тепловых и диффузионных потоков. Методы расчета диссипации энергии, связанной с межзеренной тепловой и диффузионной релаксацией, изложены в работах [31,37,44—47]. Учитывая, что интенсивность этих процессов в большинстве полимеров пренебрежимо мала, изложим ниже лишь методы расчета искажения релаксационного спектра, обусловленного взаимодействием между элементами неоднородностей. [c.335]


    Таким образом, релаксация поперечных компонент происходит под влиянием случайных флуктуаций локальных полей, которые изменяют энергии зеемановских уровней и создают некоторое распределение частот переходов между этими уровнями это вызывает уширение линий в спектрах ЭПР или ЯМР- Чем больше раз- [c.74]

    Очевидно, что релаксация поперечных компонент намагниченности происходит под влиянием флуктуаций локальных полей вдоль г-компоненты намагниченности. Эти флуктуации случайным образом изменяют лишь энергии уровней, но не вызывают переходов между уровнями, т. е. не изменяют заселенность уровней и среднюю зеемановскую энергию спиновой системы. По этой причине Гг называют еше временем спин-спиновой релаксации. [c.75]

    Итак, релаксация 2-компоненты вектора намагниченности происходит под влиянием флуктуаций х- и г/-компонент случайных локальных полей, а релаксация поперечных компонент происходит под влиянием флуктуаций 2-компонент локальных полей. [c.75]

    Электронный переход + > - I —>, индуцированный диагональным по I /П/) решеточным или спиновым оператором, приводит к обратной полярности поля сверхтонкого взаимодействия. Правила отбора для мессбауэровских переходов здесь следующие АМв = 1 и Ашх = 0. Таким образом, основной эффект релаксации в этом приближении — это случайное изменение энергии, или частоты, фиксированного мессбауэровского перехода. Этот эффект называется случайной частотной модуляцией и обычен в явлениях магнитного резонанса, особенно в ядерном магнитном резонансе (ЯМР) [63—66]. [c.460]

    Введение. Все описанные выше переходы не осуществляются самопроизвольно с какой-либо заметной скоростью. Для объяснения ядерной релаксации мы должны найти механизмы, способные ииипиировать переходы, и затем вычислить их эффективность. Переходы могут происходить под влиянием электромагнитных полей, осциллирующих на подходящей частоте. Мы попробуем иайти их в окружении молекул. Сделать это будет не так просто, поскольку существует несколько возможных источников возникновения флуктуирующих элекгромагиит-ных полей. К счастью, только одни из ннх будет. эффективен на расстояниях порядка межъядерных. Количественное описание процессов релаксации осложняется еще и тем, что необходимо каким-то образом моделировать случайное движение молекул в растворе. Следовательно, нам недоступно получение более конкретных результатов в этой области. Но получить представление о физической природе механизма релаксации не так трудно. В любых теоретических книгах по ЯМР вы можете найти более строгое количественное описание этого предмета. [c.152]

    Рис. 9.9.1. а — обменный 2М-спектд полученный с помощью импульсной последовательности, приведенной на рис. 9.1.1,в (с тт = 2,5 с) мультиплета из восьми линий от Сх имидазола в результате взаимодействия с протонами (Лх = 189 Гц, /мх = 13 Гц, /кх = 8 Гц). Релаксация за счет случайных флуктуаций внешних полей была увеличена добавлением 5-10 М 0<1(Го<1)1 при условии что дипольной релаксацией протонов за счет ядер углерода-13 можно пренебречь, амплитуды кросс-пиков в режиме начальных скоростей пропорциональны вероятностям переходов между энергетическими уровнями протонов б — теоретическая матрица V/, состоящая из 24 одноквантовых, 12 нульквантовых и 12 двухквантовых элементов. В присутствии Од(Го<1)1 преобладают одноквантовые переходы (обведены кружками), что согласуется с амплутудами кросс-пиков экспериментального спектра. (Из работы [9.39].) [c.627]

    В этом случае гамильтониан взаимодействия имеет вид = I -0-1 и представляет взаимодействие между ядер-ным спином (/> /2) и градиентом электрического поля в ядре. В результате реориентационных движений молекулы компоненты тензора квадрупольной связи Сгу оказываются случайными функциями времени, что дает механизм релаксации для ядер, обладающих квадрупольным моментом (/> /а). [c.92]

    Приведем теоретические соотношения для скорости продольной и поперечной парамагнитной релаксации свободных радикалов, обусловленной случайной модуляцией вращением радикалов анизотропных спин-спиновых взаимодействий диполь-дипольного взаимодействия неспаренного электрона с магнитным ядром со спином I (анизотропное сверхтонкое взаимодействие) и анизотропного зеемановокого взаимодействия неспаренного электрона с внешним магнитным полем (анизотропия -тензора). Эти меха- [c.31]

    Как и в случае рекомбинации радикалов, изменение спиновой мультиплетности может индуцироваться Ад- и СТВ-механизма-ми. Для триплетных молекул более эффективны переходы, обусловленные диполь-дипольным взаимодействием неспаренных электронов в каждой из молекул, случайным образом модулируемым тепловым движением триплетных молекул в растворах. Это приводит к эффективной парамагнитной релаксации триплетных молекул. Релаксационные переходы смешивают состояния двух парамагнитных частиц с различной мультиплетностью. Следовательно, влияние магнитного поля на элементарные процессы с участием триплетных молекул в растворах интерпретируется как результат полевой зависимости релаксационных переходов, вызванных флуктуирующим диполь-дипольным взаимодействием в триплетных молекулах. Такая интерпретация эквивалентна схеме, предложенной Броклехурстом [39] для объяснения эффекта магнитного поля в радиационно-химических превращениях. [c.183]


    Несекулярные возмущения вызывают переориентации спинов и уменьшают время Гь Но переориентация спина сопровождается изменением знака случайного локального поля у этого спина и, следовательно, создает дополнительную причину расфазирования и уменьшения Гг. Таким образом, несекулярные возмущения уменьшают оба времени релаксации. В частности, если основнс й вклад, в релаксацию создают флуктуации поперечных компонент локальных полей, то Г1 = Гг при этом расфазирование и поперечная релаксация осуществляются только благодаря переориентациям спинов, т. е. за счет продольной релаксации. Эта ситуация, известная как случай сильного сужения, реализуется при быстрых движениях, т. е. высокочастотных флуктуациях локальных полей. При медленных движениях низкочастотные флуктуации создают значительное расфазирование и сильно сокращают Гг тогда Г1 < Гг, и основную роль играют секулярные возмущения. [c.75]

    Так как перераспределение напряжения происходит даже при релаксации, оно несомненно должно наблюдаться во время ползучести образца при постоянной нагрузке. Замедленный хрупкий разрыв , т. е. статическая усталость, может в общем рассматриваться как макроскопическая последовательность крайне локализованных процессов релаксаций напряжения. Поле сил, в котором находятся определенные участки материала, не может ре-лаксировать так быстро, следовательно, тело накапливает энергию деформации сдвига. Зенер заметил сходство этой картины с ажурной группировкой кристаллических зерен в поликристаллических металлах, в которых селективная пластичность, наблюдаемая внутри индивидуальных зерен до нагружения тела, при его растяжении постепенно передается комплексному блоку зерно—граница зерна, который по стерическим причинам не может релак-сировать. Бики предполагал, что статическая усталость вязко-упругих стеклообразных полимеров обусловлена релаксацией сегментов, которые вызывают перераспределение напряжения в направлении определенных статических первично связанных цепей, которые, прочнее своих соседей, так как благодаря чисто случайным обстоятельствам ориентированы параллельно растягивающему усилию. [c.279]

    Приведенные соображения заставляют нас выбирать достаточно простые системы, которые тем не менее позволяют проверить теорию релаксации на основе экспериментальных данных. В разд. 1,Б обсуждался эффект смешивания электронных уровней под влиянием термов кристаллического поля и внешнего магнитного поля. Этот факт наводит на мысль использовать логический метод для индуцирования флуктуирующих полей на ядре путем модуляции внешнего поля. Здесь имеются два фактора, которые делают такой метод весьма привлекательным. Во-первых, скорость модуляции внешнего поля и, следовательно, внутренних полей легко контролировать. Во-вторых, тип модуляции также можно изменять. Хотя выше была рассмотрена модуляция только случайного, блуждающего происхождения, очевидно, существуют другие, непрерывные формы модуляции, которые представляют интерес. Перлоу [108] и Френкель [109] предположили, что перемагничивание тонких ферромагнитных пленок также даст возможность получать флуктуирующие внутренние поля. Известная частота переключения могла бы, конечно, обеспечить непосредственное сравнение между экспериментальными результатами и теоретическими предсказаниями для этой частоты. При этих или подобных условиях когерентных флуктуаций следует также принимать во внимание проблему генерации боковой полосы. [c.482]

    Мы видели, что для возбуждения неустойчивостей, приводящих в конце концов к турбулентному режиму течения, необходим начальный фон возмущений. Именно начальное поле флуктуаций обусловливает уход системы из положения равновесия , каким является неустойчивый стационарный ламинарный режим течения. Если начальное поле флуктуаций имеет слу шйный элемент (например, случайную фазу начальных колебаний), то возможно статистическое рассмотрение, когда вероятность вводится, как и обычно, в начальный момент времени (в стационарном пограничном слое в начальном сечении Хц). В случае, когда начальное поле флуктуаций таково, что 8нн 8011115 оценка для времени релаксации системы к турбулентному режиму следует из амплитудного метода  [c.248]

    Отмеченное явление может служить также косвенным указанием на существование в ребрах доменных призм гомеотропной текстуры [82]. Дело в том, что для жидких кристаллов ПБА ортогональность больших осей макромолекул и плоскости подложки (речь идет о необработанных каким-либо реагентом силикатных стеклах, а также стеклах из Na l и КВг) является более предпочтительной, чем параллельность. Об этом, в частности, свидетельствует тот факт, что при случайном возникновении дефекта в доменной структуре, в котором реализуется нерегулярная гомеотропная текстура, все домены постепенно переходят в эту текстуру. Это хорошо видно из рис. 111.29, на котором показаны различные стадии перехода доменов в идеальную гомеотроп-ную текстуру. Этот переход в принципе аналогичен обычно описываемому в литературе для низкомолекулярных жидких кристаллов самопроизвольному переходу к более термодинамически выгодной текстуре. В качестве примера можно сослаться на схему, приводимую в работе [88] для различных стадий релаксации созданной воздействием электрического поля нематической структуры в холестерическую с параллельными граничными условиями. При наличии в поверхностном слое либо случайного дефекта, либо остатков исходной струк- [c.210]


Смотреть страницы где упоминается термин Случайное поле релаксация: [c.82]    [c.334]    [c.334]    [c.596]    [c.311]    [c.47]    [c.33]    [c.76]    [c.44]    [c.268]   
ЯМР в одном и двух измерениях (1990) -- [ c.82 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте