Взаимодействия рекомбинационные

Таким образом, рекомбинационная теория объясняет зависимость перенапряжения водорода от материала катода чем больше склонность металла к взаимодействию с атомами водорода (высокая энергия адсорбции, образование твердых растворов, способность металла катализировать рекомбинацию водородных атомов), тем легче протекает рекомбинация водородных атомов и тем ниже перенапряжение водорода. [c.258]

Рекомбинационное присоединение - полимераналогичные превращения (см.), протекающие в результате взаимодействия макрорадикалов с низкомолекулярными свободными радикалами. [c.404]

Увеличение энергии связи водорода с металлом приводит к возрастанию заполнения поверхности электрода адсорбированными атомами водорода и, следовательно, к повышению скорости рекомбинации. Однако одновременно увеличивается энергия активации стадии рекомбинации, так как более прочно связанным с поверхностью атомам труднее вступить во взаимодействие друг с другом, чем связанным слабо. Поэтому, как и в стадии разряда, зависимость тока обмена рекомбинационной стадии от энергии связи водорода с металлом должна проходить через максимум. [c.302]

Внедрение М. г. э. в гены приводит к мутациям. М. г. э. способствуют рекомбинационным взаимодействиям неродственных геномов, определяя, т, о., один из механизмов эволюции живой материи. [c.341]

Было высказано [11] предположение, что при полимеризации, протекающей по бирадикальному механизму, обрыв цепи в результате взаимодействия двух концов бирадикала имеет большую вероятность. Если бы это имело место при фотополимеризации, то при рекомбинационном обрыве образовывались бы циклические макромолекулы, что противоречит имеющимся данным, а обрыв в результате диспропорционирования приводил бы к образованию молекул, имеющих на одном конце насыщенную, а на другом—ненасыщенную группы, так что полимер деструктировал бы количественно до мономера уже при 220°. [c.35]

Атомы хлора, стабилизированные- на поверхности 2пО, будучи акцепторами кислорода, взаимодействуют с ним с образованием ионов СЮ- и СЮз . Как следует из рис. 1.7, при потенциалах ниже 0,6 В выход хлората по току превышает 100%. На основании этого авторы [17] высказали предположение о возможности протекания на 2пО-аноде цепного или рекомбинационного процессов с вовлечением С1-ионов из объема раствора. Снижение выхода по току хлората и гипохлорита при потенциалах выше 0,6—0,8 В объясняется увеличением скорости конкурирующего при этих потенциалах фотоэлектрохимического процесса выделения кислорода. [c.16]

Тепловое освобождение электронов с уровней локализации является не единственным и даже не всегда возможным (в случае достаточно глубоких ловушек, у которых Еп кТ). Более легко вырывание электрона может быть осуществлено действием света (переходы 3- 2 и 3 - 2 ). Полученные таким путем электроны называются оптическими . Оптические электроны отличаются тем, что вероятность их рекомбинации на ионизованных центрах гораздо меньше, чем тепловых электронов, обладающих сравнительно меньшей энергией, а соответственно, и скоростью. По мере расходования своей энергии, например, путем взаимодействия с фононами, оптические электроны становятся аналогичными тепловым и уже в таком качестве вызывают рекомбинационное излучение. [c.64]

В табл. 22 был приведен ряд примеров реакций третьего порядка. Из них только три являются обычными химическими реакциями (взаимодействия окиси азота с кислородом или галогенами). Именно для этих реакций применение теории столкновений оказалось вообще неудовлетворительным и для согласования вычисленной и экспериментальной скорости потребовалось введение стерического множителя порядка 10" —10 . Лучше согласовывались с теорией столкновений рекомбинационные процессы, когда тройное соударение необходимо для отвода избытка энергии у вновь образованной молекулы. [c.210]

Нужно упомянуть также о тех случаях, когда газокинетическая модель рекомбинационного процесса оказывается неприемлемой. Это может быть при слабом возбуждении и малой длине свободного пробега электрона, сравнимой с размерами сферы рекомбинации , как это имеет место в кристаллах с ионной связью при сильном электростатическом взаимодействии между ионами и носителями заряда [2]. В таких условиях электрон не всегда теряет связь с тем центром, которому он принадлежал ранее, и существенным оказывается учет диффузионного характера движения электрона. Подробное теоретическое рассмотрение этой проблемы читатель может найти в монографии В. В. Антонова-Романов-ского [2]. [c.25]

Рекомбинационное взаимодействие между центрами свечения различных типов. До сих пор речь шла о непосредственном возбуждении центров свечения, причем предполагалось, что электроны могут совершать переходы только между локальными уровнями и зоной проводимости. Рассмотрим теперь, что происходит при поглощении возбуждающего излучения основной решеткой. В этом случае электроны забрасываются в зону проводимости из валентной зоны. Возникающий в ней недостаток электронов создает возможность направленного их перемещения, которое можно трактовать как движение электронной вакансии, или дырки, в противоположном направлении. При этом оказывается, что дырка ведет себя как частица, подобная электрону, но отличающаяся от него знаком [c.25]

Рассмотренный процесс рекомбинационного взаимодействия между центрами свечения двух типов имеет еще одно важное следствие, которое должно учитываться при изучении физической химии кристаллофосфоров в случае рекомбинационной люминесценции по интенсивности полосы излучения, вообще говоря, нельзя определить концентрацию соответствующих центров свечения. Лишь при особо благоприятных условиях, когда можно принять, что имеет. место квазиравновесие между валентной зоной и уровнями центров, удается установить корреляцию между отношением концентраций двух типов центров свечения и отношением интенсивностей соответствующих полос. Это может быть при слабой интенсивности возбуждения и достаточно высокой температуре, когда отношение концентраций ионизованных центров мало зависит от процесса рекомбинации, а потому и от интенсивности возбуждаю- [c.28]

Положение в основном остается тем же, если тушителем является не дырочная, а глубокая электронная ловушка. Здесь происходит рекомбинационное взаимодействие примесных центров, обладающих обычно эффективными зарядами противоположных знаков. Дырка, освобожденная тепловыми колебаниями из центра свечения, мигрирует к центру тушения, захватившему электрон, и рекомбинирует с ним (переход 6 на рис. 9). [c.29]

Их можно назвать также потерями на внешнее тушение, но этим последним термином предпочтительно пользоваться лишь в частном случае рекомбинационного взаимодействия между центрами свечения и центрами тушения. [c.76]

Возникающая деструкция полимера в указанных условиях компенсируется химическим взаимодействием разорванных цепей друг с другом, в результате чего после процесса вальцовки или штамповки полимер вновь содержит цепи или структурные единицы примерно с теми же размерами, какие имеются в нем до указанных процессов. Это убедительно доказывается тем, что вязкость и растворимость полимера до обработки под действием больших сил и после нее практически не изменяются. Из этих данных делается вывод, сводящийся, следовательно, к тому, что течение поливинилхлорида имеет деструктивно-рекомбинационный, т. е. химический, характер и протекает лишь при действии больших механических сил. [c.133]

Обратимость характеристик поверхности в цикле прогрев-выдержка в нарах воды наводит на мысль о том, что за нейтрализацию рекомбинационных центров ответственна вода, физически адсорбированная на поверхности германия. Поскольку вода является полярной жидкостью, то в случае физической адсорбции молекула воды, подходя достаточно близко к рекомбинационному центру, может своим электрическим полем изменить параметры этого центра так, что он перестанет осуществлять рекомбинацию. Однако нельзя исключить и возможность химических взаимодействий, так как вода, с одной стороны, растворяет пленку окиси, с другой, может связываться на поверхности, образуя гидроокись германия. В последнем случае основную роль будет играть радикал ОН. [c.70]

Развит подход к построению моделей химических процессов на основе рекомбинационных реакционных сетей (РРС). Каждая частица (молекула, ион или радикал) рассматривается как потенциальный реагент, а вновь образующиеся частицы могут взаимодействовать со всеми уже имеющимися в реакционной смеси. Результат взаимодействий представляется как двудольный граф, в котором вершинами являются либо сгенерированные частицы, либо описания взаимодействий, а ориентированные ребра определяются отношениями между реагентами и продуктами реакции. На основе обобщения экспериментальных данных по механизмам процессов разработаны эмпирические правила для моделирования возможный реакций. Развитый подход позволяет описывать полный спектр реакций и реализован в компьютерной профамме ASB [2,3]. [c.20]

ИЗ цепей ДНК дефектна (например, содержит тиминовый димер или АР-сайт), а комплементарная цепь не могла быть синтезирована из-за дефекта в матрице и поэтому напротив поврежденного участка остается незастроенная брешь (см. рис. 47). Единственный способ безошибочной репарации такого повреждения — это использовать в качестве эталона второй полученный при репликации дуплекс ДНК. т. е. использовать рекомбинацию для репарации повреждения. У Е.соН эту задачу способен выполнить Re A-белок вместе с ферментами репарации. Для НесА-белка одноцепочечный участок двуспиральной молекулы ДНК, содержащий повреждение, является излюбленным участком связывания. Связавшись с таким местом, Re A-6e-лок вовлекает его в рекомбинационное взаимодействие с гомологичным неповрежденным дуплексом, причем как разорванная, так и поврежденная цепи ДНК оказываются спаренными с неповрежденными комплементарными цепями, что позволяет их репарацию описанными в предыдущей главе репарационными системами (рис. 62). Таким путем осуществляется пострепликативная, или рекомбинационная, репарация. Аналогичным образом за счет рекомбинации происходит репарация двуцепочечных разрывов ДНК. [c.94]

Способность ряда энхансеров взаимодействовать со специфическими белками дифференцированной клетки, вероятно, обеспечивает их важное свойство — тканевую специфичность. Тканеспецифический энхансер впервые был выявлен в генах, кодирующих тяжелую полипептидную цепь иммуноглобулинов. При образовании функционирующего гена иммуноглобулина происходит программированная в развитии перекомбинация генетического материала. Один из нескольких сотен геномных сегментов, кодирующих варьирующую часть молекулы антитела (У-гены), в результате последовательных рекомбинационных процессов соединяется с О- и -J-элe,мeн- [c.204]

Гонококки, экспрессирующие пилин (Р+), с заметной частотой прекращают синтез этого белка <Р ) за счет утраты активного гена в локусе pH Е. Утрата гена (или его части), видимо, про исходит за счет рекомбинации с участием высококонсервативных повторяющихся последовательностей в составе гена. Восстановление активного гена пилина происходит путем рекомбинационного взаимодействия остатков исходного гена с гомологичными последовательностями одной из молчащих копий, кодирующих другие варианты пилина и расположенных в локусе рИ 5] [c.102]

Следует, однако, указать, что согласно Найпу и Гордону [846], излучение сплошного спектра пламени СО, возможно, связано с диссоциацией возбужденных молекул СО3, которые образуются при столкновении электронно-возбужденных молекул СО, находящихся в состоянии П, с молекулами кислорода С0 + 0 - С0з. Наличие возбужденных молекул СО ( П) в зоне горения СО, по Найпу и Гордону, следует из того, что при взрыве сухой смеси СО и Ог наблюдаются полосы поглощения, приписываемые ими переходу в молекуле СО. Отсутствие сплошного спектра испускания атомных пламен СО [450], т. е. пламен, возникающих при взаимодействии СО с атомарным кислородом, а также пламени С0 + ЬОз [76], по-видимому, трудно совместить с диссоциационным (а не с рекомбинационным) механизмом излучения этого спектра. [c.568]

Известно, что на поверхности германия существуют пЬверхностные уровни двух типов рекомбинационные, с малым временем жизни, находящиеся на поверхности самого германия, и с большим временем жизни, находящиеся на внешней поверхности слоя окиси германия. Тот факт, что реакция окисления СО замедляется после образования,сЛоя окиси на поверхности германия свидетельствует в пользу того, что при этом более затруднен обмен электронами молекулы с поверхностью кристалла, т. е. с рекомбинационными уровнями. Отсюда следует, что протеканию каталитической реакции способствуют рекомбинационные уровни, которые сравнительно легко могут отдавать или принимать электроны, создавая условия для адсорбции, В пользу того, что механизм взаимодействия молекул с поверхностью обусловлен изменением заполнения поверхностных уровней, говорит также и корреляция изменений Ук и электропроводности, замеченная нами и другими авторами. [c.115]

Раньше считали, что катодное выделение водорода протекает по маршфуту I в виде последовательности стадий разряда и ре-ко.мбинации. И. Тафель в 1905 г. высказал мнение, что лимитирующей является стадия рекомбинации, в то время как стадия разряда равновесна (рекомбинационная теория водородного перенапряжения). Физической основой этой теории служит тот факт, что процесс рекомбинации двух атомов протекает не мгновенно (при каждом столкновении), а с некоторой небольшой скоростью. Это вызвано выделением значительной энергии при взаимодействии двух атомов эта энергия концентрируется в образующейся молекуле и вызывает ее обратный распад на атомы. На различных катализаторах, в частности, на металлах, реакция ускоряется за счет отвода части избыточной энергии поверхностью катализатора. Веским доводом в пользу рекомбинационной теории было существование параллелизма между каталитической активностью разных металлов в реакции рекомбинации атомов водорода и их активностью при катодном выделении водорода. Скорости обеих реакций увеличиваются, например, в ряду РЬ<2п<Ад<Ре<Р1. [c.361]

Осаждение ряда металлов из растворов их солей на германии также сопровождается образованием быстрых поверхностных состояний, в том числе и рекомбинационного типа, с уровнями вблизи середины запрещенной зоны [53, 64]. Концентрация их близка к концентрации микрокристалликов металла, образовавшихся на поверхности германия. Остается неясным, связаны ли возникающие уровни собственно с взаимодействием металл—германий или с нарушением структуры окисного слоя вследствие электроосаждения. Можно предположить, что образование зародышей кристаллизации при осаждении металлов также происходит в месте выхода на поверхность германия микpoдeфeктo в его кристаллической решетки, т. е. хемосорбционное происхождение этих состояний является кажущимся. Но независимо от природы воаникаю->щих уровней очистка раствора и поверхности кристалла от следов тяжелых металлов считается непременным условием полученля поверхности раздела германий — водный раствор с минимальной плотностью быстрых поверхностных состояний. [c.16]

Оказалось, что во всей области заполнения поверхности, вплоть до образования полимолекулярных кластеров, адсорбция перечисленных выше тщательно обезвоженных неводных адсорбтивов вообще не изменяет параметры БПС и рекомбинационных центров. Дефекты, составляющие основу этих состояний, прямо не взаимодействуют с перечисленными молекулами. Иначе проявляет себя адсорбция паров воды и ацетил ацетон а. В области низких концентраций адсорбированных молекул (/га<Ю см ) какие-либо изменения в БПС отсутствовали. Однако при Лд>10 см в полном соответствии с литературными данными происходило резкое уменьшение концентрации БПС и рекомбинационных центров. Было показано, что наблюдаемый процесс нейтрализации БПС обязан протонным процессам. Протоны образуются за счет диссоциации координационносвязанных молекул воды и ацетилацетона, ответственных за возникновение адсорбционных МПС. Протонные процессы становятся эффективными при достаточно высоких заполнениях, когда возникают полимолекулярные кластеры молекул, в которых облегчены условия диссоциации молекул и транспорт протонов вдоль поверхности. Дополнительная адсорбция протоноакцепторных молекул пиридина приводила к подавлению протонных процессов. Указанные явления отсутствовали при адсорбции аммиака и органических молекул, чьи константы диссоциации на много порядков ниже, чем у молекул воды. [c.55]

Первое из них утверждает, что если в некоторой произвольно выбранной системе одновременно могут протекать реакции радикалов с акцепторами и рекомбинационные взаимодействия, то каков бы ни был конкретный механизм процесса, кривая зависимости выхода иревраще-ния акцептора от логарифма его концентрации при изменении мощности дозы от 5 1 до 2 сдвинется вдоль оси концентраций на величину lg А (рис. 8), [c.40]

Увеличение квантового выхода разложения этана при повышении температуры связано с ускорением реакции 3), имеющей энергию активации около 8 ккал/моль как следствие уменьшается роль рекомбинационного процесса 8). Повышение тем пературы ускоряет и процесс атомного крекинга 4), уменьшающего отношение Н2/СН4. Повышение начального давления ускоряет первичный процесс 1), и расход водорода по реакции 2) уменьшается. Как следствие — увеличение выхода водорода. Кроме того, при более высоких давлениях процесс 3) получает преимущество по сравнению с 4). Это также увеличивает выход водорода. Такова приблизительная картина полуколичественного изучения процесса фото-сенсибилизированного разложения углеводорода. Конечно, на основе подобного изучения одной лишь реакции трудно составить реальный механизм превращения. Только сопоставление механизмов, предположенных для различных реакций, позволяет исключать одни элементарные стадии как невероятные, и, наоборот, включать другие. Так, например, представление об атомном крекинге типа процесса 4) в механизме Стиси и Каннингема основано, в частности, на результатах исследования взаимодействия атомов водорода, полученных методом Вуда в разрядной трубке с бутаном. Единственный продукт этой реакции лри комнатной температуре (не считая водорода) метан. Его исключительное образование можно объяснить вместе со Стиси и Брауном рядом последовательных реакций атомного крекинга [c.278]

Внешнее тушение. Допустим, теперь, что центр В является центром тушения. Это означает, что рекомбинация захваченной им дырки с электроном происходит без излучения, или, как говорят, безы-злучательно. В результате доля поглощенной энергии, превращающаяся в испускаемый люминофором свет, уменьшается — происходит тушение, которое называется внешним, поскольку оно связано с переходами вне центра свечения. Из того, что было сказано о рекомбинационном взаимодействии двух типов центров, ясно, что доля безызлучательных переходов будет расти с увеличением температуры и уменьшением интенсивности возбуждения, причем на послесвечение тушители должны оказывать большее действие, чем на свечение в процессе возбуждения. Это имеет ряд важных следствий, широко используемых в практике синтеза технических кристаллофосфоров. Так, введением в 2п5-А5 и 2п5 dS-Ag-люминoфopы незначительного количества, порядка 10 —10 %, такого тушителя, как никель, удается резко снизить послесвечение. [c.29]

Известны такие факты, как увеличение рекомбинационного послесвечения некоторых рентгеновских экранов, например каль-ций-вольфраматных, в процессе их эксплуатации, резкое ослабление интенсивности свечения 2п5-фоофоров под действием нейтронов и а-частиц, образование так называемых У-полос поглощения щелочно-галоидных кристаллов при бомбардировке электронами высоких энергий и т. п. Эти изменения, как правило, вызываются смещением атомов из узлов решетки с образованием нарушений типа дефектов Френкеля (см., например, [129]). При облучении нейтронами такое смещение происходит в результате упругого соударения нейтронов с ядрами атомов. Заряженные частицы в основном ионизуют кристалл, но могут и образовывать дефекты при взаимодействии с ядрами. Для этого они должны обладать достаточной энергией, чтобы подойти близко к ядру. [c.95]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология