Дебаевская определение

Например, определенный вклад в сопротивление вносят вакансии, так как на них происходит рассеивание электронов. Концентрация вакансии экспоненциально зависит от температуры, а рост сопротивления, происходящий в результате действия дебаевских волн, прямо пропорционален температуре. Эти два эффекта могут быть разделены, и по температурной зависимости сопротивления можно определить характеристики вакансий (концентрация,.энергия образования). [c.349]

В соответствии с общим определением обратной дебаевской длины (1.18) величина х в (1.25) равна [c.18]

Здесь мы использовали определения обратного дебаевского радиуса для симметричных электролитов (1.30) [c.175]

На средних расстояниях между частицами могут нри определенных условиях перевешивать силы электростатического отталкивания, носящие экспоненциальный характер везде, кроме малых расстояний (меньше дебаевской длины), где, как было показано в главе 1, также возможна степенная зависимость (см. формулу Ленгмюра ( 1.35)). Однако здесь зта зависимость от расстояния к слабее, чем соответствующая зависимость молекулярного взаимодействия. Так, ионно-электростатическое давление обратно пропорционально А , [c.260]

Независимо от того, течет электрический ток или пет, электролит в области между электродами можно считать электрически нейтральным за исключением небольших областей возле электродов. На электроде образуется топкий слой, называемый дебаевским или двойным электрическим слоем, представляющий собой плоский слой, поверхности которого имеют заряды противоположного знака — с внешней стороны это электрод, несущий заряд определенного знака (плюс на аноде, минус на катоде), а с внутренней стороны — поверхность электролита с зарядом другого знака. Структура двойного слоя будет подробно обсуждаться в разделе 7.3. Отметим, что при рассмотрении процесса, происходящего в электролитической ячейке, им можно пренебречь. [c.138]

Если расстояние между активными центрами много меньше дебаевского радиуса, заряд можно считать равномерно "размазанным по поверхности. Тогда, приравнивая его заряду диффузной части двойного слоя а ,,, заданному формулой (VII. 18), получим уравнение для определения Фо [c.76]

Учитьшая последнее неравенство, получим вместо (VII.70) с учетом определения дебаевского радиуса (VII.62) известную простую формулу Ленгмюра [8] [c.90]

Приравнивая из (Х1.64) и (Х1.66) с учетом определения обратного дебаевского радиуса к, найдем пороговую концентрацию (в см" ) [c.166]

Таким образом, каждое нормальное колебание (или каждая упругая волна) в дебаевской теории может рассматриваться как квазичастица, характеризующаяся строго определенными, дискретными значениями (квантами) энергии. В соответствии с квантовой теорией нормальные колебания решетки (дебаевские упругие волны) являются квазичастицами, которые представляют собой кванты энергии поля упругих колебаний — фо-ноны. [c.113]

Курбатов [14] впервые обнаружил, что при малых адсорбциях температурный коэффициент измеряемой диэлектрической проницаемости аэрогеля, адсорбировавшего воду или ацетон, практически равен нулю. В последующих работах ряда авторов и в наших исследованиях было установлено, при каких условиях наблюдаются положительные и отрицательные коэффициенты диэлектрической проницаемости системы адсорбент — адсорбат. Нулевой температурный коэффициент был найден для дегидратированного цеолита [33]. Положительный температурный коэффициент наблюдается в области дебаевской релаксации и максвелл-вагнеровской релаксации неоднородной системы. Отрицательный температурный коэффициент характеризует температурную зависимость статической диэлектрической проницаемости. Как оказалось, нулевой температурный коэффициент, наблюдаемый при определенных температурах, частотах и адсорбциях, возникает в результате наложения двух противоположных зависимостей максвелл-вагнеровской и дебаевской области статической диэлектрической проницаемости. Таким образом, как особое физическое свойство адсорбированного вещества нулевой температурный коэффициент не существует. [c.242]

А. Рассмотрим (для определенности) адсорбцию акцепторного газа а поверхности плоскопараллельной пластинки полупроводника. Примем следующие основные предположения 1) толщина полупроводника значительно больше дебаевской длины экранирования Ь 2) на поверхности полупроводника существуют центры одного сорта 3) заполнение адсорбционных центров мало. [c.138]

Так, например, для случая жидкости было найдено, что Ti уменьшается с возрастанием вязкости (возрастание Тс) до определенного момента (т —го), а затем возрастаете увеличением вязкости. Простую пропорциональность между и вязкостью дает и дебаевская теория жидкостей. Эта зависимость от Тс была также подтверждена для некоторых твердых тел, например галогенидов аммония [62], твердого бензола и частично дейтерированных бензолов [63]. [c.25]

Прежде всего, растворы электролитов характеризуются существованием определенной длины экранирования электростатических полей в растворе -дебаевским радиусом. Если рассмотреть заряд q, помещенный в электролит, то электростатический потенциал этого заряда описывается уравнением Пуассона [c.25]

Для определения инструментальной ширины линии в качестве эталонов использовали крупнокристаллические порошки уротропина и фтористого лития. Во время съемки эталоны вращались со скоростью 50 об/мин для усреднения интенсивности по дебаевскому кольцу. Эталоны и пленки полиэтилена снимали в одинаковых условиях при одном и том же режиме работы установки и при одинаковой толщине образца и эталона. [c.341]

Для кулоновского взаимодействия Боголюбовым был предложен эффективный метод определения функций Ра,...а в виде рядов по степеням малого параметра у/г , где — дебаевский радиус [37]. Если положить [c.10]

В рассматриваемом случае с силикагелем частицы настолько малы, что рассеяние под малыми углами наблюдается даже в обычной дебаевской камере. Отметим в заключение, что метод малых углов достаточно широко применяется для определения величины и формы частиц и в литературе, например в [3] детально описан. [c.95]

Более того, из самого определения дебаевской температуры следует, что выделение единственной характеристической температуры возможно лишь в кристалле с простым спектром колебаний, а следовательно, с достаточно простой структурой. Спектр колебаний сильно анизотропных кристаллов (см. 4, п. 4) или кристаллов с очень сложной кристаллической решеткой нельзя характеризовать одной типичной частотой, поэтому в таких кристаллах бессмысленно вводить только одну характеристическую температуру. В таких ситуациях температура Т иногда может быть низкой для возбуждения одних степеней свободы, но в то же время оказаться высокой для других типов колебаний. [c.166]

Детальное рассмотрение (учет реального упругого спектра вместо дебаевского) показывает, что /хдр возрастает лишь до определенной температуры (разной для разных 81п /Х), а при дальнейшем повышении температуры /хдр уменьшается. [c.205]

Здесь Я — дебаевская длина, определенная равенством (27-9). Уравнения (52-8) и (52-10) принимают вид [c.186]

Назовем фундаментальным состоянием вещества такое состояние, когда его абсолютная температура равна характеристической дебаевской температуре Т = и когда полный термодинамический потенциал, отнесенный к кристаллическому состоянию того же вещества при Т = 0° К, равен нулю. Вероятнее всего, что именно это состояние в дебаевской области (а может быть, и В области сильно сжатых жидкостей) должно заменить при определении приведенных параметров критическое состояние ван-дер-ваальсовской области. [c.291]

Измерения теплоемкости в области очень низких температур представляют особый интерес в связи с определением коэффициента электронной теплоемкости у и дебаевской температуры 0д. Знать величины у очень важно при интерпретации электронной структуры соединений, химической связи в них и факторов, ответственных за сверхпроводимость обычно на высокотемпературные термодинамические свойства электронная теплоемкость оказывает слабое влияние. Дебаевская температура иногда также используется для оценок энтальпий и энтропий при 298,15 К. Ошибки в [c.103]

Примеси, такие, как TiO и Ti , также могут влиять на ве личины 0в из-за большого различия дебаевских параметров этих примесных фаз правда, количество кислорода, определенное хи мически в образцах, использованных для обоих типов измерений было мало. [c.110]

В этом обзоре мы привели примеры, когда из уравнений, подобных (10), оценивались две температуры для атомов разного сорта, а также такие случаи, когда экспериментальные данные в определенной области температур описывались функцией, содержащей две эмпирически определяемые дебаевские температуры. Следует подчеркнуть, что две дебаевские температуры не имеют физического смысла и что эти величины не родственны той единственной, которая определяется из низкотемпературной теплоемкости или данных об упругих постоянных. Однако использование двух эмпирических значений бв приводит к дополнительному параметру при описании известных высокотемпературных данных по С , и можно предполагать, что относительный успех этого метода [c.114]

Рентгенографическое определение дебаевских температур Nb , ТаС и Ti . [c.257]

Значения расстояний 3 и 3" можно получить из любых дебаевских колец, расположенных соответственно около точек М и М". Для большей точности в определении радиуса следует брать среднее по всем значениям 5 и среднее по всем значениям 3". Таким образом, [c.439]

Электрическая полярность молекулы выражается ее дипольным моментом. Система, состоящая из положительного заряда +х и отрицательного заряда —х, удаленных на расстояние d, обладает дипольным моментом с величиной xd. Если х равно заряду электрона (4,80-10 эл. ст. ед.) и t =IA, то xd=4,80 D (дебаевских) единиц. Важно понять, что дипольный момент — величина векторная, так как он обладает определенным направлением наряду с величиной. Примем произвольное условие, что вектор направлен в сторону отрицательного конца диполя. [c.130]

Обзор посвящен современным методам описания, экспериментального определения и расчетно-теоретической интерпретации колебательного движения частиц в органических (молекулярных) кристаллах. Рассмотрены рентгеноструктурное определе ие среднеквадратичных смещений атомов, расчет среднеквадратичных смещений молекул, общая теория в конкретные расчеты частот колебаний молекул в кристаллах, расчет термодинамических функций в дебаевском приближении и на основе функции распределения частот. [c.251]

Каждую фазу можно качественно идентифицировать данным методом рентгеновского анализа только при ее определенном минимальном содержании в исследуемой смеси. Это минимальное количество называется чувствительностью метода. Чувствительность зависит как от природы исследуемого вещества и состава смесн, в которой это вещество находится, так и от условий съемки. При дебаевском методе анализа линии клинкерных минералов на фотопленке наблюдаются достаточно отчетливо, когда их содерж ание в исследуемом материале составляет не менее 3S — 8% 2S — 10 СзА — 6 4AF — 10 СаО — 2—3 MgO — 2—3%. Днфракто-метрическая съемка вращающегося образца при правильно выбранном режиме позволяет существенно иовысить чувствительность и обеспечивает идентификацию некоторых клинкерных минералов при их присутствии в количестве всего 2—3%. [c.87]

Рассмотренные выше уравнения сыграли существенную роль в развитии теории жидкостей, однако в настоящее время они уступили место другим, более совершенным уравнениям для расчета функции (г). Среди наиболее применяемых интегральных уравнений особо следует отметить гиперцепное и уравнение Перкуса — Йевика. На последнем мы остановимся несколько подробнее. Уравнение можно получить, рассматривая разложение по степеням плотности корреляционной функции к (г), представляя коэффициенты разложения в виде сумм майеров-ских диаграмм определенных классов и пренебрегая некоторыми диаграммами (правда, первоначальный вывод Перкуса и Йевика был проделан совсем иным путем, в котором была учтена аналогия дебаевских спектров жидкости и твердого тела и твердое тело служило нулевым приближением). Авторами была установлена следующая связь между корреляционными функциями с (г) и к (г) [c.382]

Дебаевская температура 0д как важный параметр естественным образом возникает в выражении для идеального сопротивления. Ее значение характеризует степень возбуждения мод колебаний решетки при любой температуре и, следовательно, вероятность электрон-фононного рассеяния. Это означает, что измерение ро как функции Т может дать нам способ определения дебаевской температуры. При этом характеристическая температура 0 ), полученная по изменениям теплоемкости, вообще говоря, не совпадает с 0 -значением, найденным из сопоставления (ро) эксп и ртеор) рЗССЧИ-танным по формуле Блоха (398), хотя различие между 0д и 0 весьма мало. [c.228]

Для точного определения констант Гамакера по разнице натяжений необходимо использовать измерения в изоэлектрической точке. В углеводородных пленках в водной среде вследствие большого вклада в межмолекулярное взаимодействие дебаевских сил [уравнения (11.38)—(11.42)] молекулярные силы будут незапаздывающими в очень широком диапазоне расстояний, и можно представить как [c.137]

Для количественного определения ширины линии В Шеррер микро-фотометрировал рентгенограмму, получал кривую распределения интенсивности и измерял ширину интерференционных пиков на уровне, соответствующем интенсивности, составляющей половину от максимальной (за вычетом фона). Определенная таким образом ширина дебаевской линии известна под названием полуширины линии, или ширины линии по Шер-Реру. [c.30]

Следующий шаг был сделан Лауэ в 1926 г. Он вывел общее соотношение, связыва ющее ширину дебаевской линии с линейными размерами кристалла произвольной формы и сингонии для случая, когда главные его оси совпадают с кристаллографическими осями. Для решения этой задачи Лауэ не исходил из точного определения интерференционной функции [1, 2], а пользовался следующими приближенными ее выражениями [c.31]

Решение уравнений (21,8) и определение времен релаксации Т и Т2 каждого из двух релаксационных процессов удобно выполнять графически. На рис. 88 изображена приведенная диаграмма Коула—Коула дебаевского типа в координатах X и У. Точка А соответствует некоторой паре экспериментальных значений 81 и 82, измеренных при определенной частоте со. Через А проводится хорда, крайние точки [c.202]

Особое место среди теорий с самосогласованным полем занимает теория, развитая Мирцхулава [27, 28]. Дебаевская аппроксимация может быть формально истолкована как предположение о том, что одновременно взаимодействуют только дваиона по закону, определенному потенциал ом Дебая—Гюккеля. В связи с этим толкованием производится учет многократных взаимодействий путем обобщения методаДебая—Фалькенхагена—Онзагера [29]. В результате получается новая функция распределения пары ионов [c.6]

Структуры стеклообразного борного ангидрида, предположенные Уорреном и Морнингстаром, во многих отношениях не легко увязываются с физико-химическими свойствами этого вещества в частности, низкая температура размягчения стекла и плавления кристаллической фазы не совместимы с низким значением молекулярной рефракции (см. А. II, 260 и 346), если принять для них жесткую каркасную структуру указанного типа. Фаянс и Барбер ° тщательно исследовали различные свойства В2О3 в кристаллическом и стеклообразном состоянии и пришли к интересному выводу, что борный ангидрид построен из свободно связанных единиц, состоящих из ассоциированных молекул В4О6. Так, например, теплоемкость кристаллической фазы при наиболее низкой температуре определяется главным образом внутримолекулярными колебаниями с характеристической дебаевской температурой, равной 329°, тогда как частоты, определенные в инфракрасном спектре для стеклообразной окиси бора, отвечают гораздо более высокой характеристической температуре — 1020°К", которая [c.177]

Дебаевские температуры можно также определить другими методами, например по данным измерения упругих констант. В основном для большинства элементов и соединений величины дебаевских температур, определенные по данным измерений низкотемпературной теплоемкости 0в и упругих постоянных 0 , хорошо согласуются друг с другом. Чанг и сотр. [12] сравнили значения 0 ) и 0 для карбидов и нашли, что для большинства фаз различие между этими двумя величинами не превышает 10%, что вполне приемлемо для определения величин 0о. Правда, для М02С и, возможно, Ti наблюдаются более серьезные расхождения. В табл. 30 приведены данные, иллюстрирующие различие между этими двумя величинами [12]. Чтобы можно было провести такое сравнение, величины во, представленные в. табл. 29, были пересчитаны на 1 г-моль сплава, так как величины 0< > обычно рассчитываются на такую массу. Можно назвать несколько причин наблюдаемого расхождения величин 0о и 0о для М02С и TI [c.108]

Зато при решении других, главным образом прикладных, задач метод порошка используется весьма широко. К числу таких задач можно отнести определение фазового состава исследуемого вещества (как качественного, так и количественного) и изучение диаграмм состояния, установление изоморфизма исследуемых соединений, оценку размеров кристалликов в образце, прецизионное определение констант решетки, коэффициента тепловых расширений, определение преимущественных ориентаций кристалликов (изучение текстур), выявление внутренних напряжений в них. Первая из упомянутых здесь задач весьма существенна для химиков и геологов и поэтому ей будет посвящена специальная глава в третьей части книги. Остальные задачи относятся скорее к области физики, чем химии в настоящей книге они не затрагиваются. Следует лишь отметить, что при решении таких вопросов применяются различного рода специализированные дебаевские камеры, например, фокусирующие камеры для съемки шлифов, камеры для изучения напряжений в. больших объектах, текстургониометры, высокотемпературные и низкотемпературные камеры и т. д. На всех этих приборах специального типа мы останавливаться не будем. [c.225]

Этот процесс диффузии лучше всего проиллюстрировать таким предельным случаем, при котором электроны, покидающие элемент объема, вначале диффундируют к поверхности этого элемента более быстро, чем ионы. В результате такого движения у поверхности элемента образуется отрицательный пространственный заряд, который в дальнейшем отталкивает электроны и притягивает ионы. Вне этого пространственного заряда скорость диффузии электронов и ионов одинакова, и по определению коэффициента диффузии плотность заряда должна быть равна нулю. Размеры области пространственного заряда и в этом случае определяются электронным дебаевским радиусом. В случае течения континуума, ограниченного непроводящими стенками, размеры этой области невелики и ее можно е учитывать при рассмотрении теплообмена. При наличии большого градиента электрического поля, например вблизи электродов, условия в заряженной зоне могут оказьквать значительное влияние на теплоотдачу к электроду. Эта проблема, характерная для многих МГД генераторов, работающих на разреженном газе, почти не разработана в имеющейся литературе (см,, например, разделы 1У,Б и VI,Б). [c.8]

РЕПТГЕПОФАЗОВЫЙ АНАЛИЗ — метод качественного или количественного определения содержания различных кристаллич. фаз одного и того же вещества или различных веществ в гетерогенном образце. Р. а. основан на индивидуальности картины дифракции рентгеновских лучей от каждой фазы твердого гетерогенного образца, к-рая аддитивным образом проявляется на рентгенограмме. Р. а. почти исключительно выполняется с помощью метода порошка. Дифракционная картина регистрируется либо на цилиндрич. фотопленку (дебаевская съемка или съемка в фокусирующих камерах), либо дифракто-метрически с помощью счетчиков рентгеновских квантов. Получаемая рентгеновская картина — сумма рентгенограмм всех фаз, содержащихся в образце. Каждая фаза м. б. идентифицирована одним из следующих основных способов 1) с помощью специальных таблиц или картотек, содержащих сведения [c.331]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология