Энтальпия однотипных соединений

Рис. 3.93. Зависимость стандартных энтальпий и энергии Гиббса образования однотипных соединений главной и побочной подгрупп от порядкового номера элемента (схема).

О повышении устойчивости однотипных производных в ряду Мп (VH)—Тс (Vil)—Re (VII) свидетельствует характер изменения энтальпии и энергии Гиббса образования AG/ соединений. [c.578]

Энтальпия некоторых пар однотипных соединений в состоянии [c.279]

Энтальпия некоторых пар однотипных соединений в состоянии идеального газа и соотношения между ними [c.284]

О повышении устойчивости однотипных производных в ряду Мп (VII)—Тс (VII)—Re (VII) свидетельствует характер изменения энтальпии АЯу, и энергии Гиббса образования AG/ соединений. При этом значения AG/ и для соединений Тс (VII) и Re (VII) оказываются близкими (следствие лантаноидного сжатия) и заметно более высокими, чем для однотипных соединений Мп (VII), например [c.578]

Гис. 3.70. Изменение стаидартних энтальпий и энергии Гиббса образования однотипных соединений элементоя я пределах главной и побочной подгрупп (схема) [c.481]

Тепловые эффекты однотипных процессов являются периодической функцией порядкового номера соответствующего элемента. Для фазовых превращений это показано н а рис. П.З и для химических процессов — на рис. И.4. Из этих рисунков непосредственно следует чувствительность АЯ к степени окисления элементов в соединениях, вследствие чего подчас может существенно нарушиться ход периодичности. В изменении энтальпии по группам периодической системы часто проявляется вторичная периодичность. Рис. П.5 демонстрирует это на примере диоксидов элементов главной подгруппы четвертой [c.87]

Ориентировочные оценки возможного состава исходной химической системы, основанные просто на сравнениях значений стандартной работы образования тех или иных соединений, представляют определенный интерес. Во многих однотипных реакциях изменения энтропии почти одинаковы и поэтому различие между AG и АН невелико. Так, для реакции разложения двадцати различных сульфатов на оксид металла и оксид серы (VI) изменение энтропии составляет - 44 э. е. (М. X. Карапетьянц). Поэтому пользование энтальпией также вполне допустимо. [c.374]

Зависимость степени диссоциации от строения молекул растворенного вещества легко проследить для однотипных молекул, образующих электролит. Например, степени диссоциации ряда галогеноводородов при одинаковых концентрациях и температурах возрастают с уменьшением энергии связи между атомами водорода и галогена, что можно проследить по изменению разности энтальпий образования этих соединений и по изменению расстояния между ядрами атомов в этих молекулах, как это можно видеть из данных табл. 36. [c.197]

В соответствии с изменением типа химической связи и струн туры в свойствах бинарных соединений проявляется более и. и менее отчетливо выраженная периодичность. Об этом, наприме ), свидетельствует характер изменения по периодам и группам ет и1 дартной энтропии, температуры плавления, энтальпии и энергии Гиббса образования однотипных соединений (рис. 104). В изме [c.197]

Если сравнить температуры плавления и кипения однотипных бинарных соединений водорода с элементами данной группы (рис. 148), то видно, что вследствие образования водородных связей HF, Н2О и H3N проявляют аномально высокие температуры плавления и кипения. Аналогичный ход кривых наблюдается и для энтальпий испарения этих соединений. [c.304]

Т1) монотонно увеличиваются атомные и ионные радиусы (см. рис. 17). Таким образом, следует ожидать, что в ряду В—Ас свойства однотипных соединений должны изменяться монотонно в противоположность ряду в—Т1. Сказанное подтверждается, например, при сопоставлении суммы первых трех энергий ионизации атомов и энта ьпий образования соединений элементов подгрупп скандия и галлия к типических элементов треть- Рис. 221. Сумма трех первых энер-ей группы (рис. 221). Как видно 1ИЙ ионизации атомов и энтальпии из рнс. 221, во всем ряду В- -Ас образования оксидов Э Оз элемен- [c.525]

Соединения Э (1П). Для лантаноидов в степени окисления +3 известны многочисленные бинарные соединения (Э2О3, ЭНа1з, ЭдЗэ, ЭЫ, ЭНз) и разнообразные соли. Энтальпии и энергии Гиббса образования однотипных соединений лантаноидов близки например, АО/ их кристаллических трихлоридов имеют следующие значения (кДж/моль) [c.644]

Таким путем, зная для рассматриваемого соединения Soga можно рассчитать для него энтропию при других температурах, пользуясь соответствующими данными для трех других соединений, образующих с ним две аналогичные пары однотипных соединений. Этот путь повышения точности расчетов применим и для определения других свойств, например энтальпии, теплоемкости. [c.280]

В ряду однотипных соединений чем меньше стандартная энтальпия образования соединения Д/Я д, тем больше его термическая устойчивость относительно разложения на простые вещества. Так, 2пО (Д Яи8=—350,6 кДж/моль) более устойчив, чем Сс10 (Д/Я298=—260 кДж/моль), а Сс10 более устойчив, чем HgO А/Н = = —90,9 кДж/моль). [c.94]

Расчеты энтальпии образования ROO (см. выше) основывали на допущении, что прочность Н—О-связи в R00H не зависит от структуры R [7], т.е. считают, что способность передачи индуктивного влияния при замене Hj— Hj-rpynnbi на пероксидную группу 0-0 полностью подавляется. Эти допущения дают определенную погрешность и могут быть использованы только для интерполяционных расчетов в рамках серий однотипных соединений. [c.341]

Соединения Э (Ш). Для лантаноидов в степени окисления +3 известны многочисленные бинарные соединения (Э2О3, ЭНа1з, ЭгЗз, 3N, ЭНз) и разнообразные соли. Энтальпии и энергии Гиббса образов вания однотипных соединений лантаноидов близки напрйМёр", Д [c.703]

В ряду однотипных соединений чем меньше стандартная энтальпия образования соединения А/Я тем больше его термическая устойчивость относительно разложения на простШ вещества Так, 2пО (Л.Я =—350,6 кДж/моль) более устойчив, чем С<10 (Л/Я ад=—260 кДж/моль), а С(10 более устойчив, чем HgO (Л/Я = = —90,9 кДж/моль) [c.94]

Электронные эффекты заместителей, оцененные как качественно, так и количественно, на основе квантовохимических расчетов отражают влияние заместителя на энергию связи протона в изолированной молекуле в статических условиях и сопоставимы с изменением энтальпии ионизации в газообразном состоянии при абсолютном нуле. Кислотная диссоциация веществ протекает в растворе с участием растворителя константы кислотной диссоциации обычно определяют при 25° С. Величины констант диссоциации отражают изменение стандартного изобарно-изотермического потенциала при диссоциации в растворе. В ходе кислотной диссоциации устанавливается динамическое равновесие между протонированной и депротонированной формами, поэтому влияние электронных эффектов заместителей следует изучать на обеих формах. Отсюда можно заключить, что корреляция электронных эффектов лиганда с кислотными свойствами комплексов не достаточно строга. Все же такого рода сопоставления могут быть сделаны при соблюдении ряда условий 1) если производить относительное сравнение кислотных свойств в серии однотипных соединений с близкими изменениями энтропий диссоциации 2) если в выбранной серии вклад гидратационного члена в величину ДС° примерно постоянен. При этом одна из кислот принимается за стандарт и оценивается изменение диссоциации других [c.74]

Вместе с тем нужно обратить внимание и на черты сходства всех элементов подгруппы П1А. Из рис. 3.16 а, на котором пред- тавлена зависимость стандартных энтальпий образования кристаллических галогенидов рассматриваемых элементов от их порядкового номера, видно, что эта зависимость сложная и вместе с тем она однотипна для разных соединений. Поэтому сопоставление значений Л// для любых двух рядов галогенидов должно привести к зависимости, близкой к прямолинейной об этом свидетельствует рис. 3.16 6. Галв1гениды бора в данном сопоставлении исключены, поскольку это соединения элемента второго периода,они выпадают из общей закономерности. Кроме того, в отличие от других представленных на рис. 3.16 6 веществ. ВРз и ВС1з при [c.348]

Указанный критерий может применяться только для достаточно однотипных веществ, а случайная близость Ср, 293 у веществ мало однотипных или неоднотипных не дает никаких оснований для применения описанного упрощенного пути расчета. Следует заметить также, что рассмотренные закономерности в изменении значений as и ан относятся только к отношению высокотемпературных составляющих энтропии и энтальпии, но не к 8т и не к Н°т — Яо. Для соединений, достаточно однотипных, ббычно можно принять приближенно aH = as и в уравнениях (III, 32)—(III, 37). В табл. III, 15 и III, 16 представлены данные, характеризующие применимость уравнений (111,33) и (111,36) при этом допущении и слабое изменение отношения сравниваемых функций с температурой. [c.116]

Последнее ограничение связано с индивидуальными особенностями низкотемпературной составляющей теплоемкости некоторых простых веществ (С, В,. . .) и соединений этих элементов. Это приводит к различию в температурной зависимости энтальпии, энтропии и других термодинамических свойств. Граница таких усложнений неодинакова. Большей частью она лежит ниже 298 К, но приходится встречаться с проявлением влияния усложнений и при более высоких температурах, в особенности для соединений углерода, бора и кремния. Поэтому соотношения между 5г—5298 или между Н°т — Я298 однотипных веществ в кристаллическом состоянии часто бывают более закономерными чем между их 8т или между Н°т — Н°о, а иногда лучшие результаты дает сопоставление 5г - 5г. или Нт - Нт, при > 298 К. [c.126]

Вместе с тем нужно обратить внимание и на черты сходства всех элементов подгруппы IIIA. Из рис. 3.13а следует, что зависимость стандартных энтальпий образования кристаллических галогенидов рассматриваемых элементов от их порядкового номера сложная и вместе с тем она однотипна для разных соединений. Поэтому сопоставление значений А//° для любых двух рядов галогенидов должно привести к зависимости, близкой к прямолинейной, [c.359]

Значение Кр для разных систем изменяется в широких пределах (от 10 до 10 ). Для ряда микрокомпонентов, соосаждающихся с одним и тем же макрокомпонентом, значения Кр коррелируют с энтальпией сублимации, стандартным электродным потенциалом и др. св-вами кристаллов микрокомпонента. Коэф. Кр сложным образом зависит от т-ры и состава р-ра, скачкообразно меняется при полиморфном превращении твердой фазы осадка, при изменении степени окисления элемента, образующего микрокомпонент. Согласно эмпирич. правилу Фаянса-Па-нвта) значение Кр достаточно велико, если микрокомпонент образует с ионами осадка противоположного знака малорастворимое или слабодиссоциирующее соединение. Согласно правилу Хана, значение Кр достаточно велико, если микро- и макрокомпоненты изоморфны или изо-диморфны. По правилу Руффа Х>1, если р-римость кристаллов микрокомпонента меньше, чем макрокомпонента, и наоборот. При сокристаллизации понных диэлектриков значение Кр велико, если микро- и макрокомпоненты имеют однотипные хим. ф-лы, а их кристаллы изоструктур-ны с параметрами решетки, различаюпщмися менее чем на 5% (правило Гримма). По правилу Юм-Розери из металлич. расплавов с большим Кр , сокристаллизуются изоструктурные в-ва, если межатомные расстояния в их кристаллах различаются не более чем на 15%. [c.385]

В работе систематизированы важнейшие данные по кристаллическому строению, полиморфизму и изоморфным отношениям широкого круга структурных аналогов кремнезема двуокиси германия, фосфатов, арсенатов и ряда других соединений. Выявлено закономерное изменение основных физико-химических свойств в рассматриваемых рядах однотипных веществ. На примере изоэлектронной пары модельных веществ (ЗЮг и А1РО4) демонстрируется проявление глубокой аналогии в изменении их важнейших свойств плотности, рефракции, энтальпий образования, постоянных решетки, последовательности полиморфных превращений кристаллических фаз и т. д. Предлагается развернутая кристаллохимическая систематика аналогов кремнезема с делением полиморфов на группы с четверной и шестерной координацией атомов в кристаллических фазах. Намечаются перспективы дальнейшего сравнительного физико-химического исследования структурно-стехиометрических аналогов кремнезема. Лит. — 51, ил. — 5, табл. — 6. [c.293]