Иглы, рост

Недостатками электролитических осадков олова, которые наиболее заметно проявляются при покрытии меди и ее сплавов, являются самопроизвольный рост кристаллов олова в виде игл или усов, а также потеря способности его к пайке после хранения. [c.388]

Такая зона может быть промежуточной, а может распространиться и на весь расплав. При условии концентрационного переохлаждения происходит разрушение плоского фронта образования твердой фазы. Рост кристаллов становится ускоренным и хаотичным в виде игл (дендритов). В таком случае кристаллический слой начнет захватывать большое количество жидкой фазы. Эффективность процесса резко снижается (см. 17.1.2). Однако даже в этой зоне под действием разницы температур возникает дополнительный эффект очистки за счет диффузии примеси и оттеснения ее растущими кристаллами. [c.29]

При отведенном электроде напряжение между ним и заготовкой превышает заданное напряжение. Это соответствует сигналу управления на катушке РДР, который вызывает на игле рост усилия, направленного вниз и соответственно увеличение давления управления в камере над золотником РДР. [c.506]

Из-за неровностей и трещин, имеющихся на гранях, ребрах и углах кристаллов, их поверхностная свободная энергия распределяется неравномерно. Присоединение молекул из раствора при росте кристаллов происходит прежде всего по углам и ребрам, на которых поверхностная энергия максимальна. При росте граней кристаллов исчезают те из них, которые имеют большую скорость роста, т. е. обладают повышенной энергией. В случае регенерации деформированных кристаллов по той же причине, прежде всего рост начинается с острых вершин и ребер поврежденных мест. При быстрой кристаллизации из растворов часто образуются иглы или дендриты, что объясняется быстрым ростом мест с наибольшей энергией. [c.107]

При возникновении отбора газа давление в коллекторе 34 снизится, импульс снижения давления будет передан на мембрану клапана 25, который откроется, и пары сжиженного газа поступят к соплу малого инжектора. При дальнейшем росте расхода газа включается в работу командный прибор 31, импульс от него передается мембранному приводу игольчатого клапана малого инжектора, который перемещает иглу, увеличивая сечение сопла инжектора. Когда производительность малого инжектора достигнет максимальной, перепад на дроссельной диафрагме 23 будет достаточным для открытия запорного клапана перед средним инжектором. [c.210]

Специфика роста кристаллов синтетического кварца заключается в выращивании не на точечных, а на пластинчатых затравках, Необходимость использования таких затравок связана с тем, что во всех обследованных физико-химических условиях синтеза кристаллы кварца практически не нарастают по граням т гексагональной призмы. Из точечной затравки образуется кристалл в виде иглы, вытянутой вдоль оси 2, с поперечным сечением, равным сечению гексагональной призмы, описанной вокруг этой затравки. [c.19]

Наибольшее влияние на габитус кристаллов оказывает температура синтеза. При прочих равных условиях тонкие прозрачные для электронного пучка волокна синтетического муллита получаются только при низких температурах. С увеличением температуры толщина кристаллов возрастает, а степень волокнистости уменьшается. Анализ точечных электронограмм муллита показал, что они соответствуют в большинстве случаев плоскостям (110), (010) обратной решетки и, следовательно, отвечают плоскостям кристаллической решетки с теми же индексами (для ромбической сингонии индексы соответствующих плоскостей прямой и обратной решетки имеют с точностью до постоянного множителя одинаковые значения). Расчет точечных электронограмм дает следующие значения параметров а = 0,754 нм и с = 0,2982 нм, что характерно для муллита. Дифракционные картины муллита содержат запрещенные рефлексы. На рис. 51, г представлено сечение (ЛО/) обратной решетки муллита. Для этого сечения характерны четкие отражения 002, 200, 400 и т. д. Наблюдаются запрещенные диффузные рефлексы. На точечных электронограммах, отображающих сечения (ПО) обратной решетки муллита, запрещенные рефлексы расположены в центре прямоугольника, образованного рефлексами 00/ и кШ. Электронно-микроскопическое исследование показывает, что независимо от физико-химических условий синтеза иглы муллита являются монокристаллами с осью роста С. 154 [c.154]

Наиболее распространенным конструктивным исполнением щетки является брусок - прямоугольный параллелепипед или цилиндр. Щетка обычно взаимодействует с цилиндрической поверхностью вращающейся детали или кольца (рис. 4.3). Одним из факторов, влияющих на износостойкость контакта, является скорость V относительного перемещения контактных элементов (см. рис. 4.2), причем с ростом V интенсивность изнашивания также возрастает. Для повышения долговечности путем снижения V используют торцевые токосъемники, в которых щетка выполняется в виде заостренного стержня -иглы, расположенного соосно с вращающейся деталью и контактирующего либо непосредственно с ее торцевой поверхностью (рис. 4.4), либо с торцевой [c.468]

Кристаллы, растущие в виде игл и удлиненных призм, могут быть получены более или менее изометричными, если их помещать между двумя параллельными пластинами, ограничивающими рост кристаллов в длину. Это уже близко к выращиванию кристаллов в формах (см. дальше). [c.153]

Рост дендритов сопровождается световыми вспышками и частичными разрядами, которые фиксируются обычными индикаторами частичных разрядов [4, с. 87]. По мере увеличения длины дендритов амплитуда разрядов возрастает. Общая длина дендрита в начале его образования растет сравнительно быстро, затем рост замедляется и, наконец, перед пробоем вновь усиливается (см. рис. 92). Рост электрических дендритов ускоряется, если применять полые иглы, обеспечивающие отвод газа из ствола дендрита (рис. 93). По-видимому, частичный отвод газа имеет место и при обычных игольчатых электродах, если образец выдержать в течение некоторого времени без напряжения после такого отдыха рост дендритов ускоряется. Длина ветвистых побегов увеличивается с повышением температуры (см. рис. 92) и зависит от полярности иглы положительному потенциалу иглы соответствует большая длина дендрита, чем отрицательному. [c.148]

Существенное влияние на скорости зарождения и роста, а также форму кристаллов оказывает вязкость жидкой фазы. С ее увеличением скорости гюз и Ил снижаются и, как правило, образуются кристаллы неравновесной формы (в виде игл, дендритов и т. п.). [c.46]

Изучение противовирусной активности проводили в НИИ эпидемиологии и микробиологии НАН Белоруси (Минск). Определение токсичности исследуемых соединений и их антивирусной активности проводили в культуре, которая перевивалась с клеток почки зеленой мартышки - BGM в логарифмической фазе роста культуры (третьи сутки ш vitro). В качестве ростовой среды использовали Даль-беко модифицированную среду Игла (ДМЕМ) с 10% эмбриональной сывороткой крупного рогатого скота и добавлением антибиотика гентамнцина в дозе 100 мкг/мл. Противовирусную активность препаратов по отношению к РНК-содержащим вирусам Коксаки БЗ (Nan y), ЕСНО-30, и ДНК-содержащего вируса простого герпеса [c.284]

Как известно, наличие цепей вызывает при образовании упорядоченного расположения звеньев внутренние напряжения в полимере, которые в конце концов ограничивают рост кристаллов. Однако до сих пор никак не учитывалось, что появление внутренних напряжений должно отражаться также и на форме кристаллов. Быстрее будут расти те формы, которые вызовут меньшие внутренние напряжения. Такими формами являются, как это совершенно очевидно, пластинчатые и игольчатые формы. Б этих случаях цепь, пронизывая пластинку или иглу (в поперечном направлении), может участвовать очень малой своей частью в кристаллическом образовании, оставаясь относительно свободной в других своих частях. Таким образом, развивающаяся кристаллизация приводит к минимуму внутренних напряжений и к наилучшим условиям для их релаксации. [c.92]

Получение фталевого ангидрида. Фталевый ангидрид получают путем окисления нафталина или о-ксилола воздухом в паровой фазе в присутствии катализатора (пятиокиси ванадия). Выходящий из реактора поток с парами фталевого ангидрида обычно охлаждают воздухом в прямоугольных камерах, при этом фталевый ангидрид выкристаллизовывается в виде длинных игл (игольчатых кристаллов). По мере роста кристаллов они падают на дно камер и периодически удаляются. [c.341]

Природа среды оказывает влияние и на размер кристаллов, а также на скорость их роста. Д. Л. Гольдштейн, 3. В. Векслер и Г. Е. Журавлев [И] показали, что кристаллы парафина, выделенного из топлива, значительно больше этих же кристаллов, находящихся в топливе длина кристаллов парафина составляет в син-тине 3—4 мк, в топливе из сураханской нефти 9—12 мк, а в топливе из грозненской парафинистой 20—30 мк. С уменьшением концентрации высокоплавкого углеводорода в топливе размеры кристаллов увеличиваются. Для 10%-ного раствора цетана размер кристаллов достигает 10 мк, для 5%-ного раствора — 30 мк и для 2%-ного — 35 мк и больше [3]. Кристаллизация парафина из высокозастываю-щих дизельных топлив начинается из многих центров с образованием игольчатых кристаллов размером в среднем около 5 мк, которые сравнительно быстро растут, образуя характерную сетку с иглами длиной 10—16 мк. Кристаллизация парафинов в низкозастывающих топливах носит иной характер — кристаллы образуются из немногих центров, растут значительно медленнее, достигая длины 16—25 мк, и дают менее густую сетку. Кроме того, выделение кристаллов парафина начинается при температуре на 5—10° выше температуры застывания топлива [3]. [c.219]

По теории Гориути — Поляни при /д=сопз1 с ростом энергии связи Ме—Н (рис. 159, а) ширина потенциального барьера должна уменьшиться н вероятность туннелирования через него возрасти, т. е. с ростом Уме-н следует ожидать увеличения предэкспоненциального множителя К. По теории реорганизации растворителя с ростом игле-и ДОЛЖНО уменьшаться перекрывание волновых функций протона (рис. 159, б), а следовательно, уменьшаться К. Опыт показывает уменьшение К с ростом энергии связи металла с водородом. [c.290]

Дисперсность осаждаемого покрытия не определяет однозначно его характер. Очечь важно, чтобы образовавшиеся на поверхности покрываемого металла кристаллы росли слитно и компактно, а не в виде одиночных островков, вырождающихся обычно в иглы или дендриты, или в виде беспорядочного губчатого образования кристаллов (состоящего обычно из микро-дендритов). При нормальном росте осадка происходит срастание маленьких групп кристаллов, образуется конгломерат кристаллитов. Группы кристаллов распространяются и вдоль поверхности, сращиваясь и при этом образуя сплошной осадок. [c.364]

Чем меньше материала для роста, т. е. ниже концентрация ионов, находящихся в приэлектродном слое, тем тоньше иглы, из которых состоят ветви дендрита, тем больший сдвиг катодного потенциала в отрицателыную сторону и вероятней зарождение новых центров кристаллизации на других направлениях и их развитие в форме игл дендрита. Поэтому дендриты обыкновенно расположены не параллельно, главные оси их перекрещиваются во всевозможных йаправлениях. [c.382]

Маклаклан считает, что координирование роста шести лучей можно объяснить существованием термических и акустических стоячих волн в кристалле. По мере того как снежинка растет путем наслаивания молекул воды на первоначальный зародыш кристаллизации, она совершает тепловые колебания в температурном интервале 250-273 К. Движущиеся молекулы воды ударяют по зародышу, и некоторые отскакивают от него, а те, которые остаются, способствуют его росту. Разветвление происходит в местах с высокой концентрацией молекул воды. Если изначальный зародыш льда имеет гексагональную форму, показанную на рис, 2-38, <з, и условия благоприятствуют росту дендри-тов, го шесть угловых позиций будут получать больше молекул воды и будут выделять больше скрытой теплоты кристаллизации, чем остальные участки. Развитие дендрита, вытекающее из подобных условий, показано на рис. 2-38,6. Следующая стадия развития снежинки-это образование нового набора дендритных ветвей (или лучей), которые определяются характером колебаний вдоль иглообразных лучей снежинки. Считается, что длинные иглы, показанные на рис. 2-38, й, состоят из совокупности молекул, которые соответствуют структуре льда. Молекулы совершают колебания, и распределение энергии между колебательными модами находится под влиянием граничных условий. Когда одна из игл становится сильно перегруженной в некотором месте, в ней индуцируются продольные колебания, В узловых точках таких колебаний будут выбрасываться дендритные ветви, которые оказываются равноудаленными, как показано на рис. 2-38,г е. Как же стоячие волны в одной из ветвей взаимодействуют с себе подобными в других Такое взаимодействие осуществляется через центральную часть снежинки, в которой сходятся все лучи и через которую проходит ось симметрии. Это место сочленения ретранслирует все частоты колебаний, индуцируя те же самые узлы во всех лучах. Таким образом, Маклаклан утверждает, что дендритное развитие идет идентично во всех ветвях и оно не зависит от какой-либо выбранной ветви, для которой произошло изменение условии. [c.45]

Процессы замещения в земной коре разнообразны и многочисленны. Так, кварц замещается полевым шпатом, полевые шпаты —слюдами, хлоритами, сульфидами и т. д. П. И. Кутю-хин описал замещение горного хрусталя из Березовска айкини-том имеются признаки развития длинных и тонких игл рутила, а также сагенита — сетчатых двойниковых срастаний — в кристаллах горного хрусталя с Южного Урала. Установить замещение одного минерала другим трудно. Однозначно решается вопрос, когда замещающий минерал принимает кристаллографическую форму замещаемого индивида. При этом получается многогранник, структура которого не соответствует его огране-нию. Такие многогранники называются псевдоморфозами (ложные формы). Особенно часто встречаются псевдоморфозы лимонита, образовавшиеся за счет пирита, т. е. псевдоморфозы лимонита по пириту. Менее надежный способ — наблюдение за формированием иноц одных минералов по ослабленным направлениям в кристаллах, например по трещинам. Вторичные включения секут при этом зоны роста кристалла. [c.39]

Бесцв. иглы. Раств-сть р. разб. шел. о.п.р. ЕЮН н.р. HjO, H I3. Включается в ДНК и в меньшей степени в РНК. После включения ингибирует синтез ДНК. Ингибирует рост неоплазмы (новообразований) и микроорганизмов. [c.224]

Еще в начале XX в. было найдено вещество, стимулирующее рост дрожжей. Оно было названо биотином. В 1936 г Р. Кегль вьщелил из яичного белка и получил биотин в кристаллическом состоянии. В 1939—1940 гг вышла серия работ П. Гиорги, посвященная пищевому фактору, необходимому для защиты от токсичного действия сырого яичного белка, а также от дерматита. Этот фактор оказался витамином, который был назван витамином Н. Структура его была идентифицирована в 1942 г. А. Дю Виньо, который получил этот витамин в кристаллическом состоянии, после чего выяснилось, что биотин идентичен витамину Н. Кристаллы биотина бесцветны, имеют форму игл и температуру плавления 220 °С. Биотин хорошо растворим в спирте и в воде. Молекула биотина состоит из имидазольного и тиофенового колец, боковая же цепь представлена остатком валерьяновой кислоты. Биотин в продуктах встречается в виде а- и (3-форм. Витамин Н, вьщеленный из яичного желтка, является а-би-отином, а из молока или печени — р-биотином. [c.130]

Для диагностики микозов применяются микроскопические (в том числе гистологические), микологические (культуральные), аллергические, серологические, экспериментальные, молекулярно-биологические и другие методы исследования. Ввиду морфологического многообразия грибов, а также их медленного роста ведущее значение в диагностике микозов имеют морфологические методы обнаружения и идентификации возбудителя. В зависимости от клинических проявлений болезни исследуемым материалом служат пораженные волосы, чешуйки кожи, кусочки ногтей, кожные и ногтевые скарификаты, гной, мокрота, пунктаты лимфатических узлов, костного мозга, внутренних органов, кровь, спинномозговая жидкость, желудочный сок, желчь, испражнения, кусочки тканей, полученные при биопсии или аутопсии, и др. Материал берут по возможности из очага инфекции при соблюдении правил асептики эпиляционным пинцетом, скальпелем, препаровальной иглой, лезвием бритвы, ножницами, ложечкой Фолькмана, пастеровской пипеткой и др. Тампонами материал стараются не брать. Чтобы лучше рассмотреть пораженный участок, можно пользоваться лупой, у больных микроспорией — люминесцентной лампой, в лучах которой пораженные волосы имеют изумрудно-зеленое свечение. При подозрении на поражение дерматофитами ногти обрабатывают 70%-м этанолом для инактивации и удаления наружной (сопутствующей) микрофлоры, состригают и в сухом контейнере доставляют в лабораторию. Патологический материал следует брать в количестве, достаточном для [c.311]

Электризация в коронном разряде проводится, как правило, с применением управляющей сетки, потенциал которой Ос = 100 В и более задает электретную разность потенциалов зарял<аемой пленки при потенциале коронирующего электрода (иглы или системы игл) относительно поверхности диэлектрика Ок, составляющем несколько киловольт. В этом случае также наблюдается экспоненциальный рост Пз во времени. Простота способа зарядки в коронном разряде обеспечивает широкое его использование в промышленности при производстве электретных мембран, а также в ксерографии [2, с. 45]. [c.192]

Заслуживает внимания работа Сенксена [16], особенно в связи с тем, что некоторые наблюдения автора имеют общее значение для методики электронно-микроскопических исследований. Автор изучал рост тонких слоев КС1, испаряемых с вольфрамовой иглы (или спирали) на поверхность скола монокристалла КС1. После напыления первого слоя получалась относительно гладкая, согласно электронно-микроскопическим наблюдениям, поверхность, местами были заметны лишь [c.213]

При этом значительно изменяются соотношения между основными группами углеводородов, входящими в состав вяжущего. Увеличение количества асфальтенов (табл. 1.23) ведет к повышению теплостойкости, резкому падению содержания смол, что обусловливает малую растяжимость при 25°С. Рост количества парафино-нафтеновых углеводородов расширяет интервал пластичности и улучшает деформатив-ные свойства битума при отрицательных температурах (достаточно низкая температура хрупкости и высокий показатель глубины проникания иглы при 0°С). Наряду с этим уве- [c.52]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология