Плотность состояний зависимость от концентрации электронов

Рис. 6. Приблизительная зависимость плотности состояний на поверхности Ферми N Е) от средней концентрации валентных электронов на атом с для переходных металлов первого большого периода и их сплавов [5]. Рассматривается парамагнитное состояние железа, кобальта и никеля.

Рис. 7. Приблизительная зависимость плотности состояний на поверхности Ферми N (Е) от средней концентрации валентных электронов на атом с для переходных металлов второго большого периода [5].

Если предположить, что структура энергетических зон нитридов ниобия и циркония подобна, то разница концентрации валентных электронов в них будет сказываться в основном в различной степени заполнения энергетической зоны. Предполагаемая теорией БКШ [3] связь между и плотностью электронных энергетических состояний у поверхности Ферми дает основание предположить, что различие характера концентрационной зависимости Гк в областях гомогенности ZrN и NbN отражает особенности хода кривой плотности состояний у поверхности Ферми при заполнении энергетической зоны, непрерывно возрастающей от ZrN до NbN стехиометрического состава и имеющей максимум при электронной концентрации между [c.160]

Сравнение выражений (2.18) и (2.21) показывает, что оба приближения дают для химических потенциалов электронных дефектов качественно одинаковый результат — логарифмическую зависимость от концентраций. Отличие состоит в том, что в приближении широких зон (2.21) отсутствует вибрационный член, обусловленный изменением частот колебаний соседних атомов, что вполне естественно при нелокализованном характере распределения зарядов электронных дефектов. Вместо него в формулах (2.21) содержится член, определяемый эффективной плотностью состояний Ы и отражающий волновые свойства электронов. [c.64]

Спектры поглощения частиц обусловлены электронными переходами из основного состояния в возбужденное, а спектры их люминесценции — электронными переходами из возбужденного состояния в основное. Спектры поглощения представляют в виде зависимости величины поглощения от частоты или длины волны. Величина поглощения может быть выражена процентом пропускания (Г, %), оптической плотностью (А) или коэффициентом молярного поглощения (е). При представлении спектра поглощения в виде кривых Т, % =/у), А =Ду) или Т, % =Х ), А =/Х) указывают толщину поглощающего слоя (1) и концентрацию вещества (с). Спектры люминесценции представляют в виде зависимости интенсивности люминесценции (I) от частоты или длины волны излучения. [c.500]

Корреляция с концентрацией валентных электронов (квэ), впервые предложенная Бильцем [53], позволяет предположить, что Тс зависит от общего числа валентных электронов (электроны вне заполненной оболочки), переходного элемента и углерода (или азота). Карбиды и нитриды с кристаллической структурой 51 и квэ, равной 8, имеют Тс менее 1 К с квэ 9 — высокие Тс (ЮК) и с квэ, близкой к 10, — очень высокие Тс (>10 К) [55]. Эта зависимость позволяет предположить, что карбиды металлов одной группы должны иметь сверхпроводящие свойства, аналогичные сверхпроводящим свойствам нитридов металлов предыдущей группы. Следовательно, стехнометрические карбиды Nb и ТаС, и нитриды ZrN и HfN имеют сравнимые Тс. Такая же корреляция, очевидно, имеет место и для Не, и многих других параметров, которые характеризуют сверхпроводящие свойства. Успешное применение этой закономерности, вероятно, можно объяснить тем, что плотность электронных состояний, как это показывают измерения Y, также хорошо коррелирует с квэ. Более подробно корреляция между электронной структурой и квэ рассматривается в гл. 8. [c.232]

Линейная зависимость яркости от глубины проникновения электронов ( 8) и близкая к линейной зависимость её от плотности тока показывают, что до известных пределов число возбуждённых состояний в единице объёма люминофора пропорционально концентрации образующихся в материале вторичных электронов. Отсюда, в первом приближении, каждый поступающий первичный электрон производит в решётке кристалла свой независимый эффект. Нарушение линейности с возрастанием плотности тока есть результат перекрытия во времени и в пространстве тех элементарных объёмов, в пределах которых возможно независимое действие возбуждающих электронов. Оно прямо связано с числом и природой излучающих центров решётки и с условиями транспортировки энергии в кристалле. В тех люминофорах, где в силу особенностей структуры эффективный радиус излучающего атома мал (марганец в силикатах), повышение концентрации активатора уменьшает насыщение, а добавка гасящих примесей оказывает мало влияния. Обратная картина имеет место в полнокристаллических сульфидах. Здесь эффективный радиус действия активатора велик малого числа излучающих атомов достаточно для обслуживания крупных блоков решётки. Дополнительное повышение числа атомов активатора не оказывает влияния на насыщение, а малые примеси, наоборот, выводят из строя большое количество излучающих центров. [c.92]

На этой предпосылке основаны корреляции Бильца и Демпси. Идея о том, что почти все карбиды и нитриды можно описать в модели жесткой полосы , положение уровня Ферми в которой изменяется только в зависимости от электронной концентрации или электронного перехода, находит обоснование в поведении стехиометрических карбидов и нитридов. Как показывают данные табл. 56, величины у стехиометрических карбидов металлов V и нитридов металлов IV групп, карбидов металлов VI и нитридов металлов V групп соответственно почти равны. Именно эти результаты и обеспечили успех представления об изоэлектронности при коррелировании свойств с плотностью электронных состояний вблизи уровня Ферми в стехиометрических карбидах, нитридах и карбонитридах. Для нестехиометрических карбидов и нитридов это предположение не выполняется. Хотя данные о нестехиометрических нитридах весьма ограниченны, все же известно, что изменение их свойств с отклонением от стехиометрии противоположно тому, какое имеет место для нестехиометрических карбидов. Кроме того, исследования рентгеновских спектров показывают, что зонные структуры карбидов и нитридов очень различаются. Следовательно, можно сделать вывод, что рассматриваемое предположение несправедливо. [c.202]

В частности, выяснилось, что на зависимостях N(Е) для всех рассмотренных карбидов при концентрации валентных электронов V (8,0—8,4) эл/мол. МеС обнаруживаются глубокие мииимумы. Ниже минимумов располагаются р — d-связующне полосы с высокой плотностью состояний, в основном формирующиеся за счет р-и d-орбиталей атомов углерода и металла соответственно (с преобладающим вкладом у состояний). При этом на орбиталях атома углерода акцептируется от 4,5 (для V ) до 5,3 (для Zr , Hf ) электрона. Следует, однако, заметить, что полученные данные не позволяют оценивать ионность связей из-за значительной (в сравнении с межатомными расстояниями) протяженности орбиталей. Более того, как отмечалось ранее, судя по результатам, полученным методом ППВ для Ti [6, 9], ионность связей невелика и зависит [c.273]

На рис. 1.50, б представлена диаграмма общей плотности состояний. Заштрихованная часть диаграммы отвечает полностью заполненным одноэлектронным уровням. Добавление в структуру графита дополнительных электронов будет приводить к заполнению верхней части зонной структуры, образованной за счет разрыхляющих я -взаимодействий. В этом случае следует ожидать значительного ослабления взаимодействия между находящимися в одной гексагональной плоскости атомами углерода. Экспериментально это подтвердилось при исследовании интеркалля-ционных соединений графита Мд.С (М = К, С5), в которых электроположительные атомы щелочных металлов, размещающиеся между гексагональными слоями, служат поставщиками электронов в разрыхляющие состояния зонной структуры графита. На рис. 1.51 представлена экспериментальная зависимость межатомного расстояния С—С ( /) от концентрации в графите щелочного металла. Из графика видно, что по мере увеличения содержания металла и, следовательно, концентрации введенных в графит электронов происходит монотонное увеличение межатомного расстояния. Это [c.71]

Переносные свойства воздуха при высокой температуре могут быть вычислены путем использования уравнений, представленных в п. 10.2 и 10.6. Обычно начинают с определения равновесного состава газовой смеси, переносные свойства которой интересуют. Этот равновесный состав может быть определен путем применения методов статистической термодинамики, описанных в гл. 9. Это уже сделано многими авторами, получившими информацию о составе и термодинамических свойствах воздуха при температурах, изменяющихся от комнатной температуры до 24 000° К и при различных давлениях. На рис. 10.5 представлены кривые изменения молярной концентрации компонентов воздуха в зависимости от температуры в диапазоне температур от О до 15 000° К и при плотности, равной 10 от нормальной атмосферной плотности. Графики рис. 10.5 построены Моекелом и Вестоном 2) на основе вычислений, выполненных Гилмором з) для равновесного состояния воздуха. Из рис. 10.5 видно, что приближенно до температуры ниже 10000°К концентрация электронов (е ) и ионов (0+ и Ы+) будет недостаточной, чтобы оказывать влияние на вычисления переносных свойств при этой плотности. [c.396]

Важная роль электронной плотности на адсорбционно-активном гетероатоме, подтверждена в работах Антропова Л. И. [82, 83]. Найдена корреляция между защитной концентрацией алифатических аминов КННа, R2NH, ЙзЫ и величиной рКа, являющейся мерой основности амнна и зависящей от величины зарядов на атомах азота в свободном н адсорбированном состоянии. Эта зависимость имеет вид [c.46]

Специфика зависимости Д у от полярных констант а определяется особенностями влияния заместителей на распределение электронной плотности в молекуле. В случае бензальдегидов увеличение электронодонор-ных свойств заместителей вызывает повышение я-электронной плотности д в ароматическом ядре молекулы и неподеленной электронной плотности до на 0-атоме. В такой же последовательности наблюдается рост а молекул замещенных бензальдегидов (рис. 5, а) и концентрации С оксониевых катионов. Перечисленные факторы должны вызывать повышение адсорбируемости соединений, а следовательно, и нарастание значений Д у с увеличением нуклеофильных свойств К. При этом преимущественное влияние на положительную ветвь электрокапиллярной кривой оказывают факторы д , 0 и X, а на отрицательную —и С. При строгом рассмотрении количественной корреляции адсорбируемости ПАВ с величинами их дипольных моментов необходимо использовать значения Хв, отвечающие электроновозбужденному состоянию ПАВ перед адсорбцией. Значений для рассматриваемых ПАВ в изученных условиях в литературе нет. Однако известно наличие линейной корреляции между величинами 1 ж р,в, соответ- [c.20]

Во-вторых, существование корреляции структура — реакционная способность является свидетельством в пользу механизма общеосновного катализа [85]. В некатализируемой (или катализируемой водой) реакции аминов с эфирами скорость реакции обычно очень чувствительна к основности амина, так что зависимость log к от рК имеет наклон - 0,8. Это справедливо как для третичных аминов, так и для первичных и вторичных и означает, что удаление протона от нуклеофильного реагента в переходном состоянии не имеет существенного значения и что действие электронооттягивающих заместителей проявляется в уменьшении нуклеофильной способности за счет уменьшения электронной плотности на реакционном центре. С другой стороны, реакция спиртов с эфирами при нейтральных значениях pH обнаруживает обратную чувствительность к заместителям, а именно увеличение реакционной способности при повышении кислотности спирта. Последнее является следствием того, что активная частица — это анион спирта, и влияние электропооттягивающего заместителя сводится к увеличению равновесной концентрации аниона [уравнение (77)], что важнее, чем понижение им реакционной способности этого аниона [уравнение (78)] [c.178]

При большой степени ионизации адатомов (аЭ- ) теплоту испарения атомов можно определить из зависимости давления паров адсорбирующегося вещества Р от температуры катода Т в оптимуме S-образной кривой электронного тока ig/3=/(l/7 ) [334]. Этот оптимум соответствует приближенно началу десорбции адсорбированной пленки, т. е. условию Да = А т onst, где Па — поверхностная концентрация адатомов P — плотность их потока T iexp (—ql kT) —время жизни атомов в адсорбированном состоянии. Отсюда [c.32]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология