Энергетические уровни обозначения

Рис. 2. Схема энергетических уровней молекул для безызлучательного переноса энергии с триплетного на синглетный уровень Обозначения см. на рис. 1

Чему равно число энергетических подуровней для данного энергетического уровня Каким значением главного квантового числа характеризуется энергетический уровень, если он расщеплен на 4 подуровня Дайте их буквенные обозначения. [c.87]

Состояние электрона в атоме описывается четырьмя квантовыми числами. Первое квантовое число — главное (п) — характеризует величину энергии электрона (его энергетический уровень) и принимает любое положительное целочисленное значение от единицы до величины, соответствующей номеру периода, в котором находится данный элемент. Для обозначения энергетического уровня вместо цифр (1, 2, 3 и т.д.) используют также буквенные обозначения К, М, N ч т. д.) [c.10]

Исторически энергетическим уровням атомов были приписаны обозначения К, L, М, N,.... Эти обозначения используются и в настоящее время параллельно с указанием значений квантового числа п. Так,. К-оболочкой называют энергетический уровень, для которого и = 1, L-оболочкой— энергетический уровень с и = 2 и т.д. [c.76]

Главное квантовое число п определяет энергию электрона и степень его удаления от ядра оно принимает любые целочисленные значения, начиная с 1 (п = 1, 2, 3,. .., оо). Исторически энергетическим уровням атомов были приписаны обозначения К, Ь, М, N. О, Р. Эти обозначения используются и в настоящее время параллельно с указанием значений главного квантового числа п. Так, ДГ-оболочкой называют энергетический уровень, для которого п — 1, -оболочкой — энергетический уровень с п = 2 и т. д. [c.26]

Для описания электронного строения атомов в основном состоянии часто применяется условное обозначение их электронной конфигурации группами символов п/, где п—главное квантовое число, указывающее энергетический уровень электрона, /—орбитальное квантовое число подуровня (вместо него обычно указывается соответствующий символ 5, р, 4 или а X — число электронов на данном подуровне. Например, электронное строение атома лития описывается конфигурацией 1.5 25 . Приведем еще не- [c.82]

E-S) по сравнению с соответствующим энергетическим уровнем в отсутствие фермента. Появление в обозначениях буквы Е наводит на мысль, что скорость реакции в присутствии катализатора увеличивается. Если бы молекула S сильнее связывалась с Е, но понижала скорость химического превращения (т. е. если бы S был ингибитором), то уровень свободной энергии для (Е-S ) был бы ниже, чем для S, и, следовательно, энергетический уровень для (E-S) также лежал бы ниже, чем в случае S. В действительности же никакого увеличения скорости не наблюдается (для простейшей реакции одной частицы) [c.300]

Состояние электрона в атоме характеризуется четырьмя квантовыми числами n — главное, / — побочное, от — магнитное, — спиновое, определяющими соответственно энергетический уровень орбиты электрона, момент количества движения, орбитальный магнитный момент и магнитный момент электрона, обусловленный его вращением. Совокупность электронов с одинаковым главным спиновым -ЧИСЛОМ называют слоем, в котором электроны разделены на подгруппы — S, р, d, f. Число электронов в подгруппе указывают показатели степени при буквенном обозначении подгруппы. Например, атом фтора можно обозначить так Is 2s 2/0 . [c.18]

Напомним, что порядковый номер орбиты э,лектрона или его стационарное энергетическое состояние (энергетический уровень) определяется главным квантовым числом п=1, 2, 3, 4,..., оо, а возможные формы (круговая, эллиптическая) и размеры орбиты характеризуются вспомогательным квантовым числом 1=0, 1, 2, 3,..., п—1. Значения этого числа записывают в виде буквенных обозначений [c.70]

Были представлены доказательства хемосорбции кислорода на поверхности окиси цинка [31, 32]. Уровень энергии для первого электрона обозначен через Ез. Второй поверхностный энергетический уровень, связанный с адсорбцией и определенный по измерению электропроводности, как уже указывалось, лежит на 0,8 эв ниже зоны проводимости у поверхности. Было высказано предположение, что этот уровень связан с двукратной ионизацией адсорбированного кислорода. [c.319]

Энергетические уровни дефектов удобно обозначать таким образом, чтобы можно было быстро определить их атомную природу и характер ионизации. При этом возникают некоторые трудности. Дело в том, что положение энергетического уровня определяется энергиями присоединения или отрыва электронов от данного центра. Однако переход электрона на вакантный уровень или удаление электрона при освобождении занятого уровня изменяет состояние ионизации дефекта. Поэтому, строго говоря, один и тот же уровень энергии электрона в занятом и вакантном состояниях следует обозначать различным образом. Например, если занятый уровень нейтрального дефекта А -обозначен А , то тот же вакантный уровень следует обозначить А , где точка указывает на положительный заряд. Если энергетический уровень вновь образовавшегося центра А занят, этот уровень также нужно обозначить А . Необходимость использования различных обозначений для одного и того же уровня (в зависимости от его заполнения электроном) и одного и того же обозначения для разных уровней (а именно для пустого и занятого уровней дефекта в разных состояниях ионизации) вносит определенную путаницу. [c.154]

Сказанное можно дополнительно пояснить с помощью потенциальных кривых, общепринятых для обозначения подобного рода процессов. Изобразим на рис. 1 исходный энергетический уровень, на котором находятся частицы А и Ог до взаимодействия. При сближении этих частиц они должны испытывать общее для всех электронных систем взаимное отталкивание, а следовательно, подъем потенциальной энергии по некоторой кривой. С другой стороны, изобразим на том же рисунке конечное состояние партнеров после тушения, расположенное ниже исходного на величину электронной энергии возбуждения А. Если сближать частицы А и Оа, то они также будут отталкивать друг друга и приводить к подъему потенциальной энергии при их сближении, что изображено правой кривой. Левая и правая кривые пересекаются в некоторой области, образуя своеобразный пик, или потенциальный барьер, мешающий переходу системы слева направо, т. е. препятствующий процессу тушения. Для того чтобы имелась возможность беспрепятственного и плавного (адиабатического) перехода системы с левого уровня на более низкий правый, необходимо, чтобы в переходной области тесного соприкосновения частиц, т. е. в переходном комплексе АОз, имело место [c.75]

Азимутальное квантовое число I определяет момент количества движения электрона, принимающий только квантованные значения I характеризует энергетические подуровни (электронные подслои), составляющие уровень (слой) п, и принимает столько значений, чему равно п, т. е. от О до (га - 1). Так, при п = 4 (для четвертого уровня) I может иметь 4 значения 0 1 2 и 3, т. е. этот уровень состоит из четырех подуровней. Используя обозначения, Еринятые в спектроскопии, подуровень с I = О называют подуровнем (подслоем) с / = 1 — р-п одуровнем с I = 2 — ё-п одуровнем с / = 3 — /-подуровнем (и далее по алфавиту). Обычно в атомах значения I не превышают 2—3. [c.39]

На рис. 4 помещена диаграмма возможных энергетических уровнен молекул в какой-либо системе. Через — . п min обозначен уровень минимальной полной потенциальной энергии. Переведем мысленно одну молекулу с — п. п min на более высокий уровень E Для этого необходимо затратить работу, равную увеличению полной потенциальной энергии. Такой процесс сопровождается поглощением тепла [c.36]

Указаны главное квантовое число и буквенное обозначение орбитали высшего энергетического уровня. Поскольку все перечисленные конфигурации включают только один электрон за пределами замкнутой оболочки, спиновая мультиплетность всех уровней равна 2, а I численно совпадает с /. Таких уровней не существует. " Отрицательная величина означает, что уровень с + 1/2 расположен ниже уровня с — 1/2. [c.171]

Чтобы предсказать вид спектров, когда /гvoиметь сведения о волновых функциях состояний, по которым можно определить вероятности переходов. Для обозначения энергетических уровней будем использовать приведенные на рис. 6 квантовые числа, равные проекциям спинового момента состояния с данными энергетическим уровнем в высоких полях. В низких полях они не отражают истинного вида спиновых функций данного состояния. Так, для частного случая 0 = 0°, когда наблюдается пересечение уровней, состояние с самой низкой энергией будет — /г, тогда как при низких полях им оказывается состояние —Следующий по величине энергии уровень будет обозначаться — /2 и т. д. (рис. 6). Состояние — 2 состоит в основном из спиновой функции с квантовым числом Мд=— /г (направление квантования вдоль магнитного поля), но в слабом магнитном поле оно становится смесью спиновых функций с Мд = 1/2, квантованных вдоль оси г молекулы. Аналогичным образом в слабом поле состояние —V2 становится смесью спиновых состояний /2, квантованных вдоль оси г [c.368]

Каждому многократному терму, например Рол.2. сопоставляют один энергетический уровень атома, а каждому терму этой совокупности в отдельности, например — подуровень . Энергетические подуровни атома, соответствующие какому-либо одному из многократных термов, лежат в случае лёгких атомов близко один от другого. Наличие подуровней приводит к расщеплению (мультиплетности) спектральных линий. Так, главная спектральная серия щелочных металлов (l —тР по старому обозначению) распадается на две близкие одна к другой последовательности спектральных линий [c.430]

Поверхность и объем полупроводника при установившемся электронном равновесии имеют общий уровень Ферми РР (рис. 35), т. е. одинаковый электрохимический потенциал. Однако вследствие искривления зон положение уровня Ферми в энергетическом спектре кристалла (его положение относительно энергетических зон) будет, вообще говоря, различным при различной степени удаления от поверхности. Положение уровня Ферми мы будем характеризовать его расстоянием от потолка валентной зоны, которое обозначим через или расстоянием от дна зоны проводимости, которое обозначим через е (рис. 35). Очевидно, += е+(х) и = е (х), причем г х) + г х) = и, где и — ширина запрещенного участка между зонами. Примем обозначения [c.94]

Энергетические уровни с орбитальными квантовыми числами больше I = 3 никогда не встречаются в спектрах свободных атомов в нормальном состоянии, даже в случае наиболее тяжелых элементов. Введение сокращенных символов S, р, d VL f для числовых значений I позволяет кратко и точно определить тип связи электронов у атомов всех элементов. Для этого перед символом числового значения орбитального квантового числа ставят значение главного квантового числа, характеризующего данный уровень. Число электронов в атоме, находящихся на уровне, характеризующемся данными значениями главного и орбитального квантовых чисел, если оно больше единицы, пишут в виде верхнего индекса у символа орбитального квантового числа. Если электроны расположены на различных энергетических уровнях, то символические обозначения этих уровней просто записывают один за другим. [c.130]

Рассмотрим элементарные процессы, лежащие в основе фотопроводимости, с помощью схемы уровней энергии, изображенной на рис. 2. Левая часть схемы (а) относится к красителю с электронным типом проводимости. Поглощение кванта света Лv переводит молекулярный центр кристаллической решетки на синглетный возбужденный уровень Г, с которого часть молекул возвращается на исходный уровень в результате дезактивации. Но часть молекул отщепляет от себя электрон путем перехода его на энергетически более низкий уровень триплетной зоны проводимости, обозначенный на рисунке 2 Г. Этот переход (рис. 2, стрелка 1) аналогичен переходу на триплетный уровень, совершающемуся в изолированной молекуле и приводящему к появлению фосфоресценции. Из той зоны он сразу спускается на сравнительно глубокие уровни прилипания, обеспечиваемые соседними молекулами (стрелка 2). Таким образом, после первичного светового воздействия проводимость осуществляется термической активацией переходов с уровней прилипания в зону проводимости (стрелка 3). Глубина уровней захвата, расположенных ниже дна зоны проводимости, определенная из температурной зависимости скорости затухания темновой проводимости после выключения света и скорости нарастания фотопроводимости, оценивается в 1.0 эв (1.1 эв для родамина Б, 0.76 эв для фуксина [19]). Из температурной зависимости предельного значения насыщения фотопроводимости Вартанян получил для ряда красителей несколько меньшие значения 0.4—0.7 эв. [c.324]

Орбитальное (побочное, нли азимутальное) квантовое число I определяет орбитальный момент количества движения электрона уИ= - //(/+1) и характеризует форму электронного облака. Оно принимает все целочисленные значения от О до ( — ). Каждому п соответствует определенное число значений орбитального квантового числа, т. е. энергетический уровень представляет собой совокупность энергетических подуровней, несколько различающихся по энергиям. Число подуровнрй на которые расщепляется энергетический уровень, равно номеру уровня (т. е. численному значению п). Эти подуровни имеют следующие буквенные обозначения [c.36]

Электроны, обозначенные пунктирной стрелкой, способны при возбуждении разобщаться и переходить на другой энергетический уровень. Вследствие сближенного расположения энергетических уровней 3 d, 4 S и 4 р, т. е. близости свойств электронов, они могут легко размещаться по ним при условии наличия вакантных состояний даже при слабом возбуждении. Поэтому потенциальная валентность железа в возбужденном состоянии может достичь 8 единиц (Троицкий, 1960). У переходных металлов характер связи определяется числом неспаренных электронов. При образовании комплексов они могут давать их различающимися по числу неспаренных электронов комплексы со спаренными спинами [Ре(СЫ)б] и неспаренными спинами [FeFe] . В первом случае заполняются вакантные места в орбитах 3 йн частично 4 р. Во втором орбиты d слоя 3 остаются с неспаренными электронами и занимают вакантные места орбит 4-го слоя (Falk, 1964). Возможность спаривания спинов в комплексах металлов определяют в основном два фактора а) низкая электроотрицательность и легкая поляризуемость атома донора и б) способность части атомов металла давать и аддендов принимать электроны с образованием донорных ( х— х d-к- Рти ) связей (Nyholm, 1958). [c.27]

В энергетическом спектре кристалла хемосорбированным атомам О и радикалам ОН соответствуют акцепторные локальные уровни, изображенные в левой части рис. 10. В правой части этого рисунка изображена скорость реакции т как функция положения уровня Ферми е. По. мере снижения уровня Ферми реакция уско1ряется, достигает при некотором достаточно низком его положении своего максимума и при дальнейшем его снижении начинает затормаживаться. В области, обозначенной на рис. 10 цифрой /, все факторы, сдвигающие уровень Ферми вниз (например, акцепторная примесь, вводимая внутрь кристалла), промотируют реакцию. Факторы же, сдвигающие уровень Ферми вверх (например, донорная примесь), наоборот, отравляют реакцию. В области, обозначенной цифрой II, эти факторы меняются ролями. [c.71]

В качестве следующего примера на рис. 5 изображена схема уровней атомов лития. Она характеризуется четырьмя системами уравнений, изображённых, для ясности, сдвинутыми в сторону друг от друга и обозначенных буквами 5, Я, О, Г. Переходы атома из одного энергетического состояния в другое, как на рис. 4, изображены штрихами. При этом возможны, и действительно реализуются, не все переходы, а лишь переходы между соседними колонками. Переходы на нижний. -уровень с различных / .уровней дают так называемую главную серию (рис. 3), переходы на нижний Р-уровень с 5-уровней и О-уровней — соответственно, резкую и диффузную серии и т. д. ). Подобная система уровней характерна для всех щёлочных металлов. [c.20]

В случае дырочной 1рпроды темновой проводимости термическая энергия активации 2Е, очевидно, определяет высоту акцепторного уровня электрона над нижними уровнями молекулярных центров (рис. 2, стрелка 2 ). Электронный дефект представляет собой вакансию, образовавшуюся в исходной молекулярной орбите при возбуждении триплетного уровня молекулы как единой системы электронов. Миграция такого электронного дефекта в кристалле совершается, по-видимому, путем межмолекулярного переноса электрона от заполненной к вакантной орбите, хорошо известного из окислительно-восстановительных реакций переноса электрона в растворах и не требующего преодоления энергетических барьеров. На схеме рис. 2, б показано также, что фотопроводимость кристалла дырочного типа может возникать при заполнении акцепторного уровня не снизу, а сверху обходным путем (стрелки Ъ У ж 1 ). Акцепторный уровень на схеме обозначен как триплетный уровень Г молекулярного центра. Однако на салгом деле темновая энергия активации органических кристаллов определяется не столько структурой молекулы, сколько наличием такой электроноакцепторной примеси, как сорбированный кислород (см. ниже). [c.325]

Схема Шульца и Ширмера отличается от аналогичной схемы Линдерстрем-Ланга большей детализацией пространственной организации белковой цепи на пути от вторичных структур к третичной. Г. Шульц и Р. Ширмер добавили уровень супервторичных структур для обозначения энергетически предпочтительных агрегатов вторичных, регулярных структур. [c.303]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология