Кристаллиты скорость роста

Кинетику формирования дисперсной фазы можно характеризовать через скорость роста кристаллов. Скорость роста кристаллов К, т.е. количество выкристаллизовавшегося в единицу времени вещества, определяется уравнением/17/ [c.49]

Второй этап конденсационного образования новой фазы — рост кристаллов. Скорость роста кристаллов определяется разностью действующей концентрации вещества в растворе и равновесной концентрации этого вещества при той же температуре. Чем больше разность, тем быстрее растут кристаллы. [c.17]

На стадии роста частиц кристаллической фазы происходит увеличение размеров первичных зародышей. Каждый зародыш может инициировать образование кристалла. Скорость роста кристаллов и образуемых ими более сложных надмолекулярных структур (Шк), как и скорость зарождения, сильно зависит от степени пере охлаждения. Температурная зависимость ы>к также имеет макси мум, лежащий между Т л и Тс (рис. VI. 21, кривая 2). [c.189]

Кинетика и механизм роста кристаллов. Скорость роста кристалла определяется линейным перемещением растущей грани кристалла параллельно самой себе в единицу времени [c.58]

Кристаллы одного и того же вещества могут различаться по размерам и форме. В зависимости от условий образования кристаллов скорость роста их по отдельным граням может быть различной, вследствие чего кристаллы, сохраняя ту же самую кристаллическую решетку, принимают вытянутую или плоскую форму в зависимости от температуры и вязкости среды. [c.637]

Охлаждение кристаллизующихся П.м. сопровождается образованием кристаллов, скорость роста, размеры и структура к-рых зависят от интенсивности охлаждения материала. Регулируя степень кристалличности и морфологию кристаллов, можно направленно изменять эксплуатац. характеристики изделия. [c.6]

Количество вводимой примеси, г/л Содержание примеси в кристалле, % Скорость роста, мм/сут [c.66]

Скорость роста кристаллов. Скорость роста кристалла описывается совокупностью линейных скоростей роста отдельных его граней. Линейная скорость роста — перемещение грани параллельно самой себе, происходящее в единицу времени. [c.39]

Рис. 59. Нормальное (верхний кристалл) и вырожденное развитие плоскости базиса. Для верхнего кристалла скорости роста Rur равны, вследствие чего грани Rur равны по площади

Кристаллические осадки одного и того же вещества могут различаться как по размерам, так и по полиморфному типу кристаллов и их форме. Последнее объясняется тем, что при различных условиях образования кристаллов скорость роста их по отдельным граням может иметь разную величину, вслед-ствие чего кристаллы, сохраняя ту же самую кристаллическую решетку, могут принимать то вытянутую, то плоскую форму в зависимости от температуры и вязкости среды. [c.364]

Размер грани тем больше, чем меньше скорость ее роста. Так как скорость роста увеличивается с пересыщением для разных граней неодинаково, это влияет на облик (габитус) кристалла. Скорость роста отдельных граней изменяется по-разному и в зависимости от других условий. Поэтому одно и то же вещество, имеющее определенную кристаллическую решетку, может образовывать кристаллы разной формы. Особенно сильно влияют на габитус и размеры кристаллов примеси, адсорбирующиеся на активных участках растущих кристаллов. [c.44]

ЛОВ графита (фиг. 10), гексагональная сетка которых параллельна оси кристалла. Скорость роста таких кристаллов легче всего объяснить, сделав предположение, что атомы углерода или свободные радикалы, например —СНг, при попадании на поверхность движутся более или менее свободно к вершинам кристалла, где и встраиваются в решетку [690, 691].. [c.45]

В принципе можно ожидать два предельных случая 1) теплоперенос относительно медленный, приближается к Тщ, и скорость процесса контролируется главным образом теплопереносом 2) скорость присоединения молекул мала, весь перепад температуры локализуется у поверхности кристалла, и процесс контролируется поверхностной реакцией. На практике первый случай является более общим, так что скорость роста обычно почти целиком контролируется теплопереносом. Только для исключительно медленно растущих кристаллов скорость роста будет заметно зависеть от поверхностных процессов. [c.30]

Другое распространенное убеждение заключается в том, что поликристаллические поверхности должны расти и испаряться быстрее, чем единичные грани. Может показаться, что это убеждение согласуется с явлением ускорения роста при соприкосновении кристаллов, обсуждавшемся в разделах У.И и У.12, где было показано, что контактирование кристаллов увеличивает скорость их роста. Надо, однако, напомнить, что это увеличение скорости роста наблюдается лишь для тех кристаллов, для которых первоначально рост был заторможен. Следовательно, неправильно делать вывод, что поликристаллы обязательно будут расти быстрее, чем единичные кристаллы, скорость роста которых не заторможена. [c.144]

Первой стадией кристаллизации является выделение из пересыщенного раствора зародышей кристаллов — мельчайших частиц кристаллизующегося вещества. Затем кристаллы растут, причем наиболее легко осуществляется рост на острых углах зародышей кристаллизации. Если количество зародышей кристаллов невелико, то в процессе кристаллизации образуются крупные кристаллы. Скорость роста кристаллов на центрах кристаллизации может быть определена по уравнению [c.388]

Кристаллизация сахарозы может проводиться путем охлаждения или упаривания раствора. При производстве сахара она происходит почти на всех стадиях технологического процесса. На возникших центрах кристаллизации идет рост кристаллов. Скорость роста единичных кристаллов измеряется непосредственно (по данным об изменении размеров). О скорости роста можно судить и по изменению концентрации раствора в ходе кристаллизации. Для этого нужно знать число и размеры исходных кристаллов, причем сами кристаллы должны быть примерно одинаковыми. Линейная скорость может быть измерена и при твердении расплава. [c.294]

Рост кристаллов. Скорость роста кристаллов и их предельные размеры определяются не только числом зародышей, но и адсорбцией на гранях кристаллов некоторых примесей, находящихся в растворе. В результате адсорбции примесей на активных точках поверхности кристаллов замедляется дальнейший рост кристаллов и ограничиваются их максимальные размеры. Иногда адсорбция имеет избирательный характер примесь адсорбируется на определенных гранях, что приводит к сильному изменению формы кристалла. Иногда вследствие присутствия примесей образуются сростки кристаллов — друзы. [c.425]

Автором [148] получены критерии устойчивости с учетом особенностей перемешивания расплава. Как следует из [145, 146, 148], факторами, определяющими стабильность гладкого фронта кристаллизации при выращивании, являются тепловые условия у границы раздела фаз в расплаве и кристалле, скорость роста, природа и концентрация примеси, а также характер перемешивания расплава. Правильный выбор легирующей добавки и направления роста выращивания кристаллов с малыми скоростями, выбор условий значительных температурных градиентов у фронта кристаллизации при интенсивном перемешивании расплава позволяют исключить образование примесных субструктур и включений и получить совершенные (вплоть до бездислокационных) монокристаллы, содержание легирующих примесей в которых близко к пределу растворимости в данном материале [71, 72, 75]. [c.99]

Известны непрерывно действующие кристаллизаторы циркуляционного типа двух видов — с циркулирующим раствором и с циркулирующей суспензией. В первых аппаратах в одной части аппарата (холодильнике) раствор пересыщается, а в другой происходит собственно кристаллизация. С помощью насоса суспензия непрерывно циркулирует в замкнутом контуре холодильник — кристаллизатор при этом в кристаллизаторе создается восходящий поток, который поддерживает кристаллы во взвешенном состоянии. Раствор с наибольшим пересыщением соприкасается вначале с кристаллами, находящимися в нижней части взвешенного слоя, поэтому именно в этой части аппарата происходит наибольший рост кристаллов. Таким образом осуществляется распределение кристаллов по величине на разной высоте аппарата. Раствор, выходящий с верха аппарата, практически свободен от кристаллов и поступает в холодильник. Крупные кристаллы, скорость осаждения которых больше скорости циркуляции смеси, оседают на дно и непрерывно выводятся из аппарата. Величину кристаллов регулируют, изменяя скорость циркуляции смеси и скорость отвода тепла в холодильнике. Эти кристаллизаторы пригодны для веществ, кристаллы которых оседают в растворе со скоростью более 20 мм/сек (при меньших скоростях оседания трудно избежать циркуляции кристаллов с маточным раствором). В аппаратах второго типа используется принцип совместной циркуляции. В этом случае растущие кристаллы попадают в зону, где создается пересыщение. [c.174]

Горячий водный раствор вещества X непрерывно поступает в реактор смешения, снабженный холодильником. Интенсивность перемешивания достаточна, для того чтобы получающиеся в результате кристаллы были невелики и концентрация их была одинаковой во всем объеме реакционной смеси и на выходе из аппарата. В аппарате поддерживают стационарное пересыщение и постоянную температуру. Кристаллы зарождаются спонтанно, и скорость кристаллообразования зависит только от степени пересыщения и от температуры. Скорость роста кристаллов, которые с некоторым приближением можно рассматривать как сферические, также зависит только от степени пересыщения и температуры. В частности, линейная скорость роста кристаллов в направлении, перпендикулярном к их поверхности, не зависит от размера кристаллов. [c.132]

Известно, что кристаллизация из растворов включает в себя две основные стадии образование кристаллических зародышей и их дальнейший рост, взаимодействие между собой и с маточным раство-,ром. Соответственно, кинетика кристаллизации характеризуется двумя величинами скоростью образования зародышей и скоростью роста кристаллов. В зависимости от свойств веществ, условий проведения процесса и требований к конечному продукту обе или одна из этих стадий могут оказаться лимитирующими. [c.145]

Здесь VI — средняя скорость движения среды в осевом направлении С с х, I), Т х, г)] — скорость роста кристаллов как функция концентрации раствора с и температуры Г Ф ( ) — скорость роста кристаллов как функция размера 1 В [с (х, 1), Т х, )] — скорость зарождения центров кристаллизации как функция с и Г ф 0) — скорость кристаллообразования как функция 1-, X — координата в продольном направлении. [c.75]

Третья глава посвящена проблемам определения параметров кристаллизации (коэффициентов массоотдачи скоростей роста, растворения кристаллов, зародышеобразования параметров агрегации и дробления частиц). Приведены подробные методики определения скоростей роста и зародышеобразования в ячейках различного типа (смешения, трубчатого типа и т. п.). [c.6]

Скорость роста кристалла [c.13]

Учитывая соотношение для фактической скорости роста кристалла [c.41]

VII.31. Работа Фольмера и Шульце [Volmer, S hultze, 1931 ]. Эти авторы исследовали скорости роста из пара кристаллов йода, нафталина и фосфора при низких пересыщениях. Аппаратура, которой они пользовались в этих опытах, очень проста. Пары, насыщенные при данной температуре, создавались путем нагрева нескольких кристаллов исследуемого вещества в стеклянной пробирке, помещенной в термостат. Эта пробирка была соединена стеклянной трубкой того же диаметра с другой такой же пробиркой, помещенной во второй термостат, поддерживаемый при более низкой температуре. Во вторую пробирку помещали растущие кристаллы. Скорости роста определялись путем измерения смещения граней под микроскопом. Сосуд перед началом эксперимента полностью эвакуировался. Давление паров определялось исходя из температуры первой более горячей пробирки. [c.225]

Эксперименты Хонигмана и ХеЁера. Выше указывалось, что кристаллы растут совершенными только при низких пересыщениях. Весь опыт выращивания кристаллов показывает также, что чем больше размер кристаллов, тем труднее добиться совершенного роста. Часто вообще невозможно вырастить хороший кристалл выше определенного размера. Это положение иллюстрирует серия экспериментов Хонигмана и Хейера [Hoшgmann, Неуег, 1955]. Они выращивали кристаллы гексаметилентетрамина (уротропина) из пара. Эти кристаллы растут в форме ромбододекаэдра 110 . Уротропин запаивали в стеклянную трубку, которая подвергалась однородному нагреву. К стенке трубки прилегал охлаждаемый медный блок, на контакте с которым росли кристаллы. Скорость роста измерялась с помощью оптической системы. В большинстве экспериментов [c.253]

Фольмер (1930) распространил описанный механизм роста кристалла из парообразной фазы па случай электрокрнсталлизации металлов. В этом случае скорость роста грани (в единицах плотности тока) может быть выражена уравнением [c.337]

В тех случаях, когда скорость процесса определяется разрядом ионов или скорость роста кристаллов мала по равнению со скоростью образования новых центров кристалли 1ации, при электроосаждении металлов получаются наиболее плотные и стойкие гальванические покрытия. [c.631]

Потеря подвижности может быть вызвана либо повышением вязкости нефтепродукта, либо образованием множества кристаллов парафина и церезша и загустеванием всей системы. В парафинистых тяжелых нефтепродуктах по мере понижения температуры кристаллы образуют сетку — кристаллический каркас. Не застывшая часть нефтепродукта находится внутри сетки и таким образом делается неподвижной. Форма выделяющихся кристаллов зависит от химического состава углеводородной среды, скорость их роста — от вязкости среды, содержания и растворимости парафиновых углеводородов нри данной температуре и скорости охлаждения системы. Скорость роста кристаллов прямо пропорциональна концентрации [c.82]