Структуры на основе фаз

Работа системы управления построена по блочно-модульному принципу и имеет многоуровневую структуру. Основу программ- [c.338]

Влияние структуры и материала катодной основы. В образовании поликристаллического осадка больщое значение играет акт начального выделения металла на покрываемой поверхности. В зависимости от природы основного и осаждаемого металла, а также от состояния поверхности покрываемого металла электрокристаллизация может происходить как на чужеродной поверхности с образованием трехмерных зародышей однако при определенных условиях металл покрытия может воспроизводить структуру основы. На рис. 52 это явление показано на примере меди, осажденной из сернокислого электролита на медную основу такая же картина наблюдается при осаждении никеля на никель. [c.135]

Н.ИЯ металла. Наиболее слабо структура основы воспроизводится после шлифовки и грубой полировки поверхности, а также на по- [c.136]

Первые пять ближайших соседей лежат в вершинах правильного пятиугольника, а шестой находится на линии, проходящей через его центр перпендикулярно плоскости пятиугольника, как это показано на рис. 22.11. Образованная этими атомами пентагональная пирамида является частью икосаэдрической структуры — основы кристаллической структуры бора. Икосаэдр, правильный 20-гранник с 12 вершинами, показан на рис. 22.11. В элементарной ячейке бора содержится четыре кластера по 12 атомов в каждом плюс два внешних атома бора. Связи между этими атомами характеризуются различной степенью ковалентности. Наличие аналогичных икосаэдрических групп Bj2 в таких веществах, как B j j и AlB j, указывает на устойчивость икосаэдрического кластера. По своим свойствам бор не принадлежит ни к металлам, ни к неметаллическим элементам, и это показывает, что химическая связь в нем не является ни типично металлической, ни обычной ковалентной связью. [c.401]

Из имеющихся экспериментальных данных следует, что на выгорание люминофоров влияют, кроме структуры основы (гексагональный ZnS более стабилен, чем кубический), также гранулометрический состав (мелкозернистые люминофоры чувствительнее к выгоранию) и условия возбуждения (при ионном выгорании снижение яркости свечения в 10 раз больше, чем при электронном). Особенно губительно повышение температуры экрана и ухудшение вакуума. Возрастание напряжения в пределах от 3 до 5 кВ не увеличивает ни электронного, ни ионного выгорания. [c.111]

Казанкин [15], исходя из установленного им механизма действия газообразных HjS и HG1, нашел, что все основные характеристики электролюминофоров — спектр излучения, гранулометрический состав, стабильность — зависят от соотношения между HaS и HG1. Свойства электролюминофоров зависят также от концентрации Си, структуры основы и температуры прокаливания. [c.130]

Количество только бинарных соединений весьма значительно, и существует бесконечно большое число соединений, построенных из атомов трех и более элементов. Кажется логичным сначала сосредоточить внимание на простых соединениях, таких, как бинарные галогениды, халькогениды и т. д., поскольку едва оЧи можно понять структуры более сложных соединений, если не разобраться в строении более простых. Однако тут же следует отметить, что простота химических формул может быть обманчивой так, структуры многих соединений с простой химической формулой оказываются весьма сложными и создают значительные проблемы для понимания природы химических связей в них. В частности, структуры некоторых элементов (нанример, В или красного Р) оказались неожиданно сложными. С другой стороны, существуют соединения со сложными формулами, имеющие структуры, основанные по существу на очень простых моделях таковы, например, описанные в гл. 3 многочисленные структуры, основой которых служит алмазная сетка, т. е. один из [c.11]

Существует также другая трактовка необходимости начального электролиза при малых значениях плотности тока, когда водороду отводится роль восстановителя продуктов коррозии, образование которых возможно на промежуточных подготовительных операциях, в частности при температурной активации п- тем прогрева в воде [445]. Пониженная плотность тока в начальный период электроосаждения железа уменьшает внутренние напряжения в начальных слоях металла и способствует воспроизводству структуры основы [458, 461, 462], что вместе с уменьшением ее наводороживания влияет на увеличение прочности сцепления. [c.157]

Слой материала имеет верхнюю и нижнюю границы, а также внутреннюю область, толщина которой мала по сравнению с ее длиной и шириной. Часть света, падающего на верхнюю границу, отражается, не проникая внутрь слоя. Характер углового распределения этого отраженного потока определяет, является ли слой глянцевым или матовым. Часть падающего света проникает внутрь и частично поглощается оставшаяся часть выходит из слоя через верхнюю или нижнюю границу. От способности слоя поглощать и рассеивать проходящий световой поток зависит, будут ли видимы или невидимы цвет и структура основы. Это свойство известно как непрозрачность или укрывистость. Глянец и укрывистость являются коммерчески важными свойствами, так как они существенно влияют на цвет окрашенной поверхности. Вопрос о составлении и применении красочных слоев для различны. целей является одним из важных секретов производства, используя которые многие отрасли промышленности удовлетворяют потребности общества. [c.443]

ОТ различных факторов разности потенциалов поляризации отдельных металлов общей концентрации и соотношения активностей ионов металлов в растворе, плотности тока на катоде и аноде структуры полученного сплава температуры электролита и способа подготовки деталей структуры основы металла и подслоя и др. [c.40]

В книге описаны свойства нефтяного кокса, результаты исследования по формированию его структуры, основы получения и обработки. Изложена технология основных процессов, обобщены данные по транспортированию, рассеву и хранению, борьбе с потерями при перевозках. Уделено внимание совершенствованию оборудования, защите окружающей среды, даны технико-экономические показатели работы коксовых производств. [c.176]

Химический состав и особенно вид металла-основы и его структура в значительной мере определяют качество нанесенного покрытия. Если потенциал металла-основы отрицательнее потенциала осаждаемого металла, то может начаться реакция контактного осаждения (цементация), в результате чего покрытие не обнаружит достаточно хорошего сцепления сосновой. Кристаллическая структура металла-основы оказывает значительное влияние на первом этапе роста кристаллов покрытия. В некоторых случаях структура осажденного металла как бы повторяет структуру металла-основы, являясь в какой-то степени ее продолжением. С ростом толщины осаждаемого покрытия влияние кристаллической структуры основы постепенно уменьшается, но тенденция к воспроизводству геометрической структуры основы остается. Поры, царапины, язвы, имеющиеся на поверхности металла-основы, чаще всего остаются видимыми и после нанесения покрытия. [c.216]

Можно ожидать, что структуры, у которых имеется столько возможностей изменения кристаллической упаковки, будут проявлять полиморфизм интересный случай такого полиморфизма наблюдается у изотактического полипропилена. Оказалось, что небольшая часть сферолитов, которые растут в этом полимере главным образом в узком интервале температур, имеют в два раза большее лучепреломление, чем их основная часть [105]. Исследования с помощью рентгеновского микропучка показали [53], что эти сферолиты кристаллизуются не в моноклинной сингонии, как обычно, а имеют структуру, основу которой составляет гексагональная элементарная ячейка. Исследование показало, что такая модификация оптически одноосна (что согласуется с наличием гексагональной решетки), но при нагревании она нестабильна [105]. Детали упаковки молекул в гексагональной модификации изучены еще недостаточно, хотя на основании опытных данных высказаны соображения о предположительной структуре [53]. Натта и Коррадини [96] получили рентгенографическую картину, показывающую, что если полимер расплавлен и быстро охлажден в воде, то образуется структура, отличающаяся от нормальной моноклинной. Отражения на рентгенограммах получаются размытыми, и цепи, которые еще сохраняют спиралевидную конформацию 3i, по-видимому, располагаются, образуя неупорядоченную псевдогексагональную структуру. Натта отнес последнюю к смектической, или паракристаллической, фазе полимера. [c.427]

Эпитаксия если кристаллографические параметры осаждаемого металла не слишком (не более, чем на 15%) отличаются от параметров металла-подложки, то во многих случаях структура осадка повторяет структуру подложки. Влияние структуры основы может сказаться на большой глубине осадка—до 1 мкм (несколько тысяч атомных слоев осаждаемого металла). Явление эпитаксии четко выражено для осадков из меди, серебра и цинка. [c.350]

Влияние структуры основы катода. Уже указывалось, что кристаллы осадка зарождаются на углах и ребрах кристаллов катодной основы. Кристаллы осадка как бы служат продолжением кристаллов основы. Если медь осаждать из раствора ее сернокислой соли на катод из литой (крупнокристаллической) меди, то осадок так точно воспроизводит структуру основы, что на микрошлифе поперечного разреза нельзя заметить границы. Срастание настолько прочно, что, например, даже смазка жиром медных матриц для осаждения катодных рубашек (при рафинировании меди) не всегда позволяет оторвать рубашку от матрицы. Особенно прочное срастание получается, если на поверхности катода предварительным травлением обнажена структура катодной меди. Точно так же воспроизводится структура при осаждении серебра на серебро, олова на олово и пр. [c.525]

Можно, однако, так подобрать условия, что осадок не будет воспроизводить структуры основы. Например, медь из растворов комплексных медных солей осаждается в мелкокристаллической форме, независимо от структуры основы. Точно так же, [c.525]

Сердцем большинства полупроводниковых приборов считают так называемый р—п-переход. Это граница полупроводников р-тина — с дырочной проводимостью и п-типа — с электронной проводимостью. Примесь индия придает германию дырочную проводимость. Это обстоятельство лежит в основе технологии изготовления многих типов германиевых диодов. К пластинке германия п-типа прижимается контактная игла, покрытая слоем индия, который во время формовки вплавляют в германий, создавая в нем область р-проводимости. А если два шарика индия вплавить с двух сторон германиевой пластинки, то тем самым создается р—п—р-структура — основа транзисторов. [c.304]

Класс III включает молекулы, имеющие ярко выраженную определенную структуру, основа которой, однако, еще не установлена. В данную группу входят глобулярные белки и вирусы. Молекулы этих веществ принимают специфическую форму, но их структуры не попадают в категорию структур, известных для молекул класса II. Обсуждение структуры таких молекул кратко изложено в разделе 7г. [c.149]

Если считать, что криолит Ыаз81Рй имеет кристаллическую структуру, основой которой является плотнейшая упаковка фторид-ионов, то в полости каких типов могут внедриться ионы А1 и Ыа в такой структур (ионный радиус Р 1,33 А, Ка 0,98 А, А1 0,45 А) [c.369]

I и III переходное состояние лучше сольватируется полярными апротонными, чем протонными растворителями, тогда как (разд. 10.12) исходный заряженный нуклеофил апротонными растворителями сольватируется хуже (см., например, [326]) (второй фактор обычно играет значительно большую роль, чем первый [327]). Поэтому замена, скажем, метанола на диметилсульфоксид должна сильно ускорять реакцию. В качестве примера можно привести относительные скорости взаимодействия метилиодида с хлорид-ионом при 25 °С [260] в МеОН—1, в H ONH2 (растворитель протонный, но менее кислый) — 12,5, в H ONHMe —45,3 и в НС0НМе2 — 1,2 10 . Изменение скорости при переходе от протонного к апротонному растворителю связано также с размером атакующего атома. Небольшие ионы лучше сольватированы в протонных растворителях, так как в этом случае возможно образование водородной связи апро-тонные же растворители лучше сольватируют большие ионы (протонные растворители характеризуются развитой структурой, основой которой служат водородные связи структура апротонных растворителей более рыхлая и больщой анион в ней легче размещается). Поэтому скорость атаки небольших анионов сильнее всего возрастает при переходе от протонного к [c.87]

Влияние структуры основы заметно проявляется при тонких отложениях. С увеличением толщины осадка это влияние постепенно ослабляется и структура осадка приближается к той, которая типична для данных условий электролиза в дальнейшем характер структуры определяется только условиями электроосажде- [c.136]

Нефть и нефтепродукты состоят из низкомолекулярных и высокомолекулярных соединений. Низкомолекулярные соединения представляют собой в основном парафиновые, нафтено-парафиновые и ароматические углеводороды. Высокомолекулярная часть нефти состоит главным образом из углеводородов смешанного строения— парафинов, моно- и конденсированных нафтено-парафпно-вых, а также моно- и бициклических ароматических углеводородов ряда бензола и нафталина. В процессе термодеструктивных пре-вращ,ений эти углеводороды при определенных условиях могут образовывать конденсированные иолициклические структуры — основу для получения различных видов нефтяного углерода. В наиболее тяжелую часть высокомолекулярных компонентов входят смолы и асфальтены, а в состав продуктов вторичного происхождения— еще карбены и карбоиды. [c.11]

В зависимости от структуры основы серый чугун может быть фсррнтиым, перлитным нли ферритоперлитным (смешанным). Вид излома — серый, и чем больше графита, тем он темнее. [c.117]

По способности к автоокислению и полимеризации растительные масла делятся на невысыхающие, полувысы-хающие и высыхающие Чем выше содержание линолевой, линоленовой кислот, тем выше такая способность к высыханию, то есть к образованию сетчатых структур Основой наиболее распространенных лаков и красок служат высыхающие масла льняное, тунговое (лучше всех), реже конопляное или подсолнечное [c.713]

Две или больше ЗЮ4-групны могут иметь общие атомы кислорода в вершинах тетраэдров и соединяться таким образом в ноли-анионные грунны (рис. 2.4). Если тетраэдры соединяются через два общих кислорода, т. е. если у них обш,ее ребро, стабильность структуры сильно снижается вследствие кулоновского отталкивания катионов. На этом основано третье правило Полинга. Расстояние между центральными катионами двух тетраэдров, имею-ш,их обш,ее ребро, составляет 58% расстояния между центрами тетраэдров, имеющих одну общую вершину. Тетраэдры с общими ребрами обнаружены в стишовите — недавно открытой модификации 8102, устойчивой при высоком давлении [7]. На рис. 2.5 и 2.6 изображены структуры, основу которых составляют группы 81зОд [c.41]

Хромосома ( hromosome) Структура, основу которой составляет конденсированная молекула ДНК носитель генетической информации. Способна к воспроизведению с сохранением структурно-функциональной индивидуальности в ряду поколений. У эукариот находится в ядре клетки, у прокариот — непосредственно в цитоплазме. [c.563]

Среди разветвленных алканов особый интерес для геохимии нефти представляют изопреноидные УВ (изопренаны), имеющие характерную структуру. Основой таких изопреновых структур является изопрен (изопреновая цепь) (см. рис. 1.3). Но не все изопреноидные алканы состоят из изопреновых единиц. Критерием для отнесения алканов к изопреноидным УВ служит правильное чередование метильных групп в основной углеродной цепи независимо от числа атомов углерода в молекуле (Петров, 1984). В нефтях идентифицированы изопренаны от С9 до С40 наиболее распространенными УВ такого типа являются пристан И-С19Н40 и фитан И-С20Н42. Источником этих УВ считаются биологические соединения с изопреноидной структурой и их кислородные производные спирты, альдегиды, кетоны и др. (подробнее см. ниже в разделе хемофоссилии . [c.21]

Один из распространенных типов осушителей газов представляет собой пористую основу, на которую нане-сешл гигроскопические добавки. Данные материалы различаются природой и пористой структурой основы, химическим составом импрегната, способом получения сорбента — поглотителя влаги. [c.553]

В результате вулканизации сера, служащая вулканизующим агентом, сшивает молекулы каучука в пространственную структуру. Основой процесса регенерации резин является дезулканизация. Цель ее — максимальное разрушение структурных связей и перевод эластичной резины в пластичный продукт, способный вновь обрабатываться в резиновых смесях. [c.145]

Отверждение смол происходит в процессе прессования под влиянием высокого давления и нагревания. При этом новолач-ные и резольные смолы превращаются в резиты —переходят в неплавкое и нерастворимое состояние вследствие, образования трехмерных структур. Основы такого процесса производства фенолформальдегидных пластических масс были разработаны Бэкеландом [58] в начале 900-х годов. Доступность сырья, разработанность технологии и ряд ценных свойств изделий из фенопластов (высокие механические, диэлектрические и антикоррозионные свойства) обусловливают значительную долю фенопластов (25—30%) в мировом производстве пластических масс, составляющем около 4 млн. т в год [59]. Основы химии и технологии этих смол приведены в ряде известных специальных руководств и монографий [1, 60, 61]. [c.573]

Гальваническиепокрытня. Гальванические покрытия получаются путем электролиза. Так как процесс ведут при невысоких температурах (от 15 до 60°), то приставание наносимого слоя к основному металлу достигается только за счет сил сцепления, причем иногда осадок даже воспроизводит продолжает кристаллическую структуру основы. Поэтому очень важно предварительно тщательно очистить поверхность изделия. Впрочем, иногда имеет место и диффузия наносимого металла, хотя и на очень небольшую глубину. Гальванический осадок в большинстве случаев может быть получен любой тол-518 [c.518]

Вторую группу образуют соединения состава КзР1Х, где К=Ме, Е1 Х = С1, J, ОН [131, 161—165]. Молекулы всех соединений этой группы тетрамерны и имеют так называемую кубановую структуру. Основу ее составляет куб, составленный из чередующихся по вершинам четырех атомов Р1 и четырех атомов (групп) X. Каждый X, следовательно, связан с тремя атомами Р1, каждый атом Р1 — с тремя X и с тремя метильными группами, снова занимающими позиции в вершинах общей грани коосдинаци-онного октаэдра платины (рис. 17г). [c.81]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология