Полупроводниковые сплавы

Навеску полупроводникового сплава 1,350 г растворили, разбавили раствор водой до 50,00 мл и [c.46]

Для определения примеси индия в полупроводниковом сплаве 0,2 г сплава были растворены в 100 мл кислоты. В тех же условиях пик индия оказался очень маленьким. После увеличения времени накопления до 35 мин пик индия оказался ранным II мм.. [c.183]

При анализе полупроводникового сплава, содержащего индий, кадмий, олово и сурьму, навеску [c.184]

Определить содержание компонентов в полупроводниковом сплаве (в %) и относительную ошибку определения. [c.185]

Определить состав полупроводникового сплава, [c.187]

МФ предложен для спектрофотометрического определения серебра (I) в полупроводниковых сплавах 1п— Ад. [c.67]

Индиевые полупроводниковые сплавы [c.208]

Используя методику нанесения мельчайших частиц на реплики, удалось идентифицировать карбидные частицы с размером менее 0,1 мк [44]. Такое же разрешение получено при исследовании А1 — 5п сплава при ускоряющем напряжении 6 кв [45]. В связи с развитием промышленности полупроводниковых материалов и приборов для микроэлектроники кажется весьма важным применение микроанализаторов для анализа полупроводниковых сплавов [46] и тонких пленок [42]. При этом можно определить не только состав пленок, но и их толщину, составляющую от 0,005 до 0,5 мк. Не менее ценные результаты могут быть получены и при исследовании коррозионных пленок. [c.69]

ПОЛЯРОГРАФИЧЕСКИЙ МЕТОД АНАЛИЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СПЛАВОВ СИСТЕМЫ In—Sb —Те [c.121]

В настоящей работе приводятся некоторые результаты по экстракции сурьмы, мышьяка, индия и галлия диизоамиловым эфиром (ДАЭ) из солянокислой среды. Перечисленные элементы, наряду с сурьмой, являются компонентами полупроводниковых сплавов, методы анализа которых, а также методы регенерации из них дорогостоящих металлов, зачастую отсутствуют. Мышьяк, кроме того, часто сопутствует сурьме в рудах и продуктах их переработки. Поэтому разработка новых несложных методов разделения этих элементов представляется весьма целесообразной. [c.166]

В [93] определяли Ое в полупроводниковых сплавах Сё—Ое—Аз на фоне 0,5 М НС1- -0,5 М КС1 в присутствии 4-10 2 М пирогаллола (рН=0,5). Интервал определяемых концентраций Ое 7,8-10 —2,6-10 5 М. Этот метод применяли при содержании Ое более 1%. Отно- [c.143]

Микрометод определения 1п в полупроводниковых. сплавах (1п — 40%, РЬ—10%), содержащих В1, 5Ь< и Оа на фоне раствора НС1 описан в [106]. [c.147]

Фосфор определяли косвенно в полупроводниковых сплавах Сс1—5п—Р и 2п—Ое—Р методом ППТ по уменьшению пиков на полярограммах растворов Пг" на фоне 2Л1 КС1 в присутствии ацетатного буферного раствора (pH=4,5-Ь-5,5) [92], а также в бронзе по уменьшению пика В1 в 0,6—0,9М растворах перхлоратов [199]. [c.204]

В 1958 г. к томам за 1925—1954 гг. издан сводный указатель. По содержанию каждого тома ежегодно печатается отдельным приложением указатель за предыдущий год (том). В журнале имеется специальный раздел Аналитическая химия . Так, например, в вып. 9 за 1963 г. помещена статья В. Б. С п и в а к о в с к и й, Р. Л. Левина, Ускоренное комплексонометрическое определение кальция и магния в силикатах в вып. 1 за 1964 г. — Ю. С. Л я л и к о в, Л. С. К о п а н с к а я. Ускоренный метод определения индия, сурьмы и теллура в полупроводниковых сплавах в вып. 12 за 1965 г. Г. П. П е д а н и я. Ускоренное определение окиси магния в ферритах. [c.59]

Данный метод был опробован нами на искусственных смесях индия и сурьмы, имитирующих бинарные полупроводниковые сплавы этого состава. Для проведения анализа [c.295]

Теллур используется для изготовления полупроводниковых сплавов со свинцом, висмутом и сурьмой, обладающих большой термо- э. д. с. и являющихся основой для термоэлектрических генераторов. [c.249]

В качестве термоэлектрических материалов применяют полупроводниковые сплавы. Коэффициент добротности термоэлектрического материала выражается через электрофизические характеристики как комплекс [c.87]

Рекомендуемые составы полупроводниковых сплавов для различных диапазонов температур [c.88]

Стеклообразные полупроводниковые сплавы синтезировались, как правило, из элементарных веществ одинаковой степени чистоты. Для получения большинства стеклообразных сплавов использовались материалы марки В-3. В некоторых синтезах для сравнения физико-химических свойств применялись технические материалы и материалы повышенной степени очистки (марки В-5). При этом получались сплавы общим весом 5 г. [c.5]

Скорость растворения стеклообразных полупроводниковых сплавов, связь между атомами в которых в основном ковалентная, определяется гетерогенной химической реакцией на поверхности стекла и не зависит от влияния процесса диффузии. Об этом свидетельствуют высокие значения энергии активации растворе/1ия и отсутствие влияния перемешивания н скорость растворения. [c.235]

В связи с развитием современной науки и техники перед аналитической химией все с большей остротой ставятся задачи определения следов элементов. Микро- и ультрамикроколичества веществ необходимо определять как при анализе материалов высокой чистоты, где требуется количественно идентифицировать примеси с чувствительностью 10 —10 % на фоне основного компонента, так и при исследовании микрообъектов (например, пленочных полупроводниковых сплавов, изделий радиоэлектронной промышленности, микровключений и др.), когда общая масса сложного по составу исследуемого образца может составлять единицы и доли микрограмма. [c.5]

При анализе компонентов полупроводниковых сплавов в работе [23] определяют золото после отделения других элементов методом инверсионной осциллографической полярографии. [c.108]

В работе [23] ТСХ использована для разделения микрограммовых количеств компонентов полупроводниковых сплавов на основе свинца, олова, индия. На тонком слое силикагеля, закрепленного крахмалом, при использовании различных элюентов разделены смеси РЬ—Ga, РЬ—Sb, РЬ—Sn, Sn—Zn, Sn—Ga, Sn—In, Sn—Au, Sn—As, In—Al. Ha примере золота показана возможность количественного определения элементов (после элюирования с силикагеля) методом инверсионной осциллографической полярографии. При таком определении коэффициент вариации составляет 2,8%. [c.115]

Анализ полупроводниковых сплавов (1п - 5Ь) [c.167]

Пример 4. Прн определении марганца и гадолиния в полупроводниковых сплавах радноактива-ционным методом использовали изотоп Мп с периодом полураспада 2,6 ч и Ос с периодом полураспада [c.200]

При определении ЗЬ > 3-10 % (Зг = 0,1 -4-0,2) в индии высокой чистоты и арсениде индия рекомендован , активационные методы, включающие выделение ЗЬ из облученного материала [115, 639, 828, 829]. Для определения ЗЬ > 1-10 % (Зг = 0,10 4- 0,15) в сплавах индия с цинком предложен метод пере-мепнотоковой полярографии [1104]. Полярографирование проводят иа фойе ЗМ НС1. Равные количества Си мешают. Метод применен также для определения ЗЬ в тонких слоях полупроводниковых сплавов 1п-ЗЬ—Те [451]. В этих же сплавах ЗЬ определяют прямым броматометрическим титрованием, а также фотометрическим методом в виде иодида [451]. [c.132]

Джекобе [1074] определял вольтамперометрически 5,0-10 — —2,50-10 г-ион л Аи анодным окислением золота, электролитически осажденного на электроде из угольной пасты. Электролиз проводят при +0,1 в (отн. н.к.э.) в течение 15 мин, анодное растворение выполняют при потенциале от +0,3 до +1,3 в, анодный пик наблюдается при +0,85 в. Фоном служит 0,1 М НС1. Метод позволяет анализировать смеси Аи + Ag. Предложен [535] инверсионный вольтамперометрический метод определения 10 —10 % Аи с применением электрода из угольной пасты. Метод заключается в электролитическом выделении золота при контролируемом потенциале +0,2 в на поверхности электрода в виде пленки на фоне 0,1—1,0 М НС1 в течение 15—30 мин с последующим растворением золота при линейно изменяющемся потенциале от +0,2 до + 1,3 б. Метод применен для определения 1-10 % Аи в сурьме 0,22—1,01% Аи в покрытиях на вольфраме и молибдене 0,32% Аи в покрытиях на вольфрамовой нити, намотанной на никелевую деталь (0,9—1,3)-10 % Аи в золе растений. Ошибка при определении 5-10 % Аи равна +12%. Позже этот метод применен [91] для определения 0,3 мкг мл Аи в полупроводниковых сплавах Sn — Au после разделения компонентов методом тонкослойной хроматографии. Фон 1 М НС1, потенциал предварительного электролиза +0,2 в, потенциал электрорастворения 0,2—1,3 в, время накопления 10 мин. Найдено 0,29+0,01 мкг мл Аи (и = 6, а = =0,95), коэффициент вариации 2,8%. Монин [1242, 1243] определял 25—500 нг мл Аи методом пленочной полярографии с накоплением. Золото выделяют в течение 5 мин электролизом на электроде [c.174]

В1—8Ь полупроводниковый сплав был синтезирован механическим сплавлением в [81], а полупроводниковый сплав Оа1п8ЬВ1, получаемый методом молекулярно-лучевой эпитаксии [82], использовали в качестве детектора ИК-излу-чения. [c.249]

СНд-ПАР [276], ПАН-2 [8, 87, 91, 596, 626], комплексонат меди с ПАН-2 [625], МАР [2]. При определении 3,4—6,8 м.г галлия 50-кратные количества индия, висмута и кадмия предложено маскировать N-метилглициндитиокарбаминатом [57]. При анализе полупроводниковых сплавов и смесей для холодной пайки [127] золото и медь восстанавливают тиосульфатом, сурьму(П1) маскируют винной кислотой, алюминий — борофторидом. В глицериновых ваннах, содержащих галлий и индий, галлий экстрагируют диэтиловым эфиром из среды 6 М НС1, затем реэкстрагируют и определяют комплексонометрически [596]. Селективность определения резко увеличивается после отделения галлия осаждением диантипирил-пропилметаном в кислой среде [91] или экстракции комплекса хлороформом с последующей реэкстракцией галлия [8]. В последнем случае определению 9,3 м.г галлия не мешают (в мг) А1 — 131 Th — 127 Mg — 118 Со — 105 d — 100 Pb — 60 Мп — 37 и Ni — 36 мешают Bi, In и Tl [8]. [c.170]

Поступление, распределение и выведение из организма. Поступление И. в организм может иметь место при процессах получения концентрированных растворов И., его цементации, переплавки, рафинирования и электролиза возможно воздействие на организм работающих паров солей И. в производствах, где И. используется в технологии получения металлокерамических изделий (Походзей). Возможно и воздействие растворов сульфата, хлорида и других соединений И. Например, при цементации индиевой губки из растворов солей, извлечении катода из электролита, очистке катода и анода и др., соединения И. могут загрязнять одежду, кожные покровы и слизистые. Загрязнение кожи рук, курение и прием пищи на рабочем месте могут приводить к попаданию этих веществ в пищеварительный тракт. Возможность ингаляционного воздействия соединений И. в условиях производства встречается реже, в основном при операциях получения и обработки солей (хлоридов, сульфатов, нитратов И.) и полупроводниковых сплавов металла (антимонид, арсенид, фосфид И.). Опасность ингаляционного воздействия незначительных примесей И. в составе смешанной пыли, образующейся при процессах пирометаллургического извлечения металла, относительно невелика, в этих случаях большее гигиеническое значение имеют основные компоненты этой пылевой смеси (цинк, свинец, кадмий). Возможность ингаляционного воздействия паров расплавленных металлов не очень значительна благодаря низкому давлению паров И. даже при температурах выше 1000 °С (а плавка его производится при более низких температурах и под слоем флюса). Частой формой возможного [c.234]

А. А. Баркова Методы анализа продуктов предприятий свинцовоцинковой промышленности (1969) Н. Ф. Будяк, Е. Ю. Зельцер, Е. И. Шестаков Анализ магниевых сплавов (1971) 3. С. Мухина, Е. И. Никитина, Л. Я. Поляк, А. А. Тихонова Методы анализа жаропрочных сплавов и сплавов на основе тугоплавких металлов. Практическое руководство (1972) Н. Ф. Будяк, Т. А. Екп-менкова Анализ контактных и полупроводниковых сплавов (1975) Методы анализа металлического и четыреххлористого титана (Методическое руководство) (1973) монографии из серии Аналитическая химия элементов . [c.153]

В работе [33] показана возможность определения больших концентраций элементов при анализе полупроводниковых сплавов Си1п5е2 (18,89 34, 14 46,97) и AgGaTe2 (16,12 24,94 58,94) атомно-абсорбционным методом с применением водородной лампы и фотографической регистрации спектров поглощения (при помощи КС-55 с кварцевой оптикой) для одновременного определения основных компонентов сплавов. Коэффициент вариации при определении Оа—3,3% Ag, 1п и Си—1,3—2,6%. Аналитические линии на спектрограмме фотометрнровали по отношению к сплошному спектру водородной лампы. [c.250]

Решение ряда конкретных аналитических задач с помощью техники и методики микроманипулирования в поле зрения микроскопа можно проиллюстрировать примерами исследования микрообразцов полупроводникового сплава частиц из проб почвы района падения Тунгусского метеорита , состава растворов жидких включений - , сока планктоновых диатомей . [c.8]

Смеси азотной кислоты с винной, лимонной и молочной кислотами применяют для растворения элементной сурьмы, ее сплавов и руд, так как эти кислоты предотвращают гидролиз [5.971, 5.972]. Например, к 0,25—0,5 г сплава РЬ —5Ь добавляют 10 г лимонной кислоты, 25 мл 20%-ного (об.) раствора азотной кислоты и нагревают до полного растворения пробы [5.973 [ 0,5 г сплава 5п — РЬ растворяют в 50 мл смеси, состоящей из 300 г винной, 200 г лимонной, 100 мл азотной (пл. 1,15 г/см ) кислот, в 500 мл воды [5.974]. Чистый свинец растворяют в смеси 10 мл концентрированной азотной кислоты и раствора 50 г винной кислоты в 1 л воды [5.975] полупроводниковые сплавы РЬТе и ОеТе растворяют в смеси концентрированной азотной кислоты и 10%-ного раствора оксалата натрия, взятых в соотношении 1 2 [5.976]. [c.199]

Смесь серной кислоты и пероксида водорода использовали для растворения стали 15.1495], никеля и кобальта 15.1496], металлов, покрытых бором 15.1497], полупроводниковых сплавов свинец—олово—теллур [5.1498] и карбида гафния 15.1499]. Смесь азотной кислоты и пероксида водорода применяют для растворения стали [5.1500], свинца, кадмия, цинка и меди [5.1501 ], вольфрамата кальция [5.1502] и пиритов [5.1503]. Сплавы свинца растворяются в смеси борофтороводородной кислоты и пероксида водорода [5.1504]. [c.237]

Полупроводниковые свойства GaSb близки к свойствам германия. Но так как антимонид галлия до сих пор не получен в состоянии высокой чистоты, то с точки зрения практического применения он не представляет особого интереса. Возможно, антимонид галлия найдет применение в качестве материала для туннельных диодов. Как будет показано ниже, в качестве компонента сложных полупроводниковых сплавов антимонид галлия может оказаться полезным. Так, например, добавка его к антимониду алюминия предотвращает коррозию последнего, а добавка к антимониду индия увеличивает ширину запрещенной зоны, не очень сильно снижая подвижность. [c.102]

Атомно-абсорбционная спектроскопия с использованием источника сплошного излучения может быть применена для основных компонентов. Эта возможность была проверена авторами настоящего обзора на примере полупроводниковых сплавов 1п—5Ь. Поскольку указанный сплав растворим тольг ко в смеси 1 части азотной кислоты и 3 частей соляной кислоты, распыление которой при имеющейся аппаратуре являлось нежелательным, был выбран следующий способ растворения 0,4 г сплава растворяли в смеси из 3 мл соляной кислоты и 1 мл азотной кислоты. Раствор доводили до 25 мл ацетоном. [c.167]

Описанную аппаратуру используют для анализа химических реактивов и особо чистых химических веществ (определение меди, магния, кальция, натрия и др.), определения неорганических микропримесей в органических растворителях высокой чистоты (цинк, кадмий, висмут в ацетоне, медь в спиртах), а также для анализа материалов квантовой электроники (определение основных компонентов полупроводниковых сплавов). [c.182]

Особые перспективы представляет применение атомно-абсорбционной спектрофотометрии к анализу химических реактивов и препаратов. Для этого круга объектов характерно исключительное многообразие их химического состава и. по-видимому, только атомно-абсорбционный анализ в состоянии улучшить аналитическое обслуживание этой области промышленности . Огромное поле для приложения атомно-абсорбционного анализа лежит в области материалов для квантовой электроники. Число этих материалов велико уже в настоящее время и в ближайшие годы, по всем данным, сильно возрастет. Применение атомно-абсорбционного анализа к этим объектам должно дать эффективные результаты как в отношении определения с высокой точностью и надежностью макроком-понентного состава полупроводниковых сплавов (например, антимонидов и арсенидов элементов третьей группы), так и для определения малых содержаний редких и рассеянных элементов в исходных материалах. [c.184]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология