Энергия связи, Валентность

Длины и энергии связи, валентные углы, а также экспериментально определяемые магнитные, оптические, электрические и другие свойства веществ непосредственно зависят от характера распределения электронной плотности. Окончательное заключение о строении вещества делают после сопоставления информации, полученной разными методами. Квантовомеханическая теория химической связи обобщает совокупность экспериментально полученных данных о строении вещества. [c.43]

Изменение ионизационного потенциала в пределах одного и того же периода значительно сложнее. Не вдаваясь в подробности, укажем только, что ионизационный потенциал возрастает при переходе от элементов начала периода к элементам, завершающим период (например, от лития к неону, от натрия к аргону и т. д.), и достигает максимального значения в случае инертных газов. Такое изменение обусловлено тем, что в пределах одного и того же периода системы энергия связи валентных электронов с ядрами возрастает вследствие увеличения зарядов этих ядер. [c.20]

Радиолизом называют химические превращения под действием радиоактивных излучений. Ионы, возбужденные молекулы и электроны, образующиеся при поглощении излучения, успевают претерпеть целую вереницу превращений, которые приводят к тому, что в облученном веществе появляются совершенно новые частицы— продукты радиолиза. Начальные значения радиационной энергии значительно превосходят энергию связи валентных электронов. Поэтому поглощение этой энергии происходит не только в области частот, отвечающих полосам поглощения вещества, но и за пределами этих полос, т. е. имеет неизбирательный характер. Конкретный механизм радиационно-химического процесса не зависит от вида излучения и с количественной стороны характеризуется величиной поглощенной энергии. Для оценки эффективности действия излучения вводят количественную характеристику — так называемый радиационный выход g). Радиационный выход — выход числа молекул, атомов, ионов и других продуктов реакции на ]00 эВ поглощенной энергии. Для большей части веществ радиационный выход составляет 4—10 частиц. Однако для ряда реакций разложения =0,1, а для развивающихся по цепному механизму может достигать 10 -=-10 . [c.408]

Измерения энергий связи валентных электронов молекул в газовой фазе позволяет проверить точность теоретич. расчетов, установить закономерности электронного строения молекул в изоэлектронных, изовалентных и т. п. рядах, выявить влияние заместителей, установить их донорно-акцепторные св-ва. Фотоэлектронные спектры известны примерно для 10 000 своб. молекул. [c.185]

Образование сложных веществ из элементов. При химическом взаимодействии двух элементов, между ними возникает как бы борьба за валентные электроны атомы одного из элементов за счет атомов другого стремятся добавочно присоединить некоторое количество электронов с тем, чтобы внешний электронный слой стал насыщенным. Вопрос о том, атомы какого элемента отдадут электроны, решается энергией связи валентных электронов в атоме у различных элементов она неодинакова у металлоидов выше, чем у металлов и водорода. [c.96]

Потенциалы ионизации, определяющие энергию связи валентных /-электронов, исследованы недостаточно подробно. Низкие значения пер- [c.148]

Фазовая диаграмма германия (см. рис. 116) в общих чертах похожа на диаграмму кремния. Однако вследствие меньшей энергии связи валентных электронов переход германия в металлическое состояние происходит при более низкой температуре (960° вместо 1412°) и при более низком давлении (125 кбар). Объем германия при плавлении уменьшается на 5,5%, чему соответствует повышение координационного числа с четырех до восьми. Ранее было показано [162, 212], что это может быть объяснено разрушением четырех ковалентных связей и переходом всех четырех валентных электронов в электронный газ. Высокая концентрация газа (4 ЭЛ атом) приводит к перекрытию внешних ортогональных групп в -оболочках ионов Се , что ведет к октаэдрическому окрун<ению [c.267]

Когда мы сообщаем молекуле энергию, достаточную для изменения ее электронной конфигурации, то возможны два процесса. Электрон может перейти в состояние, в котором он менее прочно связан с молекулой. В большинстве случаев (хотя и не всегда) он переходит при этом на орбиту, более удаленную от ядра. Если же молекула получит достаточное количество энергии, то электрон может покинуть молекулу, которая превращается тогда в положительный ион. Если энергия возбуждения значительно превосходит энергию связи валентных электронов (например, при облучении вещества быстрыми частицами или рентгеновскими лучами), то происходят оба эти процесса. Относительная роль каждого из них зависит тогда от таких факторов, как диэлектрическая проницаемость среды, время жизни возбужденных состояний, вероятность рекомбинации ионов, а также от того, каким путем может происходить рассеяние избытка энергии. В конденсированных фазах образовавшиеся ионы не отлетают далеко друг от друга, так как они тормозятся при столкновениях с соседними молекулами. Это часто приводит к тому, что ионы рекомбинируют в результате кулоновского притяжения. Следовательно, в таких случаях важную роль в реакциях играют свободные радикалы, т. е. незаряженные формы с одним или несколькими неспаренными электронами, и процесс в целом становится очень сложным. Поэтому при изучении механизмов реакций мы сначала сосредоточим внимание на процессах возбуждения молекул малыми, точно известными порциями энергии, оставив пока в стороне явления, связанные с частицами или фотонами большой энергии. Следует надеяться, что данные, полученные при изучении таких простых процессов, помогут разобраться в механизме более сложных реакций, протекающих под действием частиц с высокой энергией. [c.15]

Частично из-за потребности в монохроматическом излучении возникли два раздела фотоэлектронной спектроскопии. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, сокращенно обозначаемая как РФС или ЭСХА (электронная спектроскопия для химического анализа), использующая рентгеновские лучи в качестве источника ионизирующего излучения, изучает в основном электроны оболочки (т.е. невалентные электроны). Создание этого метода приписывают Сигбану и сотр. [27]. В ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии (УФС) используют ультрафиолетовое излучение, имеющее более низкую энергию, и, таким образом, исследуют энергии связи валентных электронов. Обязанная своим развитием главным образом Тернеру и его сотрудникам [28], УФС предназначалась не только для измерения энергий связывания валентных электронов, но и для наблюдения за возбужденными колебательными состояниями молекулярного иона, образующегося в процессе фотоионизации. [c.331]

Приведите длину и энергию связ , валентные углы, дипольные моменты молекул, температуры плавления и кипения, ДЯобр и ДО бр для водородных соединений р-элементов V группы типа ЭНз. [c.73]

Изучение многочисленных ме1 аллическнх сплавов показывает, что фазы А, В и АВ способны растворять в твердом состоянии переменные ко-Л1 чества компонентов. Такие однородные твердые вещества, состав которых может изменяться, называют твердыми растворами. Весьма характерно, что в то время как эвтектические составы Е и , отличаются тонкослоистым строением, областям выделения твердых растворов соответствует полная однородность структуры образцов иод микроскопом. Примерами систем, когда два вещества (А и В) смешиваются взаимно в самых различных соотношениях в твердый или жидкий однородный раствор, могут служить се-рсбро—золото, вода—спирт, бензол—толуол. Последовательным изменениям состава здесь отвечает непрерывность изменения соответствующих свойств. В системе Ае—Аи (рис. 1.4) атомы металлов по радиусам, энергиям связи, валентным возможностям близки друг к другу (хотя проявляются и раз- [c.21]

Относительные энергии (1-, 5- и р-орбиталей зависят от ряда факторов, связанных как с природой металла, так и с числом и природой присоединенных лигандов. При этом, если у атома металла эти энергии близки, а орбитали доступны для связывания лигандов, число присоединенных лигандов должно быть максимальным. Действительно, в случае V, Сг, Мп, Ре и Со низкие или отрицательные степени окисления способствуют максимальному связыванию лигандов, тогда как на обоих концах первого переходного ряда низкие степени окисления обусловливают невыгодность 18-ти электронных кохмплсксов [энергия Зс/-орбиталей является слишком высокой (Т ) или слишком низкой (Си)]. Для всех переходных металлов повышение степени окисления ведет к увеличению притяжения электронов положительно заряженным ядром, что понижает энергию связи валентных орбиталей и одновременно увеличивает энергетическую щель между d- и дальними 5- и р-ор-биталями. Следствием этого является меньшая склонность к комп-лексообразовапггю сслгг комплексы всс-таки образуются, лля них мало вероятно ЭАЧ=18. Препятствовать образованию координа-ционно насыщенных комплексов могут также пространственные факторы. [c.250]

Границы прит.1е 1имости модели центра свечения, предложенной Зейтцем, определяются характером взаимодействия активирующей примеси с микродефектами решетки основания и соотношением энергии связи валентного электрона примеси с соседним микродефектом и примесным центром. В тех случаях, когда значения энергии связи валентного электрона с примесью и с соседним тепловым [c.172]

Инертные элементы (подгруппа УП1А) играют большую роль в теории периодической системы. В оболочке их атомов завершается построение периферического энергетического уровня — вся электронная оболочка атома становится устойчивой. Весь атом данного инертного элемента приобретает характер прочного очередного атомного остова, как основы для построения последующего периода (см. рис. 4-3), причем ход заполнения элементами нового периода как бы повторяется по сравнению с предыдущим отчетливо проявляется периодичность в изменении электронной структуры, а следовательно, и химических свойств элементов в пределах каждого данного периода. Однако в этой периодичности нет простого повторения развития по замкнутому кругу каждый последующий период, как это видно из рисунка 4-3, по сравнению с предыдущим в своей основе имеет иной ядерно-электронный остов соответствующего инертного элемента. Структура этого остова от периода к периоду изменяется, его конфигурация усложняется, что существенным образом влияет на химические свойства каждого элемента периода на энергию связи валентных электронов с атомом, на свойства соединений, даже у элементов прн проявлении ими одинаковой валентности. Это в основном зависит [c.65]

Ассоциативная ионизация может проявляться в газовом разряде (непрерывного действия и импульсном), определяя ионизацию газа в нем. Атомы или молекулы газа возбуждаются электронным ударом, а затем сталкиваются с невозбуждеппыми частицами газа, образуя, согласно процессу (1.3,11), комплексные ионы и электроны. При этом следует заметить, что основную роль в такой ионизации газа могут играть наименее возбужденные атомы, для которых процесс (1.3.11) возможен. Действительно, во-первых, атомы в менее возбужденных состояниях более инттенсивно образуются в разряде. Во-вторых, ширина автоионизационного состояния квазимолекулы, составленной из возбужденной и невозбужденной частиц, резко уменьшается с уменьшением энергии связи валентного электрона. Поскольку при этом размер электронной орбиты увеличивается, то соответственно уменьшается вероятность нахождения электрона в области, занимаемой молекулярным ионом, а следовательно, уменьшается потенциал взаимодействия электрона с ионом, приводящий к развалу автоионизационного состояния. [c.83]

Итак, причиной образования ОЦК структур у металлов главных групп (Na, К, Rb, s, Fr, Р-Са, P-Sr, Ва, Ra и p-TI) является отделение валентных электронов с внешней незаполненной оболочки при ассоциации атомов в кристалл, вследствие чего их ионы приобретают завершенную р -обо-лочку. Обменное взаимодействие ортогонально расположенных р-орбиталей сбздает направленные связи, организующие ионы в ОЦК структуру. Плотные ГЦК и гексагональная упаковки металлов главных групп (Ве, Mg, а-Са, a-Sr, AI, In, a-Tl, Pb) образуются при условии сферической симметрии внешней оболочки иона вследствие сохранения внешних s-электро-пов или же из-за отсутствия перекрытия и обменного взаимодействия р -оболочек, ведущих себя тогда как псевдосферические. С увеличением числа валентных электронов растет энергия, усиливается тенденция к образованию двухэлектронных направленных связей и ковалентных структур. С увеличением числа внутренних электронов, экранирующих заряд ядра, наблюдается понижение энергии связи валентных электронов и переход к металлическому состоянию (P-Sn, Pb и др.). [c.219]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология