Бинарные кристаллические соединения

Дефекты нестехиометрии оказывают существенное влияние на ряд свойств кристаллических веществ, в частности на их электрическую проводимость. При отклонении состава многих бинарных кристаллических соединений от стехиометрии электрическая проводимость, как правило, увеличивается, что часто связано с присутствием в таких соединениях ионов в различных валентных состояниях. Например, появление Fe + в вюстите на месте некоторых катионов Fe + можно представить себе в виде процесса [c.79]

БИНАРНЫЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ [c.69]

Интерметаллическое соединение — сплав двух или более металлов, который имеет определенную кристаллическую структуру и стехиометрию. Это отличает их от гомогенных сплавов, которые могут иметь неупорядоченную структуру. Ряд бинарных интерметаллических соединений обладает значительной химической и термической устойчивостью эти сплавы содержат более направленные и нередко более сильные связи металл — металл, чем в сплавах замещения и внедрения. Интерметаллические соединения обычно образуются из двух металлов крайних групп периодической системы элементов. Они широко изучаются металлургами. [c.135]

Система К2О—8Ю2 — бинарная система, диаграмма состояния которой представлена на рис. 3. В соответствии с диаграммой состояния возможно образование трех конгруэнтно плавящихся кристаллических соединений К20-5102, КгО-25102 и К20-45102 [c.13]

Системы кремнезем — окись натрия —окись стронция и кремнезем — окись натрия — окись бария изучены в очень малой степени и только вдоль бинарных сечений соединений метасиликата. Описание рядов кристаллических растворов с минимумами температуры, данное Уоллесом требует пересмотра и повторных исследований статическим методом. [c.441]

Для обозначения структурных элементов обычно используют химические символы, соответствующие данному химическому элементу, н-апример Ыа, А1, С1 и т. д. При рассмотрении общего случая кристалла простого вещества, состоящего из атомов одного сорта, мы будем обозначать эти атомы буквой А. В общем случае формулу кристалла произвольного бинарного химического соединения будем записывать в виде МХ,> где буквой М обозначается более электроположительный компонент (в ионном соединении —катион), а буквой X —более электроотрицательный компонент (анион). Символ Р используется для обозначения чужеродных примесей. Вакансии или любые незанятые позиции в кристаллической решетке обозначаются буквой V. [c.23]

В нелегированных бинарных полупроводниковых соединениях величина и тип проводимости определяются концентрацией и видом дефектов кристаллической решетки, а также глубиной и степенью ионизации локальных уровней, соответствующих этим дефектам. [c.37]

Образование кристаллического молекулярного соединения обнаруживается по появлению на диаграмме состояний бинарной смеси отдельных кривых для равновесия твердое тело — жидкость. Если молекулярное соединение не образуется, то кривая состоит лишь из линий плавления обоих компонентов. Таким образом, по диаграмме состояний можно непосредственно заключить могут ли два чистых вещества при данных темпера рах опытов образовать определенное кристаллическое соединение или нет, а также дают ли они в твердом состоянии растворы с неограниченной или ограниченной взаимной растворимостью компонентов. Качественные сведения об этом можно получить при помощи простого и быстро выполнимого диффузионного или контактного метода в тех случаях, когда он применим. Все изложенное выше характеризует применение термического анализа как метода исследования органических соединений. [c.842]

Типы кристаллических решеток бинарных соединений, образуемых этими элементами, приведены в табл. 44. [c.466]

Бинарные соединения Си (I), Ад (I) и Аи (I) — твердые кристаллические солеподобные вещества, в большинстве нерастворимы в воде. Производные Ag (I) образуются при не- [c.624]

Так бинарное соединение АВ может содержать избыток атомов элемента А или В, если атомы того или другого элемента занижают не только свои узлы, но и часть междоузлий кристаллической решетки. Например, указывают, что в 2пО имеется избыток цинка, атомы которого занимают междоузлия. [c.167]

Переход жидкой фазы чистого вещества в кристаллическую происходит при постоянной температуре и соответствует горизонтальной площадке на кривой охлаждения. Далее увидим, что характер кривых охлаждения многокомпонентных систем может быть иным. Однако всегда при температуре, соответствующей началу фазового превращения, плавный ход такой кривой нару-щается. Это позволяет использовать кривые охлаждения, полученные для смесей различного состава, для построения диаграммы состояния изучаемой системы выбранных компонентов. Такие диаграммы называют еще диаграммами плавкости. Конкретный вид диаграммы зависит от свойств компонентов и определяется их взаимной растворимостью, а также способностью к образованию химических соединений. Ниже рассмотрим диаграммы плавкости некоторых бинарных двухкомпонентных систем. Во всех случаях будем предполагать, что системы находятся в условиях постоянного давления и выбранные компоненты обладают неограниченной растворимостью в жидком состоянии. [c.156]

Энергия кристаллических решеток может быть вычислена теоретически и определена на основе экспериментальных данных. Удовлетворительные результаты для ионных бинарных соединений дают расчеты по уравнению А. В. Капустинского (1943) [c.133]

Рассмотренные выше бинарные кристаллические соединения-это лишь небольшая часть известньис неорганических веществ. Легко видеть, что число таких соединений при постоянной валентности атомов не может быть больше квадрата числа химических элементов, т.е. 10 . Если учесть проявление разных валентностей и возможность образования кристаллогидратов, то общее число всевозможных неорганических веществ может возрасти максимум еще на порядок, т.е. достичь 10 . [c.92]

Первый кластер был описан Шабре в 1907 г. он имел состав ТабС114 7Н20 и, как мы теперь знаем, содержал в своей структуре октаэдры Tag. Вообще говоря, в пространственном строении любого бинарного кристаллического соединения можно выделить аналогичные координационные полиэдры-октаэдры, тетраэдры, кубы и т.д., составленные из металлических атомов, например Na в структуре Na l. Однако валентности атомов в классических соединениях насыщены нормальными химическими связями, например Na— l, и сколько-нибудь заметные Na—Na связи в них отсутствуют. Отличительная черта кластерных соединений-наличие в них гомоядерных связей М—М или X—X, приводящих к тому, что состав этих веществ не подчиняется формальным валентностям атомов. [c.109]

В табл. 144 на примере бинарных кристаллических соединений сопоставлены данные всех обсужденных выше методов, причем в случае метода ЭО приведены усредненные значения по трем вариантам расчета е /2-непосредственное сопоставление кристаллических ЭО, модифицированный метод Полинга и выравнивание кристаллических ОС по модифицированному методу Сандерсэна. [c.214]

Следуя принятой систематике на основании преимущественного типа химической связи, все бинарные водородные соединения можно разделить на 3 основных класса солеобразные (ионные), металлоподобные и летучие (ковалентные). Первые два класса являются собственно гидридами, а в последнем, как отмечено выше, водород функционирует преимущественно в качестве катионообразователя. Солеобразные гидриды образуются при непосредственном соединении с водородом щелочных и щелочно-земельных металлов. Водород в солеобразных гидридах формально функционирует как галогены, однако связь здесь носит менее ионный характер. Тем не менее гидриды щелочных металлов образуют кристаллические структуры типа Na l, а гидриды щелочно-земельных металлов — более сложные слоистые структуры. Состав солеобразных гидридов отвечает правилам формальной валентности, причем водород здесь имеет степень окисления —1. Характерной особенностью солеобразных гидридов в отличие от галогенидов является способность энергично взаимодействовать с водой с выделением водорода [c.64]

С помощью изоморфных коллекторов проводят избирательное концентрирование отдельных примесей. Так как при изоморфном соосаждении коэффициент сокристаллизации О пропорционален отношению произведений активностей соединений элемента-носи-теля и примеси, то для достижения достаточно большой величины О, -определяющей полноту выделения примеси в осадок, соединение элемента-носителя должно быть более растворимо, чем соединение примеси. Полнота соосаждения также зависит от осажденной доли й1акрокомпонента, поэтому желательно, чтобы остаточное содержание носителя в растворе составляло не более 0,01 части его первоначального количества [1477]. Ввиду селективности изоморфное соосаждение с явно кристаллическими осадками редко применяют в комбинированных спектральных методах с предварительным концентрированием примесей. Определение до 2-10 % РЬ (соосаждение с Ва304) и Ag (соосаждение с гало-генидами таллия и ртути) в бинарных полупроводниковых соединениях типа может служить характерным примером использования изоморфных коллекторов в спектрохимическом анализе чистых веществ [796, 797]. [c.305]

Внедрение атомов в междуузлия может происходить сравнительно легко в кристаллах с достаточно просторной упаковкой, при которой размеры междуузлий сравнимы с размерами атомов, и затруднено в кристаллах с плотной упаковкой атомов. Поэтому несколько позднее Шоттки предложил другую модель разупорядоченности твердых тел, содержащую только вакансии. По Шоттки, вакансии образуются при выходе атомов из узлов в объеме кристалла на поверхность, в результате которого на поверхности происходит достраивание кристаллической решетки, а в объеме кристалла возникают вакансии. В бинарных химических соединениях, в частности, в ионных кристаллах такая модель предполагает существование вакансий в подрешетках обоих компонентов в эквивалентных количествах. [c.22]

Для бинарных соединений характерны КЧ атомов от 1 до 12. Для простоты в дальнейшем из.тожении, говоря о КЧ, мы будем иметь в виду только атомы металлов. КЧ неметаллов в структуре АпВш всегда будут равны отношению КЧ металла к дроби mjn. Таким образом, зная стехиометрию кристаллического соединения и КЧмет, всегда можно найти КЧнемет. [c.70]

В дальнейшем в табл. 142 и 143 будет приведена сводка результатов, полученных для бинарных соединений методом Сцигети за последние 10-15 лет [24]. Если значения эффективных зарядов атомов в кристаллических соединениях отложить на графике против разницы ЭО партнеров связи, то получится довольно тесный коридор точек, как это можно видеть на рис. 19. Средняя линия, проведенная через этот коридор методом наименьших квадратов, устанавливает числовую зависимость кр от ДХ, представленную в табл. 137. [c.205]

Установлено, что взаимодействие борного ангидрида и активной оккси алюминия с образованием бинарного окисного соединения состава 2А1г0з-В20з в кристаллической форме со-нрозэждается экзотермическим эффектом при температурах 700—800—900=С, [c.59]

Взаимодействие борного ангидрида и активной окиси алюминия с образованием бинарного окисного соединения состава 2А1гОз В2О3 в кристаллической форме сопровождается экзотермическим эффектом при температурах 700—всю—900°С. [c.85]

Л. Г, Каракчиев (Новосибирск, СССР). В Институте катализа СО АН СССР был исследован широкий набор бинарных окисных катализаторов на основе кремнекислоты. Как правило, указанные катализаторы представляют собой рентгеноаморфные вещества с характерными колебательными спектрами. Фазовые превращения с образованием кристаллических соединений происходят при достаточно высоких температурах прокаливания (750° С II выше). [c.372]

Рентгенограммы бинарной пиритофосфатной композиции, выдержанной при 20 С, показали наличие ряда кристаллических соединений и аморфной фазы. Обнаруживаются значительные количества непрореаги- [c.238]

Кристаллах, например, бинарного соединения АВ могут быть незаняты узлы решетки, отвечаюш,ие атому (иону) А или В кроме того, в междоузлиях решетки могут располагаться избыточные атомы (ионы) А или В. Например, кристаллическая решетка карбида титана Ti сохраняется, если в ней недостает даже 40% атомов углерода. Поэтому еостав карбида титана может изменяться от Ti o.e до Ti и зависит от условий синтеза. [c.261]

Соединения лития (I). Бинарные соединения лития — бесцветные кристаллические вещества являются солями или солеподобными соединениями. По химической природе, растворимости и характеру гидролиза они напоминают производные кальция и магния. Из бинарных соединений и солей плохо растворимы LiF, Lij Oj, LijPOi и др. [c.486]

Бинарные соединения марганца (II) — кристаллические вещества с координационной или слоистой решеткой. Например, МпО и MnS имеют структуру типа Na l, к структурному типу рутила относится MnFj (см. рис. 70, б), слоистую труктуру имеют Mn Ia, Mn(OH)j (см. рис. 232, б). [c.573]

Соединения Э (1П). Для лантаноидов в степени окисления +3 известны многочисленные бинарные соединения (Э2О3, ЭНа1з, ЭдЗэ, ЭЫ, ЭНз) и разнообразные соли. Энтальпии и энергии Гиббса образования однотипных соединений лантаноидов близки например, АО/ их кристаллических трихлоридов имеют следующие значения (кДж/моль) [c.644]

В-третьих, данные о зависимости свойств и реакционной способности высокомолекулярных углеводородов гибридного строения от строения молекулы, полученные на основе исследования синтетических углеводородов бинарных и многокомпонентных смесей, приготовленных из них, служат реперными точками при исследовании фракций высокомолекулярных углеводородов нефти. Эти объективные предпосылки, включая и появление более совершенной экспериментальной техники, появившиеся за последние несколько лет, позволяют более уверенно и оптимистически смотреть на ближайшие перспективы развития исследований высокомолекулярных соединений нефти. В этой связи заслуживают большого внимания недавно опубликованные [ИЗ] результаты исследования 70-градусной фракции высокомолекулярных углеводородов гюргянской нефти. Основная часть парафино-циклопарафиновых углеводородов этой фракции (более-60%, из которых 85% не образуют кристаллического комплекса с карбамидом) не дегидрируется в молекуле их, отвечающей общей формуле С24Н48, содержится 2 пятичленных кольца, остальную часть молекулы (56%) составляют парафиновые С-атомы. [c.247]

Рис. 149. Зависимость свойств бинарных соединений от атомного номера элемента с положительной степенью окисления д стандартной энтропии кристаллических хлоридов б — температуры плавления оксидовз в — энтальпии образования хлоридов г — изобарного потенциала образования хлоридов

Теория соединений переменного состава сформировалась на основе представлений о строении реального кристалла. Представление об идеальном кристалле предполагает, что атомы (ионы) занимают все узлы кристаллической решетки и что в н е этой системы точек атомов (ионов) нет. Однако экспериментально наблюдаемые многие свойства твердых веществ не согласуются с этим представлением. В реальных кристаллах, например бинарного соединения АВ, могут быть незанятыми узлы решетки, отвечающие атомам (ионам) А или В кроме того, в междоузлиях решетки могут располагаться избыточные атомы (ионы) А или В. Например, кристаллическая решетка карбида титана Т1С сохраняется, если в ней недостает даже 40% атомов углерода. Поэтому состав карбида титана может изменяться от Т1Со,е до Т1С и зависит от условий синтеза. [c.283]

Для лантаноидов (III) известны многочисленные бинарные соединения (Э2О3, ЭНа1з, ЭаЗз, ЭЫ, ЭНз) и разнообразные соли. Теплоты п изобарные потенциалы образования однотипных соединений лантаноидов близки, например АС°бр. 298 их кристаллических трихлоридов имеют следующие значения кдж1моль) [c.552]

Попробуем ответить на вопрос, почему данное ионное соединение образует кристаллическую решетку определенного типа. Поначалу ответ кажется очень простым. Наиболее стабильной будет кристаллическая решетка, имеющая минимальную энергию, а следовательно, наибольшее число Маделунга. Из табл. А.18 следует, что ионные соединения стехиометрического состава (АВ) должны кристаллизоваться по типу s l. Однако это не так известна и решетка Na l, число Маделунга для которой меньше, чем для s l. Другие бинарные соединения кристаллизуются по типу решеток с еще меньшим числом Маделунга (например, решетка вюрцита — цинковой обманки). Кроме того, упущено еще одно важное обстоятельство. Рассмот- [c.116]

Если один из элементов — типичный металл, а другой — неметалл, то при достаточной разности в значениях электроотрицательности элементов можно говорить о наличии приближенно ионной связи. Обычно все характерные черты ионной связи проявляются на таких бинарных соединениях они имеют прочную ионную кристаллическую решетку, диэлектрики, хорошо растворяются в воде диссоциируют на ионы и присоединяют ее с образованием щелочей. К ним относятся галогениды и оксиды щелочных и щелочноземельных элементов KF, Na l, aF2, ВаО и др. [c.341]

Механизм образования дефектов и их влияние на свойства кристалла значительно сложнее у кристаллических сложных веществ. Рассмотрим в качестве примера бинарные соединения типа АВ, в частности один из оксидов титана Т10. Кристаллическую структуру этого вещества удобно представить в виде двух подрешеток, занятых атомами (ионами) титана и кислорода. Оксид титана имеет состав, отвечающий не только формуле Т10, но и набору различных составов от Т10о, до Т101,з. Для оксида точно стехиометрического состава (Т10) можно предположить, что обе подрешетки — титана и кислорода — заполнены одинаковым числом атомов, и если возникает вакансия в одной подрешетке, то одновременно должно происходить образование вакансии в другой подрешетке. [c.174]